JPH06112348A - ハイブリッド回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡易型で所要のノイズ防止機能，電波の飛び
込みや飛散の防止機能を備えたハイブリッド回路の提供
を目的とする。 【構成】 セラミック系回路基板１と、前記セラミック
系回路基板１の所定領域面に搭載・実装されハイブリッ
ド回路を形成する電子部品と、前記セラミック系回路基
板１の所定面に開口する一端面がガラス系封止材６を介
して気密に封着されて電子部品を内封するフェライト製
キャップ５とを具備して成ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はハイブリッド回路に係
り、特にノイズ防止作用などを有する簡易型のハイブリ
ッド回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のようにハイブリッド回路（装置）
は、電気回路のコンパクト化、あるいは着脱，交換可能
な回路部品として、各種の電子機器類において広く実用
に供されている。そして、この種のハイブリッド回路に
おいては、所要の電子部品が装着された第１の回路基板
を第２の回路基板（マザーボード）に立体的に配置し、
さらなるコンパクト化を図ることも試みられている。ま
た、前記ハイブリッド回路を形成するベアチップなどの
電子部品の保護（信頼性）、およびノイズ防止，外部か
らの電波の飛び込み防止，または電子部品から外部への
電波の飛散防止のために、次のような手段が一般的に採
られている。すなわち、金属製キャップもしくは内壁面
を金属層化したセラミック製キャップの開口端面を、セ
ラミック系回路基板面にいわゆるハーメチックシールし
て、各電子部品、またはハイブリッド回路領域全体を気
密に封装する一方、前記金属製キャップもしくはセラミ
ック製キャップ内壁面の金属層を GND層と同電位にする
ことで電波源を包み込む用にした構成が知られている。
図３はこのようなハーメチックシールパッケージの構造
例を斜視的に示したもので、１はセラミック系回路基
板，２は外部接続用リードピン，３は金属製キャップ，
４は前記金属製キャップ３の開口端面をセラミック系回
路基板１面に気密に封止・一体化する半田接着層をそれ
ぞれ示す。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記ハーメチックシー
ルパッケージの構造は、実用上それなりの機能保持・発
揮し、所要の目的を達成し得るが、たとえば SIPタイプ
もしくは DIPタイプで汎用的なハイブリッド回路用など
の場合、しばしばコスト面などで問題を提起する。つま
り、この種の汎用的なハイブリッド回路用の SIPタイプ
もしくは DIPタイプのハイブリッド回路は、一般的に多
品種で形状・大きさなどがマチマチであり、コスト的な
面からハーメチックパッケージの使用が困難である。こ
のため、ハイブリッド回路領域全体を一つの、または比
較的大きく区分した形の複数個の金属製キャップで気密
に封装することが試みられている。しかし、前記金属製
キャップの大形化は、金属製キャップの開口端面とセラ
ミック系回路基板１面との気密な封止・接合面が大きく
なることを意味する。そして、前記封止・接合面の増大
化は、一方で金属とセラミック系との膨張係数の相違に
基づき、前記接合・一体化部（シール部）の破損やセラ
ミック系回路基板の割れを招来するという問題を起こ
す。また、前記ハーメチックシールの構成では、電子部
品のマウント，外部接続用リードピンの接続，さらには
金属製キャップの封止・接合において、半田付け順に対
応した融点を有する半田の選択、または同時半田付けな
どを要するなど、製造ないし組み立て工程が煩雑化する
ばかりでなく、信頼性の低下を招き易いという問題もあ
る。

【０００４】本発明は上記事情に対処してなされたもの
で、簡易型で所要のノイズ防止機能，電波の飛び込みや
飛散の防止機能を備えたハイブリッド回路の提供を目的
とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係るハイブリッ
ド回路は、セラミック系回路基板と、前記セラミック系
回路基板の所定領域面に搭載・実装されハイブリッド回
路を形成する電子部品と、前記セラミック系回路基板の
所定面に開口する一端面がガラス系封止材を介して気密
に封着されて電子部品を内封するフェライト製キャップ
とを具備して成ることを特徴とする。

【０００６】

【作用】本発明に係るハイブリッド回路においは、電子
部品を気密封装するキャップとして、特にフェライト製
キャップを用いることにより、電子部品の保護およびノ
イズ防止などを図る一方、前記フェライト製キャップと
セラミック系回路基板との封止・接合をガラス系封止材
で行っている。このため、熱膨張差に起因する破損ない
し破壊など全面的に回避されて、機能的に高い信頼性を
呈するとともに、外部接続用リード端子の取り出しなど
含めた製造ないし組み立て工程も簡略化する。

【０００７】

【実施例】以下、図１および図２を参照して本発明の実
施例を説明する。

【０００８】図１は本発明に係るハイブリッド回路の要
部構成例を斜視的に示したもので、１はたとえばアルミ
ナ製の厚膜型（もしくは薄膜型）セラミック系回路基
板、２は外部接続用リードピン、５は前記セラミック系
回路基板１面に搭載・実装されたベアチップなどの電子
部品を封装するフェライト製キャップである。また、６
は前記フェライト製キャップ５の開口端面とセラミック
系回路基板１面との間に介在し封止・接合する融点
℃程度のガラス系封止材、７は前記セラミック系回路基
板１面に搭載・実装された電子部品側から、セラミック
系回路基板１の端縁部に導出された導体パターンであ
り、そのまま外部接続用端子を成したり、あるいは前記
外部接続用リードピン２との接続部を成す。

【０００９】図２は、前記フェライト製キャップ５の開
口端面とセラミック系回路基板１面とのガラス系封止材
６により封止・接合した構成を、拡大して斜視的に示し
たもので、セラミック系回路基板１の端縁部に導出され
た導体パターン６は、ガラス系封止材６層によってフェ
ライト製キャップ５と電気的に絶縁されている。

【００１０】上記構成のハイブリッド回路は、たとえば
次のようにして製造し得る。すなわち、所要のセラミッ
ク系回路基板１を用意し、このセラミック系回路基板１
の所定領域面に、所要の電子部品を搭載・実装する。次
いで、前記電子部品を搭載・実装したセラミック系回路
基板１面に、シール接合材としてのガラス系封止材６
を、封装を要する電子部品に対応した領域へ、たとえば
印刷などの手段により選択的に被着する。一方、予め用
意しておいたフェライト製キャップ５の開口端面を、前
記選択的に被着させたガラス系封止材６面と位置合わせ
・対接させて加熱処理を施し、前記ガラス系封止材６の
溶融により、フェライト製キャップ５の開口端面とセラ
ミック系回路基板１面とを封着・一体化することによっ
て、所望のパッケージ化されたハイブリッド回路が得ら
れる。なお、この製造工程において、搭載・実装された
電子部品がベアチップの場合は、前記フェライト製キャ
ップ５による封着・一体化を、たとえば窒素ガスなどの
不活性雰囲気中で行うことが望ましい。

【００１１】本発明に係るハイブリッド回路は、ガラス
系封止材（シール接合材）６でフェライト製キャップ５
をセラミック系回路基板１面に封着・一体化するため、
封着される電子部品側に接続する導体パターン７をセラ
ミック系回路基板１面に沿わせて導出し得る。つまり、
外部接続用端子（もしくはリードピン）２をいわゆるス
ルホールによってセラミック系回路基板１の裏面に導出
する必要もないので、ハイブリッド回路自体のコンパク
ト化を図り得る。また、前記シール接合材６は、熱膨張
係数がセラミック系回路基板１に近いガラス系であるた
め、温度変化に伴う封着部の損傷やセラミック系回路基
板１の破損なども全面的に回避されるばかりでなく、前
記封着・一体化に要する加熱も従来の半田に比べて低温
で足りるので、信頼性の高いハイブリッド回路として機
能することになる。

【００１２】上記本発明に係るハイブリッド回路におい
ては、セラミック系回路基板１面に搭載・実装された所
定の電子部品を中心とした一定の回路部ごとく、たとえ
ば発振回路部のみをフェライト製キャップ５で封着した
構成としてもよいし、複数の電子部品で形成する部分回
路ごとに、または全体回路を一括的にフェライト製キャ
ップ５で封着した構成することも可能である。また、前
記発振回路部のみをフェライト製キャップ５で封着した
構成の場合は、そのフェライト製キャップ５にフェライ
ト製の調整用ネジを付設しておくことが好ましい。

【００１３】

【発明の効果】上記説明したように、本発明に係るハイ
ブリッド回路においては、フェライト製キャップで所要
の電子部品ないし回路領域を封装するため、外界に対し
て保護されるばかりでなく、有効に電磁シールド性を付
与し得る。すなわち、湿気などによる悪影響を防止し、
機能的に高い信頼性を保持・発揮させる一方、ノイズの
防止、換言すると外部からの電波の飛び込み防止や外部
への電波飛散防止などを効果的に達成する。しかも、前
記フェライト製キャップの封着・一体化はガラス系封止
材で行われているため、温度変化に伴う封着部の損傷や
セラミック系回路基板１の破損なども全面的に解消され
るし、さらに封着・一体化に要する加熱も比較的低温で
足りるので、搭載・実装されている電子部品への悪影響
も回避され、歩留まりなどの点でも大きく寄与する。か
くして、本発明に係るハイブリッド回路は、前記機能的
な信頼性の高さと相俟って実用上多くの利点をもたらす
ものといえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るハイブリッド回路の要部構成例を
示す斜視図。

【図２】本発明に係るハイブリッド回路の要部構成を一
部拡大して示す斜視図。

【図３】従来のハイブリッド回路装置の要部構成を示す
斜視図。

【符号の説明】

１…セラミック系回路基板 ２…外部接続用リードピ
ン ３…金属製キャップ ４…半田接続層（シール
材層） ５…フェライト製キャップ ６…ガラス系
封止材 ７…導体パターン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミック系回路基板と、前記セラミッ
   ク系回路基板の所定領域面に搭載・実装されハイブリッ
   ド回路を形成する電子部品と、前記セラミック系回路基
   板の所定面に開口する一端面がガラス系封止材を介して
   気密に封着されて電子部品を内封するフェライト製キャ
   ップとを具備して成ることを特徴とするハイブリッド回
   路。