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JPH04110348A - Photosensitive polyimide composition and its developing method - Google Patents

Photosensitive polyimide composition and its developing method

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Publication number
JPH04110348A
JPH04110348A JP2228387A JP22838790A JPH04110348A JP H04110348 A JPH04110348 A JP H04110348A JP 2228387 A JP2228387 A JP 2228387A JP 22838790 A JP22838790 A JP 22838790A JP H04110348 A JPH04110348 A JP H04110348A
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JP
Japan
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aromatic
polyimide
aromatic polyimide
photosensitive
soluble
Prior art date
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Granted
Application number
JP2228387A
Other languages
Japanese (ja)
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JP2717991B2 (en
Inventor
Motozo Yoshikiyo
元造 吉清
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Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
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Publication of JPH04110348A publication Critical patent/JPH04110348A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、有機溶媒に対して溶解性を有する、シリル
オキシ基を側鎖に有する特定な芳香族ポリイミドと感光
性酸発生剤とが配合されている感光性ポリイミド組成物
、ならびに、銅張り基板、シリコンウェハーなどの基板
上にその組成物の薄膜を形成し、光、X線、電子線など
の活性エネルギー線を照射して、酸を発生させ、照射部
分のポリマーをヒドロキシル化された芳香族ポリイミド
となし、そのポリイミドをアルカリ性現像液で溶解し除
去して、前記基板上にパターン状の芳香族ポリイミド被
膜を形成する現像法に係わる。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention is a method in which a specific aromatic polyimide having a silyloxy group in its side chain and having solubility in an organic solvent is blended with a photosensitive acid generator. A thin film of the composition is formed on a photosensitive polyimide composition and a substrate such as a copper-clad substrate or a silicon wafer, and acid is generated by irradiating it with active energy rays such as light, X-rays, and electron beams. The present invention relates to a developing method in which the polymer in the irradiated area is made into a hydroxylated aromatic polyimide, and the polyimide is dissolved and removed with an alkaline developer to form a patterned aromatic polyimide film on the substrate.

〔従来技術の説明〕[Description of prior art]

近年、耐熱性、耐薬品性、機械的特性及び卓越した電気
絶縁性が要求される工業材料の分野において、耐熱性高
分子(芳香族ポリイミドなと)と呼ばれる一連の新規ポ
リマーが採用されるようになってきた。特に、半導体工
業における固体素子への絶縁膜やパッシベーション膜の
形成材料、及び半導体集積回路や多層プリント配線板な
どの層間絶縁材料は、耐熱性及び絶縁性に富むことが要
請される。かかる観点から、上記のパッシベーション膜
等を、絶縁性と共に耐熱性の高いポリイミドで形成する
ことが種々提案されている。
In recent years, a series of new polymers called heat-resistant polymers (such as aromatic polyimides) have been adopted in the field of industrial materials that require heat resistance, chemical resistance, mechanical properties, and excellent electrical insulation properties. It has become. In particular, materials for forming insulating films and passivation films on solid-state devices in the semiconductor industry, and interlayer insulating materials for semiconductor integrated circuits, multilayer printed wiring boards, etc., are required to have high heat resistance and insulation properties. From this point of view, various proposals have been made to form the above-mentioned passivation film etc. with polyimide, which has high insulation properties and high heat resistance.

一方、有機溶媒に可溶性のポリイミドに光硬化性基を有
する単量体を混合して、光硬化させることかできる耐熱
性フォトレジスト組成物(特開昭54−109828号
公報等参照)が提案されている。
On the other hand, a heat-resistant photoresist composition (see JP-A-54-109828, etc.) that can be photocured by mixing a monomer having a photocurable group with polyimide soluble in an organic solvent has been proposed. ing.

また、テトラカルボン酸二無水物と光架橋性不飽和二重
結合を含むジアミン化合物、例えばジアミノカルコンと
を反応させて、感光性及び耐熱性等に優れたポリイミド
を得ること事か提案されている(特開昭57−1312
27号公報参照)。
It has also been proposed to react tetracarboxylic dianhydride with a diamine compound containing a photocrosslinkable unsaturated double bond, such as diaminochalcone, to obtain a polyimide with excellent photosensitivity and heat resistance. (Unexamined Japanese Patent Publication No. 57-1312
(See Publication No. 27).

更に、近年、溶媒可溶性のポリイミドを用い、レリーフ
パターン形成を行う試み(特開昭5829821号公報
参照)もなされている。
Furthermore, in recent years, attempts have been made to form relief patterns using solvent-soluble polyimide (see Japanese Patent Laid-Open No. 5829821).

前記耐熱性フォトレジスト組成物(特開昭541098
28号)は、光硬化性が劣り、しかも光硬化後のポリイ
ミドの耐熱性も充分ではない。
The heat-resistant photoresist composition (Japanese Patent Application Laid-open No. 541098
No. 28) has poor photocurability, and the heat resistance of the polyimide after photocuring is also insufficient.

また、耐熱性に優れている芳香族ポリイミド(特開昭5
7−131227号)は、一般に溶媒に対する溶解性が
劣るのて、光硬化後に未露光部を有機溶媒に溶解させる
工程を含むパターンの形成には適さない。
In addition, aromatic polyimide (Japanese Unexamined Patent Publication No. 5
No. 7-131227) generally has poor solubility in solvents, and therefore is not suitable for forming a pattern that includes a step of dissolving the unexposed areas in an organic solvent after photocuring.

公知の感光性組成物は、一般に、ネガ型感光性を有する
ものであり、高解像度化、極細線の開孔部の形成などに
はポジ型感光性レジストが望まれている。
Known photosensitive compositions generally have negative photosensitivity, and positive photosensitive resists are desired for higher resolution, formation of ultrafine line openings, and the like.

近年、感光性を存する可溶性ポリイミドにおいても特開
昭64−60630号公報にポジ型レジストが報告され
ているが、現像処理されたポリイミド膜を永久被膜とし
て利用するには、その膜の電気的性質と共に、基板への
接着性が重要な因子であり、前記のポジ型レジストはこ
れら因子を充分満足するものではなかった。
In recent years, a positive resist for photosensitive soluble polyimide has been reported in JP-A-64-60630, but in order to use the developed polyimide film as a permanent film, the electrical properties of the film must be In addition, adhesion to the substrate is an important factor, and the above-mentioned positive resists did not fully satisfy these factors.

〔解決しようとする問題点〕[Problem to be solved]

本願の発明者らは、上述の現状に鑑み、耐熱性、耐吸湿
性、電気的及び機械的性質を高いレベルに保持している
と共に、基材上に被膜を形成した場合にその被膜の接着
性が厳しい環境下でも長期間保持される可溶性芳香族ポ
リイミドを提供することを目的として、種々検討した結
果、シリルオキシ基(好ましくはトリエチルシリルオキ
シ基)を側鎖に多数有する芳香族ポリイミドに感光性の
酸発生剤を加えた組成物か、光透過性に優れ、高い感光
性を有すると共に、広い範囲の有機溶媒に可溶性であり
、上記の目的を達成しうろことを知見した。
In view of the above-mentioned current situation, the inventors of the present application have developed a technology that maintains high levels of heat resistance, moisture absorption resistance, electrical and mechanical properties, as well as the adhesion of the film when formed on a base material. With the aim of providing a soluble aromatic polyimide that maintains its properties for a long period of time even in harsh environments, we have conducted various studies and found that it is photosensitive to an aromatic polyimide that has a large number of silyloxy groups (preferably triethylsilyloxy groups) in its side chains. The present inventors have discovered that a composition containing an acid generator has excellent light transmittance, high photosensitivity, and is soluble in a wide range of organic solvents, achieving the above objectives.

〔問題点を解決する手段〕[Means to solve problems]

この出願の第1の発明は、一般式 (式中、Aは4価の芳香族残基であり、Bはシリルオキ
シ基か芳香環に直接結合している2価の芳香族残基であ
る。)で示される反復単位を50モル%以上、好ましく
は60モル%以上、特に好ましくは70〜100モル%
有し、対数粘度(濃度;0.5g/100mA溶媒、溶
媒;N−メチル−2−ピロリドン、測定温度;30’C
)が0.2〜5である可溶性芳香族ポリイミド、および
、感光性の酸発生剤が配合されていることを特徴とする
感光性ホリイミド組成物に関する。
The first invention of this application is based on the general formula (where A is a tetravalent aromatic residue and B is a silyloxy group or a divalent aromatic residue directly bonded to the aromatic ring). ) 50 mol% or more, preferably 60 mol% or more, particularly preferably 70 to 100 mol% of the repeating unit represented by
Logarithmic viscosity (concentration: 0.5 g/100 mA solvent, solvent: N-methyl-2-pyrrolidone, measurement temperature: 30'C
) is 0.2 to 5, and a photosensitive acid generator.

また、この出願の第2の発明は、前記の感光性ポリイミ
ド組成物の薄膜を基板上に形成し、その薄膜上に活性エ
ネルギー線を照射し、照射部分に酸を発生させて、照射
部分の芳香族ポリイミドのシリルオキシ基をヒドロキシ
基に変え、ヒドロキシル化された芳香族ポリイミドをア
ルカリ性現像液で溶解し除去して、パターン状被膜を基
板上に形成することを特徴とする感光性ポリイミド組成
物の現像法に関する。
In addition, a second invention of this application is to form a thin film of the photosensitive polyimide composition on a substrate, irradiate the thin film with active energy rays, generate acid in the irradiated area, and irradiate the irradiated area with an active energy ray. A photosensitive polyimide composition characterized in that a silyloxy group of an aromatic polyimide is changed to a hydroxyl group, and the hydroxylated aromatic polyimide is dissolved and removed with an alkaline developer to form a patterned film on a substrate. Regarding development method.

以下に、この発明の感光性ポリイミド組成物、並びに、
その現像法を詳述する。
Below, the photosensitive polyimide composition of the present invention, and
The developing method will be explained in detail.

この発明の組成物において使用される可溶性芳香族ポリ
イミドは、高分子量のポリマーであり、例えば、0.5
g/100m溶媒(N−メチル−2−ピロリドン)の濃
度のポリマー溶液で、30°Cの測定温度で測定した対
数粘度(ポリマーの重合度の程度を示す。)が、好まし
くは約0.3〜4、特に約0゜5〜3程度であり、また
、赤外線吸収スペクトル分析で測定されたイミド化率が
約90%以上、特に95〜100%であることか好まし
い。
The soluble aromatic polyimide used in the composition of this invention is a polymer of high molecular weight, e.g.
The logarithmic viscosity (indicating the degree of polymerization of the polymer) measured at a measuring temperature of 30° C. in a polymer solution with a concentration of g/100 m solvent (N-methyl-2-pyrrolidone) is preferably about 0.3 -4, particularly about 0.5 to 3, and the imidization rate measured by infrared absorption spectroscopy is preferably about 90% or more, particularly 95 to 100%.

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、広い範囲の溶媒、例
えば、シクロヘキサノン、クロロポルム、ジクロロメタ
ン、ジメチルポルムアミド(DMF)、N−メチル−2
−ピロリドン(NMP) 、ジメチルスルホキシド(D
MSO)等に溶解し、特にシクロヘキサノン、クロロホ
ルム等の吸湿性の低い溶媒中では、保存安定性か非常に
高い。
The soluble aromatic polyimides mentioned above can be used in a wide range of solvents, such as cyclohexanone, chloroporm, dichloromethane, dimethylpolamide (DMF), N-methyl-2
-pyrrolidone (NMP), dimethyl sulfoxide (D
MSO), etc., and has very high storage stability, especially in low hygroscopic solvents such as cyclohexanone and chloroform.

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、分子主鎖の反復単位
当たり、少なくとも0.5個、特に0.7〜4個、さら
に好ましくは1〜3個のシリルオキシ基(シリルエーテ
ル基)を有していることか好ましい。
The above-mentioned soluble aromatic polyimide has at least 0.5, especially 0.7 to 4, and more preferably 1 to 3 silyloxy groups (silyl ether groups) per repeating unit in the main chain of the molecule. That's preferable.

前記のシリルオキシ基は、 一般式 (R) 3S i −0−(II)一般式 (
RO) 3 S i  O(III)(Rは、芳香族基
、アルキル基なとを示す)なとで示されるシリルオキシ
基であれはよく、例えば、トリメチルシリルオキシ基、
トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ
基などのトリ低級アルキルシリルオキシ基、l・リメト
キシシリルオキシ基、トリエトキシシリルオキシ基など
のトリアルコキシシリルオキシ基などを好適に挙げるこ
とができる。
The above silyloxy group has the general formula (R) 3S i -0-(II) the general formula (
Any silyloxy group such as RO) 3 S i O(III) (R represents an aromatic group or an alkyl group) is acceptable, such as a trimethylsilyloxy group,
Suitable examples include tri-lower alkylsilyloxy groups such as triethylsilyloxy group and tripropylsilyloxy group, and trialkoxysilyloxy groups such as 1.limethoxysilyloxy group and triethoxysilyloxy group.

前記の芳香族ポリイミドは、そのポリマー主鎖を形成し
ているベンゼン環などの芳香環にシリルオキシ基を多数
有しているけれども、前記の芳香環には水酸基などの他
の官能基を実質的に有していないことが、耐熱性、耐薬
品性などの点から好ましい。
Although the aromatic polyimide described above has many silyloxy groups in the aromatic ring such as the benzene ring forming its polymer main chain, the aromatic ring does not substantially contain other functional groups such as hydroxyl groups. It is preferable not to have it from the viewpoint of heat resistance, chemical resistance, etc.

この発明の組成物において使用する感光性の酸発生剤と
しては、350〜450nmに吸収波長を持ち、その波
長の光、あるいは、X線、電子線などの活性エネルギー
線の照射によって、好ましくはブレンステッド酸を発生
するものが好ましく、例えは、 ○ スルホン酸エステル;R−〇−3−R’  (IV)ス
ルホニウム塩、   R4−3”X−(VI)(前記の
一般式において、R,R’ 、及び、R〜R5はアルキ
ル基、フェニル、ジフェニル、ナフチル、アンスリルな
どの芳香族基であり、Xは蔭イオンである。)などを挙
げることができる。
The photosensitive acid generator used in the composition of this invention has an absorption wavelength in the range of 350 to 450 nm, and is preferably irradiated with light at that wavelength or with active energy rays such as X-rays and electron beams. Those that generate Stead acid are preferred, such as: ○ Sulfonic acid ester; R-〇-3-R' (IV) sulfonium salt, R4-3''' , and R to R5 are an alkyl group, an aromatic group such as phenyl, diphenyl, naphthyl, anthryl, and X is a negative ion.

前記の可溶性芳香族ポリイミドは、例えば、芳香族テト
ラカルボン酸又はその酸無水物、あるいはその酸誘導体
と、水酸基が芳香環に直接結合している芳香族ジアミン
化合物とから、重合及びイミド化して、側鎖に水酸基を
有する高分子量の芳香族ポリイミドを生成させ、次いて
、該芳香族ポリイミドの溶液にシリルクロライドを添加
して脱塩酸剤の存在下に反応させて、該芳香族ポリイミ
ドの水酸基をシリル化することによって製造することが
できる。
The above-mentioned soluble aromatic polyimide is obtained by polymerizing and imidizing, for example, an aromatic tetracarboxylic acid, its acid anhydride, or its acid derivative, and an aromatic diamine compound in which a hydroxyl group is directly bonded to an aromatic ring. A high molecular weight aromatic polyimide having a hydroxyl group in the side chain is produced, and then silyl chloride is added to a solution of the aromatic polyimide and reacted in the presence of a dehydrochlorination agent to remove the hydroxyl group of the aromatic polyimide. It can be produced by silylation.

前記の可溶性の芳香族ポリイミドの製造に使用される芳
香族テトラカルボン類としては、3,3”、44′−又
は2.3.3’ 、 4−ビフェニルテトラカルボン酸
又はその酸二無水物、あるいはそれらの酸誘導体などの
ビフェニルテトラカルボン酸類、3,3°、44′−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸又はその酸二無水物、あ
るいはその酸誘導体などのベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸類、3.3“、4.4−ビフェニルエーテルテトラ
カルボン酸又はその酸二無水物、あるいはその酸誘導体
などのビフェニルエーテルテトラカルボン酸類等の「ベ
ンゼン環を複数(特に2〜4個)有する芳香族テトラカ
ルボン酸類」を好適に挙げることかできる。
The aromatic tetracarboxylic compounds used in the production of the above-mentioned soluble aromatic polyimide include 3,3", 44'- or 2.3.3', 4-biphenyltetracarboxylic acid or its acid dianhydride; or biphenyltetracarboxylic acids such as acid derivatives thereof; benzophenonetetracarboxylic acids such as 3,3°,44'-benzophenonetetracarboxylic acid or its acid dianhydride; or its acid derivatives; 3.3", 4.4 - Preferred examples include "aromatic tetracarboxylic acids having a plurality of benzene rings (especially 2 to 4)" such as biphenyl ether tetracarboxylic acids, their dianhydrides, or acid derivatives thereof. I can do it.

前記の「水酸基が芳香環に直接結合している芳香族ジア
ミン」としては、例えば、1−ヒドロキシ−2,5−ジ
アミノベンゼン、1−ヒドロキシ−3,5−ジアミノベ
ンゼンなどのヒドロキシジアミノベンゼン類、3.3’
−ジヒドロキシ−4,4°−ジアミノビフェニル、2.
2−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル、4
,4°−ジヒドロキシ−3,3′−ジアミノビフェニル
などのジヒドロキシジアミノビフェニル類、3,3゛−
ジヒドロキシ−4,4゛−ジアミノジフェニルエーテル
、2.2−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノジフェニ
ルエーテル、4,4°−ジヒドロキシ−3,3−ジアミ
ノジフェニルエーテルなどのジヒドロキシジアミノジフ
ェニルエーテル類、■、4−ビス(3−ヒドロキシ−4
−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−ヒ
ドロキシ−3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−
ビス(3−ヒドロキシ−4−アミノフェノキシ)ベンゼ
ンなどのビス(ヒドロキシアミノフェノキシ)ベンゼン
類などの「少なくとも1個、特に1〜3個のヒドロキシ
ル基が、ベンゼン環などの芳香環の炭素原子に直接に結
合している芳香族ジアミン化合物Jを好適に挙げること
ができる。
Examples of the above-mentioned "aromatic diamine in which a hydroxyl group is directly bonded to an aromatic ring" include hydroxydiaminobenzenes such as 1-hydroxy-2,5-diaminobenzene and 1-hydroxy-3,5-diaminobenzene; 3.3'
-dihydroxy-4,4°-diaminobiphenyl, 2.
2-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4
, 4°-dihydroxy-3,3′-diaminobiphenyl and other dihydroxydiaminobiphenyls, 3,3′-
Dihydroxydiaminodiphenyl ethers such as dihydroxy-4,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2-dihydroxy-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4°-dihydroxy-3,3-diaminodiphenyl ether, ■, 4-bis( 3-hydroxy-4
-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-hydroxy-3-aminophenoxy)benzene, 1,3-
Bis(hydroxyaminophenoxy)benzenes such as bis(3-hydroxy-4-aminophenoxy)benzene have at least one, especially 1 to 3 hydroxyl groups directly attached to a carbon atom of an aromatic ring such as a benzene ring. Preferred examples include aromatic diamine compound J bonded to .

前記の可溶性芳香族ポリイミドの製法の好適な例は、3
.3′−ジヒドロキシ−4,4′−ジアミノビフェニル
(HAB)などの「水酸基をベンゼン環に有する芳香族
ジアミン化合物Aを50モル%以上、特に60〜100
モル%含有している芳香族ジアミン成分と、ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物(BPDA) 、好ましくは
2.3.3’ 、 4°−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物(a−BPDA)なとの芳香族テトラカルボン
酸類を50モル%以上、特に60〜100モル%含有す
る芳香族テトラカルボン酸成分とを、略等モル、有機極
性溶媒中、高温下(好ましくは100〜300°C1特
に約140〜250°Cの高温度下)で、−段で重合反
応及びイミド化反応させて高分子量の可溶性芳香族ポリ
イミド(対数粘度;0.2〜5程度)を生成させ、次い
で、該ポリイミドにトリアルキルシリルクロライド類(
特にトリメチルシリルクロライド、トリエチルシリルク
ロライド、トリイソプロピルシリルクロライド)などの
シリル化剤と、イミダゾール、トリエチルアミン、ピリ
ジンなどの脱塩酸剤とを加えて、該ポリイミドの水酸基
を実質的に全部シリル化して、「シリルオキシ基を多数
有する可溶性芳香族ポリイミド」を製造する方法を挙げ
ることかできる。
A preferred example of the method for producing the soluble aromatic polyimide is 3.
.. Aromatic diamine compound A having a hydroxyl group in the benzene ring such as 3'-dihydroxy-4,4'-diaminobiphenyl (HAB) at 50 mol% or more, especially 60 to 100 mol%
Aromatic diamine component containing mol% and biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), preferably 2.3.3', 4°-biphenyltetracarboxylic dianhydride (a-BPDA). An aromatic tetracarboxylic acid component containing 50 mol % or more, especially 60 to 100 mol % of aromatic tetracarboxylic acids, and an aromatic tetracarboxylic acid component containing about 50 mol % or more, especially 60 to 100 mol %, in an organic polar solvent at a high temperature (preferably 100 to 300° C., especially about 140° C. A high molecular weight soluble aromatic polyimide (logarithmic viscosity: about 0.2 to 5) is produced by a polymerization reaction and an imidization reaction in a second stage at a high temperature of ~250°C. Alkylsilyl chlorides (
In particular, substantially all of the hydroxyl groups of the polyimide are silylated by adding a silylating agent such as trimethylsilyl chloride, triethylsilyl chloride, triisopropylsilyl chloride, and a dehydrochlorination agent such as imidazole, triethylamine, or pyridine. A method for producing "soluble aromatic polyimide having a large number of groups" can be mentioned.

また、前記の可溶性芳香族ポリイミドは、前述の酸成分
とジアミン成分との二成分を、略等モル、有機極性溶媒
中、80°C以下の低温下(特に0〜60°Cの低温下
)で重合して、高分子量の芳香族ポリアミック酸(芳香
族ポリイミドの前駆体、対数粘度;0.2〜5程度)を
生成し、次いで、該芳香族ポリアミック酸を適当な条件
でイミド化して可溶性芳香族ポリイミドを製造し、さら
に、該ポリイミドの溶液に、トリアルキルシリルクロラ
イド類などのシリル化剤と、イミダゾールなどの脱塩酸
剤とを加えて、該ポリイミドの水酸基をシリル化して、
「シリルオキシ基含有の可溶性芳香族ポリイミドJを製
造することができる。
The soluble aromatic polyimide can be prepared by mixing the two components, the acid component and the diamine component, in approximately equal moles in an organic polar solvent at a low temperature of 80°C or lower (particularly at a low temperature of 0 to 60°C). to produce a high molecular weight aromatic polyamic acid (precursor of aromatic polyimide, logarithmic viscosity: about 0.2 to 5), and then imidize the aromatic polyamic acid under appropriate conditions to make it soluble. An aromatic polyimide is produced, and a silylating agent such as a trialkylsilyl chloride and a dehydrochlorination agent such as imidazole are added to a solution of the polyimide to silylate the hydroxyl groups of the polyimide,
“Soluble aromatic polyimide J containing silyloxy groups can be produced.

前記の触媒としては、特に、イミダゾールなどの脱塩酸
剤を好適に挙げることができ、その使用割合は、シリル
他剤1モルに対して、1〜10モル程度であることが好
ましい。
Particularly suitable examples of the catalyst include dehydrochlorination agents such as imidazole, and the proportion thereof used is preferably about 1 to 10 moles per mole of the silyl and other agents.

さらに、水酸基を有する芳香族ポリイミドをシリル化す
る温度は、0〜60°C程度であることが好ましい。
Further, the temperature at which the aromatic polyimide having a hydroxyl group is silylated is preferably about 0 to 60°C.

なお、前述の製法において、シリルオキシ基を多数有す
る芳香族ポリイミドが生成した溶液を、多量のメタノー
ル、エタノールなどの低級アルコール、水などの溶媒中
に、添加して、ポリマーを粉末状に析出させ、濾別し、
さらに、必要であれば、前述の低級アルコールで充分に
洗浄して、精製された粉末状の芳香族ポリイミドとして
回収することが好ましい。
In addition, in the above-mentioned manufacturing method, the solution produced by the aromatic polyimide having a large number of silyloxy groups is added to a large amount of a lower alcohol such as methanol or ethanol, or a solvent such as water to precipitate the polymer in powder form. filtered,
Furthermore, if necessary, it is preferable to sufficiently wash the product with the above-mentioned lower alcohol and recover it as a purified aromatic polyimide powder.

前述のシリル化された可溶性芳香族ポリイミドは、アル
カリ水溶液、例えば、炭酸ナトリウム、テトラメチルア
ンモニウムハイドロオキサイドの水溶液には全く溶解し
ないが、そのシリルオキシ化前、或いは、そのポリマー
が加水分解されて、側鎖に水酸基を多数有するポリイミ
ドであれば、2%程度のアルカリ水溶液などにも容易に
溶解する。
The above-mentioned silylated soluble aromatic polyimide does not dissolve at all in aqueous alkali solutions such as sodium carbonate and tetramethylammonium hydroxide; Polyimides having a large number of hydroxyl groups in their chains can be easily dissolved in an aqueous alkali solution of about 2%.

この発明の組成物において使用する感光性の酸発生剤の
含有割合については、可溶性ポリイミド100重量部に
対し、0.01〜20重量部、好ましくは0.05〜l
O重量部で含有させることか望ましい。その酸発生剤の
含有量が多すぎる場合はパターン精度に悪影響をもたら
すので好ましくない。
The content of the photosensitive acid generator used in the composition of the present invention is 0.01 to 20 parts by weight, preferably 0.05 to 10 parts by weight, per 100 parts by weight of the soluble polyimide.
It is desirable to contain O in parts by weight. If the content of the acid generator is too large, it is not preferable because it has an adverse effect on pattern accuracy.

この発明の組成物は、有機溶媒に可溶性であり、集積回
路の製作等に使用する場合には、通常、溶液(レジスト
溶液組成物)の形で用いられる。この場合、前記溶液組
成物は、前述の有機溶媒に、1〜50重量%、好ましく
は5〜30重量%の割合で前記組成物が溶解していれば
よく、その溶液組成物は、回転粘度で示される溶液粘度
が、20〜10000センチポアズ、特に50〜500
0センチポアズであることか好ましく、そのような濃度
および粘度となるように調製することが好ましい。この
場合に用いる溶媒としては、前記の可溶性芳香族ポリイ
ミド、酸発生剤などを均一に溶解し、かつ、シリコン、
アルミニウムなどの基板表面に塗布後、該有機溶媒を蒸
発させることにより、均一で平滑な塗膜が形成され得る
ものであることか好ましく、可溶性芳香族ポリイミドを
溶解させることができる溶媒としてすでに例示したもの
を好適に使用することができる。
The composition of the present invention is soluble in organic solvents, and when used in the production of integrated circuits, it is usually used in the form of a solution (resist solution composition). In this case, it is sufficient that the solution composition is dissolved in the above-mentioned organic solvent at a ratio of 1 to 50% by weight, preferably 5 to 30% by weight, and the solution composition has a rotational viscosity of The solution viscosity indicated by is 20 to 10,000 centipoise, especially 50 to 500
It is preferable that the concentration and viscosity be 0 centipoise, and it is preferable that the concentration and viscosity be adjusted to such a value. The solvent used in this case is one that uniformly dissolves the above-mentioned soluble aromatic polyimide, acid generator, etc.
It is preferable that a uniform and smooth coating film can be formed by evaporating the organic solvent after coating on the surface of a substrate such as aluminum. can be used suitably.

また、この発明の組成物には、上記成分の他に、必要に
応じて増感剤、染料、可塑剤、その他の樹脂、熱反応禁
止剤等、各種防止剤、接着性改良剤等を添加することが
できる。
In addition to the above-mentioned components, the composition of the present invention may also contain sensitizers, dyes, plasticizers, other resins, thermal reaction inhibitors, various inhibitors, adhesion improvers, etc. as necessary. can do.

以下に、このレジストパターンの形成する現像法につい
て説明する。
A developing method for forming this resist pattern will be described below.

まず、前述のようにして調製したこの発明の組成物の溶
液を基板に塗布する。この基板への塗布は、例えば、ス
ピンナーで行うことかできる。次いて、塗膜を有する基
板を、温度60〜160’C1好ましくは80〜120
°Cで、20〜60分間乾燥して、厚さ約0.1〜50
μmの感光性ポリイミド組成物の薄膜を形成する。
First, a solution of the composition of the present invention prepared as described above is applied to a substrate. This coating onto the substrate can be performed using a spinner, for example. Next, the substrate having the coating film is heated to a temperature of 60 to 160'C1, preferably 80 to 120'C.
Dry for 20-60 minutes at °C to a thickness of about 0.1-50
A thin film of a photosensitive polyimide composition having a thickness of μm is formed.

その乾燥後に、この基板上の薄膜に対し、ポジ型フォト
マスクチャートを通して、X線、電子線、紫外線などの
活性エネルギー線を照射すると共に、必要であれば、照
射部分を水で湿らせた濾紙等で覆ったり、水蒸気リッチ
の雰囲気に充分に曝して湿潤状態とした後、80〜16
0′Cで20〜60分間乾燥させて、露光部分をアルカ
リ性現像液で洗い出すことによりレリーフパターンを形
成する。
After drying, the thin film on the substrate is irradiated with active energy rays such as X-rays, electron beams, and ultraviolet rays through a positive photomask chart, and if necessary, the irradiated area is moistened with water using filter paper. 80 to 16
A relief pattern is formed by drying at 0'C for 20 to 60 minutes and washing out the exposed areas with an alkaline developer.

上記アルカリ性現像液どしては、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、メタケイ酸ソーダ、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド等の例えば5重量%以下の濃
度の弱アルカリ水溶液を用いることができる。
As the alkaline developer, a weak alkaline aqueous solution of sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium metasilicate, tetramethylammonium hydroxide or the like having a concentration of 5% by weight or less can be used.

このようにして形成されたレリーフパターンは、解像性
、コントラストともに良好なものである。
The relief pattern thus formed has good resolution and contrast.

更に、この発明の組成物を用いて、前述のようにして形
成したパターンをマスクとして、銅箔などの基板をエツ
チングして配線を形成することができる。
Furthermore, wiring can be formed by etching a substrate such as copper foil using the composition of the present invention and using the pattern formed as described above as a mask.

〔実施例〕〔Example〕

次に実施例によりこの発明を更に詳細に説明するが、こ
の発明はこれらの例によってなんら限定されるものでは
ない。
Next, the present invention will be explained in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples in any way.

実施例1 2.3,3.4−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
(a−BPDA) 6.8g (23,1mmo!り 
、3゜3−ジヒドロキシ−4,4°−ジアミノビフェニ
ル(HAB)5.0 g (23,1mmoA)を、N
−メチル−2−ピロリドン(NMP)400rrlに加
え、室温で溶解させた後、No2の濾紙で濾過し、得ら
れた溶液を窒素気流中180’Cで11時間、加熱攪拌
して、生成水を含むNMPllomlを流出させて、重
合およびイミド化を1段で行って、水酸基を有する可溶
性芳香族ポリイミドを生成させた。得られた均一なポリ
マー溶液を室温に戻した後、イミダゾール6.3g (
92,5mmoβ)およびトリイソプロピルシリルクロ
ライド19.76m1(92,5mmoA)を加え、室
温で6時間攪拌を続けて、最後に、メタノール1000
ml中でポリマーを析出させた。得られたポリマー粉末
は、更に1000rrlのメタノールで洗い、五酸化リ
ンの存在下に一晩真空乾燥して、17g(収率93%)
の粉末状の白色ポリマーを得た。
Example 1 2.3,3.4-biphenyltetracarboxylic dianhydride (a-BPDA) 6.8 g (23.1 mmo!
, 5.0 g (23,1 mmoA) of 3°3-dihydroxy-4,4°-diaminobiphenyl (HAB), N
-Methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added to 400rrl and dissolved at room temperature, filtered through No. 2 filter paper, and the resulting solution was heated and stirred at 180'C in a nitrogen stream for 11 hours to remove the produced water. The NMPlloml containing NMP was flowed out, and polymerization and imidization were performed in one step to produce a soluble aromatic polyimide having hydroxyl groups. After returning the obtained homogeneous polymer solution to room temperature, 6.3 g of imidazole (
92,5 mmoβ) and triisopropylsilyl chloride (92,5 mmoA) were added, stirring was continued for 6 hours at room temperature, and finally methanol 1000
The polymer was precipitated in ml. The obtained polymer powder was further washed with 1000 rrl of methanol and vacuum dried overnight in the presence of phosphorus pentoxide to give 17 g (93% yield).
A powdery white polymer was obtained.

この芳香族ポリイミドはDMF、NMP、、DMS○と
いった溶媒から、クロロホルム、シクロヘキサノンまで
の幅広い溶媒に室温で10重量%以上の割合で均一に溶
解し、そして、その対数粘度(濃度; 0.5 g /
 100m7溶媒、溶媒、NMP、測定温度;30°C
)が0.277である、「シリルオキシ基を多数有する
可溶性芳香族ポリイミド(イミド化率;100%)jで
あった。
This aromatic polyimide is uniformly dissolved in a wide range of solvents ranging from DMF, NMP, and DMS○ to chloroform and cyclohexanone at a ratio of 10% by weight or more at room temperature, and its logarithmic viscosity (concentration; 0.5 g /
100m7 solvent, solvent, NMP, measurement temperature: 30°C
) was 0.277, and it was a soluble aromatic polyimide having a large number of silyloxy groups (imidization rate: 100%).

前述のようにして得られた芳香族ポリイミドの粉末の熱
重量分析の結果を第1図に示し、そして、芳香族ポリイ
ミドのプロトンNMRの結果を第2図に示す。
The results of thermogravimetric analysis of the aromatic polyimide powder obtained as described above are shown in FIG. 1, and the results of proton NMR of the aromatic polyimide are shown in FIG.

前述のようにして得られた芳香族ポリイミドをシクロヘ
キサノンに溶解して、ポリマー濃度10重量%の均一な
芳香族ポリイミド溶液を調製した。
The aromatic polyimide obtained as described above was dissolved in cyclohexanone to prepare a uniform aromatic polyimide solution having a polymer concentration of 10% by weight.

更に、この芳香族ポリイミド溶液を、ドクターナイフを
用いてガラス板上に塗布し、約80’Cで30分間、続
いて200℃で30分間乾燥して、7μmの厚さの芳香
族ポリイミド製の薄膜を形成させた。
Further, this aromatic polyimide solution was applied onto a glass plate using a doctor knife and dried at about 80'C for 30 minutes and then at 200°C for 30 minutes to form a 7 μm thick aromatic polyimide plate. A thin film was formed.

この薄膜について、自記分光光度計((掬口立製作所製
、330型)を使用して、560〜200nmの波長の
光線の光透過性を測定した。その結果、460〜560
nmの波長の光の透過率カシ5〜83%であり(400
nmの波長の光で30%であった)、360nm以下の
波長の紫外線の透過率が2%以下であった。
Regarding this thin film, the light transmittance of light rays with a wavelength of 560 to 200 nm was measured using a self-recording spectrophotometer (manufactured by Kikiguchi Seisakusho, Model 330).
The transmittance of light with a wavelength of nm is 5 to 83% (400
The transmittance of ultraviolet light with a wavelength of 360 nm or less was 2% or less.

実施例2 a−BPDA4.54 g (15,4mmo、f7)
 、、 s −B PDA2.27 g (7,7mm
oβ)、HAB5.Og(23,1mmoβ)をNMP
200m7に加え、窒素気流中、180°Cで3時間、
加熱攪拌し、生成水を含むNMP25mAを流出させた
。室温まで冷却した後イミダゾール6、3 g (92
,5mmoり、および、トリエチルシリルクロライド1
5.6 ml(92,5mA)を加え、室温で7時間攪
拌した。
Example 2 a-BPDA 4.54 g (15.4 mmo, f7)
,, s-B PDA2.27 g (7.7mm
oβ), HAB5. Og(23,1mmoβ) in NMP
200 m7 and 3 hours at 180°C in a nitrogen stream.
The mixture was heated and stirred, and 25 mA of NMP containing produced water was discharged. After cooling to room temperature, add 6.3 g of imidazole (92
, 5 mmol, and triethylsilyl chloride 1
5.6 ml (92.5 mA) was added and stirred at room temperature for 7 hours.

得られた均一溶液を水1000rrl中に加えたポリマ
ーを析出させ、更にメタノール1000m、+2で2回
洗浄し一晩真空乾燥し14gの白色粉末を得た。(収率
86.1%) 得られたポリマーの熱重量分析(TGA) 、プロトン
NMRの結果を、第3図、第4図にそれぞれ示す。
The resulting homogeneous solution was added to 1,000 rrl of water to precipitate the polymer, which was further washed twice with 1,000 ml of methanol and +2, and dried under vacuum overnight to obtain 14 g of white powder. (Yield: 86.1%) The results of thermogravimetric analysis (TGA) and proton NMR of the obtained polymer are shown in FIGS. 3 and 4, respectively.

また、実施例1同様にして、前記の可溶性芳香族ポリイ
ミド溶液から8μmの薄膜を形成して、560〜200
nmの波長の光線の光透過性を測定した結果、460〜
560nmの波長の光の透過率か75〜83%であり(
400nmの波長の光で30%であった)、360nm
以下の波長の紫外線の透過率が2%以下であった。
Further, in the same manner as in Example 1, a thin film of 8 μm was formed from the above-mentioned soluble aromatic polyimide solution.
As a result of measuring the light transmittance of light with a wavelength of nm, it is 460 ~
The transmittance of light with a wavelength of 560 nm is 75-83% (
30% for light with a wavelength of 400 nm), 360 nm
The transmittance of ultraviolet rays of the following wavelengths was 2% or less.

前述のようにして得られたシリルオキシ基を有する可溶
性芳香族ポリイミドの10重量%のシクロヘキサノン溶
液を200Orpmで基板上にスピンコードした試料を
80°Cて乾燥させ、2000Cで30分間熱処理した
後、1mm間隔で100個の排口を付け、120°C水
蒸気気流中20時間処理をし、粘着テープでビール剥離
試験をした。その結果、残膜率は、99%以上であった
A 10% by weight cyclohexanone solution of the soluble aromatic polyimide having silyloxy groups obtained as described above was spin-coded onto a substrate at 200 rpm, dried at 80°C, heat-treated at 2000°C for 30 minutes, and then 1 mm thick. 100 outlets were attached at intervals, the sample was treated in a steam stream at 120°C for 20 hours, and a beer peeling test was conducted using adhesive tape. As a result, the residual film rate was 99% or more.

なお、シリルオキシ化前の水酸基を有する可溶性芳香族
ポリイミド10重量%のNMP溶液を使用したほかは、
前述と同様のビール剥離試験を行った結果、残膜率は7
6%であった。 前述のようにして得られたシリルオキ
シ基を多数有する可溶性芳香族ポリイミド0.62g、
p−二トロベンジル−9,10−ジェトキシアントラセ
ン−2スルホネート(NBAS)0.062gをシクロ
へキサノン6.2gに溶解し、シリコンウェハーの上に
11000rp、60秒間、スピンコードにより0.8
μmの塗膜を作成する。この塗膜を150°Cて10分
で乾燥し、ポリイミドと酸発生剤との組成物の薄膜をシ
リコンウェハー上に形成し、パターン状マスクをその薄
膜に重ね合わせ、400m j / c♂ の強さの光
を照射てきる超高圧水銀ランプに曝して、光照射を行う
と共に、さらに、水/メタノール=1で湿らせた濾紙に
覆い一晩放置して光照射部分を湿潤化し、その後、光照
射された薄膜を有するシリコンウェハーを、200°C
で30分間乾燥させて、テトラメチルアンモニウムハイ
ドロキサイド2%の水溶液に2分浸し光照射部分を除去
してパターン被膜を形成する現像を行う。さらに、パタ
ーン被膜の形成されたシリコンウェハーを水で洗浄し乾
燥することにより、6μm間隔のパターン被膜がきれい
に形成されているのが確認された。
In addition, except for using an NMP solution containing 10% by weight of a soluble aromatic polyimide having hydroxyl groups before silyloxylation,
As a result of conducting the same beer peeling test as mentioned above, the residual film rate was 7.
It was 6%. 0.62 g of the soluble aromatic polyimide having a large number of silyloxy groups obtained as described above;
0.062 g of p-nitrobenzyl-9,10-jethoxyanthracene-2 sulfonate (NBAS) was dissolved in 6.2 g of cyclohexanone, and 0.8
Create a μm coating. This coating film was dried at 150°C for 10 minutes, a thin film of the composition of polyimide and an acid generator was formed on a silicon wafer, a patterned mask was superimposed on the thin film, and the film was heated to a strength of 400 m j / c♂. The light irradiation area was irradiated by exposing it to an ultra-high pressure mercury lamp that irradiated it with light, and then it was covered with a filter paper moistened with water/methanol = 1 and left overnight to moisten the light irradiated area. The silicon wafer with the irradiated thin film was heated at 200°C.
The film is dried for 30 minutes, and then immersed in a 2% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide for 2 minutes to remove the light-irradiated area and developed to form a patterned film. Furthermore, by washing the silicon wafer with the pattern coating formed thereon with water and drying it, it was confirmed that the pattern coating with an interval of 6 μm was clearly formed.

〔本発明の作用効果〕[Actions and effects of the present invention]

この発明における感光性ポリイミドと酸発生剤とを含有
する組成物は、既にイミド化されている芳香族ポリイミ
ドが使用されているので、イミド化のために高い熱処理
を必要とせず、また、電子線、X線、電磁波、紫外線な
どの活性エネルギー線の照射部と未照射部との溶解度差
をつけることか容易に可能であり、この場合にも特別の
複雑な操作や高い温度を必要としないのて、精密なパタ
ーンを形成する現像を容易に行うことができるのであり
、更に、前述の可溶性芳香族ポリイミドを含有している
組成物の膜(実質的のポリイミドからなる膜)は、その
側鎖の多数有しているシリルオキシ基によって高い接着
性で基板に接合されるのである。
Since the composition containing the photosensitive polyimide and the acid generator in this invention uses the aromatic polyimide that has already been imidized, it does not require high heat treatment for imidization, and also does not require electron beam treatment. It is easily possible to create a solubility difference between the irradiated area and the unirradiated area with active energy rays such as X-rays, electromagnetic waves, and ultraviolet rays, and even in this case, no special complicated operations or high temperatures are required. Therefore, development to form a precise pattern can be easily performed.Furthermore, the film of the composition containing the above-mentioned soluble aromatic polyimide (film consisting essentially of polyimide) is It is bonded to the substrate with high adhesiveness due to the large number of silyloxy groups.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第3図は、ポリマーの熱重量分析の結果のチ
ャートを示す図面てあり、第2図及び第4図は、ポリマ
ーのH−NMRスペクトルのチャートを示す図面である
1 and 3 are charts showing the results of thermogravimetric analysis of the polymer, and FIGS. 2 and 4 are charts showing the H-NMR spectrum of the polymer.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Aは4価の芳香族残基であり、Bはシリルオキ
シ基が芳香環に直接結合している2価の芳香族残基であ
る。)で示される反復単位を50モル%以上有し、対数
粘度(濃度;0.5g/100ml溶媒、溶媒;N−メ
チル−2−ピロリドン、測定温度;30℃)が0.2〜
5である可溶性芳香族ポリイミド、および、感光性の酸
発生剤が配合されていることを特徴とする感光性ポリイ
ミド組成物。
(1) General formula ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. ▼ (In the formula, A is a tetravalent aromatic residue, and B is a divalent aromatic residue with a silyloxy group directly bonded to the aromatic ring. It has 50 mol% or more of the repeating unit represented by ~
A photosensitive polyimide composition characterized in that it contains the soluble aromatic polyimide of No. 5 and a photosensitive acid generator.
(2)請求項第1項記載の感光性ポリイミド組成物の薄
膜を基板上に形成し、その薄膜上に活性エネルギー線を
照射し、照射部分に酸を発生させて、照射部分の芳香族
ポリイミドのシリルオキシ基をヒドロキシ基に変え、ヒ
ドロキシル化された芳香族ポリイミドをアルカリ性現像
液で溶解し除去して、パターン状被膜を基板上に形成す
ることを特徴とする感光性ポリイミド組成物の現像法。
(2) A thin film of the photosensitive polyimide composition according to claim 1 is formed on a substrate, the thin film is irradiated with active energy rays, and an acid is generated in the irradiated part, so that the aromatic polyimide in the irradiated part is A method for developing a photosensitive polyimide composition, which comprises changing the silyloxy groups of to hydroxy groups, dissolving and removing the hydroxylated aromatic polyimide with an alkaline developer, and forming a patterned film on a substrate.
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