JPH03259552A - 半導体チップの封止構造 - Google Patents
半導体チップの封止構造Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(概 要)
プリント配線板に実装する半導体チップの封止構造に関
し、 電磁的遮蔽が行え、低コスト、高信頼を具えた封止構造
を提供することを目的とし、 プリント配線板に半導体チップを搭載固定し、ワイヤボ
ンディングを行った部分に、絶縁材をカップ状に成形し
た密封カバーを被せ、縁部をプリント配線板表面に接着
させて、半導体チップ及びその接続部分を封止させるよ
うに構成させたり、全表面に接地接続させる金属層を形
成させた密封カバーを用いて構成する。
し、 電磁的遮蔽が行え、低コスト、高信頼を具えた封止構造
を提供することを目的とし、 プリント配線板に半導体チップを搭載固定し、ワイヤボ
ンディングを行った部分に、絶縁材をカップ状に成形し
た密封カバーを被せ、縁部をプリント配線板表面に接着
させて、半導体チップ及びその接続部分を封止させるよ
うに構成させたり、全表面に接地接続させる金属層を形
成させた密封カバーを用いて構成する。
〔産業上の利用分野]
本発明は、プリント配線板に実装する半導体チップの封
止構造に関する。
止構造に関する。
半導体チップは、裸のまま外気に長時間触らすことによ
り、表面が酸化し特性劣化を来たす。
り、表面が酸化し特性劣化を来たす。
この劣化を防止するために完全な密封状態にて使用する
必要がある。
必要がある。
ドして封止する構造である。
[従来の技術]
第3図(a)に従来の半導体チップの封止構造の気密パ
ッケージ型、同図(b)に同樹脂封止型、同図(C)に
同モールド封止型を示す。
ッケージ型、同図(b)に同樹脂封止型、同図(C)に
同モールド封止型を示す。
従来例の半導体チップの封止構造は、第3図の(a)〜
(C)にその概略構造を示す如くである。
(C)にその概略構造を示す如くである。
図(a)は気密パッケージ型で、半導体チップ4が固着
され、配線接続して実装したプリント配線板15を、一
般に金属筐体の気密性を備えた密封パッケージ7の中に
格納して、内部全体を気密封止する構造である。
され、配線接続して実装したプリント配線板15を、一
般に金属筐体の気密性を備えた密封パッケージ7の中に
格納して、内部全体を気密封止する構造である。
図(b)は樹脂封止型で、プリント配線板16上に半導
体チップ4を固着し配線接続した後、その部分或いは全
実装面に樹脂材6を被着させて樹脂封止する構造である
。
体チップ4を固着し配線接続した後、その部分或いは全
実装面に樹脂材6を被着させて樹脂封止する構造である
。
図(C)はモールド封止型で、半導体チップ4を実装し
たプリント配線vi17又は端子フレームの、外部接続
端子を露出させた状態に全体を樹脂モール[発明が解決
しようとする課題] しかしながら、 ■ 図(a)の気密パッケージ型は、気密パンケージ7
のコストが高く、封止も内部空気を不活性ガスに置換す
る必要がある。
たプリント配線vi17又は端子フレームの、外部接続
端子を露出させた状態に全体を樹脂モール[発明が解決
しようとする課題] しかしながら、 ■ 図(a)の気密パッケージ型は、気密パンケージ7
のコストが高く、封止も内部空気を不活性ガスに置換す
る必要がある。
■ 図中)及び図(C)の型は、半導体チップ4とプリ
ント配線板16.17とを接続している接続ワイヤ8に
樹脂材6が直接に触れているために、温度変化に伴う樹
脂材6の膨張・収縮応力が接続ワイヤ8に作用し、接続
部の信頼性に悪影響(接続抵抗増加、断線等)を及ぼす
恐れがある。
ント配線板16.17とを接続している接続ワイヤ8に
樹脂材6が直接に触れているために、温度変化に伴う樹
脂材6の膨張・収縮応力が接続ワイヤ8に作用し、接続
部の信頼性に悪影響(接続抵抗増加、断線等)を及ぼす
恐れがある。
■ 更に、このままでは外界との電磁遮蔽を実現するこ
とが難しく、別に遮蔽構造を設ける必要がある。
とが難しく、別に遮蔽構造を設ける必要がある。
等の問題点がある。
本発明は、かかる問題点に鑑みて、電磁的遮蔽が行え、
低コスト、高信頼を具えた半導体チップの封止構造を提
供することを目的とする。
低コスト、高信頼を具えた半導体チップの封止構造を提
供することを目的とする。
上記目的は、第1図の原理構成図に示す如く、〔1]プ
リント配線板lに半導体チップ4を搭載固定し、ワイヤ
ボンディングを行ったものに、絶縁材をカップ状に底形
した密封カバー5を被せ、縁部51をプリント配線板1
表面に接着させて、半導体チップ4及びその接続部分を
封止させる、本発明の半導体チップの封止構造により達
成される。
リント配線板lに半導体チップ4を搭載固定し、ワイヤ
ボンディングを行ったものに、絶縁材をカップ状に底形
した密封カバー5を被せ、縁部51をプリント配線板1
表面に接着させて、半導体チップ4及びその接続部分を
封止させる、本発明の半導体チップの封止構造により達
成される。
〔2]又、密封カバー5の全表面及び少なくとも近傍の
プリント配線板1の外面にまで、樹脂材6を被着させて
樹脂封止する、前記111項記載の封止構造による、本
第二発明の半導体チップの封止構造によっても達成され
る。
プリント配線板1の外面にまで、樹脂材6を被着させて
樹脂封止する、前記111項記載の封止構造による、本
第二発明の半導体チップの封止構造によっても達成され
る。
〔3〕更に、プリント配線板lの接地パターン2と接続
させる、金属層52を全表面に形成させた密封カバー5
5を用いる、前記[11項記載の封止構造による、本第
三発明の半導体チップの封止構造によっても達成される
。
させる、金属層52を全表面に形成させた密封カバー5
5を用いる、前記[11項記載の封止構造による、本第
三発明の半導体チップの封止構造によっても達成される
。
〔作 用]
即ち、プリント配線板1上の半導体チップ4及びその接
続ワイヤ8による接続部分は、密封カッ\−5,55に
より中空に覆われて密封されるので、温度変化に対して
も樹脂材6の膨張・収縮応力が直接接続部に作用するこ
とはなく、高信頼性が維持される。
続ワイヤ8による接続部分は、密封カッ\−5,55に
より中空に覆われて密封されるので、温度変化に対して
も樹脂材6の膨張・収縮応力が直接接続部に作用するこ
とはなく、高信頼性が維持される。
尚内部は不活性ガスに置換して封止られるので、半導体
チップ4の特性劣化を起こすことはない。
チップ4の特性劣化を起こすことはない。
密封カバー5.55は、絶縁材の例えば、ガラス材、セ
ラミック材、樹脂材等を用い、半導体チップ4とその周
囲のワイヤボンディング部分を覆う大きさのカップ形状
であり、お椀形、半球形、コツプ形等自由な形でよく、
量産可能な低コスト品で得られ、高価な気密パッケージ
は要らない。
ラミック材、樹脂材等を用い、半導体チップ4とその周
囲のワイヤボンディング部分を覆う大きさのカップ形状
であり、お椀形、半球形、コツプ形等自由な形でよく、
量産可能な低コスト品で得られ、高価な気密パッケージ
は要らない。
又、この密封カバー55は、全表面に無電解鍍金や蒸着
、スパッタリング等により電磁遮蔽用の金属層52を形
成させてあり、プリント配線板1の接地パターン2と直
接に半田付は或いは配線接続させれば、半導体チップ4
及びその接続部分の電磁遮蔽が得られる。
、スパッタリング等により電磁遮蔽用の金属層52を形
成させてあり、プリント配線板1の接地パターン2と直
接に半田付は或いは配線接続させれば、半導体チップ4
及びその接続部分の電磁遮蔽が得られる。
かくして、電磁的遮蔽が行え、低コスト、高信頼を具え
た半導体チップの封止構造を提供することが適えられる
。
た半導体チップの封止構造を提供することが適えられる
。
〔実施例]
以下図面に示す実施例によって本発明を具体的に説明す
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。第2図に
本発明の一実施例の作業フローを示す。
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。第2図に
本発明の一実施例の作業フローを示す。
本実施例の構成は第1図を参照し、具体的には、5II
II1口のLSIの半導体チップ4を、ガラスエポキシ
積層材の4X6C11のプリント配線板lに4個実装し
、個別に密封カバー55を被せて接着し、更に、外面に
エポキシの樹脂材6で全面を被着させて樹脂封止したも
のである。
II1口のLSIの半導体チップ4を、ガラスエポキシ
積層材の4X6C11のプリント配線板lに4個実装し
、個別に密封カバー55を被せて接着し、更に、外面に
エポキシの樹脂材6で全面を被着させて樹脂封止したも
のである。
密封カバー55は、半導体チップ4のみならず、接続ワ
イヤ8の接続部分も覆うために、15mmφ開口の半球
面体のガラス材によるカップ形状で、縁部51を残して
外面全体に銅材を蒸着させて金属層52を形成させて、
電気的遮蔽層を作成している。
イヤ8の接続部分も覆うために、15mmφ開口の半球
面体のガラス材によるカップ形状で、縁部51を残して
外面全体に銅材を蒸着させて金属層52を形成させて、
電気的遮蔽層を作成している。
勿論、更に金属層52に他の金属材を多層に形成させて
電磁的遮蔽効果を得るようにすることも可能である。
電磁的遮蔽効果を得るようにすることも可能である。
尚、密封カバー55の縁部51の端面には、絶縁性接着
材が塗布して乾燥させてあり、プリント配線板1の表面
に押圧させれば、接着材により一応気密に接着されるよ
うにしである。
材が塗布して乾燥させてあり、プリント配線板1の表面
に押圧させれば、接着材により一応気密に接着されるよ
うにしである。
作業は、第2図に示す如く、プリント配線板1の所定位
置に半導体チップ4をダイボンディングして固着させ、
端子部とプリント配線板1の接続パターン3とを、アル
ミ細線の接続ワイヤ8でワイヤボンディングして接続す
る。
置に半導体チップ4をダイボンディングして固着させ、
端子部とプリント配線板1の接続パターン3とを、アル
ミ細線の接続ワイヤ8でワイヤボンディングして接続す
る。
次に、密封カバー55を所定位置に被せ置く(押圧させ
ないで)。
ないで)。
次に、全体を真空槽に入れて、排気してから窒素ガスを
1気圧に維持した状態で、各密封カバー55に上から所
定の押圧を加えて密着させる。
1気圧に維持した状態で、各密封カバー55に上から所
定の押圧を加えて密着させる。
次に、真空槽から取り出し、密封カバー55の表面の金
属層52と、その近傍のプリント配線板1の接地パター
ン2とを直接に半田付は接続する。
属層52と、その近傍のプリント配線板1の接地パター
ン2とを直接に半田付は接続する。
最後に、密封カバー55の表面を含むプリント配線板1
の全面にエポキシの樹脂材6を塗布して、硬化させて完
全に樹脂封止を行う。
の全面にエポキシの樹脂材6を塗布して、硬化させて完
全に樹脂封止を行う。
勿論、同面に他の部品が実装される場合には、その実装
部分には樹脂材6が塗布されないようにマスクして塗布
させる。
部分には樹脂材6が塗布されないようにマスクして塗布
させる。
上記実施例は一例を示し、各部材の材料、形状、寸法は
上記のものに限定するものではない。
上記のものに限定するものではない。
又、密封カバー5の接着、内気置換工程も上記作業フロ
ーに限定するものではなく、更に、接着材の塗布も、逆
に密封カバー5の縁部51が当接するプリント配線板1
の面に塗布したり、両者に塗布したり、何れでも差支え
ない。
ーに限定するものではなく、更に、接着材の塗布も、逆
に密封カバー5の縁部51が当接するプリント配線板1
の面に塗布したり、両者に塗布したり、何れでも差支え
ない。
又、密封カバー55に金属層52を蒸着にて設けたが、
他の方法(鍍金、スパッタリング等)でも差支えなく、
その接地パターン2と配線接続することでも差支えない
。更に、遮蔽不要の場合には金属層52を設けない密封
カバー5を用いればよい。
他の方法(鍍金、スパッタリング等)でも差支えなく、
その接地パターン2と配線接続することでも差支えない
。更に、遮蔽不要の場合には金属層52を設けない密封
カバー5を用いればよい。
以上の如く、本発明により、高価な気密パッケージが不
要となり低コスト化が図れ、接続部分は中空域にあり高
信頼性が得られ、必要により電磁的遮蔽が行え、電気特
性の向上が図れる半導体チップの封止構造が得られ、そ
の効果は大である。
要となり低コスト化が図れ、接続部分は中空域にあり高
信頼性が得られ、必要により電磁的遮蔽が行え、電気特
性の向上が図れる半導体チップの封止構造が得られ、そ
の効果は大である。
第1図は本発明の原理構成図、
第2図は本発明の一実施例の作業フロー第3図は従来の
半導体チップの封止構造である。 図において、 1、15.16.17はプリント配線板、2は接地パタ
ーン、 3は接続パターン、4は半導体チップ、 5
,55は密封カバー6は樹脂材、 7は気密パ
ッケージ、8は接続ワイヤ、 51は縁部、 52は金属層である。
半導体チップの封止構造である。 図において、 1、15.16.17はプリント配線板、2は接地パタ
ーン、 3は接続パターン、4は半導体チップ、 5
,55は密封カバー6は樹脂材、 7は気密パ
ッケージ、8は接続ワイヤ、 51は縁部、 52は金属層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔1〕プリント配線板(1)に半導体チップ(4)を搭
載固定し、ワイヤボンディングを行ったものに、絶縁材
をカップ状に成形した密封カバー(5)を被せ、縁部(
51)を該プリント配線板(1)表面に接着させて、半
導体チップ(4)及びその接続部分を封止させることを
特徴とする半導体チップの封止構造。 〔2〕密封カバー(5)の全表面及び少なくとも近傍の
プリント配線板(1)の外面にまで、樹脂材(6)を被
着させて樹脂封止することを特徴とする、請求項1記載
の半導体チップの封止構造。 〔3〕プリント配線板(1)の接地パターン(2)と接
続させる、金属層(52)を全表面に形成させた密封カ
バー(55)を用いることを特徴とする、請求項1記載
の半導体チップの封止構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2058899A JPH03259552A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体チップの封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2058899A JPH03259552A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体チップの封止構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03259552A true JPH03259552A (ja) | 1991-11-19 |
Family
ID=13097650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2058899A Pending JPH03259552A (ja) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | 半導体チップの封止構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03259552A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5679975A (en) * | 1995-12-18 | 1997-10-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Conductive encapsulating shield for an integrated circuit |
-
1990
- 1990-03-09 JP JP2058899A patent/JPH03259552A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5679975A (en) * | 1995-12-18 | 1997-10-21 | Integrated Device Technology, Inc. | Conductive encapsulating shield for an integrated circuit |
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