JPH0341538A - 主記憶装置 - Google Patents
主記憶装置Info
- Publication number
- JPH0341538A JPH0341538A JP1175541A JP17554189A JPH0341538A JP H0341538 A JPH0341538 A JP H0341538A JP 1175541 A JP1175541 A JP 1175541A JP 17554189 A JP17554189 A JP 17554189A JP H0341538 A JPH0341538 A JP H0341538A
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- Japan
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- block
- memory
- address
- valid flag
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- Pending
Links
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は情報処理装置の主記憶装置に関し、特に主記憶
装置の診断によって明らかとなった主記憶領域の故障箇
所及びシステム動作中に発生した主記憶装置の故障箇所
の排除に関する。
装置の診断によって明らかとなった主記憶領域の故障箇
所及びシステム動作中に発生した主記憶装置の故障箇所
の排除に関する。
[従来の技術]
従来、この種の主記憶装置の再配置は、O8等のソフト
ウェアにより、主記憶診断時にメモリエラーの発生した
アドレス以降のメモリ領域をアクセスしないように制限
をするか、ハードウェアの交換を実施するかのいずれか
の方法で行なわれている。
ウェアにより、主記憶診断時にメモリエラーの発生した
アドレス以降のメモリ領域をアクセスしないように制限
をするか、ハードウェアの交換を実施するかのいずれか
の方法で行なわれている。
[発明が解決しようとする課題]
上述した従来のO8等のソフトウェアにより故障箇所の
存在するアドレス以降の主記憶領域を切り捨てる方法に
よる主記憶の再配置は、故障箇所のアドレスにより、正
常な主記憶領域が著しく小さくなる場合があり、主記憶
装置の全容量を有効に利用できないという欠点がある。
存在するアドレス以降の主記憶領域を切り捨てる方法に
よる主記憶の再配置は、故障箇所のアドレスにより、正
常な主記憶領域が著しく小さくなる場合があり、主記憶
装置の全容量を有効に利用できないという欠点がある。
また、ハードウェアを交換する方法では、システムの復
旧までに長時間を要するという欠点がある。
旧までに長時間を要するという欠点がある。
[課題を解決するための手段]
本発明による主記憶装置は、主記憶容量を物理的な11
1位でブロック化し、各ブロックに対応するブロックア
ドレスとバリッドフラグとを格納するレジスタと、記憶
部から読出したデータの誤りを検出する手段と、主記憶
装置の正常性診断時及び通常動作中にデータの誤りが検
出された場合、故障箇所を含むブロックのバリッドフラ
グを無効化することにより、ブロックへのアクセスを禁
止し。
1位でブロック化し、各ブロックに対応するブロックア
ドレスとバリッドフラグとを格納するレジスタと、記憶
部から読出したデータの誤りを検出する手段と、主記憶
装置の正常性診断時及び通常動作中にデータの誤りが検
出された場合、故障箇所を含むブロックのバリッドフラ
グを無効化することにより、ブロックへのアクセスを禁
止し。
バリッドフラグの有効な最大ブロックのブロックアドレ
スを書き換える手段と、ブロックレジスタ毎のバリッド
フラグ及びブロックアドレスをデータとして不揮発性メ
モリに格納し、再電源投入時に前記不揮発性メモリから
読出したバリッドフラグ及びブロックアドレスを各ブロ
ックのレジスタへ書込む手段とを有している。
スを書き換える手段と、ブロックレジスタ毎のバリッド
フラグ及びブロックアドレスをデータとして不揮発性メ
モリに格納し、再電源投入時に前記不揮発性メモリから
読出したバリッドフラグ及びブロックアドレスを各ブロ
ックのレジスタへ書込む手段とを有している。
[実施例]
次に本発明について図面を参照して説明する。
第2図は1本発明による主記憶装置を含む情報処理シス
テムを示すブロック図である。
テムを示すブロック図である。
本発明による主記憶装置1は、中央処理装置(CPI)
2と、複数のダイレクトメモリアクセス制御装置3と
からアクセスされる。
2と、複数のダイレクトメモリアクセス制御装置3と
からアクセスされる。
第1図は本発明の一実施例による主記憶装置1の内部構
造を示すブロック図である。
造を示すブロック図である。
主記憶装置1は、システムバス4からアクセスコマンド
及びアクセスアドレス11を受信し、メモリブロック1
8の制御を行なうメモリコントローラ5と、メモリコン
トローラ5からブロックレジスタ制御信号14により読
出し書き込みができるブロックアドレス及びバリッドフ
ラグを格納するブロックレジスタ6と、メモリコントロ
ーラ5より出力されたアドレス15とブロックレジスタ
6のブロックアドレスとを比較し、該当するメモリモジ
ュール8を選択するアドレスデコーダ7と。
及びアクセスアドレス11を受信し、メモリブロック1
8の制御を行なうメモリコントローラ5と、メモリコン
トローラ5からブロックレジスタ制御信号14により読
出し書き込みができるブロックアドレス及びバリッドフ
ラグを格納するブロックレジスタ6と、メモリコントロ
ーラ5より出力されたアドレス15とブロックレジスタ
6のブロックアドレスとを比較し、該当するメモリモジ
ュール8を選択するアドレスデコーダ7と。
システムバス4とメモリモジュール8との間においてデ
ータのチエツクをし、誤りを検出したならばメモリコン
トローラ5ヘエラー信号16を出力するデータチエツク
回路10と、各ブロックレジスタ6の内容を記憶し、電
源切断後もデータを保持する不揮発性メモリ9とを有す
る。
ータのチエツクをし、誤りを検出したならばメモリコン
トローラ5ヘエラー信号16を出力するデータチエツク
回路10と、各ブロックレジスタ6の内容を記憶し、電
源切断後もデータを保持する不揮発性メモリ9とを有す
る。
第1に1本発明による主記憶装置1を含むシステムの初
期化は、以下のように行なわれる。電源投入後、中央処
理装置2は、メモリコントローラ5を介し、全てのブロ
ックレジスタ6のバリッドフラグをセットし、各メモリ
ブロック18のバリッドフラグをサーチして、主記憶領
域が連続したアドレスとなるように全ブロックレジスタ
6内のブロックアドレスを書込む。
期化は、以下のように行なわれる。電源投入後、中央処
理装置2は、メモリコントローラ5を介し、全てのブロ
ックレジスタ6のバリッドフラグをセットし、各メモリ
ブロック18のバリッドフラグをサーチして、主記憶領
域が連続したアドレスとなるように全ブロックレジスタ
6内のブロックアドレスを書込む。
次に、中央処理装置2より、全主記憶領域のメモリモジ
ュール8の書込み、読出しによる診断を行なう。診断中
にデータチエツク回路1oによって検証したデータに誤
りが検出された場合、データチエツク回路10は、メモ
リコントローラ5にメモリエラー信号16を送出する。
ュール8の書込み、読出しによる診断を行なう。診断中
にデータチエツク回路1oによって検証したデータに誤
りが検出された場合、データチエツク回路10は、メモ
リコントローラ5にメモリエラー信号16を送出する。
メモリエラー信号16を受けたメモリコントローラ5は
、システムバス4を介し中央処理装置2ヘデータエラー
の発生を送出する。
、システムバス4を介し中央処理装置2ヘデータエラー
の発生を送出する。
一方、データエラーの発生を検出した中央処理装置は、
直ちに主記憶の診断を中断し、メモリコントローラ5を
介してメモリエラーの発生したアドレスに対応するメモ
リブロック18のバリッドフラグをリセットし、バリッ
ドフラグが有効である。最大ブロックアドレスを持つブ
ロックレジスタ6のブロックアドレスを前記メモリエラ
ーの発生したアドレスに書き換え、当該メモリブロック
の先頭から診断を再開する。
直ちに主記憶の診断を中断し、メモリコントローラ5を
介してメモリエラーの発生したアドレスに対応するメモ
リブロック18のバリッドフラグをリセットし、バリッ
ドフラグが有効である。最大ブロックアドレスを持つブ
ロックレジスタ6のブロックアドレスを前記メモリエラ
ーの発生したアドレスに書き換え、当該メモリブロック
の先頭から診断を再開する。
主記憶装置1の診断が終了した後、全メモリブロックの
ブロックレジスタ6のバリッドフラグ及びブロックアド
レスをメモリコントローラ5を介し、中央処理装置i!
2により不揮発性メモリ9に格納する。
ブロックレジスタ6のバリッドフラグ及びブロックアド
レスをメモリコントローラ5を介し、中央処理装置i!
2により不揮発性メモリ9に格納する。
第2に2本発明による主記憶装置1を含むシステムにお
いて、初期化後の電源投入によるシステムの起動につい
て説明する。各メモリブロックのレジスタ6は、メモリ
コントローラ5を介し、中央処理装置2によって、前記
不揮発性メモリ9から読出されたバリッドフラグとブロ
ックアドレスが書込まれる。全てのブロックレジスタ6
への書込み終了後、前述の主記憶診断を実施し、同様の
処理を行う。
いて、初期化後の電源投入によるシステムの起動につい
て説明する。各メモリブロックのレジスタ6は、メモリ
コントローラ5を介し、中央処理装置2によって、前記
不揮発性メモリ9から読出されたバリッドフラグとブロ
ックアドレスが書込まれる。全てのブロックレジスタ6
への書込み終了後、前述の主記憶診断を実施し、同様の
処理を行う。
また1通常動作中にメモリエラーが発生した場合は、前
述したように最大ブロックアドレスをもつメモリブロッ
クのブロックアドレスをメモリエラーの発生したブロッ
クアドレスに書き換え、全ブロックレジスタ6の内容を
不揮発性メモリ9に格納し1次回のシステムの起動時に
、メモリーエラーの発生するメモリブロックを削除する
。
述したように最大ブロックアドレスをもつメモリブロッ
クのブロックアドレスをメモリエラーの発生したブロッ
クアドレスに書き換え、全ブロックレジスタ6の内容を
不揮発性メモリ9に格納し1次回のシステムの起動時に
、メモリーエラーの発生するメモリブロックを削除する
。
以上の説明を簡単な例題で示す。第3図、第4図は、5
つのメモリブロックで構成された主記憶装置に対する本
発明の詳細な説明するための図である。
つのメモリブロックで構成された主記憶装置に対する本
発明の詳細な説明するための図である。
電源立ち上げ後、主記憶装置の初期状態は、第3図に示
すように、全てのメモリブロックのバリッドフラグ21
はセットされ、ブロックアドレス22は、シーケンシャ
ルに設定されている。
すように、全てのメモリブロックのバリッドフラグ21
はセットされ、ブロックアドレス22は、シーケンシャ
ルに設定されている。
この装置の主記憶診断中あるいは通常動作中に。
メモリブロックbにおいてメモリーエラーが発生したと
しよう。この場合、前述したブロックレジスタの制御を
行ない、第4図の様に、メモリブロックbのバリッドフ
ラグが無効化され、メモリブロックeのブロックアドレ
スにメモリブロックbと同一のアドレスが書込まれ、4
つのメモリブロックとして不揮発性メモリに記憶され1
次回システム起動時の初期設定となる。
しよう。この場合、前述したブロックレジスタの制御を
行ない、第4図の様に、メモリブロックbのバリッドフ
ラグが無効化され、メモリブロックeのブロックアドレ
スにメモリブロックbと同一のアドレスが書込まれ、4
つのメモリブロックとして不揮発性メモリに記憶され1
次回システム起動時の初期設定となる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は、主記憶装置の主記憶領域
を物理的な単位でブロック化し、各メモリブロックに物
理アドレスと対応するブロックアドレスとメモリブロッ
クの有効性を示すバリッドフラグとをメモリブロック情
報としてブロックレジスタ内に有し、メモリブロックか
ら読み出したデータの誤りを検出し、データ誤りの発生
したメモリブロックのバリッドフラグをリセットし、且
つメモリエラーを中央処理装置へ伝達する手段と。
を物理的な単位でブロック化し、各メモリブロックに物
理アドレスと対応するブロックアドレスとメモリブロッ
クの有効性を示すバリッドフラグとをメモリブロック情
報としてブロックレジスタ内に有し、メモリブロックか
ら読み出したデータの誤りを検出し、データ誤りの発生
したメモリブロックのバリッドフラグをリセットし、且
つメモリエラーを中央処理装置へ伝達する手段と。
ブロックレジスタのバリッドフラグの有効性を判断し、
中央処理装置によりブロックレジスタのバリッドフラグ
及びブロックアドレスを書き換える手段と、不揮発性メ
モリにブロックレジスタのバリッドフラグとブロックア
ドレスとを書込み、読出しする手段とを有することによ
り、主記憶装置のメモリモジュール診断中及び通常動作
中に検出されたデータの誤りを生じるメモリブロックを
ハードウェアにより自動的に排除するため、システムの
復旧が容易であり、且つ、os等で実施する主記憶領域
の縮退と比較し、システムの処理能力を低下させること
なく、メモリ容量低下を最小限にとどめることが可能で
ある。
中央処理装置によりブロックレジスタのバリッドフラグ
及びブロックアドレスを書き換える手段と、不揮発性メ
モリにブロックレジスタのバリッドフラグとブロックア
ドレスとを書込み、読出しする手段とを有することによ
り、主記憶装置のメモリモジュール診断中及び通常動作
中に検出されたデータの誤りを生じるメモリブロックを
ハードウェアにより自動的に排除するため、システムの
復旧が容易であり、且つ、os等で実施する主記憶領域
の縮退と比較し、システムの処理能力を低下させること
なく、メモリ容量低下を最小限にとどめることが可能で
ある。
第1図は第2図の主記憶装置1の内部構成を示すブロッ
ク図、第2図は本発明の一実施例による主記憶装置を用
いたシステムを示すブロック図。 第3図は主記憶装置のブロックレジスタ初期状態例を示
す図、第4図は第3図のメモリブロック縮退例を示す図
である。 1・・・主記憶装置、2・・・中央処理装置、3・・・
ダイレクトメモリアクセス制御装置、4・・・システム
バス、5・・・メモリコントローラ、6・・・ブロック
レジスタ、7・・・アドレスデコーダ、8・・・メモリ
モジュール、9・・・不揮発性メモリ、10・・・デー
タチエツク回路、11・・・システムバスコマンド・ア
ドレス。 12・・・システムバスデータ、13・・・メモリバス
データ、14・・・ブロックレジスタ制御信号、15・
・・物理アドレス、16・・・メモリエラー信号、17
・・・メモリモジュール制御信号、18・・・メモリブ
ロック、19・・・不揮発性メモリ制御信号、20・・
・メモリモジュール選択信号、21・・・バリッドフラ
グ。 22・・・ブロックアドレス。 第1図 第3図 第4図
ク図、第2図は本発明の一実施例による主記憶装置を用
いたシステムを示すブロック図。 第3図は主記憶装置のブロックレジスタ初期状態例を示
す図、第4図は第3図のメモリブロック縮退例を示す図
である。 1・・・主記憶装置、2・・・中央処理装置、3・・・
ダイレクトメモリアクセス制御装置、4・・・システム
バス、5・・・メモリコントローラ、6・・・ブロック
レジスタ、7・・・アドレスデコーダ、8・・・メモリ
モジュール、9・・・不揮発性メモリ、10・・・デー
タチエツク回路、11・・・システムバスコマンド・ア
ドレス。 12・・・システムバスデータ、13・・・メモリバス
データ、14・・・ブロックレジスタ制御信号、15・
・・物理アドレス、16・・・メモリエラー信号、17
・・・メモリモジュール制御信号、18・・・メモリブ
ロック、19・・・不揮発性メモリ制御信号、20・・
・メモリモジュール選択信号、21・・・バリッドフラ
グ。 22・・・ブロックアドレス。 第1図 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、中央処理装置に接続された主記憶装置において、 物理的に分割された複数のブロックから成る記憶部と。 各ブロック毎にブロックアドレスとバリッドフラグとを
格納するレジスタと、 不揮発性メモリと、 前記中央処理装置から該レジスタ及び前記不揮発性メモ
リの書込み、読出しを行なう手段と、前記記憶部から読
出したデータの誤りを検出する手段と、 前記主記憶部ブロックのうち最大のブロックアドレスを
識別する手段とを有し、 前記記憶部から読出したデータに誤りが検出された場合
、検出されたブロックのバリッドフラグを無効化し、バ
リッドフラグの有効な最大ブロックレジスタを前記誤り
の発生したブロックのアドレスに書き換え、各ブロック
毎のブロックアドレス及びバリッドフラグの内容を前記
不揮発性メモリに書込み、システムの電源再投入による
起動時に、前記不揮発性メモリよりブロックレジスタ情
報としてバリッドフラグとブロックアドレスを読出し、
各ブロックのレジスタにセットし、主記憶領域の配置を
行ない、故障箇所の存在するメモリブロックを自動的に
排除することを特徴とする主記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1175541A JPH0341538A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 主記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1175541A JPH0341538A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 主記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0341538A true JPH0341538A (ja) | 1991-02-22 |
Family
ID=15997882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1175541A Pending JPH0341538A (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 主記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0341538A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6819608B2 (en) | 2002-07-24 | 2004-11-16 | Elpida Memory, Inc. | Method of recovering memory module, memory module and volatile memory |
CN116863986A (zh) * | 2023-09-05 | 2023-10-10 | 合肥康芯威存储技术有限公司 | 一种用于对存储设备进行分类的数据检测方法、装置 |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1175541A patent/JPH0341538A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6819608B2 (en) | 2002-07-24 | 2004-11-16 | Elpida Memory, Inc. | Method of recovering memory module, memory module and volatile memory |
CN116863986A (zh) * | 2023-09-05 | 2023-10-10 | 合肥康芯威存储技术有限公司 | 一种用于对存储设备进行分类的数据检测方法、装置 |
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