JPH03258003A - マイクロ波セラミックモジュール - Google Patents
マイクロ波セラミックモジュールInfo
- Publication number
- JPH03258003A JPH03258003A JP2056091A JP5609190A JPH03258003A JP H03258003 A JPH03258003 A JP H03258003A JP 2056091 A JP2056091 A JP 2056091A JP 5609190 A JP5609190 A JP 5609190A JP H03258003 A JPH03258003 A JP H03258003A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- ceramic module
- impedance
- module
- ground
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- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[概 要]
伝送線路基板上に戴置され、側面から延びた信号接続体
により該基板に接続されたマイクロ波セラミンクモジュ
ールに関し、 基板とのインピーダンス整合が取れるようにす〔産業上
の利用分野〕 本発明は、マイクロ波セラ37クモジユールに関するも
のであり、特に伝送線路基板上に戴置され、側面から延
びた信号接続体により該基板に接続されたマイクロ波セ
ラミックモジュールに間するものである。
により該基板に接続されたマイクロ波セラミンクモジュ
ールに関し、 基板とのインピーダンス整合が取れるようにす〔産業上
の利用分野〕 本発明は、マイクロ波セラ37クモジユールに関するも
のであり、特に伝送線路基板上に戴置され、側面から延
びた信号接続体により該基板に接続されたマイクロ波セ
ラミックモジュールに間するものである。
セラミックのマイクロ波帯への応用はマイクロ波回路の
基板としてストリップラインを形成したり共振器として
単独に用いられて来たが、近年の高機能化、低価格化に
伴って回路自体のモジュール化に用いられるようになっ
て来ている。
基板としてストリップラインを形成したり共振器として
単独に用いられて来たが、近年の高機能化、低価格化に
伴って回路自体のモジュール化に用いられるようになっ
て来ている。
このため、セラミックモジュールを、高周波による4響
と共に、モジュールが置かれる環境も常に考慮して実装
設計する必要がある。
と共に、モジュールが置かれる環境も常に考慮して実装
設計する必要がある。
第4図は、従来のマイクロ波セラミ9.クモジュールを
示したもので、同図(a)は正面図、同図(ハ)は側面
図、そして同図(C)は平面図を示している。
示したもので、同図(a)は正面図、同図(ハ)は側面
図、そして同図(C)は平面図を示している。
図中、lは抵抗、コンデンサ、インダクタンス等を一体
化して層構造とした半導体チップが実装されているマイ
クロ波セラミックモジュールであり、このセラミックモ
ジュールlは材質の異なる基板(マザーボード)2の上
に戴置されている。
化して層構造とした半導体チップが実装されているマイ
クロ波セラミックモジュールであり、このセラミックモ
ジュールlは材質の異なる基板(マザーボード)2の上
に戴置されている。
この場合、セラミックモジュール1が、高温環境で使用
された場合、基板2との熱膨張係数の違いでストレスが
生じ破損が起きないようにするため、基板2上の伝送線
路3とセラミックモジュール1上の伝送線路3とを直接
結合することはせずにセラミックモジュールlの側面6
から延びた信号用ピン4を用いている。
された場合、基板2との熱膨張係数の違いでストレスが
生じ破損が起きないようにするため、基板2上の伝送線
路3とセラミックモジュール1上の伝送線路3とを直接
結合することはせずにセラミックモジュールlの側面6
から延びた信号用ピン4を用いている。
そして、この信号用ピン4は、同図(C)に示すように
セラミックモジュール1上の抵抗5等を介して伝送線路
3にハンダ付は接続されている。
セラミックモジュール1上の抵抗5等を介して伝送線路
3にハンダ付は接続されている。
〔発明が解決しようとする課題]
このような従来のマイクロ波セラミックモジュールは、
高周波数状態で使用されるため、モジュールと基板間を
電気的に接続する信号接続体としての信号用ピンのイン
ピーダンスが特性インピーダンス(50Ω)を越えてし
まい、両者の伝送線路の入出力インピーダンス整合がで
きなくなってしまうという問題点があった。
高周波数状態で使用されるため、モジュールと基板間を
電気的に接続する信号接続体としての信号用ピンのイン
ピーダンスが特性インピーダンス(50Ω)を越えてし
まい、両者の伝送線路の入出力インピーダンス整合がで
きなくなってしまうという問題点があった。
そこで本発明は、伝送線路基板上に戴置され、側面から
延びた信号接続体により該基板に接続されたマイクロ波
セラミックモジュールにおいて、基板とのインピーダン
ス整合が取れるようにすることを目的とする。
延びた信号接続体により該基板に接続されたマイクロ波
セラミックモジュールにおいて、基板とのインピーダン
ス整合が取れるようにすることを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明に係るマイクロ波セ
ラミックモジュールでは、第1図に原理的に示すように
、側面6に配置された信号接続体4と平行にメタライズ
アース7を設けている。
ラミックモジュールでは、第1図に原理的に示すように
、側面6に配置された信号接続体4と平行にメタライズ
アース7を設けている。
第1図に於いて、マイクロ波セラミックモジュールlの
一側面6に平行となる形で信号接続体4とメタライズア
ース7を設けたので、信号接続体4とメタライズアース
7との間にはマイクロ波周波数による分布定数線路が存
在し、モジュールlの所定の比誘電率ε、及び厚さに対
してメタライズアース7と信号接続体4との間隔Wを変
えることにより信号接続体4の人出力インピーダンスを
特性インピーダンスに整合させることが出来る。
一側面6に平行となる形で信号接続体4とメタライズア
ース7を設けたので、信号接続体4とメタライズアース
7との間にはマイクロ波周波数による分布定数線路が存
在し、モジュールlの所定の比誘電率ε、及び厚さに対
してメタライズアース7と信号接続体4との間隔Wを変
えることにより信号接続体4の人出力インピーダンスを
特性インピーダンスに整合させることが出来る。
第2図は本発明に係るマイクロ波セラミックモジュール
の一実施例を示したもので、この実施例では、同図(匈
に示すように、セラミックモジュール1の側面6におい
て、信号接続体としての信号用ピン4の間にメタライズ
アース7をろう付けしており、信号用ピン4とメタライ
ズアース7との間隔Wは特性インピーダンス(50Ω)
が得られるように実験的に選択される。ここでは、メタ
ライズアース7の幅を変えることにより、信号用ピン4
とメタライズアース7との間隔を変えることで対応して
いる。
の一実施例を示したもので、この実施例では、同図(匈
に示すように、セラミックモジュール1の側面6におい
て、信号接続体としての信号用ピン4の間にメタライズ
アース7をろう付けしており、信号用ピン4とメタライ
ズアース7との間隔Wは特性インピーダンス(50Ω)
が得られるように実験的に選択される。ここでは、メタ
ライズアース7の幅を変えることにより、信号用ピン4
とメタライズアース7との間隔を変えることで対応して
いる。
尚、このメタライズアース7は、セラミックモジュール
lの上面に設けたアース線路8(同図(b)参照)又は
、セラミックモジュール1に形成されているアース層(
図示せず)に接続されており、このアース線路8がスル
ーホール等を経て基板1のアース線路(図示せず)に接
続されていることから接地されていることになる。
lの上面に設けたアース線路8(同図(b)参照)又は
、セラミックモジュール1に形成されているアース層(
図示せず)に接続されており、このアース線路8がスル
ーホール等を経て基板1のアース線路(図示せず)に接
続されていることから接地されていることになる。
第3図は本発明の他の実施例を示したもので、セラミッ
クモジュール1の側面6において、信号用ピン4の両側
にメタライズアース7を設けたものである。
クモジュール1の側面6において、信号用ピン4の両側
にメタライズアース7を設けたものである。
この実施例は、セラミックモジュールlのアース線路と
信号用ピン4とが同じモジュール側面6内に在る場合に
適用したものであり、別途アース線路を設けることなく
メタライズアース7と信号用ピン4との間隔を調整すれ
ばよい。
信号用ピン4とが同じモジュール側面6内に在る場合に
適用したものであり、別途アース線路を設けることなく
メタライズアース7と信号用ピン4との間隔を調整すれ
ばよい。
以上説明したように、本発明では、信号接続体の間又は
両側の側面に、該信号接続体のインピーダンスを特性イ
ンピーダンスにするための幅を有するメタライズアース
を設けたので、信号接続体のインピーダンスを特性イン
ピーダンスに整合させることかでき、マイクロ波帯で使
用しても信号損失の少ない伝送線路を実現することがで
きる。
両側の側面に、該信号接続体のインピーダンスを特性イ
ンピーダンスにするための幅を有するメタライズアース
を設けたので、信号接続体のインピーダンスを特性イン
ピーダンスに整合させることかでき、マイクロ波帯で使
用しても信号損失の少ない伝送線路を実現することがで
きる。
3・・・伝送線路、
4・・・信号用ピン、
6・・・モジュール側面、
7・・・メタライズアース。
図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 伝送線路基板(2)上に戴置され、側面(6)に配置
された信号接続体(4)により該基板(2)に接続され
たマイクロ波セラミックモジュール(1)において、該
側面(6)に、該信号接続体(4)と平行にメタライズ
アース(7)を設けて、該セラミックモジュール(1)
と該基板(2)のインピーダンス整合をとることを特徴
としたマイクロ波セラミックモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056091A JPH03258003A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | マイクロ波セラミックモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2056091A JPH03258003A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | マイクロ波セラミックモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03258003A true JPH03258003A (ja) | 1991-11-18 |
Family
ID=13017429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2056091A Pending JPH03258003A (ja) | 1990-03-07 | 1990-03-07 | マイクロ波セラミックモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03258003A (ja) |
-
1990
- 1990-03-07 JP JP2056091A patent/JPH03258003A/ja active Pending
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