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JPH0348581B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0348581B2
JPH0348581B2 JP60216928A JP21692885A JPH0348581B2 JP H0348581 B2 JPH0348581 B2 JP H0348581B2 JP 60216928 A JP60216928 A JP 60216928A JP 21692885 A JP21692885 A JP 21692885A JP H0348581 B2 JPH0348581 B2 JP H0348581B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
substrate
mask
resist
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60216928A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6276039A (ja
Inventor
Yasushi Myazono
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP21692885A priority Critical patent/JPS6276039A/ja
Publication of JPS6276039A publication Critical patent/JPS6276039A/ja
Publication of JPH0348581B2 publication Critical patent/JPH0348581B2/ja
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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光学的に情報の記録、再生、また消
去を行なう再生専用、追加記録用または書き換え
可能な光情報記録媒体の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
近年、光情報記録媒体(以下、「媒体」とい
う。)を有する光メモリ装置は高密度で大容量の
メモリ装置として注目されている。この光情報記
録媒体が高密度及び大容量となる理由は、情報の
記録単位であるビツトが、光の波長及び記録層へ
光を集光させるレンズの開口数によつて決まり、
その大きさを1μm程度にすることができるからで
ある。なお、再生もこのビツトの有無を光学的に
読み出すことによりなされる。しかし、情報の記
録、再生を正確にするためには、電子制御システ
ムを有する精密な機械機構を必要とし、そのた
め、光メモリ装置を大型にせざるを得ないことか
ら、その対策として、第4図に示すような構造が
とられるようになつた。同図において、媒体用基
板1はガラスからなり、中央に円柱状の貫通孔1
aを有する円板状で、主表面2に記録層が形成さ
れるが、この主表面2は、エツチングにより形成
された情報の記録再生を行う光のトラツキングを
容易にする同心状の案内溝3(以下、「プレグル
ープ」という)や、トラツク番号、セクターおよ
びセクター番号等を示すための小陥部4(以下、
「プレピツト」という)を有している。なお、プ
レグループまたはプレピツトの総称として、以
下、ガイド部という。
このようなガイド部を有する媒体用基板を製造
する場合、従来は、ガラス基板の主表面上に被着
したパターン形成用薄膜にホトリソグラフイおよ
びエツチングを施し、ガイド部を形成するための
パターンを有する円板状または角板状のマスクを
形成し、次に、媒体用基板となる円板状のガラス
基板の主表面上に塗布したレジスト膜を上記マス
クを介して露光後現像することによりレジスト膜
に上記パターンを転写し、最後にこのパターン化
したレジスト膜をマサクとしてガラス基板の表面
をエツチングすることにより行なつていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、ガイド部の種類もしくはその位置およ
び形状は常に一定のものではなく、それらのパタ
ーンがわずかでま変わるたびに新たにマスクを製
造し、そのパターンを転写して媒体用基板を形成
しなければならなかつた。
〔問題点を解決するための手段〕
このような問題点を解決するために、本発明
は、まず、複数種の媒体用基板に共通なパターン
のみをフオトリソグラフイ法により所定位置に形
成した第1のマスクを作り、次に、その共通パタ
ーンをフオトリソグラフイ法により転写すると共
に、共通パターンとは異なる位置に固有パターン
をフオトリソグラフイ法により形成した第2のマ
スクを作り、これを用いて媒体用基板を形成する
ようにしたものである。
〔作用〕
共通パターンを有する複数種の媒体用基板を製
造する場合、第1のマスクは各種基板において共
用され、第2のマスクの形成段階からのみ個別に
実行される。
〔実施例〕
次に第1図および第2図を用いて本発明の一実
施例を説明する。なお、第1図は媒体用基板の製
造工程を示す工程断面図、第2図は完成時の平面
図である。
はじめに外径130mm、内径6mm、厚さ2.3mmの石
英ガラスからなる第1透光性基板11を用意し、
主表面に精密研摩を施した後、スパツタ法により
約700Åのクロム(Cr)からなる第1パターン形
成用薄膜12を被着させ、さらにその上にポジ形
の電子線レジスト13を塗布した。電子線レジス
ト13としてはチツソ社製のPBSを用いた。次
に、電子線14による直接描画により、レジスト
13に共通ガイド部(本実施例ではプレグルー
プ)のパターンの露光を行なう(第1図a)。
次に、露光したレジスト13を5−メチル2へ
キサノンと2ペンタンとの混合液に水を加えた現
像液で現像し、レジストパターンを形成する。次
いでこのレジストパターンをマスクとし、硝酸第
2セリウムアンモンと過塩素酸との混合液を用い
て第1パターン形成用薄膜12をエツチングす
る。その後、レジスト13を硫酸で除去すること
により、共通ガイド部を形成するための共通パタ
ーン15を有する第1のマスク16を形成する
(第1図b)。なお、図では省略して示してある
が、共通パターンは半径40mmから60mmの範囲内に
幅1.0μmの溝が2.0μmピツチで同心状に形成され
たものとする。
前述した第1透光性基板11と同様の石英ガラ
ス基板からなる第2透光性基板17の主表面を精
密研摩し、クロムからなる第2パターン形成用薄
膜18(膜厚700Å)を被着させ、さらにその上
にポジ形のホトレジスト(本実施例ではヘキスト
社製のAZ−1350)19を被覆した。レジスト1
9は膜厚は1000Åとした。次に、第1のマスク1
6をマスクとし、紫外線20を全面に照射してレ
ジスト19を露光した(第1図c)。
次に、ヘキスト社製のAZデベロツパーにより
現像を行ない、エツチングを行なつて第2パター
ン形成用薄膜18に共通パターン15と同様の共
通パターン21を形成した(第1図d)。
次に共通パターン21が形成された主表面状に
さらに前述したレジスト13と同様の電子線レジ
スト22を全面に塗布し、電子線23による直接
描画によりレジスト22に共通パターン21とは
異なつた位置に形成される共通ガイド部以外の固
有のガイド部のパターンの露光を行なう(第1図
e)。
次いで前述したレジスト13と同様にレジスト
22の現像および第2パターン形成用薄膜18の
エツチングを行ない(第1図f)、前述したと同
様の方法でレジスト22を除去することにより、
共通パターン21に固有パターン24を付加した
第2のマスク25が形成される(第1図g)。な
お、固有パターン24は、半径35mmから40mmの範
囲内に幅1μmの溝が2μmピツチで同心円状に形
成されたものとする。
次に、外径130mm、内径15mm、厚さ1.2mm、偏心
量10μm以下の円板状に加工されたソーダライム
ガラスからなる第3の透光性基板26を用意し
た。そして精密研摩を行ない低温形イオン交換処
理を施したこの基板26の一方の主表面に、ガイ
ド部形成用に酸化シリコン(SiO2)からなるパ
ターン形成用薄膜27を蒸着法により1500Åの膜
厚に被着した。その上にヘキサメチルジシラザン
からなる中間層28を介し前述したレジスト19
と同様のホトレジスト29を被覆した。中間層2
8は、パターン形成用薄膜27とレジスト29と
の付着力を高めるためのものである。レジスト2
9の膜厚は1000Åとした。次に、第2のマスク2
5をマスクとし、紫外線30による密着露光によ
つてレジスト29を露光した(第1図h)。
露光したレジスト29を前述したレジスト19
と同様に現像し、さらにそのレジストをマスクと
してパターン形成用薄膜27にドライエツチング
を施した。エツチングに先立ち、レジスト29の
ポストベークを100℃で30分間行なつた。エツチ
ングガスはCF4を用い、流量30sccM、全圧
0.2Torr、高周波電力密度0.2W/cm2の条件で行な
つた。エツチング後、残留するレジストを酸素ガ
スを用いた灰化処理により取除き、共通ガイド部
31および固有ガイド32を有する媒体用基板3
3を形成した(第1図iおよび第2図)。
媒体用基板33の作成方法は以上説明した通り
であるが、共通ガイド部31を有する他の媒体用
基板を作成する場合には、上述した第1のマスク
16が共用できるため、その場合には第1のマス
ク16の作成工程は改めて行なう必要がなく、そ
の共通パターン15を第2のパターン形成用薄膜
18に転写するための第1図cの工程から初めれ
ばよく、媒体用基板の作成時間は30分程度短縮で
きる。
次に、このようなガイド部を設けた媒体用基板
を2枚用意し、それぞれのガイド部上に追加記録
が可能な材料としてテルル(Te)からなる記録
層を300Åの厚さに被覆した後この記録層を対向
させ、基板の外周および貫通孔近傍にそれぞれス
ペーサをおいて固定し、内部に空隙を有したサン
ドイツチ状の媒体を作成した。
なお、上述した媒体用基板の製造工程ではレジ
ストはすべてポジ形のものを用いたが、ネガ形を
用いてもよく、両者を併用してもよい。例えば、
第1図eの工程においてレジスト22の代りにネ
ガ形のレジスト(例えばミードケミカル社製の
COP)を用い、固有パターン形成領域の溝とな
らない部位にのみ電子線を照射する。
また、前述した第1図aおよびeの工程では電
子線レジストを用いて直接描画したが、ホトレジ
ストを塗布し、所望するマスクを介して露光して
もよい。
また、上述した実施例では最終的にパターン形
成用薄膜27のない溝の部分をガイド部とするた
めにすべてポジ形のレジストを用いたが、例えば
第1図hの工程においてレジスト29の代りにネ
ガ形のレジストを用い、共通パターン21および
固有パターン24の第2パターン形成用薄膜18
が存在する部分に対応した部分のパターン形成用
薄膜27をエツチングにより除去し、そこをガイ
ド部としてもよい。
さらに、パターン形成用薄膜27が存在する部
分(凸部)をガイド部としてもよい。
以上ガイド部としてプタグループを設けた例に
ついて説明したが、プレピツトまたそれらの双方
を設けた場合も同様である。また、その場合共通
ガイド部はプレグループのみでも、逆にプレピツ
トのみでも、その双方でもよい。
なお、上述した実施例において、透光性基板2
6としてイオン交換処理を施して強化したガラス
板を用いているため、毎分2万回の回転をさせて
も破壊されることがない。また表面硬度が同処理
を行なわないものに比較して50〜100Kg/mm2向上
することにより、表面に傷がつきにくくなる。さ
らにNaイオンの析出による劣化を防止でき、光
の透過率の低下を防ぐことができる。一例として
温度60℃、相対湿度90%RHで測定した基板の光
透過率の経時変化を第3図に示す。図中イが上記
実施例による場合、ロがイオン交換処理を施さな
かつた場合で、イオン交換処理により特性が大幅
に改善されていることがわかる。
なお、上記実施例では低温形イオン交換法を用
いたが、高温形イオン交換法や風冷強化法によつ
ても、少なくとも前述した破壊防止や傷の防止に
ついては同様の効果が得られる。また、ソーダー
ライムガラスに限らず、他のガラス、例えばボロ
シリケート系ガラスやアルミノシリケート系ガラ
スを用いた場合でも同様の効果が得られる。
共通ガイド部31および固有ガイド部32は透
光性基板26の表面に被着したパターン形成用薄
膜27に形成したが、必ずしもそうする必要はな
く、これらパターン形成用薄膜27および透光性
基板26の両者にわたつて形成してもよい。さら
には、直接透光性基板に形成するようにしてもよ
いが、組成変動によるエツチングむら、傷、泡の
存在等を考慮すると、このようなガイド部形成
層、つまりパターン形成用層として、透光性基板
自体の表層部を用いるよりは、上記実施例のよう
に専用の薄膜を別に設ける方が望ましい。
なお、パターン形成用薄膜27の形成に先立ち
透光性基板26の表面を酸化アルミニウム等で被
覆しその上にパターン形成用薄膜27を形成する
ようにしてその付着力を高めてもよい。
また、このようなパターン形成用薄膜27はシ
リコン酸化膜に限定されるものではなく、例えば
周期律表の族、族、族の元素またはその化
合物、さらにそれらの酸化物や窒化膜、あるいは
カルコゲン元素もしくはその化合物またはそれら
の酸化物や窒化膜等の透光性の材質を適宜選択す
ればよい。このパターン形成用層は、エツチング
によつて凹凸が形成できればよく、必ずしも化学
量論的組成でなくてもかまわない。
また、材質との関係で、パターン形成用層のエ
ツチング方法は任意であり、乾式に限らず湿式で
あつてもよい。
さらに、透光性基板26の一主表面にのみパタ
ーンを形成したが、両主表面に形成してもよい。
前記実施例において、追記形の記録層の材質と
してTeを示したがSeなどのTe以外のカルコゲン
元素、GeTeなどのカルコゲン化合物、TeOxな
どのカルコゲン酸化物、周期律表の族、族、
族の元素およびその化合物ならびにその酸化
物、窒化物、さらには光吸収剤を添加した有機物
等であつてもよく、その材質は特に限定されな
い。追加形以外の、例えば書換形の記録層の材質
としては、上記のもの以外にさらにMnBiなどの
遷移金属と周期律表の族の元素を主成分とする
合金、GdFeCoなどの遷移金属と希土類元素を主
成分とする合金等を用いることもできる。さら
に、再生専用の場合には、Au、Ag、Pt、Al、
Cu等の、用いる光に対して高い反射率を有する
ものを用いることも可能である。
また、前記実施例ではエアーサンドイツチ形の
媒体を示したが、この他にエアーインシデント
形、密着サンドイツチ形等の構造であつてもよ
く、また記録層を被着した基板を2枚貼り合せる
代りに、記録層を被着した基板は1枚とし、これ
に記録層を設けない単なる透光性基板を保護用と
して貼り合せてもよい。また、必ずしも貼り合せ
構造とする必要もなく、その場合に記録層側から
光を照射するものとすれば、基板は必ずしも透光
性である必要はない。
なお、透光性基板11,17または26として
石英ガラスまたはソーダライムガラスを用いた例
について説明したが、その他アルミノシリケート
ガラス、ポロシリケートガラスなどであつてもよ
く、さらにはポリメチルメタアクリレート
(PMMA)等のプラスチツクやセラミツクなどで
あつてもよい。また、上述したように光情報記録
媒体が記録層を設けた1枚の基板からなり、かつ
記録層の上方から情報の記録もしくは読出しを行
なうものであるときは、媒体用基板としては例え
ばAl合金などの金属を用いてもよい。
また、第1および第2のパターン形成用薄膜1
2および18としてクロムを用いたが、クロム以
外に周期律表の、、族元素、カルコゲン元
素、さらにはそれらの化合物、その酸化膜もしく
は窒化膜などであつてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、共通パ
ターンを有する第1のマスクを予め用意してお
き、必要に応じてその共通パターンを転写し、固
有パターンのみを新たに付加することで第2のマ
スクを形成することにより、第2マスクの作成時
間の短縮をはかることができ、高品質なガイド部
付き媒体用基板が安価に得られる。また、各パタ
ーンはフオトリソグラフイ法により形成している
ので、作業性および生産性よく共通パターンと固
有パターンを異なつた位置に形成できる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例を示す
図で、第1図は工程断面図、第2図は平面図、第
3図はガラス基板の光透過率の経時変化を示す
図、第4図は媒体用基板の構成例を示す斜視図で
ある。 11……第1の透光性基板、12……第1パタ
ーン形成用薄膜、15,21……共通パターン、
16……第1のマスク、17……第2の透光性基
板、18……第2パターン形成用薄膜、24……
固有パターン、25……第2のマスク、26……
第3の透光性基板、27……パターン形成用薄膜
(パターン形成用層)、31……共通ガイド部、3
2……固有ガイド部、33……媒体用基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 媒体用基板の主表面上に記録層を形成してな
    る光情報記録媒体の製造方法において、 透光性の第1の基板の主表面に形成したパター
    ン形成用薄膜にフオトリソグラフイ法により所定
    の位置に共通パターンを形成して第1のマスクを
    形成する工程と、 透光性の第2の基板の主表面に形成したパター
    ン形成用薄膜に、第1のマスクの共通パターンを
    フオトリソグラフイ法により形成すると共に、共
    通パターンとは異なる位置に固有パターンをフオ
    トリソグラフイ法により形成して第2のマスクを
    形成する工程と、 第3の基板の主表面に位置するパターン形成層
    に第2のマスクの共通パターンおよび固有パター
    ンを転写して媒体用基板を形成する工程と を含む光情報記録媒体の製造方法。
JP21692885A 1985-09-30 1985-09-30 光情報記録媒体の製造方法 Granted JPS6276039A (ja)

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JP2702723B2 (ja) * 1987-11-06 1998-01-26 シャープ株式会社 光メモリ素子の製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5938947A (ja) * 1982-08-28 1984-03-03 Toshiba Corp 情報記憶媒体用原盤
JPS6055534A (ja) * 1983-09-05 1985-03-30 Sanyo Electric Co Ltd 光学記録媒体の製造方法

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