JPH03245586A - 光送信回路 - Google Patents
光送信回路Info
- Publication number
- JPH03245586A JPH03245586A JP2043202A JP4320290A JPH03245586A JP H03245586 A JPH03245586 A JP H03245586A JP 2043202 A JP2043202 A JP 2043202A JP 4320290 A JP4320290 A JP 4320290A JP H03245586 A JPH03245586 A JP H03245586A
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- Japan
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- laser device
- semiconductor laser
- heat
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光送信回路に関し、特に伝送速度がＩ Ｇ ｂ
／ ｓを越える超高速光通信システム用の光送信回路
に関する。
／ ｓを越える超高速光通信システム用の光送信回路
に関する。
伝送速度がＩ Ｇ ｂ ／ ｓを越える超高速光通信シ
ステムに適用する光送信回路では、超高速動作を安定に
実現するため、光通信回路内に内蔵する半導体レーザ装
置と半導体レーザ装置の駆動回路との接続部に寄生する
インダクタンス、及び寄生容量を極力少なくする必要が
ある。このため、半導体レーザ装置と半導体レーザ装置
の駆動回路（以下駆動ＩＣと呼ぶ）との間をできるだけ
短い距離で接続する必要がある。
ステムに適用する光送信回路では、超高速動作を安定に
実現するため、光通信回路内に内蔵する半導体レーザ装
置と半導体レーザ装置の駆動回路との接続部に寄生する
インダクタンス、及び寄生容量を極力少なくする必要が
ある。このため、半導体レーザ装置と半導体レーザ装置
の駆動回路（以下駆動ＩＣと呼ぶ）との間をできるだけ
短い距離で接続する必要がある。
このため従来の光送信回路では、第３図に示すように、
駆動ＩＣ２のチップと、発光素子、光結合回路、及び発
光素子を冷却する電子冷却素子よりなる半導体レーザ装
置３とを、同一のパッケージ２２に収容してプリント基
板４上で短く配線できるようにしである。
駆動ＩＣ２のチップと、発光素子、光結合回路、及び発
光素子を冷却する電子冷却素子よりなる半導体レーザ装
置３とを、同一のパッケージ２２に収容してプリント基
板４上で短く配線できるようにしである。
上述した従来の光送信回路では、同一のパッケージ内に
駆動ＩＣ２と半導体レーザ装置３とを搭載する実装形態
となっているので、半導体レーザ装Ｗ３及び駆動ＩＣ２
で発生した熱は、パッケージ２２の外底面に取り付けた
放熱器２０に逃がす構成となっている。
駆動ＩＣ２と半導体レーザ装置３とを搭載する実装形態
となっているので、半導体レーザ装Ｗ３及び駆動ＩＣ２
で発生した熱は、パッケージ２２の外底面に取り付けた
放熱器２０に逃がす構成となっている。
一般に、集積回路の動作温度範囲は、集積回路のジャン
クション温度（Ｔｊ）によって制限されるが、通常のプ
ロセスでは、Ｔｊが１００℃以上保証されるため、パッ
ケージの周囲温度Ｏ℃から７５°Ｃ程度の動作温度範囲
では、駆動ＩＣ２単体の放熱用に、比較的抵抗の大きな
放熱器を使用しても動作上問題ない。一方、半導体レー
ザ装置３では、発振特性の安定化のために内部に搭載す
る発光素子の温度を室温（２５℃）付近に制御する必要
があるなめ、駆動ＩＣ２に比べて放熱器の熱抵抗を下げ
る必要がある。
クション温度（Ｔｊ）によって制限されるが、通常のプ
ロセスでは、Ｔｊが１００℃以上保証されるため、パッ
ケージの周囲温度Ｏ℃から７５°Ｃ程度の動作温度範囲
では、駆動ＩＣ２単体の放熱用に、比較的抵抗の大きな
放熱器を使用しても動作上問題ない。一方、半導体レー
ザ装置３では、発振特性の安定化のために内部に搭載す
る発光素子の温度を室温（２５℃）付近に制御する必要
があるなめ、駆動ＩＣ２に比べて放熱器の熱抵抗を下げ
る必要がある。
特に、駆動回路ＩＣ２の集積度が高く、消費電力が大き
い場合には、駆動ＩＣ２から発生した熱がパッケージ２
２及び放熱器２０を介して半導体レーザ装Ｍ３に回り込
むため、所要の冷却特性を得るためにサイズの大きな放
熱器をつけて、発熱源から外部までの熱抵抗を下げる必
要がある。
い場合には、駆動ＩＣ２から発生した熱がパッケージ２
２及び放熱器２０を介して半導体レーザ装Ｍ３に回り込
むため、所要の冷却特性を得るためにサイズの大きな放
熱器をつけて、発熱源から外部までの熱抵抗を下げる必
要がある。
このように従来の光送信回路は、駆動ＩＣからの熱の回
り込みのために動作温度範囲が０°〜６０℃程度に制限
されるという欠点があった。また、この動作温度範囲内
で、半導体レーザ装置の発光素子の温度を２５℃に維持
するために電子冷却素子に投入する電力が、駆動ＩＣを
内蔵しないものに比べて７０〜８０％増加するという欠
点があり、所要の性能を実現する上で大きな問題点とな
っている。
り込みのために動作温度範囲が０°〜６０℃程度に制限
されるという欠点があった。また、この動作温度範囲内
で、半導体レーザ装置の発光素子の温度を２５℃に維持
するために電子冷却素子に投入する電力が、駆動ＩＣを
内蔵しないものに比べて７０〜８０％増加するという欠
点があり、所要の性能を実現する上で大きな問題点とな
っている。
本発明の光送信回路は、同一のパッケージ内に半導体レ
ーザ装置と該半導体レーザ装置の駆動回路とを搭載して
なる光送信回路において、前記駆動回路の放熱用の第１
の放熱器と前記半導体レーザ装置の放熱用の第２の放熱
器とを熱的に分離して配設しである。
ーザ装置と該半導体レーザ装置の駆動回路とを搭載して
なる光送信回路において、前記駆動回路の放熱用の第１
の放熱器と前記半導体レーザ装置の放熱用の第２の放熱
器とを熱的に分離して配設しである。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の第１の実施例の横断面図である。セ
ラミック材のパッケージに搭載した駆動ＩＣ２は、配線
パターンを形成したプリント基板４上に固定されている
。一方、発光素子と電子冷却素子とを内蔵した半導体レ
ーザ装置３は、金属部材で形成したパッケージ１０の内
定面にネジで機械的に固定される。また、駆動ＩＣ２用
の放熱器は、断熱材８を介して駆動ＩＣパッケッジのス
タッドにナツト７で機械的に固定されている。−方、半
導体レーザ装置３用の放熱器６は、パッケージ１０の外
底面にネジ９で固定されている。
ラミック材のパッケージに搭載した駆動ＩＣ２は、配線
パターンを形成したプリント基板４上に固定されている
。一方、発光素子と電子冷却素子とを内蔵した半導体レ
ーザ装置３は、金属部材で形成したパッケージ１０の内
定面にネジで機械的に固定される。また、駆動ＩＣ２用
の放熱器は、断熱材８を介して駆動ＩＣパッケッジのス
タッドにナツト７で機械的に固定されている。−方、半
導体レーザ装置３用の放熱器６は、パッケージ１０の外
底面にネジ９で固定されている。
本実施例のパッケージ１０は、アルミニウム材で形成し
てあり、放熱器５．６には熱抵抗を低減するためアルミ
ニウムにアルマイト加工を施したものを使用した。パッ
ケージ１０と放熱器５との間に入れた断熱材８には、厚
さ１ｍｍのテフロン樹脂板を用いた。
てあり、放熱器５．６には熱抵抗を低減するためアルミ
ニウムにアルマイト加工を施したものを使用した。パッ
ケージ１０と放熱器５との間に入れた断熱材８には、厚
さ１ｍｍのテフロン樹脂板を用いた。
従来の光送信回路のパッケージでは、第３図に示す如く
パッケージ２２の底面全体に放熱器２０を密着させてい
るので、駆動ＩＣ２で発生した熱は、放熱器２０を介し
てパッケージ２２の外部に伝達されるのと同時に、パッ
ケージ２２底面の温度上昇を引き起こす、このため、駆
動ＩＣ２で発生した熱が、半導体レーザ装置３の放熱面
（パッケージ２２の底面）の温度上昇を引き起こし、半
導体レーザ装置３内部の発光素子温度を上昇させ、発光
素子温度を２５℃程度に制御しようとした場合、周囲温
度００〜６０℃が動作周囲温度の限界であった。
パッケージ２２の底面全体に放熱器２０を密着させてい
るので、駆動ＩＣ２で発生した熱は、放熱器２０を介し
てパッケージ２２の外部に伝達されるのと同時に、パッ
ケージ２２底面の温度上昇を引き起こす、このため、駆
動ＩＣ２で発生した熱が、半導体レーザ装置３の放熱面
（パッケージ２２の底面）の温度上昇を引き起こし、半
導体レーザ装置３内部の発光素子温度を上昇させ、発光
素子温度を２５℃程度に制御しようとした場合、周囲温
度００〜６０℃が動作周囲温度の限界であった。
一方、本実施例では、上述したように駆動ＩＣ２用の放
熱器５と半導体レーザ装置３用の放熱器６とが、断熱材
８を介して熱的に分離された構成にしである。このため
、駆動ＩＣ２で発生した熱は、断熱材８の熱抵抗分だけ
パッケージ１０底面に回り込む熱量が低減される。この
結果、半導体レーザ装置３内の発光素子の温度を２５℃
に維持できる動作温度範囲を、−１０°〜７５℃まで広
げることができた。
熱器５と半導体レーザ装置３用の放熱器６とが、断熱材
８を介して熱的に分離された構成にしである。このため
、駆動ＩＣ２で発生した熱は、断熱材８の熱抵抗分だけ
パッケージ１０底面に回り込む熱量が低減される。この
結果、半導体レーザ装置３内の発光素子の温度を２５℃
に維持できる動作温度範囲を、−１０°〜７５℃まで広
げることができた。
なお本実施例では、駆動ＩＣ２用の放熱器５とパッケー
ジ１０との間の断熱材８に厚さ１ｍｍのテフロン樹脂板
を用いたが、テフロンと同等、あるいは、それ以上の熱
抵抗を有する材料であれば適用可能であり、本実施例で
述べた材料に限定されるものではない、また、断熱材８
の厚さについても、所要の熱抵抗に応じて変更すれば良
く、１ｍｍに限定されるものではない。
ジ１０との間の断熱材８に厚さ１ｍｍのテフロン樹脂板
を用いたが、テフロンと同等、あるいは、それ以上の熱
抵抗を有する材料であれば適用可能であり、本実施例で
述べた材料に限定されるものではない、また、断熱材８
の厚さについても、所要の熱抵抗に応じて変更すれば良
く、１ｍｍに限定されるものではない。
また本実施例では、パッケージ１０、及び放熱器５．６
の材料としてアルミニウムを用いたが、他の金属材料に
置き換えることも可能であり、アルミニウムに限定され
るものではない９更に本実施例では、半導体レーザ装置
３として内部に電子冷却素子を内蔵するものを用いたが
、電子冷却素子を内蔵しないものについても同様に適用
可能であり、また駆動ＩＣ２のパッケージとしてスタッ
ドを有するパッケージを用いたが、スタッドのないパッ
ケージを使用する場合についても適用可能である。
の材料としてアルミニウムを用いたが、他の金属材料に
置き換えることも可能であり、アルミニウムに限定され
るものではない９更に本実施例では、半導体レーザ装置
３として内部に電子冷却素子を内蔵するものを用いたが
、電子冷却素子を内蔵しないものについても同様に適用
可能であり、また駆動ＩＣ２のパッケージとしてスタッ
ドを有するパッケージを用いたが、スタッドのないパッ
ケージを使用する場合についても適用可能である。
第２（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施例の横断
面図及び側断面図である。セラミック材のパッケージに
搭載した駆動ＩＣ２は、配線パターンを形成したプリン
ト基板４上に固定される。
面図及び側断面図である。セラミック材のパッケージに
搭載した駆動ＩＣ２は、配線パターンを形成したプリン
ト基板４上に固定される。
一方、発光素子と電子冷却素子とを内蔵した半導体レー
ザ装置３は、金属部材で形成したパッケージ１０の底面
に断熱材３０を介してネジ等で機械的に固定される。ま
た、半導体レーザ装置３の一側面は第２図（ｂ）に示す
如くパッケージ１０の内側面に機械的に密着固定されて
いる。一方、駆動ＩＣ２用の放熱器５は、断熱材８を介
して駆動ＩＣパッケージのスタッドにナツト７で機械的
に固定されている。また、半導体レーザ装Ｗ３用の放熱
器６は、パッケージ１０の外底面にネジ９で固定されて
いる。
ザ装置３は、金属部材で形成したパッケージ１０の底面
に断熱材３０を介してネジ等で機械的に固定される。ま
た、半導体レーザ装置３の一側面は第２図（ｂ）に示す
如くパッケージ１０の内側面に機械的に密着固定されて
いる。一方、駆動ＩＣ２用の放熱器５は、断熱材８を介
して駆動ＩＣパッケージのスタッドにナツト７で機械的
に固定されている。また、半導体レーザ装Ｗ３用の放熱
器６は、パッケージ１０の外底面にネジ９で固定されて
いる。
本実施例でもパッケージ１０は、アルミニウム材で形成
してあり、放熱器５．６にはアルミニウムでアルマイト
加工を施したものを使用した。パッケージ１０と放熱器
５との間に入れた断熱材８、及び半導体レーザ装置３の
底面とパッケージ１０の底面との間に入れた断熱材３０
には、厚さ１ｍｍのテフロン樹脂板を用いた。
してあり、放熱器５．６にはアルミニウムでアルマイト
加工を施したものを使用した。パッケージ１０と放熱器
５との間に入れた断熱材８、及び半導体レーザ装置３の
底面とパッケージ１０の底面との間に入れた断熱材３０
には、厚さ１ｍｍのテフロン樹脂板を用いた。
本実施例では、駆動ＩＣ２用の放熱器５と半導体レーザ
装置３の放熱器６とが、断熱材８を介して熱的に分離さ
れると共に、半導体レーザ装置、の底面とパッケージ１
０の底面とが、断熱材３０を介して固定される構成とな
っている。このため、駆動ＩＣ２で発生した熱は、断熱
材８の熱抵抗分だけ光送信回路パッケージ１０に回り込
む熱量が低減される。同時に、光送信回路パッケージ１
０の底面を介して半導体レーザ装置３に回り込む熱量は
、断熱材３０によって低減される。この結果、半導体レ
ーザ装置３内の発光素子の温度を２５℃に維持できる動
作温度範囲を、従来のＯ。
装置３の放熱器６とが、断熱材８を介して熱的に分離さ
れると共に、半導体レーザ装置、の底面とパッケージ１
０の底面とが、断熱材３０を介して固定される構成とな
っている。このため、駆動ＩＣ２で発生した熱は、断熱
材８の熱抵抗分だけ光送信回路パッケージ１０に回り込
む熱量が低減される。同時に、光送信回路パッケージ１
０の底面を介して半導体レーザ装置３に回り込む熱量は
、断熱材３０によって低減される。この結果、半導体レ
ーザ装置３内の発光素子の温度を２５℃に維持できる動
作温度範囲を、従来のＯ。
〜６０℃から一１０″〜８５℃まで広げることができた
。
。
以上説明したように本発明は、同一のパッケージ内に半
導体レーザ装置とその駆動回路とを搭載し、両者の放熱
器を熱的に分離することにより、更には半導体レーザ装
置の底面とパッケージとの間に断熱材を入れることによ
り、駆動回路から半導体レーザ装置に回り込む熱量を低
減し、光送信回路の動作温度範囲を従来回路よりも広げ
る効果がある。
導体レーザ装置とその駆動回路とを搭載し、両者の放熱
器を熱的に分離することにより、更には半導体レーザ装
置の底面とパッケージとの間に断熱材を入れることによ
り、駆動回路から半導体レーザ装置に回り込む熱量を低
減し、光送信回路の動作温度範囲を従来回路よりも広げ
る効果がある。
第１図及び第２図（ａ）は本発明の実施例を示す横断面
図、第２図（ｂ）は本発明の実施例の断面図、第３図は
従来例の光送信回路を示す横断面図である。 ２・・・駆動回路（駆動ＩＣ）、３・・・半導体レーザ
装置、４・・・プリント基板、５．６・・・放熱器、７
・・・ナツト、８．３０・・・断熱材、９・・・ネジ、
１０・・・パッケージ。
図、第２図（ｂ）は本発明の実施例の断面図、第３図は
従来例の光送信回路を示す横断面図である。 ２・・・駆動回路（駆動ＩＣ）、３・・・半導体レーザ
装置、４・・・プリント基板、５．６・・・放熱器、７
・・・ナツト、８．３０・・・断熱材、９・・・ネジ、
１０・・・パッケージ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、同一のパッケージ内に半導体レーザ装置と該半導体
レーザ装置の駆動回路とを搭載してなる光送信回路にお
いて、前記駆動回路の放熱用の第１の放熱器と前記半導
体レーザ装置の放熱用の第２の放熱器とを熱的に分離し
て配設してあることを特徴とする光送信回路。 ２、前記半導体レーザ装置は該半導体レーザ装置のパッ
ケージ内部に電子冷却素子を内蔵し、該半導体レーザ装
置のパッケージ側面が放熱面となる構造を有する特許請
求の範囲第１項記載の光送信回路。 ３、前記半導体レーザ装置の底面は、断熱板を介して前
記パッケージの底面に固定されている特許請求の範囲第
１項記載の光送信回路。 ４、前記半導体レーザ装置のパッケージの少なくとも一
側面が前記パッケージに密着固定されている特許請求の
範囲第１項記載の光送信回路。 ５、前記駆動回路は、シリコンあるいはガリウムヒ素の
集積回路からなり、セラミックパッケージに搭載されて
いる特許請求の範囲第１項記載の光送信回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043202A JPH03245586A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光送信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2043202A JPH03245586A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光送信回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03245586A true JPH03245586A (ja) | 1991-11-01 |
Family
ID=12657347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2043202A Pending JPH03245586A (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | 光送信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03245586A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0650373U (ja) * | 1992-06-12 | 1994-07-08 | 八重洲無線株式会社 | レーザーダイオードの取付構造 |
| EP0608901A2 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | A laser unit |
| US6477284B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor |
| JP2003158330A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-30 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ結合装置 |
| JP2003304026A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光モジュール |
| JP2005513815A (ja) * | 2001-12-29 | 2005-05-12 | 杭州富陽新穎電子有限公司 | 発光ダイオード及び発光ダイオード・ランプ |
| JP2007012856A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄ装置及びｌｅｄ装置用筐体 |
| JP2015115457A (ja) * | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 日本碍子株式会社 | 外部共振器型発光装置 |
| JP2016072338A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | レーザモジュール、レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP2043202A patent/JPH03245586A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0650373U (ja) * | 1992-06-12 | 1994-07-08 | 八重洲無線株式会社 | レーザーダイオードの取付構造 |
| EP0608901A2 (en) * | 1993-01-29 | 1994-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | A laser unit |
| EP0608901A3 (en) * | 1993-01-29 | 1994-10-12 | Canon Kk | Laser unit. |
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| US6477284B1 (en) | 1999-06-14 | 2002-11-05 | Nec Corporation | Photo-electric combined substrate, optical waveguide and manufacturing process therefor |
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| JP2007012856A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ｌｅｄ装置及びｌｅｄ装置用筐体 |
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| JP2016072338A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | レーザモジュール、レーザ発振器及びレーザ加工装置 |
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