JPH0377008A - X線透過画像信号検出装置並びにx線透過画像によるはんだ付検査方式 - Google Patents
X線透過画像信号検出装置並びにx線透過画像によるはんだ付検査方式Info
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- JPH0377008A JPH0377008A JP1212907A JP21290789A JPH0377008A JP H0377008 A JPH0377008 A JP H0377008A JP 1212907 A JP1212907 A JP 1212907A JP 21290789 A JP21290789 A JP 21290789A JP H0377008 A JPH0377008 A JP H0377008A
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Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Xli道過画像信号検出装置並びにX線透過
画像によるプリント板等のはんだ付部の検査方式に関す
る。
画像によるプリント板等のはんだ付部の検査方式に関す
る。
従来、X線透過Ii像を利用するはんだ付検査装置は特
11w542−2196墨2号公報に記載のように第2
図に示す11IIILをとうている。図中、1はxla
源、2ははんだ付部を有するプリント基板(検査試料)
、5は試料ステージ、4はxl/A検出器、5はms処
理部、6はステージ制御部、7はシステム制御部である
。X線源1から照射されたx!Iは検査試料を透過し、
X線検出ls4で検査試料の透過X、m1llが検出さ
れる。プリント基板2のはんだ行部分は鉛が含まれてい
るが、鉛は、プリント基板を構成する他の材料である基
付部および鋼線部に比べてX線吸収係数が大きく、かつ
、X線吸収量は、透過する距離の対数に比例するのでX
線透過画像から、プリント基材2上の各点のはんだ付部
の厚さが検出できる。これを、画像処理部5で、あらか
じめ定めた良品はんだ付部の基準と比較して、はんだ付
部の良否を判定する。
11w542−2196墨2号公報に記載のように第2
図に示す11IIILをとうている。図中、1はxla
源、2ははんだ付部を有するプリント基板(検査試料)
、5は試料ステージ、4はxl/A検出器、5はms処
理部、6はステージ制御部、7はシステム制御部である
。X線源1から照射されたx!Iは検査試料を透過し、
X線検出ls4で検査試料の透過X、m1llが検出さ
れる。プリント基板2のはんだ行部分は鉛が含まれてい
るが、鉛は、プリント基板を構成する他の材料である基
付部および鋼線部に比べてX線吸収係数が大きく、かつ
、X線吸収量は、透過する距離の対数に比例するのでX
線透過画像から、プリント基材2上の各点のはんだ付部
の厚さが検出できる。これを、画像処理部5で、あらか
じめ定めた良品はんだ付部の基準と比較して、はんだ付
部の良否を判定する。
プリント基板2の両面に部品が実装されている場合、第
3図に示すように、X線源1とX線検出器4を結ぶX1
ll光軸に対して直角に基板2を置くと、上下それぞれ
の部品21.22のはんだ付部2M、24が重なり合っ
てしまい、検出器4には両方のはんだ付部25.24の
合成画像が検出されてしまい、正しい判定ができない。
3図に示すように、X線源1とX線検出器4を結ぶX1
ll光軸に対して直角に基板2を置くと、上下それぞれ
の部品21.22のはんだ付部2M、24が重なり合っ
てしまい、検出器4には両方のはんだ付部25.24の
合成画像が検出されてしまい、正しい判定ができない。
そこで第4図に示すようにプリント基板(検査試料)2
を傾けて、上下のはんだ付部23.24が重らないよう
にして検査する必要がある。従って、試料ステージ3に
は、検査位置を決めるXYステージ倍率を決める2ステ
ージの他に、試料2を傾斜させる(L4(パントよびチ
ルト)の5軸のステージが必要となる。
を傾けて、上下のはんだ付部23.24が重らないよう
にして検査する必要がある。従って、試料ステージ3に
は、検査位置を決めるXYステージ倍率を決める2ステ
ージの他に、試料2を傾斜させる(L4(パントよびチ
ルト)の5軸のステージが必要となる。
上記従来技術は、試料ステージに5軸ものステージが集
中してシカ1機構的に複雑なため高価で、重量が大きく
なるため、試料の高速移動、制動が困難である。また、
試料ステージの傾斜は、試料が大型化すると、X線源や
、X線検出器と試料ステージの干渉が生じるため、大型
試料は検査できないという課題があった。
中してシカ1機構的に複雑なため高価で、重量が大きく
なるため、試料の高速移動、制動が困難である。また、
試料ステージの傾斜は、試料が大型化すると、X線源や
、X線検出器と試料ステージの干渉が生じるため、大型
試料は検査できないという課題があった。
本発明の目的は、干渉をさせることなく、上下のはんだ
付部のX線透過画像を重ならないようにして分離検出で
きるようにしたX線透過画像検出装置並びにXii透過
画像によるはんだ付部検査方式を提供することにある。
付部のX線透過画像を重ならないようにして分離検出で
きるようにしたX線透過画像検出装置並びにXii透過
画像によるはんだ付部検査方式を提供することにある。
噴た本発明目的は、像歪のないパン、又はチルトX線透
過画像信号を検出して正確にはんだ付部を検査すること
ができるようにしたxlI透過画像によるはんだ付部の
検査方式を提供することにある。
過画像信号を検出して正確にはんだ付部を検査すること
ができるようにしたxlI透過画像によるはんだ付部の
検査方式を提供することにある。
即ち、本発明は、上記目的を達成するために、試料ステ
ージに集中していたステージ移動軸のうち、試料傾斜輸
すなわちパン、又はチルト機構を、X線検出器4に2次
元移動機構を付加して代行し、試料ステージを筒素化し
たものである。
ージに集中していたステージ移動軸のうち、試料傾斜輸
すなわちパン、又はチルト機構を、X線検出器4に2次
元移動機構を付加して代行し、試料ステージを筒素化し
たものである。
上記構成によ)、試料ステージの傾斜機構を脳血するこ
とにより大型試料の検査を可能にしたものである。
とにより大型試料の検査を可能にしたものである。
さらに、X線検出器を検査試料と平行な面内で2次元的
に平行移動させることで、第4図に示すように視舒内O
各部で倍率が異なることなく、像歪のないパン、又はチ
ル)XM透過iii*信号を検出可能としたものである
。
に平行移動させることで、第4図に示すように視舒内O
各部で倍率が異なることなく、像歪のないパン、又はチ
ル)XM透過iii*信号を検出可能としたものである
。
以下本発明を図に示す実施例にもとづいて説明する。ま
ず本発明の原理について第5図にもとづいて説明する。
ず本発明の原理について第5図にもとづいて説明する。
試料ステージ3は検査試料2と同一平面内の02軸を有
するステージで、検査位置の位置決めを行う。X線検出
器4は試料2と同一平面内のx72軸を有する検出器ス
テージ8上に置かれる。検出器ステージ8によう検出器
4をX線源の真下からずれた位置に置くとX線源1と検
出器4とを結ぶ直線すなわち光軸に対して検査試料2が
相対的に傾斜して置かれることとなう、試料ステージS
を傾斜したのと同等のパン、又はチル)X線透過画体信
号が得られる。
するステージで、検査位置の位置決めを行う。X線検出
器4は試料2と同一平面内のx72軸を有する検出器ス
テージ8上に置かれる。検出器ステージ8によう検出器
4をX線源の真下からずれた位置に置くとX線源1と検
出器4とを結ぶ直線すなわち光軸に対して検査試料2が
相対的に傾斜して置かれることとなう、試料ステージS
を傾斜したのと同等のパン、又はチル)X線透過画体信
号が得られる。
さらに、検出器4を試料2と平行画内で移動させること
によ少、視野両端の倍率はム: B ” C:Dで一定
となるため像の歪を生じない。
によ少、視野両端の倍率はム: B ” C:Dで一定
となるため像の歪を生じない。
さらに、X.X線源1を2ステージ9上に乗せ、試料2
と垂直方向に移動させることにより倍率を変えるように
する。以上によシ、試料ステージ5はX・!2軸のみで
構成できるので、質量が低減でき、よシ高速な試料の移
動、位置決めが可能となる。
と垂直方向に移動させることにより倍率を変えるように
する。以上によシ、試料ステージ5はX・!2軸のみで
構成できるので、質量が低減でき、よシ高速な試料の移
動、位置決めが可能となる。
第1図は本発明のX線透通画像によるはんだ付部を検査
する装置の一実施例を示したものである。
する装置の一実施例を示したものである。
図中1はX線源、2は電子部品を実装したプリント基板
等の検査試料、3は試料ステーク、4はX線検出器、5
は画像処理部、6はステージ制御部、7はシステム制御
部、8は検出器ステージ、9はX線源ステージである。
等の検査試料、3は試料ステーク、4はX線検出器、5
は画像処理部、6はステージ制御部、7はシステム制御
部、8は検出器ステージ、9はX線源ステージである。
試料2は試料ステージ5上に搭載され、試料ステージ3
により試料之の表面ε同一平面内をx72軸で平行移動
し、検査位置決めを行う、X線源1は、試料2の上方に
位置し、X線源ステーク9により、試料2ε喬直方向に
移動するこεにより、得られるxls画像の倍率を決定
する。xm検凪器Aは、試料2の下方に位置し、検出器
ステージ8上に搭載きれ、試料2と平行な面目をx *
72軸で平行移動し、X線光軸ε試料2の法線方向色
を相対的に頷斜畜せる。
により試料之の表面ε同一平面内をx72軸で平行移動
し、検査位置決めを行う、X線源1は、試料2の上方に
位置し、X線源ステーク9により、試料2ε喬直方向に
移動するこεにより、得られるxls画像の倍率を決定
する。xm検凪器Aは、試料2の下方に位置し、検出器
ステージ8上に搭載きれ、試料2と平行な面目をx *
72軸で平行移動し、X線光軸ε試料2の法線方向色
を相対的に頷斜畜せる。
検査は、家ず、検凪倍率と、光軸た試料2εの傾斜角を
設定するため、X線源唯1εX線検出器4位置をX線源
ステージ9および検出器ステージ8にxD移動きせる。
設定するため、X線源唯1εX線検出器4位置をX線源
ステージ9および検出器ステージ8にxD移動きせる。
次に試料2を試料ステージ3に搭載し、検黒したい場所
に試料を試料ステージ3で移動された後、X線を露光し
、試料のX線遜過画像をX線検all器4で検出、画像
処理部5で良品データ色比較し、はんだ付部の夾歪を判
定する。以玉のシーケンス、および試料の検査位置はシ
ステム制御部7によりラントロールされ、X線検出器4
の視野内の指定“きれたはんだ付部の検査が終了したら
、試料ステージ5を動かし、別のはんだ付部の検査をく
υかえず。
に試料を試料ステージ3で移動された後、X線を露光し
、試料のX線遜過画像をX線検all器4で検出、画像
処理部5で良品データ色比較し、はんだ付部の夾歪を判
定する。以玉のシーケンス、および試料の検査位置はシ
ステム制御部7によりラントロールされ、X線検出器4
の視野内の指定“きれたはんだ付部の検査が終了したら
、試料ステージ5を動かし、別のはんだ付部の検査をく
υかえず。
本実施例では、倍率変更のため、X線源の位置を移動し
たが、検崩器スデ・−・ジに試料2.!:m直方同方向
移動軸を追加し、X線検出器を試料2と垂直方向へ動か
してもよい。
たが、検崩器スデ・−・ジに試料2.!:m直方同方向
移動軸を追加し、X線検出器を試料2と垂直方向へ動か
してもよい。
オた、本実施例では、XMi光軸と試料2εを傾斜きせ
るため、検出器4を試料と平行閘門で移動きせたが、X
線源ステージ9に試料ε平Ti血内で平行移動できる軸
金追加18、X線検め器のかわDにX線源を移動吉せ−
1:4よい。
るため、検出器4を試料と平行閘門で移動きせたが、X
線源ステージ9に試料ε平Ti血内で平行移動できる軸
金追加18、X線検め器のかわDにX線源を移動吉せ−
1:4よい。
以上説明したように本発明によれば、試料ステークの機
構が簡素化できるので、試料ステークが安価に製作でき
、試料ステークが軽量化fiゐので高速な移動1位置決
めができ、さらに、試料が傾斜しないので、大型試料で
も検査できる効果金集する。tた、本発明によれば像歪
がな一ノz〉を又はチル)−X線透遜画像償号が得られ
、はんだ付部の検査精度、信頼性を同上させるヒLがで
倉る効果を奏する。
構が簡素化できるので、試料ステークが安価に製作でき
、試料ステークが軽量化fiゐので高速な移動1位置決
めができ、さらに、試料が傾斜しないので、大型試料で
も検査できる効果金集する。tた、本発明によれば像歪
がな一ノz〉を又はチル)−X線透遜画像償号が得られ
、はんだ付部の検査精度、信頼性を同上させるヒLがで
倉る効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2図は従来
方法の構成図、第5図は両面実装基板検査蒔の本具含を
説明する図、第4図は内向実装基板検査方法を説明する
図、第5図は本発明Ow、埋を説明するための図である
。 1・・・・・・−X [!l源、 2・・・・・・・・・プリント基板(検査試料)%S・
・・・・・・・・試料ステージ、 4・・・・・・・・・X@検患器、 5・・・・・・・・・画像処理部、 6・・・・・・・・・ステージ制御部、7・・・・・・
・・・システム制御部、8・・・・・・・・・検出器ス
テ゛−ジ、9・・・・・・・・・X線源ステージ。 5・・・6式1′Fステージ゛′ 4・−・X籟す寅出為 8°゛°牛尖山享hステーン゛ 2[¥1 う回 4図
方法の構成図、第5図は両面実装基板検査蒔の本具含を
説明する図、第4図は内向実装基板検査方法を説明する
図、第5図は本発明Ow、埋を説明するための図である
。 1・・・・・・−X [!l源、 2・・・・・・・・・プリント基板(検査試料)%S・
・・・・・・・・試料ステージ、 4・・・・・・・・・X@検患器、 5・・・・・・・・・画像処理部、 6・・・・・・・・・ステージ制御部、7・・・・・・
・・・システム制御部、8・・・・・・・・・検出器ス
テ゛−ジ、9・・・・・・・・・X線源ステージ。 5・・・6式1′Fステージ゛′ 4・−・X籟す寅出為 8°゛°牛尖山享hステーン゛ 2[¥1 う回 4図
Claims (4)
- 1.X線源と、該X線源から試料へ照射されたX線の透
過画像信号を検出するX線検出器とを備え、上記試料を
該試料画内で平行移動させると共に、上記X線源または
X線検出器を上記平行移動させて上記X線検出器から上
記試料のパンまたはチルト透過画像信号を検出するよう
に構成したことを特徴とするX線透過画像信号検出装置
。 - 2.上記X線源を上記試料を垂直方向に移動できるよう
に構成し、信率補正できるようにしたことを特徴とする
請求項1記載のX線透過画像信号検出装置。 - 3.上記試料が電子部品をはんだ接続して実装したプリ
ント基板があり、はんだ接続部の検査するように構成し
たことを特徴とする請求項1又は2記載のX線透過画像
信号検出装置。 - 4.X線源と、該X線源がはんだ付部を有する基板へ照
射されたはんだ付部のX線透過画像信号を検出するX線
検出器とを備え、上記X線源またはX線検出器を上記基
坂と平行画内で平行移動させてはんだ付部のパン又はチ
ルト透過画像信号を検出し、はんだ付状態を検査するこ
とを特徴とするX線透過画像によるはんだ付検査方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1212907A JPH0377008A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | X線透過画像信号検出装置並びにx線透過画像によるはんだ付検査方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1212907A JPH0377008A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | X線透過画像信号検出装置並びにx線透過画像によるはんだ付検査方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0377008A true JPH0377008A (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=16630261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1212907A Pending JPH0377008A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | X線透過画像信号検出装置並びにx線透過画像によるはんだ付検査方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0377008A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004317226A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shimadzu Corp | バンプ検査装置 |
JP2006184267A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Nagoya Electric Works Co Ltd | X線検査装置、x線検査方法およびx線検査プログラム |
WO2010074031A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | オムロン株式会社 | X線検査方法およびx線検査装置 |
WO2015153722A1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Nordson Corporation | X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP1212907A patent/JPH0377008A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004317226A (ja) * | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Shimadzu Corp | バンプ検査装置 |
JP2006184267A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-07-13 | Nagoya Electric Works Co Ltd | X線検査装置、x線検査方法およびx線検査プログラム |
WO2010074031A1 (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | オムロン株式会社 | X線検査方法およびx線検査装置 |
JP5177236B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2013-04-03 | オムロン株式会社 | X線検査方法およびx線検査装置 |
WO2015153722A1 (en) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | Nordson Corporation | X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers |
US10215716B2 (en) | 2014-04-04 | 2019-02-26 | Nordson Corporation | X-ray inspection apparatus for inspecting semiconductor wafers |
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