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JPH0355238A - 積層板用樹脂組成物 - Google Patents

積層板用樹脂組成物

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Publication number
JPH0355238A
JPH0355238A JP19116789A JP19116789A JPH0355238A JP H0355238 A JPH0355238 A JP H0355238A JP 19116789 A JP19116789 A JP 19116789A JP 19116789 A JP19116789 A JP 19116789A JP H0355238 A JPH0355238 A JP H0355238A
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JP
Japan
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weight
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butadiene
phenol
resin composition
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JP19116789A
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JP2796737B2 (ja
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Fumiaki Oshimi
押見 文明
Yutaka Otsuki
大月 裕
Hitoshi Yuasa
湯浅 仁士
Masami Enomoto
正美 榎本
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Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Oil Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電気特性、特に誘電特性に優れたガラス布、
紙等を基材として用いるプリント配線基板用の難燃化積
層板用樹脂組成物に関する。
[従来の技術およびその問題点] 近年、電子素子の高密度化、信号の高速化、高周波数化
等に伴ない、信号の遅延が問題となってきている。信号
遅延時間は比誘電率の平方根に比例して大きくなるため
、高速電子機器のプリント配線板は誘電率の低いものが
求められている。一般に広く用いられているガラス布を
基材とするエポキシ樹脂積層板は誘電率が4.5〜5.
0とかなり大きく、高速電子機器用、高周波機器用とし
ては不利である。
一方、誘電率を低くするために、ポリエチレン、ポリテ
トラフルオ口エチレン、ポリフエニレンエーテル、ボリ
スルホン等を用いた積層板が開発されているが、これら
は熱可塑性樹脂であるため、強度が小さい、あるいはは
んだ耐熱性が不足している。また、誘電率は樹脂と基材
との加或性が成り立つことから、誘電率の小さい樹脂量
を多く使用することが提案されている。
しかし、こうして得られる積層板は誘電率が満足できる
ほど低いものではなく、また機械的強度においても十分
でない等の問題がある。
積層板用樹脂組成物にブタジエン重合体の誘電体を用い
た例としては、特願昭62−32119号等がある。し
かし、実施例の記載から明らかなように、このものの誘
電率は3。8程度であり、信号の高速・高周波基板とし
ての誘電率は不十分であって、改良が望まれる。
[発明が解決しようとする問題点〕 本発明の目的は、誘電率、誘電正接等の電気特性に優れ
、かつガラス転移温度が高く、しかも耐熱性、耐湿性、
難燃性等の特性にも優れた積層板用樹脂組成物を提供す
ることにある。
〔問題点を解決するための手段コ 本発明者らは上述の諸問題の解決すべく鋭意研究を重ね
た結果、特定温度以下でフェノール類の付加を行って得
られたフェノール類付加ブタジェン(共)重合体に、ガ
ラスまたはシリカの微小中空体を配合することによって
、誘電率等の電気特性や耐熱性、強度等の優れた積層板
用樹脂組成物が1辱られることを見出した。
すなわち、本発明は、 (A)数平均分子量が500〜5000で、結合ブタジ
エンユニットの50%以上が1.2桔合であるブタジエ
ン(共)重合体に、120℃以下の温度でフェノール類
を付加させたフェノール類付加プタジエン(共)重合体
100 TITI量部、 (B)臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂および/
または臭素化ノボラック型エボキシ樹脂50〜150重
量部、 (C)ガラスまたはシリカの微小中空体30〜150重
量部、および (D)第三級ホスフィン類、第三級アミン類およびイミ
ダゾール類から選ばれる硬化促進剤0,05〜5,0重
量部 から戊ることを特徴とする難燃化積層板用樹脂組成物を
提供する。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の(A)成分の出発原料であるブタジェン(共)
重合体は、従来公知の方法で製造することができる。例
えば、炭化水素溶媒中でリチウム、ナトリウム等のアル
カリ金属またはそれらの有機金属化合物を触媒としてブ
タジエンを単独重合させたり、あるいはブタジエンにス
チレンまたはイソブレン等の他のビニルモノマーを50
モル%以下の割合で共重合させることにより得ることが
できる。また、ナフタレン、アントラセンの如き多環芳
香族化合物を活性化剤として、テトラヒドロフランのよ
うな極性溶媒中でナトリウムのようなアルカリ金属を触
媒としてブタジエンを単独または共重合させる方法を採
用することもできる。
こうして得られたブタジエン(共)重合体は数平均分子
量が500〜5000、好ましくは600〜3000で
、かつ1.2結合が50%以上、好ましくはGO%以上
を有するものである。
数1均分子息が上記の範囲に満たない場合は、得られる
組成物の強度が不定し、耐熱性も低下してしまう。一方
、上記範囲を超える場合には、得られる組成物の戊形性
が悪化する。
また、プタジエン(共)重合体の1.2結合が50%未
満の場合には、フェノール類の付加が円滑に行われがた
く、ゲル化反応等が多くなり好ましくない。
ブタジエン(共)重合体へのフェノール類の付加は、1
20℃以下、好ましくは50〜100℃で、触媒として
硫酸、過塩素酸、p−トルエンスルホン酸、塩化アルミ
ニウム、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素・エーテル錯
体、三フッ化ホウ素・フェノール錯体等から選ばれる化
合物の存在下に、好ましくは三フッ化ホウ素、三フッ化
ホウ素・工一テル錯体、三フッ化ホウ素・フェノール錯
体から選ばれる化合物の存在下に遂行される。
フェノール類の付加量は、好ましくは生成付加重合体i
oo gに対してヒドロキシル基が0,1〜1.0モル
、より好ましくは0.25〜0.5モルとなるよう調節
するのが望ましい。
フェノール類の付加温度が120℃を超えるとブタジエ
゜ン(共)重合体中の二重結合や他の副反応が多くなり
好ましくない。
ヒドロキシル基が0.lモル未満では組成物の架橋密度
が小さくなり、強度、耐熱性の低下等が著しく、またヒ
ドロキシル基が1.0モルを超えると、得られる組成物
の流動性が悪くなり成形できなくなる。
本発明で使用されるフェノール類とは、一価フェノール
、多価フェノールあるいはこれらのアルキル置換体から
選ばれた少なくとも一種の化合物をいう。前記アルキル
置換体は炭素数1〜l2のアルキル基が1〜3個置換し
たものである。具体的には、フェノール、o,m,p−
クレゾール、エチルフェノール、プロビルフェノール、
プチルフェノール、tert−プチルフェノール、アミ
ルフェノール、ヘキシルフェノール、オクチルフェノー
ル、ノニルフェノール、ドデシルフェノール、キシレノ
ール等の一価フェノール、ヒドロキノン、レゾルシン、
カテコール、ビスフェノール等の多価フェノール、ある
いはこれらの混合物が挙げられる。特にフェノール、ク
レゾール、キシレノールが好ましく用いられる。
なお、ブタジエン(共)重合体へのフェノール類の付加
反応時に、必要に応じてベンゼン、トルエン、キシレン
、オクタン、シクロヘキサン等の溶媒を使用してもよい
また本発明においては、(A)成分の一部をノボラック
型フェノール樹脂、臭素化ノボラック型フェノール樹脂
あるいはポリビニルフェノール、臭素化ポリビニルフェ
ノールあるいはテトラブロモビスフェノールA等の多価
フェノール化合物で置きかえることも可能である。
これらの使用量は(A)成分100重量部に対して50
重量部より少ない量であることが好ましい。
これより多量に用いると誘電率が高くなり好ましくない
本発明の(B)戊分としては、例えばテトラブロモビス
フェノールAジグリシジルエーテル(東都化戊■製、エ
ボメー}YDB−400)等の臭素化ビスフェノールA
型エポキシ樹脂あるいはBREN−S (日本化薬■製
)等の臭素化ノボラック型エポキシ樹脂またはこれらの
混合物が用いられる。
(B)成分の使用量は(A)或分100重量部に対して
50〜150重量部、好ましくは80〜100重量部の
範囲である。特に組成物中の臭素含有量が15〜25重
量%になるように用いることが難燃性を達或するという
点で好ましい。
(B)成分の使用量が50重量部未満では硬化反応が十
分に行われず、耐熱性が不足し、さらに難燃性も十分で
なくなる。また、150重量部を超えると難燃性は向上
するものの、耐熱性が低下する。
(B)成分の一部はビスフェノールA型エポキシ樹脂あ
るいはノボラック型エポキシ樹脂で置きかえることがで
きるが、難燃性を低下させない程度に用いることが好ま
しい。
さらに難燃性を向上させるために二酸化アンチモン、水
酸化アルミニウム、ホウ酸亜鉛等の添加型難燃剤との併
用も可能である。
本発明の(C)成分としては、ガラスまたはシリカの微
小中空体が用いられる。該微小中空体の粒径は数μm〜
250μm程度のものが好ましく、耐圧強度はlO〜t
000kg/cjのものが、また平均粒子密度は0.4
〜0.8 g/ccのものが好ましい。例えば、グラス
バブルズS 80/10.000(住友スリーエム■製
)が好ましく用いられる。
(C)戊分の使用量は(A)或分100重量部に対して
30〜150重量部、好ましくは50〜120重量部の
範囲である。(C)戊分の使用量が30重量部未満では
低誘電率化の効果が小さい。また150重量部を超える
と低誘電率化の効果は大きいものの、スルーホール信頼
性、曲げ強度、分散性が低下する。
本発明でいう(D)成分の硬化促進剤は、第三級ホスフ
ィン類、第三級アミン類、イミダゾール類から選ばれる
第三級ホスフィン類は一般式R3ミPで示され(RはC
,〜(Bのアルキル基およびアリール基から選ばれる少
くとも1種である)、これには、トリメチルホスフィン
、トリエチルホスフィン、トリプロビルホスフィン、ト
リブチルホスフィン、トリフエニルホスフィン、メチル
ジフェニルホスフィン、ジメチルフエニルホスフィン等
が包含される。特にトリブチルホスフィン、トリフエニ
ルホスフィンが好ましく用いられる。
第三級アミン類は、1分子内にアミノ基を1〜2個もつ
化合物である。具体的には、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、1・リプロビルアミン、トリブチルアミン
、トリアミルアミン、テトラメチルブタンジアミン、テ
トラメチルペンタンジアミン、トリエチレンジアミン、
テトラメチルヘキサジアミン、ジメチルアミノエタノー
ル、ジメチルアミノペンタノール、トリエタノールアミ
ン、N,N−ジメチルベンジルアミン、N,N−ジメチ
ルアニリン、N,N−ジメチルトルイジン、N,N−ジ
メチルーp−アニシジン、p−ハロゲノーN,N−ジメ
チルアニリン、2−N一エチルアニリノエタノール、2
,4.6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール
、ビリジン、キノリン、N−メチルビペリジン、N−メ
チルモルホリン等が挙げられる。特にジメチルエタノー
ルアミン、N,N−ジメチルベンジルアミンが好ましく
用いられる。
イミダゾール類としては、具体的には2−エチル−4−
メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エ
チルイミダゾール、2.4−ジメチルイミダゾール、2
−ウンデシルイミダゾール、2−ヘブタデシルイミダゾ
ール、1−ビニル−2−メチルイミダゾール、1−プロ
ビル−2−メチルイミダゾール、2−イソプロビルイミ
ダゾール、1−シアノメチル−2−エチル−4−メチル
イミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミ
ダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾー
ル、2−フエニルイミダゾール、1−ベンジルー2−メ
チルイミダゾール、2−フェニルー4−メチルイミダゾ
ール、2−フエニルー4.5−シヒドロキシメチルイミ
ダゾール、2−フエニル−4−メチル−5−ヒドロキシ
メチルイミダゾール、2−フェニルー4−ベンジルー5
−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。特に
2−メチル−4−メチルイミダゾール、2−フエニルー
4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−
フエニル−4−ベンジルー5−ヒドロキシメチルイミダ
ゾールがこ好ましく用いられる。本発明では硬化促進剤
を混合して使用しても差支えない。
(D)成分の使用量は(A)戊分の100重量部に対し
て0.05〜5.0重量部、好ましくは0.l〜2.5
重量部である。(D)成分の使用量が上記範囲を超える
と、初期の硬化速度は速いが、耐熱性に劣る組成物しか
得られない。また上記範囲未満であると、硬化反応が十
分に行なわれず、耐熱性が低下する。
本発明の樹脂組戊物を用いて積層仮を製造するには、ま
ず本発明の樹脂組成物を適当な有機溶媒、例えばアセト
ン、メチルエチルケトン等に溶解してワニスとし、基材
を含浸させた後、乾燥させて積層板用プリブレグを作る
。基材としてはガラス不織物、紙、綿布等が用いられる
。このようにして得られたプリプレグは粘着性がなく取
扱い易いものである。
これを積層板に成形加工するには通営の熱圧ブレスがそ
のまま用いられる。すなわち、成形温度150 〜20
0℃、成形圧力10〜100 kg/ cd、成形時間
30〜300分が適当な条件として採用される。成形の
際にはプリプレグを重ね、その上に銅箔を重ねて成形す
ることで良好な銅張積層板が得られる。
このようにして作られた積層仮には電気特性、とりわけ
誘電特性に優れ、ガラス転移温度が高く、かつ吸湿性、
耐化学薬品性、耐熱性にも優れたものである。
本発明にあっては、この積層板用樹脂組戊物の硬化物の
ガラス転移温度(TMA)をHO℃以上にすることが好
ましい。ガラス転移点が130℃未満であると積層板用
としての耐熱性が劣るからである。
[実施例] 以下に具体的な例を挙げて本発明をさらに詳細に説明す
る。なお、実施例や比較例では特記しない限り、r部』
は重量部を意味する。
合戊例1 日石ポリブタジエンB − 1200(数平均分子量1
200, 1.2結合63%) 100 g,フェノー
ル2700 fおよび三フッ化ホウ素●フェノール錯体
33.7.を還流冷却器および撹拌機を付した容ato
mの反応器に仕込み,80℃で3時間反応させた。次い
でキレシン3000z,水酸化カルシウム86.3gお
よび水8,6gを加え、80℃で30分間撹拌し、触媒
を失活させた後、ろ過した。
得られたろ液から未反応フェノールおよびキシレン等を
減圧下に除去し、フェノール類付加ポリプタジエン(A
−1)を得た。この(A−1)too gにはヒドロキ
シル基が0.33モル含まれていた。また軟化点は18
0℃であった。
合成例2 合成例1において原料ポリプタジエンを日石ポリブタジ
エンB − 1000(数平均分子量1000, 1.
2結合62%)に、またフェノールを0−クレゾールに
代えた以外は合或例1と同様な反応を行い、フェノール
類付加ポリブタジエン(A−2)を得た。
この(A−2) 100 gにはヒドロキシル基がロ、
35モル含有されていた。また軟化点は155℃であっ
た。
実施例1 合成例1で製造したフェノール類付加ポリブタジエン(
A−1)100部、臭素化エポキシ樹脂YDB−400
  (東都化成株製)82部、ノボラックエポキシ樹脂
YDCN−704  (東部化成■製)18部、ガラス
微小中空体(グラスバブルズS 60/ 10,000
・住友スリーエム■製)60部および2−フエニル一4
−ベンジル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール0.8
部を、ジメチルホルムアミド/メチルエチルケトン(4
0部/l40部)混合溶媒180部に溶解し、含浸用ワ
ニスを得た。このワニスにガラス布基材(WE 18 
W 105、日東紡績沖製)を浸漬し、150℃で27
分間乾燥し、粘着性のないブリプレグを得た。このブリ
ブレグを8枚重ね、その両面に35μm厚の電解銅箔(
日鉱グールドフォイル■製)を敷き、d度180℃、戊
形圧力15kg/℃Jで4時間積層或形を行ない、両面
銅張積層板を得た。
実施例2 フェノール類付加ポリブタジエンとして合成例2で得ら
れた(A−2)を用い、微小中空体(グラスバブルズS
 − GO/ 10,000住友スリーエム■製)の使
用量を100部に増量した以外は実施例1と同様にして
両面銅張積層板を得た。
比較例1.2 微小中空体をブレンドしなかった以外は実施例1.2と
同様にして1.6mmの銅張積層板を得た。
実施例1.2および比較例1.2で得られた各積層板の
特性をJ Is C 6481 に従って測定し た。
結果をml表に示す。
第1表から明らかなように、比較例1および比較例2の
変性ポリブタジエン系の積層板は電気特性に優れている
ものの、実施例1および実施例2の積層板に比べて、誘
電率がやや大きく、銅張積層板において信号の伝播時間
を短縮するためには、問題がある。
[発明の効果] 本発明の組底物より製造される積層板は、誘電率を大幅
に低下させるこεができ、電気特性に優れ、しかもガラ
ス転移温度も高く、また耐熱性が優れ、吸水率も小さい
という特長を有するものである。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) (A)数平均分子量が500〜5000で、結
    合ブタジエンユニットの50%以上が1,2結合である
    ブタジエン(共)重合体に、120℃以下の温度でフェ
    ノール類を付加させたフェノール類付加ブタジエン(共
    )重合体100重量部、(B)臭素化ビスフェノールA
    型エポキシ 樹脂および/または臭素化ノボラック型エポキシ樹脂5
    0〜150重量部、 (C)ガラスまたはシリカの微小中空体30〜150重
    量部、および (D)第三級ホスフィン類、第三級アミン 類およびイミダゾール類から選ばれる硬化促進剤0.0
    5〜5.0重量部 からなることを特徴とする難燃化積層板用樹脂組成物。
  2. (2) 前記フェノール類付加ブタジエン(共)重合体
    (A)が、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素・エーテル
    錯体および三フッ化ホウ素・フェノール錯体から選ばれ
    る化合物を触媒に用いて得られるものである特許請求の
    範囲第1項に記載の難燃化積層板用樹脂組成物。
  3. (3) 積層板用樹脂組成物の硬化物のガラス転移点が
    130℃以上である特許請求の範囲第1項に記載の難燃
    化積層板用樹脂組成物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2001291962A (ja) * 2000-04-04 2001-10-19 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法
WO2024176769A1 (ja) * 2023-02-22 2024-08-29 Agc株式会社 封止樹脂組成物及び電子部品装置

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