JPH03190156A - 半導体装置用リードフレーム用材及び半導体装置用リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレーム用材の構造的改良
と半導体装置用リードフレームの製造方法の改良とに関
する。特に、半導体装置用リードフレームのインナーリ
ードの平坦領域の幅を十分大きくしながら、このインナ
ーリードのピッチを十分小さくする改良に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置用リードフレームとは、例えば４２ニッケル
合金等の板を成形して製造した板状体よりなり、半導体
装置の製造工程に使用される中間部材である。この半導
体装置用リードフレームとその製造方法とを、図面を参
照して略述する。

第２図参照 図は、従来技術に係る半導体装置用リードフレームの１
例の平面図である。

図において、１０は所望の形状に成形されたリードフレ
ームであり、１３は半導体チップ１４がその上に搭載さ
れるアイランドであり、このアイランド１３は支持バー
１５を介して保持バー１６に一体的に連結されている。

こ−で、保持バー１６は額縁状の形状を有し、支持−バ
ー１５を介してアイランド１３を支持すると−もに、下
記する接続導体２も支持する。

この接続導体２の一端は、上記のアイランド１３の近傍
にこれとは絶縁されて配列され、その他端は、上記のと
おり、保持バー１６に一体的に連結されている。１７は
半導体チップ１４のポンディングパッドであり、半導体
チップ１４が上記のアイランド１３上に載置された後、
ボンディングワイヤ（図示せず）をもって各接続導体２
と接続されるために使用される。

従来技術に係る半導体装置用リードフレームの製造方法
には、ウェットエツチング法を使用して成形する方法と
プレス打抜き法を使用して成形する方法とがある。

第３図参照 まず、ウェットエツチング法を使用してなす半導体装置
用リードフレームの製造方法について略述する。

図はウェットエツチング法を使用して製造された半導体
装置用リードフレームの接続導体２の断面図の１例（具
体的には、第２図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）
である０図において、２は接続導体２の先端部（ボンデ
ィングがなされる領域であり、以下、この接続導体をイ
ンナーリードと云う、）の上面の平坦な領域の幅であり
（接続導体の長手方向と直交する方向の長さ）であり、
Ｐはインナーリード２のピッチである。

ウェットエツチング法を使用してなす半導体装置用リー
ドフレームを製造するには、金属板（図示せず）の両面
上にレジスト等の膜（図示せず）を形成し、このレジス
ト膜が形成されている金属板の両面上に、リードフレー
ムの平面パターンを代表するフォトマスクを対接させて
、上記のレジスト等を露光した後現像してエツチング用
マスクを製造する。つぎに、上記のエツチング用マスク
がその上に形成されている金属板の両面からエツチング
液を噴射して、エツチングを実施して金属板を半導体装
置用リードフレームの平面パターンに対応した形状に成
形する。このウェットエツチング工程においては、その
等方性特性にもとづき、いわゆるサイドエツチングは避
は難く、エツチング形状は図示するようになり、その厚
さ方向の中間に突起２５が残留することは避は難い、最
後に、使用済みのレジストを除去して、所望の形状に成
形された金属板よりなるリードフレーム１０を製造する
。

第４図参照 つぎに、プレス打抜き法を使用してなす半導体装置用リ
ードフレームの製造方法について説明する０図は、半導
体装置用リードフレームの平面パターンに適合した雄・
雌金型を使用して金属板（図示せず）を打抜いて、リー
ドフレームの形状に成形された金属板よりなるリードフ
レーム１０の接続導体２の断面の１例（具体的には第２
図にＣ−Ｃをもって示す領域の断面図）である、このプ
レス打抜き法を使用して製造した半導体装置用リードフ
レームの接続導体２の断面は不可避的に台形になる０図
において、ｌ−２′は接続導体２の先端部（ボンディン
グがなされる領域）の上・下面の平坦な領域の幅であり
、Ｐはインナーリードピッチである。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記したとおり、従来技術に係る半導体装置用リードフ
レームにおいては、以下の欠点が避は難い。

半導体チップのポンディングパッドを各接続導体２とボ
ンディング接続するワイヤボンディングの関係上、イン
ナーリード２の少なくとも先端部（ワイヤボンディング
される領域）の上・下面の平坦な領域の幅（第３図・第
４図の２）は、ある程度以上である必要があり、従来技
術においては、最小１００ｎ程度必要とされている。

しかし、リードフレームを構成する金属板の厚さが１５
０ｎの場合、ウェットエツチング法を使用しで製造する
と、インナーリードの厚さの中央部に突起２５が不可避
的に形成されることは、上記のとおりである。そのため
、インナーリードの少なくとも先端部（ワイヤボンディ
ングされる領域）の上面の平坦な領域の幅（第３図の１
）を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようと
すると、上記の突起２５相互間の距離が小さくなり、接
続導体相互間が短絡するおそれが発生するので、インナ
ーリードのピッチＰも同時に大きくせざるを得す、従来
技術において可能な最小のインナーリードのピッチＰの
値は２００ｎである。

また、リードフレームを構成する金属板の厚さが１５０
ｎの場合、打ち抜き法を使用する場合は、上記のとおり
、インナーリードの上面の平坦な領域の幅（第４図の２
）が下面の平坦な領域の幅（第４図の２′）より小さく
なるなるため、インナーリードの少なくとも先端部（ワ
イヤボンディングされる領域）の上面の平坦な領域の幅
！を大きくしてワイヤボンディング特性を向上しようと
すると、下面相互間の距離が小さくなり、接続導体相互
間が短絡するおそれが発生するので、インナーリードの
とッチＰも同時に大きくせざるを得す、従来技術におい
て可能な最小なインナーリードのピッチＰの値は２００
ｎである。

ところで、最近広く使用されている多用途半導体集積回
路（ＡＳＩＣ）等においてはピン数が増加し、そのため
、インナーリードピッチＰを１８０、ｎ以下にすること
が要求されているが、上記の理由により、インナーリー
ドの上・下面の平垣な領域の幅２・２′を１００ｎ以上
にし、しかも、インナーリードピッチＰを１８０ｎ以下
にすることは従来技術においては困難である。

このように、従来技術に係る半導体装置用リードフレー
ムにおいては、インナーリードのピッチＰの長さとワイ
ヤポンディングされる領域の幅ｌとは、二律排反の関係
にあり、両者の要請を同時に満足することは容易ではな
いと云う欠点が避は難い。

本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、エツ
チング法を使用して製造された、インナーリードの先端
部の上・下面の平坦な領域の幅が１００ｎ以上であり、
且つ、インナーリードピッチが１８０ｎ以下である半導
体装置用リードフレームを実現するために必要な中間部
材（半導体装置用リードフレーム用材）とこの中間部材
を直接使用してなす半導体装置用リードフレームの製造
方法を提供することにある。

（１１Ｂを解決するための手段〕 上記の第１の目的（半導体装置用リードフレーム用材の
提供）は、金属板の一部領域に開口（１１）が形成され
て、前記の金属板の残留した一部領域をもって半導体装
置用リードフレームの接続導体（２）の一部（２１）と
厚さが減少されている保持バー（１６）と支持バー（１
５）とこの支持バー（１５）によって支持されるアイラ
ンド（１３）とが形成されて半導体装置用リードフレー
ムの第１の半部（３）が形成されており、金属板の一部
領域に開口（４１）が形成されて、前記の金属板の残留
した一部領域をもって半導体装置用リードフレームの接
続導体（２）の残部（２２）と厚さが減少されている保
持バー（１６）とが形成されて半導体装置用リードフレ
ームの第２の半部（５）が形成されており、前記の半導
体装置用リードフレームの第１の半部（３）の前記の厚
さが減少されている保持バー（１６）の一部領域に光学
的位置合わせ用第１基準（６）が形成されており、前記
の半導体装置用リードフレームの第２の半部（５）の前
記の厚さが減少されている保持バー（１６）の一部領域
に、前記の光学的位置合わせ用第１基準（６）に対応し
て光学的位置合わせ用第２基準（７）が形成されている
半導体リードフレーム用材によって達成される。

上記の第２の目的（上記の半導体リードフレーム用材を
使用して半導体装置用リードフレームを製造する方法の
提供）は、請求項［１］記載の半導体装置用リードフレ
ームの第１の半部（３）の光学的位置合わせ用第１基準
（６）と、請求項［１］記載の半導体装置用リードフレ
ームの第２の半部（５）の光学的位置合わせ用第２基準
（７）と、前記の第１基準（６）と前記の第２基準（７
）とを合致させる光学的位置合わせ制御手段（８）とを
使用して、前記の半導体装置用リードフレームの第１の
半部（３）と前記の半導体装置用リードフレームの第２
の半部（５）とを位置合わせし、前記の第１の半部（３
）と前記の第２の半部（５）とを接合して半導体装置用
リードフレームを製造する半導体装置用リードフレーム
の製造方法によって達成される。

また、上記の第２の目的（半導体装置用リードフレーム
の製造方法）は、金属板の一部領域に開口（１１）を形
成して半導体装置用リードフレームの接続導体（２）の
一部（２１）と保持バー（１６）と支持バー（１５）と
この支持バー（１５）によって支持されるアイランド（
１３）とを形成し、前記の保持バー（１６）の厚さを減
少して半導体装置用リードフレームの第１の半部（３）
を形成し、金属板の一部領域に開口（４１）を形成して
半導体装置用リードフレームの接続導体（２）の残部（
２２）と保持バー（１６）とを形成し、前記の保持バー
（１６）の厚さを減少して半導体装置用リードフレーム
の第２の半部（５）を形成し、前記の半導体装置用リー
ドフレームの第１の半部（３）の前記の保持バー（１６
）の一部領域に光学的位置合わせ用第１基準（６）を形
成し、前記の半導体装置用リードフレームの第２の半部
（５）の前記の保持バー（１６）に、前記の光学的位置
合わせ用第１基準（６）に対応して光学的位置合わせ用
第２基準（７）を形成し、前記の光学的位置合わせ用第
１基準（６）と前記の光学的位置合わせ用第２基準（７
）と前記の第１基準（６）と前記の第２基準（７）とを
合致させる光学的位置合わせ制御手段（８）とを使用し
て、前記の半導体装置用リードフレームの第１の半部（
３）と前記の半導体装置用リードフレームの第２の半部
（５）とを位置合わせし、前記の第１の半部（３）と前
記の第２の半部（５）とを接合して半導体装置用リード
フレームを製造する半導体装置用リードフレームの製造
方法によっても達成される。

〔作用〕

本発明は、金属板を成形して半導体装置用リードフレー
ムの接続導体（２）の交互に選択された半数（２１）と
厚さが減少されている保持バー（１６）と支持バー（１
５）とこの支持バー（１５）によって支持されるアイラ
ンド（１３）とが形成されているリードフレームの第１
の半部（３）と、金属板を成形して半導体装置用リード
フレームの接続導体（２）の残部（２２）と厚さが減少
されている保持バー（１６）とが形成されているリード
フレームの第２の半部（５）との相互に対接する保持バ
ー（１６）の厚さが減少された面を相互に対接させ、第
１の半部（３）と第２の半部（５）とを重ね合わせれば
、この重ね合わされたリードフレーム用材のインナーリ
ードピッチは、第１の半部（３）または第２の半部（５
）のそれぞれのインナーリードピッチの１／２になると
の着想にもとづいてなされたものである。しかし、この
着想を具体化するためには、上記の第１の半部（３）と
上記の第２の半部（５）との位置合わせが容易ではない
、そのため、上記の着想を具体化するためには、上記二
つの半部（３）・　（５）を正確に位置合わせする手段
が必要となる。

本発明におけるこの位置合わせ手段は、上記の第１の半
部（３）の厚さが減少された保持バー（１６）と第２の
半部（５）の厚さが減少された保持バー（１６）とが貼
り合わされる面に光学的位置合わせ用第１基準（例えば
マーク）（６）とこの第１基準（例えばマーク）（６）
に対応する第２基準（例えば上記のマークとの相対位置
を視認しうる孔）（７）とを形成しておき、上記の第１
基準（例えばマーク）（６）と上記の第２基準（例えば
上記のマークとの相対位置を視認しうる孔）（７）とを
合致させる光学的位置合わせ制御手段（８）とを使用し
て上記の第１の半部（３）と上記の第２の半部（５）と
の位置合わせを実現すると云うものである。

この基準（６）・　（７）は、必要にして十分な散設け
ればよい、換言すれば、第１ａ図・第１ｂ図に示すよう
に、いわゆる短冊型である場合は少なくとも２個設けれ
ばよく、連続ストリップの場合は適切な間隔をもって設
ければよい。

このようにして位置合わせされた第１の半部（３）と第
２の半部（５）とを、スポット溶接法等を使用して接合
して半導体装置用リードフレームを形成する。

この結果、インナーリードの先端部の上・下面の平坦な
領域の幅が１００ｎ以上であり、且つ、インナーリード
ピッチが１８０ｎ以下である半導体装置用リードフレー
ムを高い再現性をもって製造することが可能となる。

〔実施例〕

以下、図面を参照つ＼、本発明の一実施例に係る半導体
装置用リードフレーム用材と半導体装置用リードフレー
ムの製造方法とについて説明する。

第１ａ図、第１ｂ図、第１ｃ図、第１ｊ図、第１に図参
照 第１ａ図は、短冊状をなす金属板を成形して形成された
複数個（本例においては５個）のリードフレームを製造
するための第１の半部３の連続体の平面図である。

また、第１ｂ図は第１ａ図に示すリードフレームの第１
の半部３（ｌチップ相当分）を拡大して示した平面図で
ある。

図において、１１は金属板の一部領域に形成された開口
である。２１はリードフレームの接続導体２の交互に選
択された半数である。１３はその上に半導体チップ（図
示せず）が搭載される半導体チップ搭載用アイランドで
あり、１５は上記のアイランド１３を支持する支持バー
である。１６は厚さが減少されている保持バーであり、
接続導体２と支持バー１５とを支持する。この厚さが減
少されている保持バー１６は、リードフレームの第１の
半部３にあっては、例えば、その上面から厚さが減縮さ
れている。この厚さが減少されている保持バー１６の厚
さは、金属板の厚さの１／２に減縮することが現実的で
ある。

６が本発明の要旨に係る光学的位置合わせ用第１基準で
あり厚さが減少されている保持バー１６に設けられる。

本実施例においては、例えば＋マークである。また、上
記の金属板の材料としては、例えば、銅合金・４２合金
・ステンレス・ニッケル等が適当であり、加工法として
はエツチング法が現実的である。

第１ｃ図は、第１ｂ図のＡ−Ａ断面図であり、第１ｊ図
は第１ｂ図に一点鎖線をもって囲まれた領域Ｇの概念的
拡大図であり、第１に図は、第１ｊ図のＥ−Ｅ断面図で
ある。

第１ｄ図、第１ｅ図、第１ｆ図、第１！図、第１ｍ図参
照 第１ｄ図は、短冊状の金属板を成形して形成された複数
個（本例においては５個）のリードフレームの第２の半
部５の連続体の平面図である。

また、第１ｅ図は第１ｄ図に示すリードフレームの第２
の半部５を拡大して示した平面図である。

図において、４１は金属板の一部領域に形成された開口
である。２２はリードフレームの接続導体２の交互に選
択された残りの半数である。１６は厚さが減少されてい
る保持バーであるが、図において、紙面の裏側から厚さ
が減縮されている。この厚さが減少されている保持バー
１６によって上記の接続導体２２が保持されていること
は第１の半部３の場合と同一である。この厚さが減少さ
れている保持バー１６の厚さは、金属板の厚さの１／２
に減縮することが現実的である。

７が本発明の要旨に係る光学的位置合わせ用第２基準で
あり、本実施例においては、例えば方形の孔である。ま
た、上記の金属板の材料としては、例えば銅合金・４２
合金・ステンレス・ニッケル等が適当であり、加工法と
してはエツチング法が現実的である。

第１ｆ図は、第１ｅ図のＢ　−Ｂ断面図であり、第１２
図は第１ｅ図に一点鎖線をもって囲まれた領域Ｈの概念
的拡大図であり、第１ｍ図は、第１！図のＦ　−Ｆ断面
図である。

第１ｇ図、第１ｈ図、第１１図参照 第１ｇ図は、第１ｂ図に示す半導体装置用リードフレー
ムの第１の半部３と第１ｅ図に示す第２の半部５とで構
成された半導体フレームの位置合わせ工程が完了した状
態を示す断面図であり、第１ｂ図に示すＪ　−Ｊ断面と
第１ｅ図に示すＫ　−Ｋ断面との重ね合わせ図である。

第１ｈ図は第１の半部３と第２の半部５とがスポット接
続されて完成されたリードフレーム１０の平面図である
。第１１図は第１ｈ図のＤ　−Ｄ断面図である。

第１ｇ図において、８は光学的位置合わせ制御手段であ
り、この光学的位置合わせ制御手段８は、光学系８１と
光源８２と位置検知・制御手段８３とから構成される。

上記の位置検知・制御手段８３は、上記の第１の半部３
に形成された＋マーク６と上記の第２の半部５に形成さ
れた方形の孔７との相対的位置関係を検出し、その結果
にもとづいて、第２の半部５を真空チャック等の拘束手
段をもって支持しながら搬送する搬送手段（図示せず）
に位置制御信号を出力する。第１の半部３と第２の半部
５との位置合わせは、上記の方形の孔７の４個の頂点と
上記の＋マークの４個の先端とが合致するようにして実
現される。その他の符号は第ｔｂ図、第１ｄ図と同一で
あるので符号の説明は省略する。

上記のリードフレームの第１の半部３と第２の半部５と
をもって半導体装置用リードフレームを製造するには、
まず、第１ｇ図に図示するように、リードフレームの第
１の半部３をステージ１００上に載置し、上記の搬送手
段（図示せず）を使用して、リードフレームの第２の半
部５を第１の半部３上に搬送し、第１の半部３上の至近
距離まで接近させる。この状態で光源８２をもって照射
し、上記の位置検知・制御手段８３を使用して第２の半
部５に形成された方形の孔７を通して第１の半部３上に
形成された十字のマーク６の位置を検出する。この位置
検出結果にもとづいて、位置制御信号が第２の半部５を
搬送する搬送手段（図示せず）に出力され、この搬送手
段が上記の孔７の方形の４個の頂点と上記の＋マーク６
の４個の先端とが合致するように第２の半部５を微細に
移動して、第１の半部３と第２の半部５との位置合わせ
が完了される０位置合わせが完了された第２の半部５は
搬送手段に設けられている真空チャック等の拘束手段の
拘束を解除され、２枚の両半部３・５は重ね合わされる
。つぎに、第１ｈ図・第１１図に図示するように、上記
の重ね合わされたリードフレームの第１の半部３と第２
の半部５とを、厚さが減少されている保持バー１６上の
適当な領域例えば９をもって図示する点においてレーザ
スポット溶接等を実行して一体に接着し、半導体装置用
このようにして製造された半導体装置用リードフレーム
は、厚さ１５０ｎの場合に、インナーリードの上・下面
の平坦な領域の幅を１０Ｏｎとし、インナーリードピッ
チを１５０ｎとすることができた。

〔発明の効果〕

以上説明せるとおり、本発明に係る半導体装置用リード
フレームは、それぞれがリードフレームの接続導体の半
数を、厚さが減縮された保持バーが保持するようにされ
た第１の半部と第２の半部とが、厚さが減縮されたそれ
ぞれの保持バーの対応する領域に設けられた１対の光学
的位置合わせ用基準と、これらの基準を合致させる光学
的位置合わせ制御手段とをもって位置合わせされ、この
両半部が上記の厚さがｔｊＩｉ縮された保持バーをもっ
て重ね合わされた後、この重ね合わされた領域の一部に
おいてスポット溶接等がなされて製造されるので、従来
技術をもってしては製造が困難であった板厚が１５０ｎ
である金属板を材料とし、インナーリードの上・下面の
平坦な領域の幅を約１００ｎと十分大きくし、しかも、
リードピッチを１８０ｎ以下と十分小さくすることが、
高い再現性をもって実現可能となり、その結果、３００
ピン以上の超多ビンを有する半導体装置に使用しうる半
導体装置用リードフレームを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１ａ図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームを構成する第１の半部の連続体の平面図であ
る。 第１ｂ図は、第１ａ図に示す第１の半部の拡大平面図で
ある。 第１ｃ図は、第１ｂ図に示す第１の半部のＡ−Ａ断面図
である。 第１ｄ図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームを構成する第２の半部の連続体の平面図であ
る。 第１ｅ図は、第１ｄ図に示す第２の半部の拡大平面図で
ある。 第１ｒ図は、第１ｅ図に示す第２の半部のＢ　−Ｂ断面
図である。 第１ｇ図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームの製造方法の位置合わせ工程が完了した状態
を示す断面図である。 第１ｈ図は、本発明の一実施例に係る半導体装置用リー
ドフレームの完成した状態の平面図である。 第１１図は、第１ｇ図に示すリードフレームのＤ−Ｄ断
面図である。 第１ｊ図は、第１ｂ図に１点鎖線をもって囲まれた領域
Ｇの概念的拡大図である。 第１に図は、第１１図に示すＥ　−Ｅ断面図である。 第１２図は、第１ｅ図に１点鎖線をもって囲まれた領域
Ｈの概念的拡大図である。 第１ｍ図は、第１に図に示すＦ　−Ｆ断面図である。 第２図は、従来技術に係る半導体装置用リードフレーム
の平面図である。 第３図は、従来技術に係るウェットエツチング法を使用
して製造されたインナーリードの断面図である。 第４図は、従来技術に係るプレス打抜き法を使用して製
造されたインナーリードの断面図である。 ２２・ 半導体装置用リードフレーム、 金属板における開口、 アイランド、 半導体チップ、 支持バー 保持バー ポンディングパッド、 接続導体、 接続導体の１部（第１の半部に設けられる接続導体、 ・接続導体の残部（第２の半部に設けられる接続導体、 第１の半部、 金属板における開口、 第２の半部、 光学的位置合わせ用第１基準、 光学的位置合わせ用第２基準、 ８　・ ８１・ ８２・ ８３・ ９　・ 光学的位置合わせ制御手段、 光学系、 光源、 位置検知・制御手段、 第１の半部と第２の半部とが接合される位置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］金属板の一部領域に開口（１１）が形成されて、
   前記金属板の残留した一部領域をもって半導体装置用リ
   ードフレームの接続導体（２）の一部（２１）と厚さが
   減少されてなる保持バー（１６）と支持バー（１５）と
   該支持バー（１５）によって支持されるアイランド（１
   ３）とが形成されて半導体装置用リードフレームの第１
   の半部（３）が形成されてなり、 金属板の一部領域に開口（４１）が形成されて、前記金
   属板の残留した一部領域をもって半導体装置用リードフ
   レームの接続導体（２）の残部（２２）と厚さが減少さ
   れてなる保持バー（１６）とが形成されて半導体装置用
   リードフレームの第２の半部（５）が形成されてなり、 前記半導体装置用リードフレームの第１の半部（３）の
   前記厚さが減少されてなる保持バー（１６）の一部領域
   に光学的位置合わせ用第１基準（６）が形成されてなり
   、 前記半導体装置用リードフレームの第２の半部（５）の
   前記厚さが減少されてなる保持バー（１６）の一部領域
   に、前記光学的位置合わせ用第１基準（６）に対応して
   光学的位置合わせ用第２基準（７）が形成されてなる ことを特徴とする半導体リードフレーム用材。 ［２］請求項［１］記載の半導体装置用リードフレーム
   の第１の半部（３）の光学的位置合わせ用第１基準（６
   ）と、請求項［１］記載の半導体装置用リードフレーム
   の第２の半部（５）の光学的位置合わせ用第２基準（７
   ）と、前記第１基準（６）と前記第２基準（７）とを合
   致させる光学的位置合わせ制御手段（８）とを使用して
   、前記半導体装置用リードフレームの第１の半部（３）
   と前記半導体装置用リードフレームの第２の半部（５）
   とを位置合わせし、 前記第１の半部（３）と前記第２の半部（５）とを接合
   して半導体装置用リードフレームを製造する ことを特徴とする半導体装置用リードフレームの製造方
   法。 ［３］金属板の一部領域に開口（１１）を形成して半導
   体装置用リードフレームの接続導体（２）の一部（２１
   ）と保持バー（１６）と支持バー（１５）と該支持バー
   （１５）によって支持されるアイランド（１３）とを形
   成し、前記保持バー（１６）の厚さを減少して半導体装
   置用リードフレームの第１の半部（３）を形成し、 金属板の一部領域に開口（４１）を形成して半導体装置
   用リードフレームの接続導体（２）の残部（２２）と保
   持バー（１６）とを形成し、前記保持バー（１６）の厚
   さを減少して半導体装置用リードフレームの第２の半部
   （５）を形成し、 前記半導体装置用リードフレームの第１の半部（３）の
   前記保持バー（１６）の一部領域に光学的位置合わせ用
   第１基準（６）を形成し、前記半導体装置用リードフレ
   ームの第２の半部（５）の前記保持バー（１６）に、前
   記光学的位置合わせ用第１基準（６）に対応して光学的
   位置合わせ用第２基準（７）を形成し、前記光学的位置
   合わせ用第１基準（６）と前記光学的位置合わせ用第２
   基準（７）と前記第１基準（６）と前記第２基準（７）
   とを合致させる光学的位置合わせ制御手段（８）とを使
   用して、前記半導体装置用リードフレームの第１の半部
   （３）と前記半導体装置用リードフレームの第２の半部
   （５）とを位置合わせし、前記第１の半部（３）と前記
   第２の半部（５）とを接合して半導体装置用リードフレ
   ームを製造することを特徴とする半導体装置用リードフ
   レームの製造方法。