JPH03188614A - チップ型固体電解コンデンサ - Google Patents
チップ型固体電解コンデンサInfo
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- JPH03188614A JPH03188614A JP32789389A JP32789389A JPH03188614A JP H03188614 A JPH03188614 A JP H03188614A JP 32789389 A JP32789389 A JP 32789389A JP 32789389 A JP32789389 A JP 32789389A JP H03188614 A JPH03188614 A JP H03188614A
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
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-
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- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、導電性高分子を固体電解質とするチップ型固
体電解コンデンサに関するものである。
体電解コンデンサに関するものである。
従来の技術
゛近年、電子機器のデジタル化に伴って、そこに使用さ
れるコンデンサも高周波領域においてインピーダンスが
低く、かつ小型で大容量化したものへの要求が高まって
いる。高周波化に対応するためには、電解コンデンサの
等価直列抵抗をできるだけ小さくすることが必要である
。
れるコンデンサも高周波領域においてインピーダンスが
低く、かつ小型で大容量化したものへの要求が高まって
いる。高周波化に対応するためには、電解コンデンサの
等価直列抵抗をできるだけ小さくすることが必要である
。
そこで近年開発されてきている導電性高分子を用いた固
体電解コンデンサでは、導電性高分子の電導度が102
S/cln程度と、二酸化マンガン(10−2S /
an)やTCNQ塩(100S/cm)に比べて非常に
高く、またポリマーの熱安定性も非常に高いため、イン
ピーダンスの周波数特性、及び広い範囲での温度特性の
安定した理想的な特性を有する電解コンデンサを提供す
ることが可能となってきている。
体電解コンデンサでは、導電性高分子の電導度が102
S/cln程度と、二酸化マンガン(10−2S /
an)やTCNQ塩(100S/cm)に比べて非常に
高く、またポリマーの熱安定性も非常に高いため、イン
ピーダンスの周波数特性、及び広い範囲での温度特性の
安定した理想的な特性を有する電解コンデンサを提供す
ることが可能となってきている。
しかし、高周波化が進んでコンデンサのリード線の部分
に起因するインダクタンス分についてもできるだけ小さ
くする必要性と、また電子機器の軽薄短小化に伴って回
路基板の実装効率を上げるために、回路基板上の占有面
積を最小にする必要から、いわゆる縦型のチップ部品が
要望されるようになってきている。
に起因するインダクタンス分についてもできるだけ小さ
くする必要性と、また電子機器の軽薄短小化に伴って回
路基板の実装効率を上げるために、回路基板上の占有面
積を最小にする必要から、いわゆる縦型のチップ部品が
要望されるようになってきている。
以下、従来のチップ型固体電解コンデンサについて説明
する。第7図は導電性高分子を固体電解質とした従来の
面実装対応のチップ型固体電解コンデンサの構成を示し
たもので、aは陽極箔を捲回したコンデンサ素子の斜視
図であり、またbは陽極箔を積層したコンデンサ素子の
斜視図である。各々のコンデンサ素子1の構成は、エツ
チングした陽極箔に陽極酸化皮膜の誘電体を形成し、そ
の上の陽極引出し部具外の部分に、導電性高分子層、グ
ラファイト層、銀ペイント層を形成してコンデンサ素子
1とし、そしてこのコンデンサ素子1と平行になるよう
に陽極端子2と陰極端子3を接続し、その後、トランス
ファーモールドやキャスティング等により外装を施し、
第8図に示すような高さ方向に対して床面積を大きく占
有する低背型のチップ型固体電解コンデンサ4を構成し
ていた。
する。第7図は導電性高分子を固体電解質とした従来の
面実装対応のチップ型固体電解コンデンサの構成を示し
たもので、aは陽極箔を捲回したコンデンサ素子の斜視
図であり、またbは陽極箔を積層したコンデンサ素子の
斜視図である。各々のコンデンサ素子1の構成は、エツ
チングした陽極箔に陽極酸化皮膜の誘電体を形成し、そ
の上の陽極引出し部具外の部分に、導電性高分子層、グ
ラファイト層、銀ペイント層を形成してコンデンサ素子
1とし、そしてこのコンデンサ素子1と平行になるよう
に陽極端子2と陰極端子3を接続し、その後、トランス
ファーモールドやキャスティング等により外装を施し、
第8図に示すような高さ方向に対して床面積を大きく占
有する低背型のチップ型固体電解コンデンサ4を構成し
ていた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記従来の構成では、−枚の回路基板上
に多くの部品を高密度で実装する場合には、回路基板上
で大きな面積を占有してしまうため、プリント配線を短
くして、高周波領域で効率的な高密度実装が行いにくく
、セットの軽薄短小化の妨げとなるという課題があった
。
に多くの部品を高密度で実装する場合には、回路基板上
で大きな面積を占有してしまうため、プリント配線を短
くして、高周波領域で効率的な高密度実装が行いにくく
、セットの軽薄短小化の妨げとなるという課題があった
。
本発明はこのような従来の課題を解決するもので、導電
性高分子を固体電解質として用いて高周波領域で低イン
ピーダンス化に適した大容量のチップ型固体電解コンデ
ンサを提供し、高周波駆動の回路基板の効率的な高密度
実装を可能にすることを目的とするものである。
性高分子を固体電解質として用いて高周波領域で低イン
ピーダンス化に適した大容量のチップ型固体電解コンデ
ンサを提供し、高周波駆動の回路基板の効率的な高密度
実装を可能にすることを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明のチップ型固体電解コ
ンデンサは、弁金属板または弁金属箔上に形成した陽極
酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定の部分に導電
性高分子層および導電体層を順次形成した構造のコンデ
ンサ素子板と、このコンデンサ素子板の前記誘電体が露
出した一方の部分と、導電体層を形成した前記所定の他
方の部分とを互いに対応させて複数枚積層し、一方の導
電体層間を導電ペーストで結合した構造を有するコンデ
ンサ素子板積層体のいずれか一つと、前記コンデンサ素
子板またはコンデンサ素子板積層体に接続され、かつ接
続部以外に平坦部分を少なくとも有する半田付は可能な
金属からなる陽極リード端子および陰極リード端子とを
具備し、前記陽極リード端子および陰極リード端子の平
坦部分と前記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板
積層体とが垂直となるように配置し、かつ前記陽極リー
ド端子および陰極リード端子の平坦部分が外部に露出す
るように外装するとともに、陽極リード端子および陰極
リード端子の平坦部分を含む面を底面としたものである
。
ンデンサは、弁金属板または弁金属箔上に形成した陽極
酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定の部分に導電
性高分子層および導電体層を順次形成した構造のコンデ
ンサ素子板と、このコンデンサ素子板の前記誘電体が露
出した一方の部分と、導電体層を形成した前記所定の他
方の部分とを互いに対応させて複数枚積層し、一方の導
電体層間を導電ペーストで結合した構造を有するコンデ
ンサ素子板積層体のいずれか一つと、前記コンデンサ素
子板またはコンデンサ素子板積層体に接続され、かつ接
続部以外に平坦部分を少なくとも有する半田付は可能な
金属からなる陽極リード端子および陰極リード端子とを
具備し、前記陽極リード端子および陰極リード端子の平
坦部分と前記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板
積層体とが垂直となるように配置し、かつ前記陽極リー
ド端子および陰極リード端子の平坦部分が外部に露出す
るように外装するとともに、陽極リード端子および陰極
リード端子の平坦部分を含む面を底面としたものである
。
作用
上記した構成のチップ型固体電解コンデンサは、コンデ
ンサ素子部分と、陽極リード端子および陰極リード端子
の外装外に露出した、いわゆるリード端子部分とが垂直
に配置されているため、大容量化のためにコンデンサ素
子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場合、回
路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その占有面
積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚積層す
る場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅が広く
ならない限り、回路基板上の占有面積は少なくなるため
、高周波回路の高密度実装においては、インピーダンス
の面で有利となる。
ンサ素子部分と、陽極リード端子および陰極リード端子
の外装外に露出した、いわゆるリード端子部分とが垂直
に配置されているため、大容量化のためにコンデンサ素
子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場合、回
路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その占有面
積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚積層す
る場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅が広く
ならない限り、回路基板上の占有面積は少なくなるため
、高周波回路の高密度実装においては、インピーダンス
の面で有利となる。
このように本発明の構成によれば、導電性高分子を固体
電解質として用いて高周波領域で低インピーダンス化に
適した大容量のチップ型固体電解コンデンサを提供でき
、併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装が
可能となる。
電解質として用いて高周波領域で低インピーダンス化に
適した大容量のチップ型固体電解コンデンサを提供でき
、併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装が
可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、添付図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第1図は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデン
サに使用したコンデンサ素子板の構造を示した斜視図で
あり、弁金属板としてはアルミニウム、タンタル、チタ
ン、ニオブなどから選ばれる陽極酸化皮膜形成能力のあ
る箔または板材である。
サに使用したコンデンサ素子板の構造を示した斜視図で
あり、弁金属板としてはアルミニウム、タンタル、チタ
ン、ニオブなどから選ばれる陽極酸化皮膜形成能力のあ
る箔または板材である。
初めに、本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデン
サに使用したコンデンサ素子板の作成方法の一例につい
て説明する。
サに使用したコンデンサ素子板の作成方法の一例につい
て説明する。
本実施例では幅4 mnの短冊状に切断されたアルミニ
ウム箔を塩酸などの水溶液中で電気化学的にエツチング
したアルミニウムエツチド箔11を使用し、所定の部分
をアジピン酸アンモニウムなどの電解質を含む水溶液中
で70Vで1時間陽極酸化し、誘電体となる陽極酸化皮
膜12を形成した。その上の所定の部分に硝酸マンガン
の低濃度水溶液を塗布し、300℃で20分間熱分解し
て、マンガン酸化物層13を形成した。次にビロール0
.25モル/l、アルキルナフタレンスルフォン酸ソー
ダ0.1モル/lの水溶液中で、前記マンガン酸化物層
13に接触するように設けたステンレス電極を電解重合
用の陽極とし、前記マンガン酸化物層13の上全体に、
定電流2mAで固体電解質となるポリピロールの導電性
高分子層14を電解重合により形成した。さらに陰極引
出し用にグラファイト層15.銀ペイント層16を順次
形成し、長さ9關1幅4關の定格16V4.7μFのコ
ンデンサ素子板17を構成した。
ウム箔を塩酸などの水溶液中で電気化学的にエツチング
したアルミニウムエツチド箔11を使用し、所定の部分
をアジピン酸アンモニウムなどの電解質を含む水溶液中
で70Vで1時間陽極酸化し、誘電体となる陽極酸化皮
膜12を形成した。その上の所定の部分に硝酸マンガン
の低濃度水溶液を塗布し、300℃で20分間熱分解し
て、マンガン酸化物層13を形成した。次にビロール0
.25モル/l、アルキルナフタレンスルフォン酸ソー
ダ0.1モル/lの水溶液中で、前記マンガン酸化物層
13に接触するように設けたステンレス電極を電解重合
用の陽極とし、前記マンガン酸化物層13の上全体に、
定電流2mAで固体電解質となるポリピロールの導電性
高分子層14を電解重合により形成した。さらに陰極引
出し用にグラファイト層15.銀ペイント層16を順次
形成し、長さ9關1幅4關の定格16V4.7μFのコ
ンデンサ素子板17を構成した。
なお、このコンデンサ素子板17の作成方法については
、上記した方法に限られるものではなく、最終的に同様
の構成であればよく、その手段を限定するものではない
。
、上記した方法に限られるものではなく、最終的に同様
の構成であればよく、その手段を限定するものではない
。
(実施例1)
以上のようにして作成したコンデンサ素子板17に、例
えば第2図aに示すようにコンデンサ素子接続部18と
電極端子部19が垂直になるように成形した厚さ0.2
+anの4270イ製の陽極リード端子20および陰極
リード端子21を、陽極に関しては抵抗溶接により接続
し、また陰極に関してはエポキシ系の銀系導電性接着剤
により接続して、第3図に示すような構造の自立型のコ
ンデンサ素子22を作成した。陽極リード端子20およ
び陰極リード端子21の構造は第2図aで示したような
一枚板で成形したものでも良いし、また第2図すのよう
に、平板23にリード線24を垂直に溶接したような構
造のものでも良く、平板23の部分がコンデンサ素子接
続部18と垂直となる構造であればどういう構成であっ
てもよい。
えば第2図aに示すようにコンデンサ素子接続部18と
電極端子部19が垂直になるように成形した厚さ0.2
+anの4270イ製の陽極リード端子20および陰極
リード端子21を、陽極に関しては抵抗溶接により接続
し、また陰極に関してはエポキシ系の銀系導電性接着剤
により接続して、第3図に示すような構造の自立型のコ
ンデンサ素子22を作成した。陽極リード端子20およ
び陰極リード端子21の構造は第2図aで示したような
一枚板で成形したものでも良いし、また第2図すのよう
に、平板23にリード線24を垂直に溶接したような構
造のものでも良く、平板23の部分がコンデンサ素子接
続部18と垂直となる構造であればどういう構成であっ
てもよい。
この自立型のコンデンサ素子22をそれぞれ樹脂、アル
ミニウム、セラミックのいずれかからなる幅2.8+m
、長さ11m+a、高さ5.58閣、肉厚0.5諭のケ
ース25に収納し、そしてケース25の開口部にエポキ
シ樹脂を注型して封口し、第4図に示すような縦型の定
格16V4.7μFのチップ型固体電解コンデンサ26
を作成した。
ミニウム、セラミックのいずれかからなる幅2.8+m
、長さ11m+a、高さ5.58閣、肉厚0.5諭のケ
ース25に収納し、そしてケース25の開口部にエポキ
シ樹脂を注型して封口し、第4図に示すような縦型の定
格16V4.7μFのチップ型固体電解コンデンサ26
を作成した。
(実施例2)
実施例1と全く同様の方法で作成した自立型コンデンサ
素子22を実施例1のケース25による外装の代わりに
、エポキシ樹脂でインジェクションモールドにより外装
して同一サイズのチップ型固体電解コンデンサ26を作
成した。
素子22を実施例1のケース25による外装の代わりに
、エポキシ樹脂でインジェクションモールドにより外装
して同一サイズのチップ型固体電解コンデンサ26を作
成した。
(実施例3)
第5図はコンデンサ素子板17の誘電体の露出部分と、
銀ペイント層16を形成した他方の部分とを互いに対応
させて2枚積層し、一方の導電体層間を導電性接着剤で
結合した構造を有するコンデンサ素子板積層体27に実
施例1と同様の方法で陽極リード端子20および陰極リ
ード端子21を接続した自立型のコンデンサ素子22の
構造を示す斜視図である。この自立型コンデンサ素子2
2を実施例1と同サイズで同様の方法で外装し、定格1
6V10μFのチップ型固体電解コンデンサ26を作成
した。
銀ペイント層16を形成した他方の部分とを互いに対応
させて2枚積層し、一方の導電体層間を導電性接着剤で
結合した構造を有するコンデンサ素子板積層体27に実
施例1と同様の方法で陽極リード端子20および陰極リ
ード端子21を接続した自立型のコンデンサ素子22の
構造を示す斜視図である。この自立型コンデンサ素子2
2を実施例1と同サイズで同様の方法で外装し、定格1
6V10μFのチップ型固体電解コンデンサ26を作成
した。
(実施例4)
実施例3と全く同様の方法で作成した自立型コンデンサ
素子22を、実施例3のケース25による外装の代わり
に、エポキン樹脂でインジェクンヨンモールドにより外
装して定格16V10μFのチップ型固体電解コンデン
サ26を作成した。
素子22を、実施例3のケース25による外装の代わり
に、エポキン樹脂でインジェクンヨンモールドにより外
装して定格16V10μFのチップ型固体電解コンデン
サ26を作成した。
第6図は、以上のように構成されたチップ型固体電解コ
ンデンサ26におけるインピーダンスの周波数特性図を
示したもので、それぞれの実施例の定格16V4.7I
IFと2枚faW(7)16V10μFを比較している
が、これらは、いずれも高周波領域でインダクタンスの
増加を防止することができ、これにより高周波領域で低
インピーダンス化が図れるコンデンサとして満足した特
性を示している。
ンデンサ26におけるインピーダンスの周波数特性図を
示したもので、それぞれの実施例の定格16V4.7I
IFと2枚faW(7)16V10μFを比較している
が、これらは、いずれも高周波領域でインダクタンスの
増加を防止することができ、これにより高周波領域で低
インピーダンス化が図れるコンデンサとして満足した特
性を示している。
第1表は本実施例のサイズにおいて、従来の横型(低背
型)と比較して回路基板への占有面積をどの程度少なく
することができるかを示したものである。従来品の占有
面積としては本実施例のチップ型固体電解コンデンサ2
6を横倒しにしたもので比較した。
型)と比較して回路基板への占有面積をどの程度少なく
することができるかを示したものである。従来品の占有
面積としては本実施例のチップ型固体電解コンデンサ2
6を横倒しにしたもので比較した。
上記第1表から明らかなように、本発明の実施例は、従
来例に比較して占有面積はおよそ40%となり、従来例
に比べ2.5倍の高密度実装が可能となることがわかる
。
来例に比較して占有面積はおよそ40%となり、従来例
に比べ2.5倍の高密度実装が可能となることがわかる
。
なお、上記実施例3および4では2枚積層のものについ
て説明したが、さらに3枚以上の複数枚積層したもので
も、積層幅がコンデンサ素子板18の幅以上に広(なら
なければ、占有面積の面では有利となることは容易に考
えられることである。
て説明したが、さらに3枚以上の複数枚積層したもので
も、積層幅がコンデンサ素子板18の幅以上に広(なら
なければ、占有面積の面では有利となることは容易に考
えられることである。
発明の効果
上記実施例の説明から明らかなように、本発明のチップ
型固体電解コンデンサは、弁金属板または弁金属箔上に
形成した陽極酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定
の部分に導電性高分子層および導電体層を順次形成した
構造のコンデンサ素子板と、このコンデンサ素子板の前
記誘電体が露出した一方の部分と、導電体層を形成した
前記所定の他方の部分とを互いに対応させて複数枚積層
し、一方の導電体層間を導電ペーストで結合した構造を
有するコンデンサ素子板積層体のいずれか一つと、前記
コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板積層体に接続
され、かつ接続部以外に平坦部分を少なくとも有する半
田付は可能な金属からなる陽極リード端子および陰極リ
ード端子とを具備し、前記陽極リード端子および陰極リ
ード端子の平坦部分と前記コンデンサ素子板またはコン
デンサ素子板積層体とが垂直となるように配置し、かつ
前記陽極リード端子および陰極リード端子の平坦部分が
外部に露出するように外装するとともに、陽極リード端
子および陰極リード端子の平坦部分を含む面を底面とし
た構成を有しているため、大容量化のためにコンデンサ
素子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場合、
回路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その占有
面積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚積層
する場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅が広
くならない限り、回路基板上の占有面積は少なくなるた
め、高周波回路の高密度実装においてインピーダンスの
面で有利となるという効果を有するものである。
型固体電解コンデンサは、弁金属板または弁金属箔上に
形成した陽極酸化皮膜を誘電体とし、この誘電体の所定
の部分に導電性高分子層および導電体層を順次形成した
構造のコンデンサ素子板と、このコンデンサ素子板の前
記誘電体が露出した一方の部分と、導電体層を形成した
前記所定の他方の部分とを互いに対応させて複数枚積層
し、一方の導電体層間を導電ペーストで結合した構造を
有するコンデンサ素子板積層体のいずれか一つと、前記
コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板積層体に接続
され、かつ接続部以外に平坦部分を少なくとも有する半
田付は可能な金属からなる陽極リード端子および陰極リ
ード端子とを具備し、前記陽極リード端子および陰極リ
ード端子の平坦部分と前記コンデンサ素子板またはコン
デンサ素子板積層体とが垂直となるように配置し、かつ
前記陽極リード端子および陰極リード端子の平坦部分が
外部に露出するように外装するとともに、陽極リード端
子および陰極リード端子の平坦部分を含む面を底面とし
た構成を有しているため、大容量化のためにコンデンサ
素子板の面積を広くしても、回路基板に実装した場合、
回路基板に対して高さ方向に長くなるだけで、その占有
面積は変わらない。またコンデンサ素子板を複数枚積層
する場合でも、コンデンサ素子板の幅以上に積層幅が広
くならない限り、回路基板上の占有面積は少なくなるた
め、高周波回路の高密度実装においてインピーダンスの
面で有利となるという効果を有するものである。
また導電性高分子を固体電解質として用いているため、
高周波領域で低インピーダンス化に適した大容量のチッ
プ型固体電解コンデンサを提供することができ、これに
併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装が可
能となるという優れた効果を有するものである。
高周波領域で低インピーダンス化に適した大容量のチッ
プ型固体電解コンデンサを提供することができ、これに
併せて高周波駆動の回路基板の効率的な高密度実装が可
能となるという優れた効果を有するものである。
第1図は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデン
サに使用したコンデンサ素子板の構成を示したもので、
aはコンデンサ素子板の平面図、bはaのA−A’線断
面図、第2図a、bは同実施例のチップ型固体電解コン
デンサの陽極リード端子および陰極リード端子の構造の
一例を示す斜視図、第3図は同リード端子を接続した単
層の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、第4
図は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデンサの
外観を示す斜視図、第5図は同リード端子を接続した2
枚積層の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、
第6図は同電解コンデンサのインピーダンスの周波数特
性図、第7図は従来のチップ型固体電解コンデンサの構
成を示したモノで、aは陽極箔を捲回したコンデンサ素
子の斜視図、bは陽極箔を積層したコンデンサ素子の斜
視図、第8図は従来のチップ型固体電解コンデンサの外
観形状を示した斜視図である。 11・・・・・・アルミニウムエツチド箔、12・・・
・・・陽極酸化皮膜、14・・・・・・導電性高分子層
、15・・・グラファイト層、16・・・・・・銀ペイ
ント層、17・・・・・コンデンサ素子板、18・・・
・・・コンデンサ素子接続部、20・・・・・・陽極リ
ード端子、21・・・・・・陰極リード端子、22・・
・・・・コンデンサ素子、25・・・・・・ケース、2
6・・・・・・チップ型固体電解コンデンサ、27・・
・・・・コンデンサ素子板積層体。
サに使用したコンデンサ素子板の構成を示したもので、
aはコンデンサ素子板の平面図、bはaのA−A’線断
面図、第2図a、bは同実施例のチップ型固体電解コン
デンサの陽極リード端子および陰極リード端子の構造の
一例を示す斜視図、第3図は同リード端子を接続した単
層の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、第4
図は本発明の一実施例のチップ型固体電解コンデンサの
外観を示す斜視図、第5図は同リード端子を接続した2
枚積層の自立型のコンデンサ素子の構造を示す斜視図、
第6図は同電解コンデンサのインピーダンスの周波数特
性図、第7図は従来のチップ型固体電解コンデンサの構
成を示したモノで、aは陽極箔を捲回したコンデンサ素
子の斜視図、bは陽極箔を積層したコンデンサ素子の斜
視図、第8図は従来のチップ型固体電解コンデンサの外
観形状を示した斜視図である。 11・・・・・・アルミニウムエツチド箔、12・・・
・・・陽極酸化皮膜、14・・・・・・導電性高分子層
、15・・・グラファイト層、16・・・・・・銀ペイ
ント層、17・・・・・コンデンサ素子板、18・・・
・・・コンデンサ素子接続部、20・・・・・・陽極リ
ード端子、21・・・・・・陰極リード端子、22・・
・・・・コンデンサ素子、25・・・・・・ケース、2
6・・・・・・チップ型固体電解コンデンサ、27・・
・・・・コンデンサ素子板積層体。
Claims (3)
- (1)弁金属板または弁金属箔上に形成した陽極酸化皮
膜を誘電体とし、この誘電体の所定の部分に導電性高分
子層および導電体層を順次形成した構造のコンデンサ素
子板と、このコンデンサ素子板の前記誘電体が露出した
一方の部分と、導電体層を形成した前記所定の他方の部
分とを互いに対応させて複数枚積層し、一方の導電体層
間を導電ペーストで結合した構造を有するコンデンサ素
子板積層体のいずれか1つと、前記コンデンサ素子板ま
たはコンデンサ素子板積層体に接続され、かつ接続部以
外に平坦部分を少なくとも有する半田付け可能な金属か
らなる陽極リード端子および陰極リード端子とを具備し
、前記陽極リード端子および陰極リード端子の平坦部分
と前記コンデンサ素子板またはコンデンサ素子板積層体
とが垂直となるように配置し、かつ前記陽極リード端子
および陰極リード端子の平坦部分が外部に露出するよう
に外装するとともに、陽極リード端子および陰極リード
端子の平坦部分を含む面を底面としたことを特徴とする
チップ型固体電解コンデンサ。 - (2)外装は樹脂、金属、セラミックから選ばれるケー
スを使用し、このケースにコンデンサ素子を挿入した後
、樹脂注型によって構成するようにした特許請求の範囲
第1項記載のチップ型固体電解コンデンサ。 - (3)外装は樹脂モールドで構成した特許請求の範囲第
1項記載のチップ型固体電解コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32789389A JP2867514B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | チップ型固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32789389A JP2867514B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | チップ型固体電解コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03188614A true JPH03188614A (ja) | 1991-08-16 |
JP2867514B2 JP2867514B2 (ja) | 1999-03-08 |
Family
ID=18204163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32789389A Expired - Fee Related JP2867514B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | チップ型固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2867514B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0774051A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US6661645B1 (en) | 1999-05-28 | 2003-12-09 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
US11062852B2 (en) * | 2017-03-29 | 2021-07-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor having an anode terminal and a cathode terminal formed from a single metal plate and method for manufacturing same |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32789389A patent/JP2867514B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0774051A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US6661645B1 (en) | 1999-05-28 | 2003-12-09 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
EP2259276A1 (en) | 1999-05-28 | 2010-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
US11062852B2 (en) * | 2017-03-29 | 2021-07-13 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solid electrolytic capacitor having an anode terminal and a cathode terminal formed from a single metal plate and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2867514B2 (ja) | 1999-03-08 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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