JPH0319154A - スタンパ - Google Patents
スタンパInfo
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- JPH0319154A JPH0319154A JP15397689A JP15397689A JPH0319154A JP H0319154 A JPH0319154 A JP H0319154A JP 15397689 A JP15397689 A JP 15397689A JP 15397689 A JP15397689 A JP 15397689A JP H0319154 A JPH0319154 A JP H0319154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamper
- sol
- gel
- diamond
- work
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
- B29C45/2632—Stampers; Mountings thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2907/00—Use of elements other than metals as mould material
- B29K2907/04—Carbon
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光ディスク用スタンパに関し、特にゾルゲル法
を用いた光ディスク用ガラス基板作製のためのワークス
タンバに関するものである。
を用いた光ディスク用ガラス基板作製のためのワークス
タンバに関するものである。
（従来の技術）
ゾルゲル法を用いた光ディスク用ガラス基板の作製プロ
セスについて説明スる。
セスについて説明スる。
まず、所望のデータに基づきガラス原盤にマスクライテ
ィングを行う。次に、ガラス原盤にＮｉのスパッタおよ
び電鋳処理を施すことにより、Ｎｉスタンパ（マスク）
をおこす。ついで、Ｎｉスタンバ（マスク）を型にして
再度電鋳処理を行い、Ｎｉスタンパ（マザー）を作製す
る。この様にして作製したＮｉスタンバ（マザー）を用
いて、射出成形あるいは２Ｐ戒形により樹脂膜のゾルゲ
ル用ワークスタンパを得ることが出来る。
ィングを行う。次に、ガラス原盤にＮｉのスパッタおよ
び電鋳処理を施すことにより、Ｎｉスタンパ（マスク）
をおこす。ついで、Ｎｉスタンバ（マスク）を型にして
再度電鋳処理を行い、Ｎｉスタンパ（マザー）を作製す
る。この様にして作製したＮｉスタンバ（マザー）を用
いて、射出成形あるいは２Ｐ戒形により樹脂膜のゾルゲ
ル用ワークスタンパを得ることが出来る。
次に、ガラス基板上にスピンコート法により金属アルコ
レート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアルコー
ル溶液（ゾルゲル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形成す
る。先ほどのワークスタンパををこのゾルゲル面に押し
当て、微細なパターンを転写する。重ね合わせたまま一
次焼戒を行った後、ワークスタンパから離型した微細パ
ターン付きガラス基板を更に二次焼戒する。このような
プロセスを経て、光ディスク用ガラス基板を得ることが
出来る。
レート、ポリエチレングリコール、塩酸を含むアルコー
ル溶液（ゾルゲル溶液）を塗布し、ゾルゲル層を形成す
る。先ほどのワークスタンパををこのゾルゲル面に押し
当て、微細なパターンを転写する。重ね合わせたまま一
次焼戒を行った後、ワークスタンパから離型した微細パ
ターン付きガラス基板を更に二次焼戒する。このような
プロセスを経て、光ディスク用ガラス基板を得ることが
出来る。
（発明が解決しようとする課題）
先述したように、ゾルゲル用ワークスタンパを作製する
には、現状ではかなりのプロセスを必要とする。これは
ゾルゲル用ワークスタンパとして、直接Ｎｉスタンパ（
マスタ）が使用できないことによる。即ち、ゾルゲル層
とＮｉスタンパをそのまま密着させて一次焼或を行うと
、離型の際、ゾルゲル層の一部Ｎｉスタンパ面に付着し
、正確なパターン転写が出来ない。
には、現状ではかなりのプロセスを必要とする。これは
ゾルゲル用ワークスタンパとして、直接Ｎｉスタンパ（
マスタ）が使用できないことによる。即ち、ゾルゲル層
とＮｉスタンパをそのまま密着させて一次焼或を行うと
、離型の際、ゾルゲル層の一部Ｎｉスタンパ面に付着し
、正確なパターン転写が出来ない。
このため上述したような長いプロセスを採り入れている
が、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何度も
転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。
が、特に微細なパターンを比較的大面積に渡って何度も
転写するので、歩留り、コストの面で問題となる。
本発明は、上述した問題を解決するゾルゲル用ワークス
タンパを提供することにある。
タンパを提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明によるスタンパは、微細なパターンを有するＮｉ
薄板の上に、ダイヤモンド状カーボン層を形成したこと
を特徴とする。また、Ｎｉ薄板とダイヤモンド状カーボ
ン層の間に付着強化層を形成したことを特徴とする。
薄板の上に、ダイヤモンド状カーボン層を形成したこと
を特徴とする。また、Ｎｉ薄板とダイヤモンド状カーボ
ン層の間に付着強化層を形成したことを特徴とする。
（作用）
本発明によれば、ゾルゲル材料に対して離型性かつ耐磨
耗性のあるダイヤモンド状のカーボン膜でＮｉスタンパ
の表面処理を行うため、そのままゾルゲル用ワークスタ
ンパとして多数回繰り返して使用できる。このため、従
来のような煩雑なプロセスを経ることがなく、コスト歩
留りなどの面で有利である。
耗性のあるダイヤモンド状のカーボン膜でＮｉスタンパ
の表面処理を行うため、そのままゾルゲル用ワークスタ
ンパとして多数回繰り返して使用できる。このため、従
来のような煩雑なプロセスを経ることがなく、コスト歩
留りなどの面で有利である。
また、Ｎｉスタンバとカーボン膜との間に付着強化層を
導入することにより、より安定したゾルゲル転写を行う
ことが出来る。この付着強化層には各種の材料を用いる
ことができるが、ＳｉまたはＳｉの酸化物、窒化物、炭
化物、ＧｅまたはＧｅの酸化物、窒化物、もしくはＣｒ
， Ｔｉ， Ｚｒ， Ｃｏ， Ｃｕ， Ａｇ， Ａｌ，
Ｓｎ， Ｐｂなとの金属を単独あるいは組み合せて使
用できる。
導入することにより、より安定したゾルゲル転写を行う
ことが出来る。この付着強化層には各種の材料を用いる
ことができるが、ＳｉまたはＳｉの酸化物、窒化物、炭
化物、ＧｅまたはＧｅの酸化物、窒化物、もしくはＣｒ
， Ｔｉ， Ｚｒ， Ｃｏ， Ｃｕ， Ａｇ， Ａｌ，
Ｓｎ， Ｐｂなとの金属を単独あるいは組み合せて使
用できる。
（実施例）
以下、実施例に基づき詳細に説明する。第１図および第
２図は、本発明のスタンバの概略断面図である。本発明
のスタンパは、前記した通常の方法で作製されたＮｉス
タンパ（マスク）１上にダイヤモンド状カーボン膜２を
形成してなる。また第２図に示すように、Ｎｉスタンバ
（マスク）１とダイヤモンド状カーボン膜２の間に付着
強化層を導入することにより安定したゾルゲル転写を行
うことができる。
２図は、本発明のスタンバの概略断面図である。本発明
のスタンパは、前記した通常の方法で作製されたＮｉス
タンパ（マスク）１上にダイヤモンド状カーボン膜２を
形成してなる。また第２図に示すように、Ｎｉスタンバ
（マスク）１とダイヤモンド状カーボン膜２の間に付着
強化層を導入することにより安定したゾルゲル転写を行
うことができる。
実施例１
通常の方法で作製されたＮｉスタンバ（マスク）１に、
ＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグロー放電ＣＶＤ法
により、ダイヤモンド状カーボン膜２を５００人威膜し
た。このようにして本発明によるゾルゲル用ワークスタ
ンバが作製できる。
ＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグロー放電ＣＶＤ法
により、ダイヤモンド状カーボン膜２を５００人威膜し
た。このようにして本発明によるゾルゲル用ワークスタ
ンバが作製できる。
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法につい
て述べる。
て述べる。
ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリエチレング
リコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスビンコ
ート法により塗布し、ゾルゲル層を２０００〜３０００
人形成した。ついで、先ほどのワークスタンバを減圧下
重ね合わせて押圧する。そのままの状態で、１００°Ｃ
、１０分間の一次焼戒を行った。
リコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスビンコ
ート法により塗布し、ゾルゲル層を２０００〜３０００
人形成した。ついで、先ほどのワークスタンバを減圧下
重ね合わせて押圧する。そのままの状態で、１００°Ｃ
、１０分間の一次焼戒を行った。
その後、ガラス基板をワークスタンパより離型し、３５
０°Ｃ、１０分間の二次焼威を行い、所望の微細パター
ンを有するガラス基板を得た。
０°Ｃ、１０分間の二次焼威を行い、所望の微細パター
ンを有するガラス基板を得た。
本発明によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆されたＮ
ｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行っても
、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル材
料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写が
繰り返しで′きた。
ｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行っても
、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル材
料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写が
繰り返しで′きた。
一方、通常の方法で作製されたＮｉスタンバをそのまま
用いた場合は、１０回程度の繰り返し使用で表面に傷が
付いた。また、ゾルゲル材料の付着も初期の段階から起
こり、スタンパの使用を繰り返すにつれて出来上りのゾ
ルゲル基板の欠陥が増加した。
用いた場合は、１０回程度の繰り返し使用で表面に傷が
付いた。また、ゾルゲル材料の付着も初期の段階から起
こり、スタンパの使用を繰り返すにつれて出来上りのゾ
ルゲル基板の欠陥が増加した。
実施例２
通常の方法で作製されたＮｉスタンパ（マスク）にスパ
ッタ法によりＳｉを１００人威膜した。ついで、このＳ
ｉ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグロー放電
ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５０ＯＡ
戒膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワー
クスタンバが作製できる。
ッタ法によりＳｉを１００人威膜した。ついで、このＳ
ｉ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグロー放電
ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５０ＯＡ
戒膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワー
クスタンバが作製できる。
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板の作製方法につい
て述べる。
て述べる。
ガラス基板上にテトラエトキシシラン、ポリエチレング
リコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピンコ
ート法により塗布し、ゾルゲル層を２０００〜ａｏｏｏ
Ａ形成した。ついで、先ほどのワークスタンパを減圧下
で重ね合わせて押圧する。そのままの状態で、１００°
Ｃ、１０分間の一次焼戒を行った。その後、ガラス基板
をワークスタンパより離型し、３５０’Ｃ、１０分間の
二次焼戒を行い、所望の微細パターンを有するガラス基
板を得た。
リコール、塩酸を含むエチルアルコール溶液をスピンコ
ート法により塗布し、ゾルゲル層を２０００〜ａｏｏｏ
Ａ形成した。ついで、先ほどのワークスタンパを減圧下
で重ね合わせて押圧する。そのままの状態で、１００°
Ｃ、１０分間の一次焼戒を行った。その後、ガラス基板
をワークスタンパより離型し、３５０’Ｃ、１０分間の
二次焼戒を行い、所望の微細パターンを有するガラス基
板を得た。
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆された
Ｎｉスタンバでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
Ｎｉスタンバでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
そのため、良好な転写が繰り返しできた。
一方、通常の方法で作製されたＮｉスタンパをそのまま
用いた場合は、１０回程度の繰り返し使用で表面に傷が
付いた。また、ゾルゲル材料の付着も初期の段階から起
こり、スタンバの使用を繰り返すにつれて出来上りのゾ
ルゲル基板の欠陥が増加した。
用いた場合は、１０回程度の繰り返し使用で表面に傷が
付いた。また、ゾルゲル材料の付着も初期の段階から起
こり、スタンバの使用を繰り返すにつれて出来上りのゾ
ルゲル基板の欠陥が増加した。
実施例３
通常の方法で作製されたＮｉスタンパ（マスク）に、ス
バッタ法によりＳｉ０２を１ｏｏＡ戒膜した。ついで、
このＳｉ０２層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣ
グロー放電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜
を５０ＯＡ戒膜した。このようにして本発明によるゾル
ゲル用ワークスタンパが作製できる。
バッタ法によりＳｉ０２を１ｏｏＡ戒膜した。ついで、
このＳｉ０２層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣ
グロー放電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜
を５０ＯＡ戒膜した。このようにして本発明によるゾル
ゲル用ワークスタンパが作製できる。
次に、ゾルゲル法を用いたガラス基板を実施例２と同様
に作製した。
に作製した。
実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆されたＮ
ｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行っても
、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル材
料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写が
繰り返しできた。
ｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行っても
、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル材
料の付着も認められなかった。そのため、良好な転写が
繰り返しできた。
実施例４
実施例３のＳｉ０２の代わりにＳｉ３Ｎ４を用いて、実
施例３と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
施例３と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
実施例１と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１００
回以上繰り返し使用しても、転写バタンの劣化は認めら
れなかった。
回以上繰り返し使用しても、転写バタンの劣化は認めら
れなかった。
実施例５
実施例３のＳｉ０２の代わりにＳｉＣを用いて、実施例
３と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
３と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
実施例３と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１００
回以上繰り返し使用しても、転写バタンの劣化は認めら
れなかった。
回以上繰り返し使用しても、転写バタンの劣化は認めら
れなかった。
実施例６
通常の方法で作製されたＮｉスタンパ（マスク）に、ス
バッタ法によりＧｅをｌＯＯＡ戒膜した。ついで、この
Ｇｅ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグリー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５００
Ａ或膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワ
ークスタンパが作製できる。
バッタ法によりＧｅをｌＯＯＡ戒膜した。ついで、この
Ｇｅ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグリー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５００
Ａ或膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワ
ークスタンパが作製できる。
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆された
Ｎｉスタンバでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
Ｎｉスタンバでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
そのため、良好な転写が繰り返しできた。
実施例７
実施例６のＧｅの代わりにＧｅ０２を用いて、実施例６
と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
実施例２と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１００
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。
回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認めら
れなかった。
実施例８
実施例６のＧｅの代わりにＧｅ３Ｎ４を用いて、実施例
６と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
６と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
実施例２と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１００
回以上繰り返し使用しても、転写バタンの劣化は認めら
れなかった。
回以上繰り返し使用しても、転写バタンの劣化は認めら
れなかった。
実施例９
通常の方法で作製されたＮｉスタンバ（マスク）に、ス
パッタ法によりＣｒをＩＯＯ人成膜した。ついで、この
Ｃｒ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いてＤＣグロー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５００
Ａ戒膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワ
ークスタンパが作製できる。
パッタ法によりＣｒをＩＯＯ人成膜した。ついで、この
Ｃｒ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いてＤＣグロー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５００
Ａ戒膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワ
ークスタンパが作製できる。
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆された
Ｎｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
Ｎｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
そのため、良好な転写が繰り返しできた。
実施例１０
通常の方法で作製されたＮｉスタンバ（マスク）に、ス
バッタ法によりＴｉを１ｏｏＡ戒膜した。ついで、この
Ｔｉ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いてＤＣグロー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５０Ｏ
Ａ或膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワ
ークスタンパが作製できる。
バッタ法によりＴｉを１ｏｏＡ戒膜した。ついで、この
Ｔｉ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いてＤＣグロー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５０Ｏ
Ａ或膜した。このようにして本発明によるゾルゲル用ワ
ークスタンパが作製できる。
本実施例によるダイヤモンド状カーボン膜で被覆された
Ｎｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
Ｎｉスタンパでは、１００回以上ゾルゲル転写を行って
も、スタンパ面に傷が付くこともなく、また、ゾルゲル
材料の付着も認められなかった。
そのため、良好な転写が繰り返しできた。
実施例ｌ１
通常の方法で作製されたＮｉスタンパ（マスク）に、ス
パッタ法によりＣｕをＩＯＯＡ或膜した。ついで、この
Ｃｕ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグロー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５０Ｏ
Ａ戒膜した。このようにして本発明ゾルゲル用ワークス
タンパが作製できる。
パッタ法によりＣｕをＩＯＯＡ或膜した。ついで、この
Ｃｕ層上にＣＨ４／Ｈ２混合ガスを用いたＤＣグロー放
電ＣＶＤ法により、ダイヤモンド状カーボン膜を５０Ｏ
Ａ戒膜した。このようにして本発明ゾルゲル用ワークス
タンパが作製できる。
実施例１２
実施例１１のＣｕの代わりにＺｒを用いて、実施例１１
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
実施例１１と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１０
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
実施例１３
実施例１１のＣｕの代わりにＣｏを用いて、実施例１１
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
実施例１１と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１０
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
実施例１４
実施例１１のＣｕの代わりにＡｇを用いて、実施例ｌ１
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
実施例１１と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１０
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
らなかった。
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
らなかった。
実施例１５
実施例１１のＣｕの代わりにＡ１を用いて、実施例ｌ１
と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
実施例１１と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１０
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
実施例１６
実施例１１のＣｕの代わりにＳｎを用いて、実施例１１
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
と同様にゾルゲル用ワークスタンパを作製した。
実施例１１と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１０
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
実施例１７
実施例１１のＣｕＯ代わりにｐｂを用いて、実施例１１
と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
と同様にゾルゲル用ワークスタンバを作製した。
実施例１１と同様にゾルゲル転写を行ったところ、１０
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
０回以上繰り返し使用しても、転写パタンの劣化は認め
られなかった。
（発明の効果）
以上述べてきたように、本発明によるスタンパは、従来
のスタンパに比べて短い工程で作製でき、歩留りあるい
はコストの面で有利であり、その工業上の意義は大きい
。
のスタンパに比べて短い工程で作製でき、歩留りあるい
はコストの面で有利であり、その工業上の意義は大きい
。
第１図および第２図は本発明によるスタンパの概略断面
図である。
図である。
Claims (2)
- （１）微細な凹凸を有するＮｉ薄板の上に、ダイヤモン
ド状カーボン層を形成したことを特徴とするスタンパ。 - （２）微細な凹凸を有するＮｉ薄板の上に、付着強化層
、ダイヤモンド状カーボン層を順次形成したことを特徴
とするスタンパ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153976A JP2800274B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | スタンパ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153976A JP2800274B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | スタンパ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319154A true JPH0319154A (ja) | 1991-01-28 |
| JP2800274B2 JP2800274B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=15574195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1153976A Expired - Lifetime JP2800274B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | スタンパ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2800274B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1008105C2 (nl) * | 1998-01-23 | 1999-07-26 | Axxicon Moulds Eindhoven Bv | Spuitgietmatrijs. |
| EP1048427A2 (en) * | 1999-04-26 | 2000-11-02 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Molding die, sol-gel composition produced using the die, and process for producing sol-gel composition |
| JP2006150807A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Hitachi Maxell Ltd | 微細構造体成形用型材、微細構造体成形用型材の作製方法及び微細構造体の成形方法 |
| JP2007116163A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Korea Inst Of Machinery & Materials | 微細インプリントリソグラフィ用スタンプ及びその製造方法 |
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| JP2009149097A (ja) * | 2009-02-04 | 2009-07-09 | Toshiba Corp | インプリント加工用スタンパーおよびその製造方法 |
Citations (1)
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