JPH058754B2 - - Google Patents
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- JPH058754B2 JPH058754B2 JP7048485A JP7048485A JPH058754B2 JP H058754 B2 JPH058754 B2 JP H058754B2 JP 7048485 A JP7048485 A JP 7048485A JP 7048485 A JP7048485 A JP 7048485A JP H058754 B2 JPH058754 B2 JP H058754B2
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、蛍光体およびその製造法に関するも
のである。さらに詳しくは、本発明は、ビスマス
により賦活されているセシウムハロゲン化物蛍光
体（ハロゲン化セシウム蛍光体）およびその製造
法に関するものである。 ［発明の技術的背景および従来技術］ 従来、放射線像を画像として得る方法として、
銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線写真
フイルムと増感紙（増感スクリーン）との組合わ
せを使用する、いわゆる放射線写真法が利用され
ている。上記従来の放射線写真法にかかわる方法
の一つとして、たとえば、特開昭55−12145号公
報等に記載されているような輝尽性蛍光体を利用
する放射線像変換方法が知られている。この方法
は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体か
ら発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、
そののちにこの蛍光体を可視光線、赤外線などの
電磁波（励起光）で時系列的に励起することによ
り、蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギー
を蛍光（輝尽発光）として放出させ、この蛍光を
光電的に読取つて電気信号を得、この電気信号を
画像化するものである。 上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線
写真法を利用した場合に比較して、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富なＸ線画像を得ること
ができるという利点がある。従つて、この放射線
像変換方法は、特に医療診断を目的とするＸ線撮
影などの直接医療用放射線撮影において利用価値
が非常に高いものである。 上記放射線像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体として、特開昭55−12145号公報には、下記組
成式で表わされる希土類元素賦活アルカリ土類金
属弗化ハロゲン化物蛍光体が開示されている。 （Ba1-xM2+ x）FX：yA （ただし、M2+はMg、Ca、Sr、Zn、およびCd
のうちの少なくとも一つ、ＸはCl、Br、および
Ｉのうちの少なくとも一つ、ＡはEu、Tb、Ce、
Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、およびErのうち
の少なくとも一つ、そしてｘは、０≦ｘ≦0.6、
ｙは、０≦ｙ≦0.2である） この蛍光体は、Ｘ線などの放射線を吸収したの
ち、可視光乃至赤外線領域の電磁波の照射を受け
ると近紫外領域に発光（輝尽発光）を示すもので
ある。 上述のように、輝尽性蛍光体を利用する放射線
像変換方法に用いられる蛍光体として、従来より
上記希土類元素賦活アルカリ土類金属ハロゲン化
物蛍光体が知られているが、輝尽性を示す蛍光体
自体、この希土類元素賦活アルカリ土類金属ハロ
ゲン化物蛍光体以外はあまり知られていない。 なお、本発明の蛍光体と同様にアルカリ金属ハ
ロゲン化物を母体とする蛍光体として、従来より
タリウムあるいはナトリウム賦活沃化セシウム蛍
光体（CsI：Tl、CsI：Na）が知られており、こ
の蛍光体はＸ線、電子線、紫外線等の放射線の照
射により発光（瞬時発光）を示す。 ［発明の要旨］ 本発明は上記放射線像変換方法に使用すること
のできる新規な輝尽性蛍光体、およびその製造法
を提供することを目的とするものである。 本発明者等は、種々の研究を行なつた結果、下
記の新規なビスマス賦活セシウムハロゲン化物蛍
光体は顕著な輝尽発光特性を示すことを見出し、
本発明に至つたのである。 すなわち、本発明の蛍光体は、組成式（）： CsX：xBi （） （ただし、ＸはCl、BrおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そし
てｘは０＜ｘ≦0.2の範囲の数値である） で表わされるビスマス賦活セシウムハロゲン化物
蛍光体である。 また、本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン
化物蛍光体の製造法は、化学量論的に組成式
（）： CsX：xBi （） （ただし、Ｘ、ｘの定義は前述と同じである） に対応する相対比となるように蛍光体原料混合物
を調製したのち、この混合物を500乃至1000℃の
範囲の温度で焼成することを特徴とする。 組成式（）で表わされる本発明のビスマス賦
活セシウムハロゲン化物蛍光体は、Ｘ線、紫外
線、電子線などの放射線を照射した後、450〜
900nｍの波長領域の電磁波で励起すると近紫外
乃至青色領域に輝尽発光を示す。また、組成式
（）で表わされる本発明のビスマス賦活セシウ
ムハロゲン化物蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線
などの放射線を照射して励起する場合に近紫外乃
至青色領域に瞬時発光を示す。 ［発明の構成］ 本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン化物蛍
光体は、たとえば、以下に記載するような製造法
により製造することができる。 まず、蛍光体原料として、 (1) CsCl、CsBr、およびCsIからなる群より選ば
れる少なくとも一種のセシウムハロゲン化物、 (2) ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩など
のビスマスの化合物からなる群より選ばれる少
なくとも一種の化合物、 を用意する。場合によつては、さらにハロゲン化
アンモニウム（NH4X′；ただし、X′はCl、Brま
たはＩである）などをフラツクスとして使用して
もよい。 蛍光体の製造に際しては、上記(1)のセシウムハ
ロゲン化物、および(2)のビスマス化合物を用い
て、化学量論的に、組成式（）： CsX：xBi （） （ただし、Ｘおよびｘの定義は前述と同じであ
る） に対応する相対比となるように秤量混合して、蛍
光体原料の混合物を調製する。 本発明の蛍光体のビスマスの賦活量を表わすｘ
値は５×10-4≦ｘ≦10-2の範囲にあるのが好まし
い。 蛍光体原料混合物の調製は、 (i) 上記(1)および(2)の蛍光体原料を単に混合する
ことによつて行なつてもよく、あるいは、 (ii) 上記(1)および(2)の蛍光体原料を溶液の状態で
混合したのち、この溶液を加温下（好ましくは
50〜200℃）で減圧乾燥、真空乾燥、噴霧乾燥
などにより乾燥して蛍光体原料を混合すること
によつて行なつてもよい。 上記(i)および(ii)のいずれの方法においても、混
合には、各種ミキサー、Ｖ型ブレンダー、ボール
ミル、ロツドミルなどの通常の混合機が用いられ
る。 次に、上記のようにして得られた蛍光体原料混
合物を石英ボート、アルミナルツボ、石英ルツボ
などの耐熱性容器に充填し、電気炉中で焼成を行
なう。焼成温度は500〜1000℃の範囲が適当であ
り、好ましくは600〜800℃の範囲である。焼成時
間は蛍光体原料混合物の充填量および焼成温度な
どによつても異なるが、一般には0.5〜６時間が
適当である。焼成雰囲気としては、少量の水素ガ
スを含有する窒素ガス雰囲気、あるいは、一酸化
炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの弱還元性
の雰囲気；窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性
ガス雰囲気；および空気などの酸性雰囲気を利用
する。 上記焼成によつて粉末状の本発明の蛍光体が得
られる。なお、得られた粉末状の蛍光体について
は、必要に応じて、さらに、洗浄、乾燥、ふるい
分けなどの蛍光体の製造における各種の一般的な
操作を行なつてもよい。 以上に説明した製造法によつて製造されるビス
マス賦活セシウムハロゲン化物蛍光体は、組成式
（）： CsX：xBi （） （ただし、ＸはCl、BrおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そし
てｘは０＜ｘ≦0.2の範囲の数値である） で表わされるものである。 本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン化物蛍
光体はＸ線、柴外線、電子線などの放射線を照射
したのち、450〜900nｍの可視乃至赤外領域の電
磁波で励起すると近紫外乃至青色領域に輝尽発光
を示す。 第１図は、本発明のビスマス賦活セシウムハロ
ゲン化物蛍光体の輝尽励起スペクトルを例示する
ものであり、第１図において曲線１，２および３
はそれぞれCsCl：Bi蛍光体、CsBr：Bi蛍光体お
よびCsI：Bi蛍光体の輝尽励起スペクトルであ
る。 第１図から、本発明の蛍光体は放射線照射後
450〜900nｍの波長領域の電磁波で励起すると輝
尽発光を示すことがわかる。また第１図から、本
発明の蛍光体の輝尽励起スペクトルの最大ピーク
の位置は、蛍光体の母体を構成するCsXのＸがそ
れぞれCl（曲線１）、Br（曲線２）およびＩ（曲線
３）である順に後者のものほど長波長側にあり、
特にＸがＩである蛍光体は半導体レーザー光等の
赤外線で効率良く励起されることがわかる。 第２図は、本発明のビスマス賦活セシウムハロ
ゲン化物蛍光体の輝尽発光スペクトルを例示する
ものであり、第２図において曲線１，２および３
はそれぞれ上記のCsCl：Bi蛍光体、CsBr：Bi蛍
光体およびCsI：Bi蛍光体の輝尽発光スペクトル
である。 第２図から明らかなように、本発明の蛍光体は
近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示し、その輝尽
発光スペクトルのピークは約350〜450nｍの波長
領域にある。従つて、本発明の蛍光体を放射線照
射後500〜850nｍの波長領域の電磁波で励起する
場合には、輝尽発光と励起光との分離が容易であ
り、かつその輝尽発光は高輝度となる。また第２
図から、本発明の蛍光体の輝尽発光スペクトルの
最大ピークの位置は、上記の輝尽励起スペクトル
の最大ピーク位置と同様に、蛍光体を構成する
CsXのＸが各々Cl（曲線１）、Br（曲線２）および
Ｉ（曲線３）である順に、後者のものほど長波長
側にあることがある。 なお、本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン
化物蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射
線を照射して励起する場合にも近紫外乃至青色領
域に発光（瞬時発光）を示し、もの発光スペクト
ル（瞬時発光スペクトル）は輝尽発生スペクトル
とほぼ同様である。 以上説明した発光特性から、本発明の蛍光体
は、医療診断を目的とするＸ線撮影等の医療用放
射線撮影および物質の非破壊検査を目的とする工
業用放射線撮影などにおいて使用される輝尽性蛍
光体利用の放射線像変換方法に用いられる放射線
像変換パネル用の蛍光体として、また、同じく医
療診断および物質の非破壊検査を目的とする放射
線写真法に用いられる増感スクリリーン用の蛍光
体として特に有用である。 次に本発明の実施例を記載する。ただし、これ
らの各実施例は本発明を限定するものではない。 実施例 １ 塩化セシウム（CsCl）186.4ｇ、および弗化ビ
スマス（BiF3）0.266ｇをボールミルを用いて充
分に混合した。 次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナル
ツボに充填し、これを高温電気炉に入れて焼成を
行なつた。焼成は、空気中にて600℃の温度で２
時間かけて行なつた。焼成が完了したのち、焼成
物を炉外に取り出して冷却した。 このようにして、粉末状のビスマス賦活塩化セ
シウム蛍光体（CsCl：0.001Bi）を得た。 実施例 ２ 実施例１において、塩化セシウムの代りに臭化
セシウム（CsBr）212.8ｇを用いること以外は実
施例１の方法と同様の操作を行なうこととによ
り、粉末状のビスマス賦活臭化セシウム蛍光体
（CsBr：0.001Bi）を得た。 実施例 ３ 実施例１において、塩化セシウムの代りに沃化
セシウム（CsI）259.8ｇを用いること以外は実施
例１の方法と同様の操作を行なうことにより、粉
末状のビスマス賦活沃化セシウム蛍光体（CsI：
0.001Bi）を得た。 次に、実施例１〜３で得られた各々の蛍光体に
管電圧80KVpのＸ線を照射したのち、He−Neレ
ーザー光（波長：632.8nｍ）で励起したときの輝
尽発生スペクトル、およびその輝尽発光のピーク
波長における輝尽励起スペクトルを測定した。得
られた結果を第２図および第１図に示す。 第２図において、 曲線１：CsCl：0.001Bi蛍光体（実施例１）の輝
尽発光スペクトル 曲線２：CsBr：0.001Bi蛍光体（実施例２）の輝
尽発光スペクトル 曲線３：CsI：0.001Bi蛍光体（実施例３）の輝尽
発光スペクトル である。 第１図において、 曲線１：CsCl：0.001Bi蛍光体（実施例１）の輝
尽励起スペクトル 曲線２：CsBr：0.001Bi蛍光体（実施例２）の輝
尽励起スペクトル 曲線３：CsI：0.001Bi蛍光体（実施例３）輝尽励
起スペクトル である。 また、実施例１〜３で得られた各々の蛍光体に
管電圧80KVpのＸ線を照射したのち、He−Neレ
ーザー光で励起したときの輝尽発光輝度を測定し
た。この輝尽発光輝度の測定は、受光側フイルタ
ーとしてピーク波長390nｍ、半値幅60nｍ、ピー
ク波長透過率78％のバンドパスフイルター（Ｂ−
340）を用いて行なつた。その結果を第１表に示
す。 なお、第１表において、輝尽発光輝度は実施例
３のCsI：0.001Bi蛍光体の輝度を100とする相対
値で示されている。 【表】
のである。さらに詳しくは、本発明は、ビスマス
により賦活されているセシウムハロゲン化物蛍光
体（ハロゲン化セシウム蛍光体）およびその製造
法に関するものである。 ［発明の技術的背景および従来技術］ 従来、放射線像を画像として得る方法として、
銀塩感光材料からなる乳剤層を有する放射線写真
フイルムと増感紙（増感スクリーン）との組合わ
せを使用する、いわゆる放射線写真法が利用され
ている。上記従来の放射線写真法にかかわる方法
の一つとして、たとえば、特開昭55−12145号公
報等に記載されているような輝尽性蛍光体を利用
する放射線像変換方法が知られている。この方法
は、被写体を透過した放射線、あるいは被検体か
ら発せられた放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、
そののちにこの蛍光体を可視光線、赤外線などの
電磁波（励起光）で時系列的に励起することによ
り、蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギー
を蛍光（輝尽発光）として放出させ、この蛍光を
光電的に読取つて電気信号を得、この電気信号を
画像化するものである。 上記放射線像変換方法によれば、従来の放射線
写真法を利用した場合に比較して、はるかに少な
い被曝線量で情報量の豊富なＸ線画像を得ること
ができるという利点がある。従つて、この放射線
像変換方法は、特に医療診断を目的とするＸ線撮
影などの直接医療用放射線撮影において利用価値
が非常に高いものである。 上記放射線像変換方法に用いられる輝尽性蛍光
体として、特開昭55−12145号公報には、下記組
成式で表わされる希土類元素賦活アルカリ土類金
属弗化ハロゲン化物蛍光体が開示されている。 （Ba1-xM2+ x）FX：yA （ただし、M2+はMg、Ca、Sr、Zn、およびCd
のうちの少なくとも一つ、ＸはCl、Br、および
Ｉのうちの少なくとも一つ、ＡはEu、Tb、Ce、
Tm、Dy、Pr、Ho、Nd、Yb、およびErのうち
の少なくとも一つ、そしてｘは、０≦ｘ≦0.6、
ｙは、０≦ｙ≦0.2である） この蛍光体は、Ｘ線などの放射線を吸収したの
ち、可視光乃至赤外線領域の電磁波の照射を受け
ると近紫外領域に発光（輝尽発光）を示すもので
ある。 上述のように、輝尽性蛍光体を利用する放射線
像変換方法に用いられる蛍光体として、従来より
上記希土類元素賦活アルカリ土類金属ハロゲン化
物蛍光体が知られているが、輝尽性を示す蛍光体
自体、この希土類元素賦活アルカリ土類金属ハロ
ゲン化物蛍光体以外はあまり知られていない。 なお、本発明の蛍光体と同様にアルカリ金属ハ
ロゲン化物を母体とする蛍光体として、従来より
タリウムあるいはナトリウム賦活沃化セシウム蛍
光体（CsI：Tl、CsI：Na）が知られており、こ
の蛍光体はＸ線、電子線、紫外線等の放射線の照
射により発光（瞬時発光）を示す。 ［発明の要旨］ 本発明は上記放射線像変換方法に使用すること
のできる新規な輝尽性蛍光体、およびその製造法
を提供することを目的とするものである。 本発明者等は、種々の研究を行なつた結果、下
記の新規なビスマス賦活セシウムハロゲン化物蛍
光体は顕著な輝尽発光特性を示すことを見出し、
本発明に至つたのである。 すなわち、本発明の蛍光体は、組成式（）： CsX：xBi （） （ただし、ＸはCl、BrおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そし
てｘは０＜ｘ≦0.2の範囲の数値である） で表わされるビスマス賦活セシウムハロゲン化物
蛍光体である。 また、本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン
化物蛍光体の製造法は、化学量論的に組成式
（）： CsX：xBi （） （ただし、Ｘ、ｘの定義は前述と同じである） に対応する相対比となるように蛍光体原料混合物
を調製したのち、この混合物を500乃至1000℃の
範囲の温度で焼成することを特徴とする。 組成式（）で表わされる本発明のビスマス賦
活セシウムハロゲン化物蛍光体は、Ｘ線、紫外
線、電子線などの放射線を照射した後、450〜
900nｍの波長領域の電磁波で励起すると近紫外
乃至青色領域に輝尽発光を示す。また、組成式
（）で表わされる本発明のビスマス賦活セシウ
ムハロゲン化物蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線
などの放射線を照射して励起する場合に近紫外乃
至青色領域に瞬時発光を示す。 ［発明の構成］ 本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン化物蛍
光体は、たとえば、以下に記載するような製造法
により製造することができる。 まず、蛍光体原料として、 (1) CsCl、CsBr、およびCsIからなる群より選ば
れる少なくとも一種のセシウムハロゲン化物、 (2) ハロゲン化物、酸化物、硝酸塩、硫酸塩など
のビスマスの化合物からなる群より選ばれる少
なくとも一種の化合物、 を用意する。場合によつては、さらにハロゲン化
アンモニウム（NH4X′；ただし、X′はCl、Brま
たはＩである）などをフラツクスとして使用して
もよい。 蛍光体の製造に際しては、上記(1)のセシウムハ
ロゲン化物、および(2)のビスマス化合物を用い
て、化学量論的に、組成式（）： CsX：xBi （） （ただし、Ｘおよびｘの定義は前述と同じであ
る） に対応する相対比となるように秤量混合して、蛍
光体原料の混合物を調製する。 本発明の蛍光体のビスマスの賦活量を表わすｘ
値は５×10-4≦ｘ≦10-2の範囲にあるのが好まし
い。 蛍光体原料混合物の調製は、 (i) 上記(1)および(2)の蛍光体原料を単に混合する
ことによつて行なつてもよく、あるいは、 (ii) 上記(1)および(2)の蛍光体原料を溶液の状態で
混合したのち、この溶液を加温下（好ましくは
50〜200℃）で減圧乾燥、真空乾燥、噴霧乾燥
などにより乾燥して蛍光体原料を混合すること
によつて行なつてもよい。 上記(i)および(ii)のいずれの方法においても、混
合には、各種ミキサー、Ｖ型ブレンダー、ボール
ミル、ロツドミルなどの通常の混合機が用いられ
る。 次に、上記のようにして得られた蛍光体原料混
合物を石英ボート、アルミナルツボ、石英ルツボ
などの耐熱性容器に充填し、電気炉中で焼成を行
なう。焼成温度は500〜1000℃の範囲が適当であ
り、好ましくは600〜800℃の範囲である。焼成時
間は蛍光体原料混合物の充填量および焼成温度な
どによつても異なるが、一般には0.5〜６時間が
適当である。焼成雰囲気としては、少量の水素ガ
スを含有する窒素ガス雰囲気、あるいは、一酸化
炭素を含有する二酸化炭素雰囲気などの弱還元性
の雰囲気；窒素ガス、アルゴンガスなどの不活性
ガス雰囲気；および空気などの酸性雰囲気を利用
する。 上記焼成によつて粉末状の本発明の蛍光体が得
られる。なお、得られた粉末状の蛍光体について
は、必要に応じて、さらに、洗浄、乾燥、ふるい
分けなどの蛍光体の製造における各種の一般的な
操作を行なつてもよい。 以上に説明した製造法によつて製造されるビス
マス賦活セシウムハロゲン化物蛍光体は、組成式
（）： CsX：xBi （） （ただし、ＸはCl、BrおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そし
てｘは０＜ｘ≦0.2の範囲の数値である） で表わされるものである。 本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン化物蛍
光体はＸ線、柴外線、電子線などの放射線を照射
したのち、450〜900nｍの可視乃至赤外領域の電
磁波で励起すると近紫外乃至青色領域に輝尽発光
を示す。 第１図は、本発明のビスマス賦活セシウムハロ
ゲン化物蛍光体の輝尽励起スペクトルを例示する
ものであり、第１図において曲線１，２および３
はそれぞれCsCl：Bi蛍光体、CsBr：Bi蛍光体お
よびCsI：Bi蛍光体の輝尽励起スペクトルであ
る。 第１図から、本発明の蛍光体は放射線照射後
450〜900nｍの波長領域の電磁波で励起すると輝
尽発光を示すことがわかる。また第１図から、本
発明の蛍光体の輝尽励起スペクトルの最大ピーク
の位置は、蛍光体の母体を構成するCsXのＸがそ
れぞれCl（曲線１）、Br（曲線２）およびＩ（曲線
３）である順に後者のものほど長波長側にあり、
特にＸがＩである蛍光体は半導体レーザー光等の
赤外線で効率良く励起されることがわかる。 第２図は、本発明のビスマス賦活セシウムハロ
ゲン化物蛍光体の輝尽発光スペクトルを例示する
ものであり、第２図において曲線１，２および３
はそれぞれ上記のCsCl：Bi蛍光体、CsBr：Bi蛍
光体およびCsI：Bi蛍光体の輝尽発光スペクトル
である。 第２図から明らかなように、本発明の蛍光体は
近紫外乃至青色領域に輝尽発光を示し、その輝尽
発光スペクトルのピークは約350〜450nｍの波長
領域にある。従つて、本発明の蛍光体を放射線照
射後500〜850nｍの波長領域の電磁波で励起する
場合には、輝尽発光と励起光との分離が容易であ
り、かつその輝尽発光は高輝度となる。また第２
図から、本発明の蛍光体の輝尽発光スペクトルの
最大ピークの位置は、上記の輝尽励起スペクトル
の最大ピーク位置と同様に、蛍光体を構成する
CsXのＸが各々Cl（曲線１）、Br（曲線２）および
Ｉ（曲線３）である順に、後者のものほど長波長
側にあることがある。 なお、本発明のビスマス賦活セシウムハロゲン
化物蛍光体は、Ｘ線、紫外線、電子線などの放射
線を照射して励起する場合にも近紫外乃至青色領
域に発光（瞬時発光）を示し、もの発光スペクト
ル（瞬時発光スペクトル）は輝尽発生スペクトル
とほぼ同様である。 以上説明した発光特性から、本発明の蛍光体
は、医療診断を目的とするＸ線撮影等の医療用放
射線撮影および物質の非破壊検査を目的とする工
業用放射線撮影などにおいて使用される輝尽性蛍
光体利用の放射線像変換方法に用いられる放射線
像変換パネル用の蛍光体として、また、同じく医
療診断および物質の非破壊検査を目的とする放射
線写真法に用いられる増感スクリリーン用の蛍光
体として特に有用である。 次に本発明の実施例を記載する。ただし、これ
らの各実施例は本発明を限定するものではない。 実施例 １ 塩化セシウム（CsCl）186.4ｇ、および弗化ビ
スマス（BiF3）0.266ｇをボールミルを用いて充
分に混合した。 次に、得られた蛍光体原料混合物をアルミナル
ツボに充填し、これを高温電気炉に入れて焼成を
行なつた。焼成は、空気中にて600℃の温度で２
時間かけて行なつた。焼成が完了したのち、焼成
物を炉外に取り出して冷却した。 このようにして、粉末状のビスマス賦活塩化セ
シウム蛍光体（CsCl：0.001Bi）を得た。 実施例 ２ 実施例１において、塩化セシウムの代りに臭化
セシウム（CsBr）212.8ｇを用いること以外は実
施例１の方法と同様の操作を行なうこととによ
り、粉末状のビスマス賦活臭化セシウム蛍光体
（CsBr：0.001Bi）を得た。 実施例 ３ 実施例１において、塩化セシウムの代りに沃化
セシウム（CsI）259.8ｇを用いること以外は実施
例１の方法と同様の操作を行なうことにより、粉
末状のビスマス賦活沃化セシウム蛍光体（CsI：
0.001Bi）を得た。 次に、実施例１〜３で得られた各々の蛍光体に
管電圧80KVpのＸ線を照射したのち、He−Neレ
ーザー光（波長：632.8nｍ）で励起したときの輝
尽発生スペクトル、およびその輝尽発光のピーク
波長における輝尽励起スペクトルを測定した。得
られた結果を第２図および第１図に示す。 第２図において、 曲線１：CsCl：0.001Bi蛍光体（実施例１）の輝
尽発光スペクトル 曲線２：CsBr：0.001Bi蛍光体（実施例２）の輝
尽発光スペクトル 曲線３：CsI：0.001Bi蛍光体（実施例３）の輝尽
発光スペクトル である。 第１図において、 曲線１：CsCl：0.001Bi蛍光体（実施例１）の輝
尽励起スペクトル 曲線２：CsBr：0.001Bi蛍光体（実施例２）の輝
尽励起スペクトル 曲線３：CsI：0.001Bi蛍光体（実施例３）輝尽励
起スペクトル である。 また、実施例１〜３で得られた各々の蛍光体に
管電圧80KVpのＸ線を照射したのち、He−Neレ
ーザー光で励起したときの輝尽発光輝度を測定し
た。この輝尽発光輝度の測定は、受光側フイルタ
ーとしてピーク波長390nｍ、半値幅60nｍ、ピー
ク波長透過率78％のバンドパスフイルター（Ｂ−
340）を用いて行なつた。その結果を第１表に示
す。 なお、第１表において、輝尽発光輝度は実施例
３のCsI：0.001Bi蛍光体の輝度を100とする相対
値で示されている。 【表】
第１図は、本発明のビスマス賦活セシウムハロ
ゲン化物蛍光体の具体例であるCsCl：0.001Bi蛍
光体、CsBr：0.001Bi蛍光体およびCsI：0.001Bi
蛍光体の輝尽励起スペクトル（それぞれ曲線１，
２および３）である。第２図は、本発明のビスマ
ス賦活セシウムハロゲン化物蛍光体の具体例であ
るCsCl：0.001Bi蛍光体、CsBr：0.001Bi蛍光体
およびCsI：0.001Bi蛍光体の輝尽発光ペクトル
（それぞれ曲線１，２および３）である。
ゲン化物蛍光体の具体例であるCsCl：0.001Bi蛍
光体、CsBr：0.001Bi蛍光体およびCsI：0.001Bi
蛍光体の輝尽励起スペクトル（それぞれ曲線１，
２および３）である。第２図は、本発明のビスマ
ス賦活セシウムハロゲン化物蛍光体の具体例であ
るCsCl：0.001Bi蛍光体、CsBr：0.001Bi蛍光体
およびCsI：0.001Bi蛍光体の輝尽発光ペクトル
（それぞれ曲線１，２および３）である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 組成式（）： CsX：xBi （） （ただし、ＸはCl、BrおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そし
てｘは０＜ｘ≦0.2の範囲の数値である） で表わされるビスマス賦活セシウムハロゲン化物
蛍光体。 ２ 組成式（）におけるｘが５×10-4≦ｘ≦
10-2の範囲の数値であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の蛍光体。 ３ 化学量論的に組成式（）： CsX：xBi （） （ただし、ＸはCl、BrおよびＩからなる群より
選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり；そし
てｘは０＜ｘ≦0.2の範囲の数値である） に対応する相対比となるように蛍光体原料混合物
を調製したのち、この混合物を500乃至1000℃の
範囲の温度で焼成することを特徴とする該組成式
（）で表わされるビスマス賦活セシウムハロゲ
ン化物蛍光体の製造法。 ４ 組成式（）におけるｘが５×10-4≦ｘ≦
10-2の範囲の数値であることを特徴とする特許請
求の範囲第３項記載の蛍光体の製造法。 ５ 蛍光体原料混合物の焼成を600乃至800℃の範
囲の温度で行なうことを特徴とする特許請求の範
囲第３項記載の蛍光体の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048485A JPS6225189A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 螢光体およびその製造法 |
| US06/846,919 US4780375A (en) | 1985-04-02 | 1986-04-01 | Phosphor, and radiation image storage panel |
| EP86104503A EP0200017B1 (en) | 1985-04-02 | 1986-04-02 | Phosphor, radiation image recording and reproducing method and radiation image storage panel |
| DE86104503T DE3688630T2 (de) | 1985-04-02 | 1986-04-02 | Phosphor, Verfahren zum Speichern und zur Wiedergabe eines Strahlungsbildes und Schirm zum Speichern eines Strahlungsbildes. |
| US07/184,881 US4801806A (en) | 1985-04-02 | 1988-04-22 | Radiation image recording and reproducing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7048485A JPS6225189A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 螢光体およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225189A JPS6225189A (ja) | 1987-02-03 |
| JPH058754B2 true JPH058754B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=13432839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7048485A Granted JPS6225189A (ja) | 1985-04-02 | 1985-04-02 | 螢光体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6225189A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NZ240316A (en) * | 1990-10-25 | 1996-12-20 | Univ Michigan | Compound for treating disease mediated by the elaboration of elam-1 on endothelial cells |
| EP1017062A3 (en) | 1998-12-28 | 2001-10-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Radiation image conversion panel and method of manufacturing radiation image conversion panel |
| JP4125311B2 (ja) | 2005-08-30 | 2008-07-30 | 株式会社東芝 | ロボットおよびマニピュレータ |
| JP6271909B2 (ja) * | 2013-08-20 | 2018-01-31 | キヤノン株式会社 | シンチレータ結晶体及び放射線検出器 |
-
1985
- 1985-04-02 JP JP7048485A patent/JPS6225189A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6225189A (ja) | 1987-02-03 |
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|---|---|---|---|
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