JPH04110348A - 感光性ポリイミド組成物及びその現像法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、有機溶媒に対して溶解性を有する、シリル
オキシ基を側鎖に有する特定な芳香族ポリイミドと感光
性酸発生剤とが配合されている感光性ポリイミド組成物
、ならびに、銅張り基板、シリコンウェハーなどの基板
上にその組成物の薄膜を形成し、光、Ｘ線、電子線など
の活性エネルギー線を照射して、酸を発生させ、照射部
分のポリマーをヒドロキシル化された芳香族ポリイミド
となし、そのポリイミドをアルカリ性現像液で溶解し除
去して、前記基板上にパターン状の芳香族ポリイミド被
膜を形成する現像法に係わる。

〔従来技術の説明〕

近年、耐熱性、耐薬品性、機械的特性及び卓越した電気
絶縁性が要求される工業材料の分野において、耐熱性高
分子（芳香族ポリイミドなと）と呼ばれる一連の新規ポ
リマーが採用されるようになってきた。特に、半導体工
業における固体素子への絶縁膜やパッシベーション膜の
形成材料、及び半導体集積回路や多層プリント配線板な
どの層間絶縁材料は、耐熱性及び絶縁性に富むことが要
請される。かかる観点から、上記のパッシベーション膜
等を、絶縁性と共に耐熱性の高いポリイミドで形成する
ことが種々提案されている。

一方、有機溶媒に可溶性のポリイミドに光硬化性基を有
する単量体を混合して、光硬化させることかできる耐熱
性フォトレジスト組成物（特開昭５４−１０９８２８号
公報等参照）が提案されている。

また、テトラカルボン酸二無水物と光架橋性不飽和二重
結合を含むジアミン化合物、例えばジアミノカルコンと
を反応させて、感光性及び耐熱性等に優れたポリイミド
を得ること事か提案されている（特開昭５７−１３１２
２７号公報参照）。

更に、近年、溶媒可溶性のポリイミドを用い、レリーフ
パターン形成を行う試み（特開昭５８２９８２１号公報
参照）もなされている。

前記耐熱性フォトレジスト組成物（特開昭５４１０９８
２８号）は、光硬化性が劣り、しかも光硬化後のポリイ
ミドの耐熱性も充分ではない。

また、耐熱性に優れている芳香族ポリイミド（特開昭５
７−１３１２２７号）は、一般に溶媒に対する溶解性が
劣るのて、光硬化後に未露光部を有機溶媒に溶解させる
工程を含むパターンの形成には適さない。

公知の感光性組成物は、一般に、ネガ型感光性を有する
ものであり、高解像度化、極細線の開孔部の形成などに
はポジ型感光性レジストが望まれている。

近年、感光性を存する可溶性ポリイミドにおいても特開
昭６４−６０６３０号公報にポジ型レジストが報告され
ているが、現像処理されたポリイミド膜を永久被膜とし
て利用するには、その膜の電気的性質と共に、基板への
接着性が重要な因子であり、前記のポジ型レジストはこ
れら因子を充分満足するものではなかった。

〔解決しようとする問題点〕

本願の発明者らは、上述の現状に鑑み、耐熱性、耐吸湿
性、電気的及び機械的性質を高いレベルに保持している
と共に、基材上に被膜を形成した場合にその被膜の接着
性が厳しい環境下でも長期間保持される可溶性芳香族ポ
リイミドを提供することを目的として、種々検討した結
果、シリルオキシ基（好ましくはトリエチルシリルオキ
シ基）を側鎖に多数有する芳香族ポリイミドに感光性の
酸発生剤を加えた組成物か、光透過性に優れ、高い感光
性を有すると共に、広い範囲の有機溶媒に可溶性であり
、上記の目的を達成しうろことを知見した。

〔問題点を解決する手段〕

この出願の第１の発明は、一般式 （式中、Ａは４価の芳香族残基であり、Ｂはシリルオキ
シ基か芳香環に直接結合している２価の芳香族残基であ
る。）で示される反復単位を５０モル％以上、好ましく
は６０モル％以上、特に好ましくは７０〜１００モル％
有し、対数粘度（濃度；０．５ｇ／１００ｍＡ溶媒、溶
媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、測定温度；３０’Ｃ
）が０．２〜５である可溶性芳香族ポリイミド、および
、感光性の酸発生剤が配合されていることを特徴とする
感光性ホリイミド組成物に関する。

また、この出願の第２の発明は、前記の感光性ポリイミ
ド組成物の薄膜を基板上に形成し、その薄膜上に活性エ
ネルギー線を照射し、照射部分に酸を発生させて、照射
部分の芳香族ポリイミドのシリルオキシ基をヒドロキシ
基に変え、ヒドロキシル化された芳香族ポリイミドをア
ルカリ性現像液で溶解し除去して、パターン状被膜を基
板上に形成することを特徴とする感光性ポリイミド組成
物の現像法に関する。

以下に、この発明の感光性ポリイミド組成物、並びに、
その現像法を詳述する。

この発明の組成物において使用される可溶性芳香族ポリ
イミドは、高分子量のポリマーであり、例えば、０．５
ｇ／１００ｍ溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）の濃
度のポリマー溶液で、３０°Ｃの測定温度で測定した対
数粘度（ポリマーの重合度の程度を示す。）が、好まし
くは約０．３〜４、特に約０゜５〜３程度であり、また
、赤外線吸収スペクトル分析で測定されたイミド化率が
約９０％以上、特に９５〜１００％であることか好まし
い。

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、広い範囲の溶媒、例
えば、シクロヘキサノン、クロロポルム、ジクロロメタ
ン、ジメチルポルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン（ＮＭＰ）　、ジメチルスルホキシド（Ｄ
ＭＳＯ）等に溶解し、特にシクロヘキサノン、クロロホ
ルム等の吸湿性の低い溶媒中では、保存安定性か非常に
高い。

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、分子主鎖の反復単位
当たり、少なくとも０．５個、特に０．７〜４個、さら
に好ましくは１〜３個のシリルオキシ基（シリルエーテ
ル基）を有していることか好ましい。

前記のシリルオキシ基は、 一般式　（Ｒ）　３Ｓ　ｉ　−０−（ＩＩ）一般式　（
ＲＯ）　３　Ｓ　ｉ　　Ｏ（ＩＩＩ）（Ｒは、芳香族基
、アルキル基なとを示す）なとで示されるシリルオキシ
基であれはよく、例えば、トリメチルシリルオキシ基、
トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ
基などのトリ低級アルキルシリルオキシ基、ｌ・リメト
キシシリルオキシ基、トリエトキシシリルオキシ基など
のトリアルコキシシリルオキシ基などを好適に挙げるこ
とができる。

前記の芳香族ポリイミドは、そのポリマー主鎖を形成し
ているベンゼン環などの芳香環にシリルオキシ基を多数
有しているけれども、前記の芳香環には水酸基などの他
の官能基を実質的に有していないことが、耐熱性、耐薬
品性などの点から好ましい。

この発明の組成物において使用する感光性の酸発生剤と
しては、３５０〜４５０ｎｍに吸収波長を持ち、その波
長の光、あるいは、Ｘ線、電子線などの活性エネルギー
線の照射によって、好ましくはブレンステッド酸を発生
するものが好ましく、例えは、 ○ スルホン酸エステル；Ｒ−〇−３−Ｒ’　　（ＩＶ）ス
ルホニウム塩、　　　Ｒ４−３”Ｘ−（ＶＩ）（前記の
一般式において、Ｒ，Ｒ’　、及び、Ｒ〜Ｒ５はアルキ
ル基、フェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリルな
どの芳香族基であり、Ｘは蔭イオンである。）などを挙
げることができる。

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、例えば、芳香族テト
ラカルボン酸又はその酸無水物、あるいはその酸誘導体
と、水酸基が芳香環に直接結合している芳香族ジアミン
化合物とから、重合及びイミド化して、側鎖に水酸基を
有する高分子量の芳香族ポリイミドを生成させ、次いて
、該芳香族ポリイミドの溶液にシリルクロライドを添加
して脱塩酸剤の存在下に反応させて、該芳香族ポリイミ
ドの水酸基をシリル化することによって製造することが
できる。

前記の可溶性の芳香族ポリイミドの製造に使用される芳
香族テトラカルボン類としては、３，３”、４４′−又
は２．３．３’　、　４−ビフェニルテトラカルボン酸
又はその酸二無水物、あるいはそれらの酸誘導体などの
ビフェニルテトラカルボン酸類、３，３°、４４′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸又はその酸二無水物、あ
るいはその酸誘導体などのベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸類、３．３“、４．４−ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸又はその酸二無水物、あるいはその酸誘導体
などのビフェニルエーテルテトラカルボン酸類等の「ベ
ンゼン環を複数（特に２〜４個）有する芳香族テトラカ
ルボン酸類」を好適に挙げることかできる。

前記の「水酸基が芳香環に直接結合している芳香族ジア
ミン」としては、例えば、１−ヒドロキシ−２，５−ジ
アミノベンゼン、１−ヒドロキシ−３，５−ジアミノベ
ンゼンなどのヒドロキシジアミノベンゼン類、３．３’
−ジヒドロキシ−４，４°−ジアミノビフェニル、２．
２−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、４
，４°−ジヒドロキシ−３，３′−ジアミノビフェニル
などのジヒドロキシジアミノビフェニル類、３，３゛−
ジヒドロキシ−４，４゛−ジアミノジフェニルエーテル
、２．２−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、４，４°−ジヒドロキシ−３，３−ジアミ
ノジフェニルエーテルなどのジヒドロキシジアミノジフ
ェニルエーテル類、■、４−ビス（３−ヒドロキシ−４
−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−
ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェノキシ）ベンゼ
ンなどのビス（ヒドロキシアミノフェノキシ）ベンゼン
類などの「少なくとも１個、特に１〜３個のヒドロキシ
ル基が、ベンゼン環などの芳香環の炭素原子に直接に結
合している芳香族ジアミン化合物Ｊを好適に挙げること
ができる。

前記の可溶性芳香族ポリイミドの製法の好適な例は、３
．３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル
（ＨＡＢ）などの「水酸基をベンゼン環に有する芳香族
ジアミン化合物Ａを５０モル％以上、特に６０〜１００
モル％含有している芳香族ジアミン成分と、ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）　、好ましくは
２．３．３’　、　４°−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物（ａ−ＢＰＤＡ）なとの芳香族テトラカルボン
酸類を５０モル％以上、特に６０〜１００モル％含有す
る芳香族テトラカルボン酸成分とを、略等モル、有機極
性溶媒中、高温下（好ましくは１００〜３００°Ｃ１特
に約１４０〜２５０°Ｃの高温度下）で、−段で重合反
応及びイミド化反応させて高分子量の可溶性芳香族ポリ
イミド（対数粘度；０．２〜５程度）を生成させ、次い
で、該ポリイミドにトリアルキルシリルクロライド類（
特にトリメチルシリルクロライド、トリエチルシリルク
ロライド、トリイソプロピルシリルクロライド）などの
シリル化剤と、イミダゾール、トリエチルアミン、ピリ
ジンなどの脱塩酸剤とを加えて、該ポリイミドの水酸基
を実質的に全部シリル化して、「シリルオキシ基を多数
有する可溶性芳香族ポリイミド」を製造する方法を挙げ
ることかできる。

また、前記の可溶性芳香族ポリイミドは、前述の酸成分
とジアミン成分との二成分を、略等モル、有機極性溶媒
中、８０°Ｃ以下の低温下（特に０〜６０°Ｃの低温下
）で重合して、高分子量の芳香族ポリアミック酸（芳香
族ポリイミドの前駆体、対数粘度；０．２〜５程度）を
生成し、次いで、該芳香族ポリアミック酸を適当な条件
でイミド化して可溶性芳香族ポリイミドを製造し、さら
に、該ポリイミドの溶液に、トリアルキルシリルクロラ
イド類などのシリル化剤と、イミダゾールなどの脱塩酸
剤とを加えて、該ポリイミドの水酸基をシリル化して、
「シリルオキシ基含有の可溶性芳香族ポリイミドＪを製
造することができる。

前記の触媒としては、特に、イミダゾールなどの脱塩酸
剤を好適に挙げることができ、その使用割合は、シリル
他剤１モルに対して、１〜１０モル程度であることが好
ましい。

さらに、水酸基を有する芳香族ポリイミドをシリル化す
る温度は、０〜６０°Ｃ程度であることが好ましい。

なお、前述の製法において、シリルオキシ基を多数有す
る芳香族ポリイミドが生成した溶液を、多量のメタノー
ル、エタノールなどの低級アルコール、水などの溶媒中
に、添加して、ポリマーを粉末状に析出させ、濾別し、
さらに、必要であれば、前述の低級アルコールで充分に
洗浄して、精製された粉末状の芳香族ポリイミドとして
回収することが好ましい。

前述のシリル化された可溶性芳香族ポリイミドは、アル
カリ水溶液、例えば、炭酸ナトリウム、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドの水溶液には全く溶解し
ないが、そのシリルオキシ化前、或いは、そのポリマー
が加水分解されて、側鎖に水酸基を多数有するポリイミ
ドであれば、２％程度のアルカリ水溶液などにも容易に
溶解する。

この発明の組成物において使用する感光性の酸発生剤の
含有割合については、可溶性ポリイミド１００重量部に
対し、０．０１〜２０重量部、好ましくは０．０５〜ｌ
Ｏ重量部で含有させることか望ましい。その酸発生剤の
含有量が多すぎる場合はパターン精度に悪影響をもたら
すので好ましくない。

この発明の組成物は、有機溶媒に可溶性であり、集積回
路の製作等に使用する場合には、通常、溶液（レジスト
溶液組成物）の形で用いられる。この場合、前記溶液組
成物は、前述の有機溶媒に、１〜５０重量％、好ましく
は５〜３０重量％の割合で前記組成物が溶解していれば
よく、その溶液組成物は、回転粘度で示される溶液粘度
が、２０〜１００００センチポアズ、特に５０〜５００
０センチポアズであることか好ましく、そのような濃度
および粘度となるように調製することが好ましい。この
場合に用いる溶媒としては、前記の可溶性芳香族ポリイ
ミド、酸発生剤などを均一に溶解し、かつ、シリコン、
アルミニウムなどの基板表面に塗布後、該有機溶媒を蒸
発させることにより、均一で平滑な塗膜が形成され得る
ものであることか好ましく、可溶性芳香族ポリイミドを
溶解させることができる溶媒としてすでに例示したもの
を好適に使用することができる。

また、この発明の組成物には、上記成分の他に、必要に
応じて増感剤、染料、可塑剤、その他の樹脂、熱反応禁
止剤等、各種防止剤、接着性改良剤等を添加することが
できる。

以下に、このレジストパターンの形成する現像法につい
て説明する。

まず、前述のようにして調製したこの発明の組成物の溶
液を基板に塗布する。この基板への塗布は、例えば、ス
ピンナーで行うことかできる。次いて、塗膜を有する基
板を、温度６０〜１６０’Ｃ１好ましくは８０〜１２０
°Ｃで、２０〜６０分間乾燥して、厚さ約０．１〜５０
μｍの感光性ポリイミド組成物の薄膜を形成する。

その乾燥後に、この基板上の薄膜に対し、ポジ型フォト
マスクチャートを通して、Ｘ線、電子線、紫外線などの
活性エネルギー線を照射すると共に、必要であれば、照
射部分を水で湿らせた濾紙等で覆ったり、水蒸気リッチ
の雰囲気に充分に曝して湿潤状態とした後、８０〜１６
０′Ｃで２０〜６０分間乾燥させて、露光部分をアルカ
リ性現像液で洗い出すことによりレリーフパターンを形
成する。

上記アルカリ性現像液どしては、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、メタケイ酸ソーダ、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド等の例えば５重量％以下の濃
度の弱アルカリ水溶液を用いることができる。

このようにして形成されたレリーフパターンは、解像性
、コントラストともに良好なものである。

更に、この発明の組成物を用いて、前述のようにして形
成したパターンをマスクとして、銅箔などの基板をエツ
チングして配線を形成することができる。

〔実施例〕

次に実施例によりこの発明を更に詳細に説明するが、こ
の発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。

実施例１ ２．３，３．４−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
（ａ−ＢＰＤＡ）　６．８ｇ　（２３，１ｍｍｏ！り　
、３゜３−ジヒドロキシ−４，４°−ジアミノビフェニ
ル（ＨＡＢ）５．０　ｇ　（２３，１ｍｍｏＡ）を、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）４００ｒｒｌに加
え、室温で溶解させた後、Ｎｏ２の濾紙で濾過し、得ら
れた溶液を窒素気流中１８０’Ｃで１１時間、加熱攪拌
して、生成水を含むＮＭＰｌｌｏｍｌを流出させて、重
合およびイミド化を１段で行って、水酸基を有する可溶
性芳香族ポリイミドを生成させた。得られた均一なポリ
マー溶液を室温に戻した後、イミダゾール６．３ｇ　（
９２，５ｍｍｏβ）およびトリイソプロピルシリルクロ
ライド１９．７６ｍ１（９２，５ｍｍｏＡ）を加え、室
温で６時間攪拌を続けて、最後に、メタノール１０００
ｍｌ中でポリマーを析出させた。得られたポリマー粉末
は、更に１０００ｒｒｌのメタノールで洗い、五酸化リ
ンの存在下に一晩真空乾燥して、１７ｇ（収率９３％）
の粉末状の白色ポリマーを得た。

この芳香族ポリイミドはＤＭＦ、ＮＭＰ、、ＤＭＳ○と
いった溶媒から、クロロホルム、シクロヘキサノンまで
の幅広い溶媒に室温で１０重量％以上の割合で均一に溶
解し、そして、その対数粘度（濃度；　０．５　ｇ　／
　１００ｍ７溶媒、溶媒、ＮＭＰ、測定温度；３０°Ｃ
）が０．２７７である、「シリルオキシ基を多数有する
可溶性芳香族ポリイミド（イミド化率；１００％）ｊで
あった。

前述のようにして得られた芳香族ポリイミドの粉末の熱
重量分析の結果を第１図に示し、そして、芳香族ポリイ
ミドのプロトンＮＭＲの結果を第２図に示す。

前述のようにして得られた芳香族ポリイミドをシクロヘ
キサノンに溶解して、ポリマー濃度１０重量％の均一な
芳香族ポリイミド溶液を調製した。

更に、この芳香族ポリイミド溶液を、ドクターナイフを
用いてガラス板上に塗布し、約８０’Ｃで３０分間、続
いて２００℃で３０分間乾燥して、７μｍの厚さの芳香
族ポリイミド製の薄膜を形成させた。

この薄膜について、自記分光光度計（（掬口立製作所製
、３３０型）を使用して、５６０〜２００ｎｍの波長の
光線の光透過性を測定した。その結果、４６０〜５６０
ｎｍの波長の光の透過率カシ５〜８３％であり（４００
ｎｍの波長の光で３０％であった）、３６０ｎｍ以下の
波長の紫外線の透過率が２％以下であった。

実施例２ ａ−ＢＰＤＡ４．５４　ｇ　（１５，４ｍｍｏ、ｆ７）
　、、　ｓ　−Ｂ　ＰＤＡ２．２７　ｇ　（７，７ｍｍ
ｏβ）、ＨＡＢ５．Ｏｇ（２３，１ｍｍｏβ）をＮＭＰ
２００ｍ７に加え、窒素気流中、１８０°Ｃで３時間、
加熱攪拌し、生成水を含むＮＭＰ２５ｍＡを流出させた
。室温まで冷却した後イミダゾール６、３　ｇ　（９２
，５ｍｍｏり、および、トリエチルシリルクロライド１
５．６　ｍｌ（９２，５ｍＡ）を加え、室温で７時間攪
拌した。

得られた均一溶液を水１０００ｒｒｌ中に加えたポリマ
ーを析出させ、更にメタノール１０００ｍ、＋２で２回
洗浄し一晩真空乾燥し１４ｇの白色粉末を得た。（収率
８６．１％） 得られたポリマーの熱重量分析（ＴＧＡ）　、プロトン
ＮＭＲの結果を、第３図、第４図にそれぞれ示す。

また、実施例１同様にして、前記の可溶性芳香族ポリイ
ミド溶液から８μｍの薄膜を形成して、５６０〜２００
ｎｍの波長の光線の光透過性を測定した結果、４６０〜
５６０ｎｍの波長の光の透過率か７５〜８３％であり（
４００ｎｍの波長の光で３０％であった）、３６０ｎｍ
以下の波長の紫外線の透過率が２％以下であった。

前述のようにして得られたシリルオキシ基を有する可溶
性芳香族ポリイミドの１０重量％のシクロヘキサノン溶
液を２００Ｏｒｐｍで基板上にスピンコードした試料を
８０°Ｃて乾燥させ、２０００Ｃで３０分間熱処理した
後、１ｍｍ間隔で１００個の排口を付け、１２０°Ｃ水
蒸気気流中２０時間処理をし、粘着テープでビール剥離
試験をした。その結果、残膜率は、９９％以上であった
。

なお、シリルオキシ化前の水酸基を有する可溶性芳香族
ポリイミド１０重量％のＮＭＰ溶液を使用したほかは、
前述と同様のビール剥離試験を行った結果、残膜率は７
６％であった。　前述のようにして得られたシリルオキ
シ基を多数有する可溶性芳香族ポリイミド０．６２ｇ、
ｐ−二トロベンジル−９，１０−ジェトキシアントラセ
ン−２スルホネート（ＮＢＡＳ）０．０６２ｇをシクロ
へキサノン６．２ｇに溶解し、シリコンウェハーの上に
１１０００ｒｐ、６０秒間、スピンコードにより０．８
μｍの塗膜を作成する。この塗膜を１５０°Ｃて１０分
で乾燥し、ポリイミドと酸発生剤との組成物の薄膜をシ
リコンウェハー上に形成し、パターン状マスクをその薄
膜に重ね合わせ、４００ｍ　ｊ　／　ｃ♂　の強さの光
を照射てきる超高圧水銀ランプに曝して、光照射を行う
と共に、さらに、水／メタノール＝１で湿らせた濾紙に
覆い一晩放置して光照射部分を湿潤化し、その後、光照
射された薄膜を有するシリコンウェハーを、２００°Ｃ
で３０分間乾燥させて、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロキサイド２％の水溶液に２分浸し光照射部分を除去
してパターン被膜を形成する現像を行う。さらに、パタ
ーン被膜の形成されたシリコンウェハーを水で洗浄し乾
燥することにより、６μｍ間隔のパターン被膜がきれい
に形成されているのが確認された。

〔本発明の作用効果〕

この発明における感光性ポリイミドと酸発生剤とを含有
する組成物は、既にイミド化されている芳香族ポリイミ
ドが使用されているので、イミド化のために高い熱処理
を必要とせず、また、電子線、Ｘ線、電磁波、紫外線な
どの活性エネルギー線の照射部と未照射部との溶解度差
をつけることか容易に可能であり、この場合にも特別の
複雑な操作や高い温度を必要としないのて、精密なパタ
ーンを形成する現像を容易に行うことができるのであり
、更に、前述の可溶性芳香族ポリイミドを含有している
組成物の膜（実質的のポリイミドからなる膜）は、その
側鎖の多数有しているシリルオキシ基によって高い接着
性で基板に接合されるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第３図は、ポリマーの熱重量分析の結果のチ
ャートを示す図面てあり、第２図及び第４図は、ポリマ
ーのＨ−ＮＭＲスペクトルのチャートを示す図面である
。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａは４価の芳香族残基であり、Ｂはシリルオキ
   シ基が芳香環に直接結合している２価の芳香族残基であ
   る。）で示される反復単位を５０モル％以上有し、対数
   粘度（濃度；０．５ｇ／１００ｍｌ溶媒、溶媒；Ｎ−メ
   チル−２−ピロリドン、測定温度；３０℃）が０．２〜
   ５である可溶性芳香族ポリイミド、および、感光性の酸
   発生剤が配合されていることを特徴とする感光性ポリイ
   ミド組成物。
2. （２）請求項第１項記載の感光性ポリイミド組成物の薄
   膜を基板上に形成し、その薄膜上に活性エネルギー線を
   照射し、照射部分に酸を発生させて、照射部分の芳香族
   ポリイミドのシリルオキシ基をヒドロキシ基に変え、ヒ
   ドロキシル化された芳香族ポリイミドをアルカリ性現像
   液で溶解し除去して、パターン状被膜を基板上に形成す
   ることを特徴とする感光性ポリイミド組成物の現像法。