JPH0333187A - 輝尽性螢光体とその製造方法 - Google Patents
輝尽性螢光体とその製造方法Info
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- JPH0333187A JPH0333187A JP16785489A JP16785489A JPH0333187A JP H0333187 A JPH0333187 A JP H0333187A JP 16785489 A JP16785489 A JP 16785489A JP 16785489 A JP16785489 A JP 16785489A JP H0333187 A JPH0333187 A JP H0333187A
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Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
輝尽性の発光を示す螢光体に関し、
発光感度を向上することを目的とし、
((1−x)M’ XAz ・xM” X” t
)(1−y)(MCXc −(1+δ) M”
X” s ) y/2 : zEu!+で表わされる
結晶を用いて、放射線の照射により該結晶中にエネルギ
ーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光をすることを特
徴とする輝尽性螢光体を構成する。
)(1−y)(MCXc −(1+δ) M”
X” s ) y/2 : zEu!+で表わされる
結晶を用いて、放射線の照射により該結晶中にエネルギ
ーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光をすることを特
徴とする輝尽性螢光体を構成する。
本発明は発光感度を向上した輝尽性螢光体とその製造方
法に関する。
法に関する。
輝尽性螢光体を用いてなるX線画像変換シートはデジタ
ル画像処理装置と組み合わせてX線写真システムを構成
している。
ル画像処理装置と組み合わせてX線写真システムを構成
している。
すなわち、X線は人体の診断や材料の鑑識など広い分野
で使用されているが、最大の用途はX線診断である。
で使用されているが、最大の用途はX線診断である。
そして、X線写真の撮影や透視により診断が行われてい
るが、X線は放射線であって人体に有害なことから被爆
線量がなるべく少ないことが必要で、X線装置の改良と
X線フィルム感度向上の面から改良が行われており、昔
と較べて圧絞にならない程少量のX線で検査が行われる
ようになっている。
るが、X線は放射線であって人体に有害なことから被爆
線量がなるべく少ないことが必要で、X線装置の改良と
X線フィルム感度向上の面から改良が行われており、昔
と較べて圧絞にならない程少量のX線で検査が行われる
ようになっている。
然し、フィルムの感度を上げようとすると画質が低下す
ることは避けられない。
ることは避けられない。
一方、最近開発されたX線写真システムはX線画像変換
シートと電算機とを用いて画像処理を行うもので、具体
的には従来のフィルムに代わってX線画像変換シートを
用いて撮影し、シートに写し込まれたX線画像をレーザ
光を使用して電気信号に変換して後、この信号を電算機
で画像処理を行い、この情報をレーザ光の強弱に変換し
て通常の写真フィルムに写し変えることによりX線写真
を形成している。
シートと電算機とを用いて画像処理を行うもので、具体
的には従来のフィルムに代わってX線画像変換シートを
用いて撮影し、シートに写し込まれたX線画像をレーザ
光を使用して電気信号に変換して後、この信号を電算機
で画像処理を行い、この情報をレーザ光の強弱に変換し
て通常の写真フィルムに写し変えることによりX線写真
を形成している。
このような方法によると従来に較べて数10分のl以下
の線量で鮮明な画像を得ることができる。
の線量で鮮明な画像を得ることができる。
こ覧で、X線画像変換シートは放射線エネルギーを一旦
蓄積でき、あとで熱や光の励起によって再び螢光を発す
る輝尽性螢光体を感光材料とするシートである。
蓄積でき、あとで熱や光の励起によって再び螢光を発す
る輝尽性螢光体を感光材料とするシートである。
本発明はか\るX線画像変換シートを構成する輝尽性螢
光体とその製造方法に関するものである。
光体とその製造方法に関するものである。
X線画像変換シートはポリエチレンテレフタレートフィ
ルム(以下略して通称のマイラー)などの透明樹脂膜の
上に、アルカリ土類金属のハロゲン化物とハロゲン化ユ
ーロピウム(Eu)との混合物を還元性ガス中で焼成し
て二価のユーロピウム賦活ハロゲン化アルカリ土類金属
螢光体を作り、か\る輝尽性螢光体をバインダと混合し
て基材フィルム上に塗布し、この上に接着剤を用いてマ
イラーの薄膜を貼着してシート状として使用されている
。
ルム(以下略して通称のマイラー)などの透明樹脂膜の
上に、アルカリ土類金属のハロゲン化物とハロゲン化ユ
ーロピウム(Eu)との混合物を還元性ガス中で焼成し
て二価のユーロピウム賦活ハロゲン化アルカリ土類金属
螢光体を作り、か\る輝尽性螢光体をバインダと混合し
て基材フィルム上に塗布し、この上に接着剤を用いてマ
イラーの薄膜を貼着してシート状として使用されている
。
このような輝尽性螢光体についてはすでに各種の研究が
行われており、特性の優れた輝尽性螢光体として二価の
ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム(BaCI Br
: nu”″)が発表されている。例えば(特開昭6l
−78892)。
行われており、特性の優れた輝尽性螢光体として二価の
ユーロピウム賦活塩化臭化バリウム(BaCI Br
: nu”″)が発表されている。例えば(特開昭6l
−78892)。
こ覧で、輝尽性螢光発光の原理は螢光体結晶にX線が照
射されると、価電子帯にある電子が伝導電子帯に励起さ
れるが、直ちに禁止帯にある不純物準位に落ち込んで安
定化する。
射されると、価電子帯にある電子が伝導電子帯に励起さ
れるが、直ちに禁止帯にある不純物準位に落ち込んで安
定化する。
これがX線エネルギーの蓄積記録に対応する。
次に、読み取りのためにレーザ光を照射すると不純物準
位にある電子はレーザ光のエネルギーを吸収して伝導電
子帯に励起された後、元の価電子帯に落ちるが、この際
に螢光体は螢光を発生し、その明るさは不純物単位の捕
獲電子量に比例する。
位にある電子はレーザ光のエネルギーを吸収して伝導電
子帯に励起された後、元の価電子帯に落ちるが、この際
に螢光体は螢光を発生し、その明るさは不純物単位の捕
獲電子量に比例する。
以上のことからX線画像変換シートの表面を微小スポッ
ト(直径100μm)のレーザ光で走査し、各画素毎の
螢光発光を干渉フィルタを用いて検出し、光電子増倍管
で電子信号に変換して記録するものである。
ト(直径100μm)のレーザ光で走査し、各画素毎の
螢光発光を干渉フィルタを用いて検出し、光電子増倍管
で電子信号に変換して記録するものである。
か−る輝尽性螢光体においてEu”は発光中心形成に当
たって効果的な元素であり、Eu化合物例えば臭化ユー
ロピウム(EuBr+)の還元により作られている。
たって効果的な元素であり、Eu化合物例えば臭化ユー
ロピウム(EuBr+)の還元により作られている。
具体的には塩化バリウム(BaCl りと臭化バリウム
(BaBrz)とBaBr2とを蒸溜水に溶解させた後
に蒸発乾固を行い、この混合物を水素(Hりと窒素(N
t)の混合ガス流中で800〜900°Cの温度で還元
焼成することによりBaCI Or : Eu”からな
る輝尽性螢光体が形成されている。
(BaBrz)とBaBr2とを蒸溜水に溶解させた後
に蒸発乾固を行い、この混合物を水素(Hりと窒素(N
t)の混合ガス流中で800〜900°Cの温度で還元
焼成することによりBaCI Or : Eu”からな
る輝尽性螢光体が形成されている。
次に、この螢光体を粉砕した後、この粉体とバインダ(
例えばポリメチルメタクリレート略称PMMA)と溶剤
(例えばトルエン)とを混練して塗布液を作り、これを
樹脂フィルムの上に均一に塗布し、溶剤を乾燥させた後
、この上に樹脂フィルム(例えばマイラー)を貼着する
ことによりX線画像変換シートが作られている。
例えばポリメチルメタクリレート略称PMMA)と溶剤
(例えばトルエン)とを混練して塗布液を作り、これを
樹脂フィルムの上に均一に塗布し、溶剤を乾燥させた後
、この上に樹脂フィルム(例えばマイラー)を貼着する
ことによりX線画像変換シートが作られている。
然し、照射X線量を更に減少させたいと云う要望は大き
く、この改良が求められている。
く、この改良が求められている。
医療診断や材料の!1M!ItなどでX線画像シートの
使用頻度が増すに従って、照射X線量を更に少なくした
いと云う要求は大きい。
使用頻度が増すに従って、照射X線量を更に少なくした
いと云う要求は大きい。
そこで、更に高感度化した輝尽性螢光体を実用化するこ
とが課題である。
とが課題である。
上記の課題は
((1−x)MAXA□ ・xM” X”□) (1−
y)(MCXC・(1+δ) ” XD:l ) y/
2 : zEu2+(1) 但し、 MAとMlはマグネシウム(Mg) 、カルシウム(C
a)MAとMBはマグネシウム(Mg),カルシウム(
Ca)のうちの何れか\らなる元素、 MCはリチウム(Li)或いはバリウム(Ba) 、M
Cはリチウム(Li),ナトリウム(Na)のうちの何
れか\らなる元素、 Meはスカンジウム(Sc) 、 イツトリウム(Y
)。
y)(MCXC・(1+δ) ” XD:l ) y/
2 : zEu2+(1) 但し、 MAとMlはマグネシウム(Mg) 、カルシウム(C
a)MAとMBはマグネシウム(Mg),カルシウム(
Ca)のうちの何れか\らなる元素、 MCはリチウム(Li)或いはバリウム(Ba) 、M
Cはリチウム(Li),ナトリウム(Na)のうちの何
れか\らなる元素、 Meはスカンジウム(Sc) 、 イツトリウム(Y
)。
ランタン(La) 、ガドリニウム(Gd)或いはルテ
シランタン(La)のうちの何れか覧らなる元素、XA
、Xll 、XC、XDは塩素(Clfi ) 、臭
素(Br)或いは沃素(1)の何れかからなるハロゲン
元素であって、XAとXlが同じの場合はない。
シランタン(La)のうちの何れか覧らなる元素、XA
、Xll 、XC、XDは塩素(Clfi ) 、臭
素(Br)或いは沃素(1)の何れかからなるハロゲン
元素であって、XAとXlが同じの場合はない。
Xは 0.4 <x <0.6の範囲、yは O<
y <0.2の範囲、 δは −0,5<δ<0.5の範囲、 2は 0.0001<z <0.05の範囲、で表わさ
れる結晶を用いて、放射線の照射によりこの結晶中にエ
ネルギーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光をするこ
とを特徴とする輝尽性螢光体を構威し、この製法として
は組成式(1)に対応する組成比となるように螢光体原
料を混合した後、この混合物を還元性雰囲気中で焼結し
、輝尽性の発光を示す螢光体を得る製造方法をとること
により解決することができる。
y <0.2の範囲、 δは −0,5<δ<0.5の範囲、 2は 0.0001<z <0.05の範囲、で表わさ
れる結晶を用いて、放射線の照射によりこの結晶中にエ
ネルギーを蓄積し、光励起により輝尽性の発光をするこ
とを特徴とする輝尽性螢光体を構威し、この製法として
は組成式(1)に対応する組成比となるように螢光体原
料を混合した後、この混合物を還元性雰囲気中で焼結し
、輝尽性の発光を示す螢光体を得る製造方法をとること
により解決することができる。
本発明はBaCI Br : tiu”を基本&1lt
cとする従来の輝尽性螢光体を高感度化する方法として
、構成元素の一部を同族の元素で置き換えると共に、原
子価制御を行うものである。
cとする従来の輝尽性螢光体を高感度化する方法として
、構成元素の一部を同族の元素で置き換えると共に、原
子価制御を行うものである。
その方法は次のようである。
■、構成元素の一部置き換え、
If)Baの一部を周期率表で同じIIa族のMg。
Ca、Srの何れかと置換を行う。
か\る元素を(1)式ではMAとM″として示した。
1 2) Br、Cm!からなるハロゲン元素に■を加
え部分的に置換を行う。
え部分的に置換を行う。
か\る元素を(1)式ではXA 、 XB 、 X
Cとして示した。
Cとして示した。
■、原子価制御、
1l−1)2価であるBaを1価の元素と3価の元素と
で置換を行う。
で置換を行う。
こ\で、1価の元素としてはL t + Na + K
+Rbが適しており、か覧る元素を(1)式ではMC
として示した。
+Rbが適しており、か覧る元素を(1)式ではMC
として示した。
また、3価の元素としてはSc、 Y、 La。
Gd、Luが適しており、か\る元素を(1)式ではM
Oとして示した。
Oとして示した。
次に1.このような原子価制御を行った構成体を中性に
するためには添加原子数の調整が必要であり、この数を
(1)式ではδとして表した。
するためには添加原子数の調整が必要であり、この数を
(1)式ではδとして表した。
以上のようにして輝尽性螢光体を構成する原子のイオン
半径に変化をもたせ、また原子価制御を行うことによっ
て輝尽性螢光体を形成する不純物準位の数が増し、従っ
て放射線照射によりトラップされる電子数が増すことか
ら、高感度化が可能となる。
半径に変化をもたせ、また原子価制御を行うことによっ
て輝尽性螢光体を形成する不純物準位の数が増し、従っ
て放射線照射によりトラップされる電子数が増すことか
ら、高感度化が可能となる。
次に、か!る輝尽性螢光体の製造方法としては(1)式
で表す組゛成式のように螢光体原料を秤量し、各種ミキ
サー、■型ブレンダ、ポール貴ル、ロンド案ル等通常の
混合機を用いて混合を行う。
で表す組゛成式のように螢光体原料を秤量し、各種ミキ
サー、■型ブレンダ、ポール貴ル、ロンド案ル等通常の
混合機を用いて混合を行う。
なお、螢光体原料は吸湿性があるために調整と混合は乾
燥雰囲気か不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
燥雰囲気か不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。
次に、混合した螢光体原料をアルミナ坩堝2万英坩堝2
石英ボートなどの耐熱性容器に充填して焼成炉に入れて
焼成を行うが、本発明に係るEu賦活アルカリ土類複合
ハロゲン化物螢光体では2価のEuを賦活剤として使用
するため、原料として添加している3価のEuは2価に
還元する必要がある。
石英ボートなどの耐熱性容器に充填して焼成炉に入れて
焼成を行うが、本発明に係るEu賦活アルカリ土類複合
ハロゲン化物螢光体では2価のEuを賦活剤として使用
するため、原料として添加している3価のEuは2価に
還元する必要がある。
そのため、還元性雰囲気の使用が必須であり、30容量
%以下の水素ガス(N2)を含む窒素ガス(N2)雰囲
気、−酸化炭素(CO)とN2との混合ガスなどが用い
られる。
%以下の水素ガス(N2)を含む窒素ガス(N2)雰囲
気、−酸化炭素(CO)とN2との混合ガスなどが用い
られる。
次に焼成温度は螢光体原料の種類や組成などにより異な
るが従来と同じ<600〜1000°Cが用いられ、特
に700〜950°Cが適当である。
るが従来と同じ<600〜1000°Cが用いられ、特
に700〜950°Cが適当である。
また、焼成時間は螢光体原料の種類1組成、焼成温度、
容器への充填度などにより異なるがl〜12時間である
。
容器への充填度などにより異なるがl〜12時間である
。
また、焼結して得た螢光体は焼結しているので粉砕と分
級が必要であるが、この工程においても吸湿がおこるの
で、乾燥雰囲気中で行う必要がある。
級が必要であるが、この工程においても吸湿がおこるの
で、乾燥雰囲気中で行う必要がある。
実施例1 : ((BaC1z)o、4s(BaBrz
)o、5o(LiCI 5cC1z)o、ozs :
O,0OZELI 〕(D製造例モル比で目標値のm
酸比となるようにそれぞれの原料を秤量し、ボールごル
で12時間に亙って混合した。
)o、5o(LiCI 5cC1z)o、ozs :
O,0OZELI 〕(D製造例モル比で目標値のm
酸比となるようにそれぞれの原料を秤量し、ボールごル
で12時間に亙って混合した。
こ\で、EuはEuCl3を原料として添加しである。
このようにして作った螢光体原料を石英ボートに入れ、
これを882°Cに保ち、20容量%のN2を含むHe
ガスを流速101/分に流したチューブ炉に入れ、90
分に亙って焼成を行い、焼成が終わった後は同様な雰囲
気中で室温にまで冷却した。
これを882°Cに保ち、20容量%のN2を含むHe
ガスを流速101/分に流したチューブ炉に入れ、90
分に亙って焼成を行い、焼成が終わった後は同様な雰囲
気中で室温にまで冷却した。
得られた螢光体は焼結しているので馬場製の乳鉢で粉砕
を行い、 (BaC1z)o、4s(BaBrz)o、5o(Li
C1−3cCI3)o、ozs :。、 002EL
Iの組成比をした■の粉末を得た。
を行い、 (BaC1z)o、4s(BaBrz)o、5o(Li
C1−3cCI3)o、ozs :。、 002EL
Iの組成比をした■の粉末を得た。
次に、この螢光体粉末にX線を照射し、これに波長が7
80nmの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長400nmの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
80nmの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長400nmの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
した。
実施例2〜11:
実施例1と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例1と同様し焼成して■〜■の組成比をもつ
螢光体を作った。
量し、実施例1と同様し焼成して■〜■の組成比をもつ
螢光体を作った。
(BaC1z)o、as(BaBrz)o、5a(Na
C11,acls)o、ozs: o、 ooJu
”’■(BaCIz)o、
4s(BaBrz)o、4s(K CI 5cC1t
)o、os: o、 oosEu
・・・■(BaC1z)ols(BaBrz
)ols(K Br −5cBr3)o、os: o
、 ootEu
・・・■(BaC1z)o、N5(BaBrz)o、5
o(RbCI ・YCl3)0.025: o、 o
BEu ・・、■
(BaC1z)o、N5(BaBrz)o、5o(Rb
Br −YBr3)o、ozs: o、 o6zEu
・、、■(Ba
C1z) o、 so (BaBrz) 0.45 (
NaC16,q ・LuCl:+) 0.025: o
、 ooJLI
−(D(BaC1z)o、N5(BaBrz)o、5o
(LiC1−LuC1:+)o、ozs: o、 oo
Ju −@(Ba
C1z)o、4s(BaBrz)o、5o(RbC1−
LaC13)o、ozs: o、 (,6zEu
・・―■(BaC1x
)o、4s(BaBrz)o、4s(RbC1−LaC
1:+)o、os: o、 oozBu
”’(1!D(BaC1t)o
、4o(BaBrz)o、4s’(RbCI La
C13)o、ots: o、 ooz、Eu
噂”@以上の螢光体粉末に
X線を照射し、これに波長が780n111の半導体レ
ーザを照射し、それによって発生する波長400nmの
輝尽光を光電子増倍管を用いて検出した。
C11,acls)o、ozs: o、 ooJu
”’■(BaCIz)o、
4s(BaBrz)o、4s(K CI 5cC1t
)o、os: o、 oosEu
・・・■(BaC1z)ols(BaBrz
)ols(K Br −5cBr3)o、os: o
、 ootEu
・・・■(BaC1z)o、N5(BaBrz)o、5
o(RbCI ・YCl3)0.025: o、 o
BEu ・・、■
(BaC1z)o、N5(BaBrz)o、5o(Rb
Br −YBr3)o、ozs: o、 o6zEu
・、、■(Ba
C1z) o、 so (BaBrz) 0.45 (
NaC16,q ・LuCl:+) 0.025: o
、 ooJLI
−(D(BaC1z)o、N5(BaBrz)o、5o
(LiC1−LuC1:+)o、ozs: o、 oo
Ju −@(Ba
C1z)o、4s(BaBrz)o、5o(RbC1−
LaC13)o、ozs: o、 (,6zEu
・・―■(BaC1x
)o、4s(BaBrz)o、4s(RbC1−LaC
1:+)o、os: o、 oozBu
”’(1!D(BaC1t)o
、4o(BaBrz)o、4s’(RbCI La
C13)o、ots: o、 ooz、Eu
噂”@以上の螢光体粉末に
X線を照射し、これに波長が780n111の半導体レ
ーザを照射し、それによって発生する波長400nmの
輝尽光を光電子増倍管を用いて検出した。
比較例: ((BaC1z)o、5o(BaBrz)o
、so : O,0OIt!u )の製造例 実施例1と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例1と同様し焼成した後に粉砕して従来の&
Il或比の螢光体を作った。
、so : O,0OIt!u )の製造例 実施例1と同様に目標値の組成比となるように原料を秤
量し、実施例1と同様し焼成した後に粉砕して従来の&
Il或比の螢光体を作った。
第1表
次に、この螢光体粉末にX線を照射し、これに波長が7
80nmの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長400nmの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
し、この感度を標準感度とした。
80nmの半導体レーザを照射し、それによって発生す
る波長400nmの輝尽光を光電子増倍管を用いて検出
し、この感度を標準感度とした。
第1表はこの比較例の感度と実施例■〜■の感度とを比
較したものである。
較したものである。
この結果から判るよう 、組成によって従来よりも優れ
た感度のものが得られ、特にBaC1,とBaBr、を
RbClとLaCl3で置換したものは感度が向上して
おり、半導体レーザによる読み出しに有利であることが
判る。
た感度のものが得られ、特にBaC1,とBaBr、を
RbClとLaCl3で置換したものは感度が向上して
おり、半導体レーザによる読み出しに有利であることが
判る。
本発明の実施により一1半導体レーザによる読み出しに
有利な波長780nmでの輝尽発光が向上したため、診
断用のX線照射量を減少させることができる。
有利な波長780nmでの輝尽発光が向上したため、診
断用のX線照射量を減少させることができる。
Claims (2)
- (1)次の組成式で表わされる結晶よりなり、放射線の
照射により該結晶中にエネルギーを蓄積し、光励起によ
り輝尽性の発光をすることを特徴とする輝尽性螢光体。 {(1−x)M^AX^A_2・xM^BX^B_2}
(1−y)・{M^CX^C・(1+δ)M^DX^D
_3}y/2:zEu^2^+(1)・・・(1)但し
、 M^AとM^Bはマグネシウム(Mg),カルシウム(
Ca),ストロンチウム(Sr)或いはバリウム(Ba
)のうちの何れかゝらなる元素、 M^Cはリチウム(Li),ナトリウム(Na),カリ
ウム(K)或いはルビジウム(Rb)のうちの何れかゝ
らなる元素、 M^bはスカンジウム(Sc),イットリウム(Y),
ランタン(La),ガドリニウム(Gd)或いはルテシ
ウム(Lu)のうちの何れかゝらなる元素、X^A,X
^B,X^C,X^Dは塩素(Cl),臭素(Br)或
いは沃素(I)の何れかからなるハロゲン元素であって
、X^AとX^Bが同じの場合はない。 xは0.4<x<0.6の範囲、 yは0<y<0.2の範囲、 δは−0.5<δ<0.5の範囲、 zは0.0001<z<0.05の範囲、 の値である。 - (2)請求項(1)記載の組成式(1)に対応する組成
比となるように螢光体原料を混合した後、該混合物を還
元性雰囲気中で焼結し、輝尽性の発光を示す螢光体を得
ることを特徴とする螢光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16785489A JPH0333187A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16785489A JPH0333187A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0333187A true JPH0333187A (ja) | 1991-02-13 |
Family
ID=15857322
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16785489A Pending JPH0333187A (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 輝尽性螢光体とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0333187A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6864395B2 (en) | 1999-05-04 | 2005-03-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
JP2011208433A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Takashi Takeda | ルーバー羽根用の枠材とその枠材の製法とその枠組み構造 |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP16785489A patent/JPH0333187A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6864395B2 (en) | 1999-05-04 | 2005-03-08 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and processes for their manufacture |
JP2011208433A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Takashi Takeda | ルーバー羽根用の枠材とその枠材の製法とその枠組み構造 |
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