JPH04100288A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH04100288A JPH04100288A JP21703090A JP21703090A JPH04100288A JP H04100288 A JPH04100288 A JP H04100288A JP 21703090 A JP21703090 A JP 21703090A JP 21703090 A JP21703090 A JP 21703090A JP H04100288 A JPH04100288 A JP H04100288A
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- Japan
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- layer
- conductivity type
- semiconductor laser
- mqw
- dopant
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3072—Diffusion blocking layer, i.e. a special layer blocking diffusion of dopants
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、短波長でレーザ発振しかつ信頼性の高いＩｎ
ＡｌＧａＰ系半導体レーザとその製造方法に関する。
ＡｌＧａＰ系半導体レーザとその製造方法に関する。
近年、ＩｎＧａＰ 、又はＩｎＡｌＧａＰを活性層とす
るダブルヘテロ構造の半導体レーザは可視領域で発光す
る材料として注目を集めている。
るダブルヘテロ構造の半導体レーザは可視領域で発光す
る材料として注目を集めている。
上記の構成を有する半導体レーザは従来のＡｌＧａＡｓ
を主体とした半導体レーザよりもその光スポツト径を小
さくする事が原理的に可能であり、例えばコンパクトデ
ィスク、ビデオディスク等への高密度記録が可能となる
。
を主体とした半導体レーザよりもその光スポツト径を小
さくする事が原理的に可能であり、例えばコンパクトデ
ィスク、ビデオディスク等への高密度記録が可能となる
。
一方、光ディスクへの情報書込、レーザビームプリンタ
等への応用の観点から〜３０ｍＷを越える高出力、高安
定な半導体レーザも要望されており開発か盛んにおこな
われている。
等への応用の観点から〜３０ｍＷを越える高出力、高安
定な半導体レーザも要望されており開発か盛んにおこな
われている。
このように、短波長でかつ高出力である半導体レーザは
上記両者の要求を満たすものとしてその出現が期待され
ている。
上記両者の要求を満たすものとしてその出現が期待され
ている。
ところで現在開発が行なわれているＩｎＡｌＧａＰ系可
視光半導体レーザは主として有機金属化学気相成長法（
以下ＭＯＣＶＤ法と略す）により作製されている。
視光半導体レーザは主として有機金属化学気相成長法（
以下ＭＯＣＶＤ法と略す）により作製されている。
ＭＯＣＶＤ法は分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法
）等と比較して大量生産に適した成長方法であり、かつ
従来の液相成長法（ＬＰＥ法）では極めてその成長が難
しいＡＩを含む半導体膜が比較的容易に作成可能である
という大きな利点を有している。
）等と比較して大量生産に適した成長方法であり、かつ
従来の液相成長法（ＬＰＥ法）では極めてその成長が難
しいＡＩを含む半導体膜が比較的容易に作成可能である
という大きな利点を有している。
ＩｎＡｌＧａＰ系の半導体レーザはＭＯＣＶＤ法により
以下の様に作製される。
以下の様に作製される。
即ち、例えば■族元素の原料ガスとして、トリメチルア
ルミニウム（ＴＭＡＩ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ
）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用いる。
ルミニウム（ＴＭＡＩ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ
）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用いる。
又、■族元素の原料ガスとして、ホスフィン（ＰＨｓ）
を用いる。
を用いる。
これらの混合ガスを例えば、高周波誘導によって加熱さ
れたサセプターに設置されたＧａＡｓ基板上で熱分解さ
せる事により、［ｎ、ＡｌＧａＰ層が形成される。
れたサセプターに設置されたＧａＡｓ基板上で熱分解さ
せる事により、［ｎ、ＡｌＧａＰ層が形成される。
更にデバイス構成上不可欠な導電型の制御を行なう場合
には、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ、）、水素化セレン（Ｈ２
Ｓｅ）等をドーパントとして添加すれば良い。
には、ジメチル亜鉛（ＤＭＺ、）、水素化セレン（Ｈ２
Ｓｅ）等をドーパントとして添加すれば良い。
（「電子材料Ｊ １９８６年１月号第８９頁参照）しか
し、現在実用化されている１ｎＡＩＧａＰ系半導体レー
ザはその活性層がＩｎＧａＰで形成されておりその発振
波長は〜６７０ｎｍが限界である。
し、現在実用化されている１ｎＡＩＧａＰ系半導体レー
ザはその活性層がＩｎＧａＰで形成されておりその発振
波長は〜６７０ｎｍが限界である。
そのため、短波長化の一つの手段として活性層をＩｎＡ
ｌＧａＰ系のお互いの組成を変化させた超薄膜層を積層
して構成したいわゆる多重量子井戸構造（以下ＭＱＷ構
造と略す）半導体レーザか研究されている。
ｌＧａＰ系のお互いの組成を変化させた超薄膜層を積層
して構成したいわゆる多重量子井戸構造（以下ＭＱＷ構
造と略す）半導体レーザか研究されている。
この構造によれば発光層となるＭＱＷ構造内の井戸層は
ＩｎＧａＰ若しくはＩｎＡｌＧａＰで構成されるが、短
波長化を達成しようとする場合１ｎＡＩＧａＰを採用し
た通常の半導体レーザと比較してＡｔ添加を無くすか、
或いはＡｔの量はより少な（する必要がある。
ＩｎＧａＰ若しくはＩｎＡｌＧａＰで構成されるが、短
波長化を達成しようとする場合１ｎＡＩＧａＰを採用し
た通常の半導体レーザと比較してＡｔ添加を無くすか、
或いはＡｔの量はより少な（する必要がある。
しかし、この様なＩｎＡｌＧａＰ系ＭＱＷ構造のエピタ
キシャル膜をＭＯＣＶＤ法の様な高温成長で作製しよう
とする場合ｐ型ドーパントが成長中に活性層に拡散して
しまい上記ＭＱＷ構造の界面平坦性を悪化させてしまう
か、著しい場合はＭＱＷ構造を破壊し、無秩序化してし
まうという問題点があった。
キシャル膜をＭＯＣＶＤ法の様な高温成長で作製しよう
とする場合ｐ型ドーパントが成長中に活性層に拡散して
しまい上記ＭＱＷ構造の界面平坦性を悪化させてしまう
か、著しい場合はＭＱＷ構造を破壊し、無秩序化してし
まうという問題点があった。
この様な現象は特に亜鉛をｐ型ドーパントとし、特性温
度の向上、閾値値電流の低下を目的として高ドーピング
を施す場合に著しく、ドーピング量を下げねばならない
等実用化の妨げになっていた。
度の向上、閾値値電流の低下を目的として高ドーピング
を施す場合に著しく、ドーピング量を下げねばならない
等実用化の妨げになっていた。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記問題点に鑑み、なされたものであって、そ
の目的はｐ型ドーパントが活性層に拡散してしまい、Ｍ
ＱＷ構造を破壊し、無秩序化することを防止し、可視領
域で信頼性の高い、高性能半導体レーザを提供すること
にある。
の目的はｐ型ドーパントが活性層に拡散してしまい、Ｍ
ＱＷ構造を破壊し、無秩序化することを防止し、可視領
域で信頼性の高い、高性能半導体レーザを提供すること
にある。
本発明者らは、この目的を達成するために鋭意検討した
結果、半導体構造、ドーパントの種類、量の選択により
、ＭＱＷ構造を安定に保つ事が可能であることを見出し
、本発明を完成する至った。
結果、半導体構造、ドーパントの種類、量の選択により
、ＭＱＷ構造を安定に保つ事が可能であることを見出し
、本発明を完成する至った。
（問題点を解決するための手段）
すなわち、本発明は以下を要旨とするものである。
（１） （ｎｏ、 ５（ＡＩ−Ｇａ＋−ｘ）ｏ、 ｓＰ
とＩｎｏ、 ５（ＡｌｙＧａ１−ｙ）０．、Ｐの多重量
子井戸構造を存する活性層が第一導電型のＩｎｏ、 ５
（ＡｌＧａＰ層ｕ）ｏ、 ｓＰバリヤー層を介した第二
導電型の Ｉｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋、ｇ）ｏ、 ｓＰクラッド
層と、第一導電型のＩｎｏ、 ｉ（Ａ１ｇＧ＆＋−ｊｏ
、 ｓＰクラッド層（０≦）（＜ｙ〈ｕくＺ≦１． ｙ
≦Ｕ≦２≦１）で夾まれてなることを特徴とするダブル
ヘテロ構造を有する半導体レーザ。
とＩｎｏ、 ５（ＡｌｙＧａ１−ｙ）０．、Ｐの多重量
子井戸構造を存する活性層が第一導電型のＩｎｏ、 ５
（ＡｌＧａＰ層ｕ）ｏ、 ｓＰバリヤー層を介した第二
導電型の Ｉｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋、ｇ）ｏ、 ｓＰクラッド
層と、第一導電型のＩｎｏ、 ｉ（Ａ１ｇＧ＆＋−ｊｏ
、 ｓＰクラッド層（０≦）（＜ｙ〈ｕくＺ≦１． ｙ
≦Ｕ≦２≦１）で夾まれてなることを特徴とするダブル
ヘテロ構造を有する半導体レーザ。
（２）第一導電型を付与する不純物はシリコン、第二導
を梨を付与する不純物はマグネシウムである事を特徴と
する請求項（１）に記載された半導体レーザ。
を梨を付与する不純物はマグネシウムである事を特徴と
する請求項（１）に記載された半導体レーザ。
（３）請求項（１）又は請求項（２）に記載された半導
体レーザ用エピタキシャル膜を作成する方法がＭＯＣＶ
Ｄ法である事を特徴とする半導体レーザの製造方法。
体レーザ用エピタキシャル膜を作成する方法がＭＯＣＶ
Ｄ法である事を特徴とする半導体レーザの製造方法。
（実施例）
本発明を実施例を用いて、図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は本発明の一例を示す半導体レーザの構造図であ
る。
る。
第２図は本発明の半導体レーザ用エピタキシャル膜を作
製するためのＭＯＣＶＤ装置の一例を示す概略図である
。
製するためのＭＯＣＶＤ装置の一例を示す概略図である
。
本発明の半導体レーザの構造を製造工程と共に説明する
と、まず第２図に示すＭＯＣＶＤ装置を用い、高周波誘
導加熱コイル２０によりｎ型のＧａＡｓ基板が載置され
たサセプター２１を所定の温度に加熱した後にＶ族原料
ガスとしてホスフィン（ＰＨ２） 、ＩＩＩ族原料ガス
として例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡＩ）、ト
リメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（
ＴＭＩ）を使用し、ｎ型を付与するドーピングガスとし
てモノシラン（ＳｉＨ４）を供給し、ｎ−ＧａＡｓ基板
１の上に、ｎ型のＩｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋−、）ｏ
、 ｓＰクラッド層２を得る。この時温度としては良質
なエピタキシャル膜を得るためには７００°Ｃ〜８２５
°Ｃが好ましく、さらに好ましくは７５０〜８００℃の
温度範囲がよい。圧力は常圧、減圧どちらでもよい。
と、まず第２図に示すＭＯＣＶＤ装置を用い、高周波誘
導加熱コイル２０によりｎ型のＧａＡｓ基板が載置され
たサセプター２１を所定の温度に加熱した後にＶ族原料
ガスとしてホスフィン（ＰＨ２） 、ＩＩＩ族原料ガス
として例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡＩ）、ト
リメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（
ＴＭＩ）を使用し、ｎ型を付与するドーピングガスとし
てモノシラン（ＳｉＨ４）を供給し、ｎ−ＧａＡｓ基板
１の上に、ｎ型のＩｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋−、）ｏ
、 ｓＰクラッド層２を得る。この時温度としては良質
なエピタキシャル膜を得るためには７００°Ｃ〜８２５
°Ｃが好ましく、さらに好ましくは７５０〜８００℃の
温度範囲がよい。圧力は常圧、減圧どちらでもよい。
又ＡｌとＧａの組成はＴＭＡＩ、 ＴＭＧの供給量を変
化させることによって変えることができる。ドーパント
としてはシリコンが最適であり、その濃度は１×１０Ｉ
７ａｎ−３〜２ Ｘ １０”ａｎ−’になるように設定
する事が必要である。
化させることによって変えることができる。ドーパント
としてはシリコンが最適であり、その濃度は１×１０Ｉ
７ａｎ−３〜２ Ｘ １０”ａｎ−’になるように設定
する事が必要である。
その上に、井戸層Ｉｎｏ、 ５（ＡｌｘＧａ＋−ｘ）ｏ
、 ｓＰと障壁層Ｉｎｏ、 ５（ＡｌｙＧａ＋−ｙ）ｏ
、 ｓＰからなるＭＱＷ層３を原料ガスの切換えを急峻
に行なうことにより形成する。
、 ｓＰと障壁層Ｉｎｏ、 ５（ＡｌｙＧａ＋−ｙ）ｏ
、 ｓＰからなるＭＱＷ層３を原料ガスの切換えを急峻
に行なうことにより形成する。
ＭＱＷ中の井戸層、障壁層の各厚みはレーザの波長を短
波長化する点、又作製しやすさの点から３０〜２００人
が好ましく、又積層の数は各々３層から１０層程度が実
用的である。
波長化する点、又作製しやすさの点から３０〜２００人
が好ましく、又積層の数は各々３層から１０層程度が実
用的である。
次に、ドーパントとしてシリコンを５ｘｔｏ”〜Ｉ Ｘ
ＩＯ”ａｎ−’添加した０、２μｍ以下の厚みのｎ−１
ｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋−、）ｏ、 ｉＰバリヤー層
４を、更にその上に、ドーパントとしてマグネシウムを
２Ｘ１０”〜３Ｘ１０Ｉ″Ｃｍ−’添加したｐ−１ｎｏ
、 ａ（Ａ１．Ｇａ＋−＊）ｏ、 ｓＰクラッド層５を
形成する。前記第一導電型のｎ−Ｉｎｏ、 ５（Ａｌｕ
Ｇａ＋−ｖ）ｏ、 ｓＰバリヤー層４の厚みが１００人
より薄くなると又はシリコンの添加量が５Ｘ１０”ａｎ
−’より少くなると、後記第二導電型のｐ−Ｉｎｏ、
ｓ（Ａ１ｇＧａ＋−ｍ）ｏ、 ｓＰクラッド層５からの
マグネシウムのＭＱＷ層への拡散を防止しきれず、又０
．２μｍより厚くなるとＭＱＷ活性層へ注入効率が劣化
してしまい、好ましくない。
ＩＯ”ａｎ−’添加した０、２μｍ以下の厚みのｎ−１
ｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋−、）ｏ、 ｉＰバリヤー層
４を、更にその上に、ドーパントとしてマグネシウムを
２Ｘ１０”〜３Ｘ１０Ｉ″Ｃｍ−’添加したｐ−１ｎｏ
、 ａ（Ａ１．Ｇａ＋−＊）ｏ、 ｓＰクラッド層５を
形成する。前記第一導電型のｎ−Ｉｎｏ、 ５（Ａｌｕ
Ｇａ＋−ｖ）ｏ、 ｓＰバリヤー層４の厚みが１００人
より薄くなると又はシリコンの添加量が５Ｘ１０”ａｎ
−’より少くなると、後記第二導電型のｐ−Ｉｎｏ、
ｓ（Ａ１ｇＧａ＋−ｍ）ｏ、 ｓＰクラッド層５からの
マグネシウムのＭＱＷ層への拡散を防止しきれず、又０
．２μｍより厚くなるとＭＱＷ活性層へ注入効率が劣化
してしまい、好ましくない。
更にシリコンの添加量がｌＸｌ０”ａｎ−’を越えると
シリコン自身のＭＱＷ層３への拡散が無視できずこれも
半導体レーザの特性を劣化させることとなり好ましくな
い。
シリコン自身のＭＱＷ層３への拡散が無視できずこれも
半導体レーザの特性を劣化させることとなり好ましくな
い。
上部のクラッド層５のマグネシウムの添加量は３Ｘ１０
”ａｎ−”より多くなるとＭＱＷ層への拡散を防ぎきれ
ず、又２ＸＩＱ”ａｍ−”より小さいとクラッド層の比
抵抗増加による半導体レーザの信頼性の低下を招き好ま
しくない。
”ａｎ−”より多くなるとＭＱＷ層への拡散を防ぎきれ
ず、又２ＸＩＱ”ａｍ−”より小さいとクラッド層の比
抵抗増加による半導体レーザの信頼性の低下を招き好ま
しくない。
次に、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６を形成する。
第１表に示すように、構成元素の組成及びドーパントの
種類、濃度、厚みを変えて、実施例１〜１０のものを作
製した。又同様にドーパントの種類、濃度、厚みを変え
て、比較例１〜４のものを作製した。
種類、濃度、厚みを変えて、実施例１〜１０のものを作
製した。又同様にドーパントの種類、濃度、厚みを変え
て、比較例１〜４のものを作製した。
これらによって、得られたエピタキシャル、ウェハーを
用いて、上記ＧａＡｓキャップ層６をエツチングにより
除去し、アルゴンレーザを用いたフォトルミネッセンス
（ＰＬ）法によりＭＱＷ活性層の発光波長、発光強度を
測定した。
用いて、上記ＧａＡｓキャップ層６をエツチングにより
除去し、アルゴンレーザを用いたフォトルミネッセンス
（ＰＬ）法によりＭＱＷ活性層の発光波長、発光強度を
測定した。
又上記エピタキシャルウェーハよりストライブ幅７μｍ
、共振器長３００μｍのリッジ導波型半導体レーザを作
成し、発振波長、閾値電流、特性温度を測定した。
、共振器長３００μｍのリッジ導波型半導体レーザを作
成し、発振波長、閾値電流、特性温度を測定した。
その結果を第１表に併せて示した。活性層と第二導電型
のｐ−Ｉｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋−ｇ）ｏ、 ｓＰク
ラッド層の間に、第一導電型のｎ−Ｉｎｏ、 ５（Ａ１
．Ｇａ＋−）ｏ、 ｓＰバリヤー層を設けた実施例１〜
１０のものは、閾値電流（ｍＡ）が小さく、特性温度が
高く良好であったが他のドーパントを使用したり、ドー
パント量が不適正なものは、閾値電流が高く、又特性温
度Ｋが低く、良好な半導体レーザは得られなかった。
のｐ−Ｉｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋−ｇ）ｏ、 ｓＰク
ラッド層の間に、第一導電型のｎ−Ｉｎｏ、 ５（Ａ１
．Ｇａ＋−）ｏ、 ｓＰバリヤー層を設けた実施例１〜
１０のものは、閾値電流（ｍＡ）が小さく、特性温度が
高く良好であったが他のドーパントを使用したり、ドー
パント量が不適正なものは、閾値電流が高く、又特性温
度Ｋが低く、良好な半導体レーザは得られなかった。
（発明の効果）
本発明によれば第二導電型のクラッド層と活性層の間に
バリヤー層を設けることによって、第二導電型のクラッ
ド層のドーパントであるマグネシウムの拡散を防止する
ことができるので、短波長でレーザ発振しかつ信頼性の
高いＩｎＡｌＧａＰ系半導体を得ることができる。
バリヤー層を設けることによって、第二導電型のクラッ
ド層のドーパントであるマグネシウムの拡散を防止する
ことができるので、短波長でレーザ発振しかつ信頼性の
高いＩｎＡｌＧａＰ系半導体を得ることができる。
第１図は本発明の一例を示す半導体レーザの構造図、第
２図は本発明の半導体レーザの製造方法に使用するＭＯ
ＣＶＤ装置の概略図の一例である。 １ ： ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ： ｎ−１ｎｏ、 １（Ａ１．Ｇａ＋−ｇ）ａ、
ｓＰクラッド層ｎ−Ｉｎｏ、 ５（Ａｌ−Ｇａ＋−−）
ｏ、 ｓＰバリヤー層ｎ−１ｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋
−、）ｏ、 ｓＰクラッド層ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ＰＨ５（ホスフィン） ＡＳＨ２（アルシン） ９ ： ５ｉＨｎ （モノシラン） １０ ： Ｈ２Ｓｅ （セレン化水素）１１ ： ＴＭ
Ｇ（トリメチルガリウム）１２ ： ＴＭＡＩ （トリ
メチルアルミニウム）１３ ： ＴＭＩ（）−リメチル
インジウム）１４ ： ＣＰ２Ｍｇ（シクロペンタジェ
ニルマグネシウム）１５ ： ＤＭＺｎ （ジメチル亜
鉛）１６：ロードロックシステム １７：真空ポンプ Ｉ８：フィルター １９：反応管 ２０ ： ＲＦコイル ２１：サセプタ ２２：コントロールバルブ ２３：マスフローコントローラー ２４ ： Ｈ２ガス 特許出願人 電気化学工業株式会社
２図は本発明の半導体レーザの製造方法に使用するＭＯ
ＣＶＤ装置の概略図の一例である。 １ ： ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ： ｎ−１ｎｏ、 １（Ａ１．Ｇａ＋−ｇ）ａ、
ｓＰクラッド層ｎ−Ｉｎｏ、 ５（Ａｌ−Ｇａ＋−−）
ｏ、 ｓＰバリヤー層ｎ−１ｎｏ、 ５（Ａ１．Ｇａ＋
−、）ｏ、 ｓＰクラッド層ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ＰＨ５（ホスフィン） ＡＳＨ２（アルシン） ９ ： ５ｉＨｎ （モノシラン） １０ ： Ｈ２Ｓｅ （セレン化水素）１１ ： ＴＭ
Ｇ（トリメチルガリウム）１２ ： ＴＭＡＩ （トリ
メチルアルミニウム）１３ ： ＴＭＩ（）−リメチル
インジウム）１４ ： ＣＰ２Ｍｇ（シクロペンタジェ
ニルマグネシウム）１５ ： ＤＭＺｎ （ジメチル亜
鉛）１６：ロードロックシステム １７：真空ポンプ Ｉ８：フィルター １９：反応管 ２０ ： ＲＦコイル ２１：サセプタ ２２：コントロールバルブ ２３：マスフローコントローラー ２４ ： Ｈ２ガス 特許出願人 電気化学工業株式会社
Claims (3)
- （１）Ｉｎ＿０＿．＿５（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）
＿０＿．＿５ＰとＩｎ＿０＿．＿５（Ａｌ＿ｙＧａ＿１
＿−＿ｙ）＿０＿．＿５Ｐの多重量子井戸構造を有する
活性層が第一導電型のＩｎ＿０＿．＿５（Ａｌ＿ｕＧａ
＿１＿−＿ｕ）＿０＿．＿５Ｐバリヤー層を介した第二
導電型の Ｉｎ＿０＿．＿５（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿０＿
．＿５Ｐクラッド層と、第一導電型のＩｎ＿０＿．＿５
（Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿０＿．＿５Ｐクラッド
層（０≦ｘ＜ｙ＜ｕ＜ｚ≦１、ｙ≦ｕ≦ｚ≦１）で夾ま
れてなることを特徴とするダブルヘテロ構造を有する半
導体レーザ。 - （２）第一導電型を付与する不純物はシリコン、第二導
電型を付与する不純物はマグネシウムである事を特徴と
する請求項（１）に記載された半導体レーザ。 - （３）請求項（１）又は請求項（２）に記載された半導
体レーザ用エピタキシャル膜をＭＯＣＶＤ法によって、
作製することを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703090A JPH04100288A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21703090A JPH04100288A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100288A true JPH04100288A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16697740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21703090A Pending JPH04100288A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100288A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5306923A (en) * | 1991-12-04 | 1994-04-26 | France Telecom | Optoelectric device with a very low series resistance |
| EP1320158A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-06-18 | Agilent Technologies, Inc. (a Delaware corporation) | Means of controlling dopant diffusion in a semiconductor heterostructure |
| GB2444279A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Bookham Technology Plc | Optoelectronic device |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP21703090A patent/JPH04100288A/ja active Pending
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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