JPH0318079A - Semiconductor laser driver - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は光源としての半導体レーザの光出力を検出し、
該検出信号から、所望周波数帯域の信号を抽出して注入
電流に帰還するようにした半導体レーザ駆動装置に関す
る。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention detects the optical output of a semiconductor laser as a light source,
The present invention relates to a semiconductor laser driving device that extracts a signal in a desired frequency band from the detection signal and feeds it back to the injection current.
[従来の技術]
従来、光がデオディスクなどから、光学的に情報を再生
する情報再生装置においては、半導体レーザを光源とし
て用いる時、光ディスクからの戻り光によって、半導体
レーザの出力光に戻り光によって誘起されるノイズが乗
り、情報再生に支障があった。また、光通信などの技術
分野においても、光学部品、例えば光ファイバーの端か
らの反射光が半導体レーザに戻り、その戻り光によって
ノイズが誘起され、問題であった。[Prior Art] Conventionally, in an information reproducing device that optically reproduces information from a video disk or the like, when a semiconductor laser is used as a light source, the return light from the optical disk is converted into the output light of the semiconductor laser. The noise induced by this noise was present, causing problems in information reproduction. Further, in technical fields such as optical communications, reflected light from the end of an optical component, such as an optical fiber, returns to the semiconductor laser, and the returned light induces noise, which is a problem.
このようなノイズ発生に対する対策としては、従来から
、特公昭59−9086号公報にも開示されているよう
に、半導体レーザが多重縦モード発振するように注入す
る直流電流バイアスに一定の高周波電流を重置して雑音
を低減することが提唱されている。しかし、通常の駆動
装置のほかに、別途、高周波電流源が必要であって、し
かも、この電流源からの出力は、バイアス電流のしきい
値を深くきるような大きな変調度を得るように大きく設
定しなければならない。このため、装置の規模も大きく
なり、コストも高くなる。また,高周波電流源の出力が
大きいために、不用電磁輻射になる雑音が大きいという
問題点を有している。As a countermeasure against such noise generation, as disclosed in Japanese Patent Publication No. 59-9086, a constant high-frequency current has been applied to the DC current bias injected so that the semiconductor laser oscillates in multiple longitudinal modes. It has been proposed to reduce the noise by overlapping the signals. However, in addition to the normal drive device, a separate high-frequency current source is required, and the output from this current source is large enough to obtain a large modulation degree that deeply cuts the bias current threshold. must be set. Therefore, the scale of the device becomes large and the cost also increases. Furthermore, since the output of the high-frequency current source is large, there is a problem in that noise resulting from unnecessary electromagnetic radiation is large.
そこで特開昭59−129948号、特開昭62−35
34号公報に開示されているように、半導体レーザから
の光出力を検出し、その検出信号の高周波成分、望まし
くは、上記半導体レーザの緩和振動の共振周波数成分を
、上記半導体レーザの注入電流に正帰還させる方式が提
唱されている。Therefore, JP-A-59-129948 and JP-A-62-35
As disclosed in Japanese Patent No. 34, the optical output from a semiconductor laser is detected, and the high frequency component of the detection signal, preferably the resonance frequency component of the relaxation oscillation of the semiconductor laser, is applied to the injection current of the semiconductor laser. A positive feedback method has been proposed.
この方式によれば,装置規模も小さくでき、雑音低減の
ための電力も小さくてよい。According to this method, the scale of the device can be reduced, and the power required for noise reduction can be reduced.
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、この方式では、半導体レーザの光出力の
“ゆらぎ”、すなわち雑音を検出して、これをバイアス
電流に正帰還するものであるから、半導体レーザがうけ
る雑音強度により、正帰還による高周波発振の開始が支
配され、安定した高周波発振が常に得られるわけではな
い。また、半導体レーザの特性、例えば、緩和振動の共
振周波数、レーザ容量、負荷などは、注入電流、温度、
半導体レーザへの戻り光量、その戻り光の遅延時間など
により変化するため、高周波発振の安定度が悪く、発振
と非発振とが不安定に生じる。[Problems to be Solved by the Invention] However, in this method, "fluctuations" in the optical output of the semiconductor laser, that is, noise, are detected and this is positively fed back to the bias current. The strength controls the initiation of high-frequency oscillation due to positive feedback, and stable high-frequency oscillation is not always obtained. In addition, the characteristics of the semiconductor laser, such as the resonance frequency of relaxation oscillation, the laser capacity, and the load, are determined by the injection current, temperature,
Since it changes depending on the amount of light returned to the semiconductor laser, the delay time of the returned light, etc., the stability of high-frequency oscillation is poor, and oscillation and non-oscillation occur unstablely.
また、前述の特開昭59−129948号公報で開示さ
れているような、この方式においても、前述の特公昭5
9−9086号公報で開示したと同様に、半導体レーザ
のしきい値を切るような大きな変調度がないと、雑音の
低減効果は充分に発揮できない。しかも、半導体レーザ
の光出力は、高周波発振の周波数に応じてパルス発光と
なるので、同じバイアス電流を注入していても、高周波
発振時と非発振時とでは、半導体レーザの平均光出力に
は大きな差を生じることになる。すなわち、高周波の発
振/非発振の繰り返しにより、半導体レーザの光出力が
変化してしまうという問題を有している。更に加えて、
前述のように、高周波発振の最中においても不安定要素
であり、光出力の可能性が残される。Furthermore, in this system as disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-129948,
As disclosed in Japanese Patent No. 9-9086, the noise reduction effect cannot be sufficiently exerted unless the modulation degree is large enough to cut the threshold of the semiconductor laser. Moreover, the optical output of a semiconductor laser is a pulse emission depending on the frequency of high-frequency oscillation, so even if the same bias current is injected, the average optical output of the semiconductor laser will be different between high-frequency oscillation and non-oscillation. It will make a big difference. That is, there is a problem in that the optical output of the semiconductor laser changes due to repeated high-frequency oscillation/non-oscillation. In addition,
As mentioned above, it is an unstable element even during high-frequency oscillation, and the possibility of optical output remains.
また、前述の特開昭62−3534号公報所載の方式に
おいでは、半導体レーザの出力を、情報により変調する
例が示されているが、上記変調により.高周波発振の変
調度が変化するから、前述の問題点と考え合わせると、
雑音の変動と光出力の変動とが、実に上述の情報による
変調で変化され、S/N比が劣悪なものとなる。Furthermore, in the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-3534, an example is shown in which the output of a semiconductor laser is modulated by information. Since the modulation degree of high frequency oscillation changes, considering the above problem,
The noise fluctuations and the optical output fluctuations are actually changed by the modulation using the above-mentioned information, and the S/N ratio becomes poor.
[発明の目的]
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、光学的
に情報を記録、再生、消去しあるいは伝送する際、半導
体レーザの雑音低減を充分にはたし、しかも、簡便な手
段でこれを達或でき、安定で信頼性の高い、低コストな
半導体レーザ駆動装置を提供しようとするものである。[Object of the Invention] The present invention has been made based on the above circumstances, and is capable of sufficiently reducing noise of a semiconductor laser when optically recording, reproducing, erasing, or transmitting information, and moreover, provides a simple and convenient method. It is an object of the present invention to provide a stable, highly reliable, and low-cost semiconductor laser driving device that can accomplish this by means of the present invention.
[課題を解決するための手段]
そこで、本発明では、光源としての半導体レーザの光出
力を検出し、該検出信号の少なくとも一部の周波数帯域
の信号を、上記半導体レーザに対し注入電流を通して正
帰還させる半導体レーザ駆動装置において、上記半導体
レーザの注入電流を通して信号を正帰還するフィードバ
ック手段に対して、上記電流の変調度に対応した変調信
号で、上記正帰還信号を含む周波数帯域の高周波信号源
を上記フィードバック手段に接続するように構成してい
る。[Means for Solving the Problems] Therefore, in the present invention, the optical output of a semiconductor laser as a light source is detected, and a signal in at least a part of the frequency band of the detection signal is positively transmitted through an injected current to the semiconductor laser. In a semiconductor laser driving device for feedback, a high frequency signal source in a frequency band including the positive feedback signal with a modulation signal corresponding to the degree of modulation of the current is provided to the feedback means for positive feedback of the signal through the injection current of the semiconductor laser. is configured to be connected to the feedback means.
[作 用1
このような構成では、外部情報、例えば記録、消去時と
再生時とで、上記注入電流の変調度をかえる時、再生時
においては上記正帰還信号を含む周波数帯域の高周波信
号がバイアス電流に重置され、所望の光出力値に安定化
することが出来、しかも雑音低減効果を充分に維持でき
る。また、高周波帯域が制限されているので、装置を小
規模、低コストで実現できる。[Function 1] In such a configuration, when the modulation degree of the injected current is changed between external information, for example, recording/erasing and reproducing, a high frequency signal in a frequency band including the positive feedback signal is generated during reproducing. It is superimposed on the bias current, and can be stabilized at a desired optical output value, and can maintain a sufficient noise reduction effect. Furthermore, since the high frequency band is limited, the device can be realized on a small scale and at low cost.
[実施例]
以下、本発明の一実施例を、第1図および第2図を参照
して具体的に説明する。図において、符号lは光源とし
ての半導体レーザであり、その後方にはモニタ用フォト
ダイオード2が配設されていて、上記半導体レーザ1の
後方出力をモニタしている。処理回路4には入力端子3
が接続してあって、ここには情報に応じたレベルで変調
された変調指令信号が入力される。上記処理回路4から
の出力信号はアンブ5、比較器(■)9、比較器(n)
14および高周波信号源(たとえば高周波電圧源)15
へと出力される。上記アンプ5の出力は電圧/電流変換
器6を介して(更に図示しないインダクタンス回路を介
して)半導体レーザ1に印加され、また、高周波電圧源
15の出力は、アンプlOに入力され、上記アンプ10
の出力は電圧/電流変換器11を介して(更に図示しな
いカップリングコンデンサを介して)上記半導体レーザ
1に印加される。上記モニタ用フォトダイオード2の出
力電流はローパスフィルタ7を介して高周波成分を遮断
した後、電流/電圧変換器8を介して比較器(I)9に
供給され、処理回路4からの信号と比較される。その結
果の出力信号はアンブ5に与えられて、モニタ用フォト
ダイオード2から比較器(I)9、アンプ5などを通り
レーザ1へまでのネガティブフィードバック系により、
オートバワーコントロールを達成する。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be specifically described with reference to FIGS. 1 and 2. In the figure, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser as a light source, and a monitoring photodiode 2 is disposed behind it to monitor the rear output of the semiconductor laser 1. The processing circuit 4 has an input terminal 3
is connected to which a modulation command signal modulated at a level corresponding to the information is input. The output signal from the processing circuit 4 is sent to the amplifier 5, the comparator (■) 9, and the comparator (n).
14 and a high frequency signal source (e.g. high frequency voltage source) 15
is output to. The output of the amplifier 5 is applied to the semiconductor laser 1 via the voltage/current converter 6 (further via an inductance circuit (not shown)), and the output of the high frequency voltage source 15 is input to the amplifier 1O. 10
The output of is applied to the semiconductor laser 1 via the voltage/current converter 11 (further via a coupling capacitor (not shown)). The output current of the monitoring photodiode 2 passes through a low-pass filter 7 to block high frequency components, and then is supplied to a comparator (I) 9 via a current/voltage converter 8, where it is compared with the signal from the processing circuit 4. be done. The resulting output signal is given to the amplifier 5, and is passed through the monitor photodiode 2, comparator (I) 9, amplifier 5, etc. to the laser 1 through a negative feedback system.
Achieve auto power control.
一方、上記モニタ用フォトダイオード2の出力電流はハ
イパスフィルタl2を介して低周波成分を遮断した後、
電流/電圧変換器8を介して比較器(II)14に供給
され、処理回路4からの信号と比較される。その結果の
出力信号は処理回路4に与えられ、また、アンブ10に
与えられるモニタ用フォトダイオード2から比較器(I
I)14、アンプ10を通りレーザlへいたるポジティ
ブフィードバック系により、高周波発振が達成されるが
、この時、処理回路4からの指令信号によっては、高周
波電圧源l5からは所定の高周波信号が上記アンブ10
の信号に重置される。On the other hand, the output current of the monitor photodiode 2 passes through a high-pass filter l2 to cut off low frequency components, and then
It is supplied to a comparator (II) 14 via a current/voltage converter 8 and compared with the signal from the processing circuit 4. The resulting output signal is given to the processing circuit 4, and is also sent from the monitor photodiode 2 given to the amplifier 10 to the comparator (I
I) High frequency oscillation is achieved by the positive feedback system passing through the amplifier 10 and the laser l, but at this time, depending on the command signal from the processing circuit 4, a predetermined high frequency signal is output from the high frequency voltage source l5. Anbu 10
superimposed on the signal.
このような構成では、入力端子3より処理回路4に、情
報に応じて変調された信号(デジタルあるいはアナログ
信号)が入力される。次に、本発明を情報の記録、再生
に適用した場合について説明する。再生時には、半導体
レーザlの平均光出力を再生用光パワーP,Iのレベル
にするための信号が比較器(I)9、アンプ5、比較器
(II)14(高周波発振正帰還用比較器)に対して処
理回路4から与えられる。具体的には、予め常温でレー
ザバワーがPRとなるように調整したモードになる電圧
を与え、アンプ(■)5から出力された電圧を電圧/電
流変換器6で対応した直流電流に変換し、半導体レーザ
lに注入する。また、高周波電圧源9からは、許容雑音
レベルの振幅を持つ高周波電圧がアンプ(II)10に
入力され、これが電圧/電流変換器1lを介して、高周
波電流として半導体レーザ1に注入され、先きの直流電
流成分に重置される。半導体レーザlの出力PRが周囲
温度などの影響により、高周波発振周波数より低い周波
数で変動すると、フォトダイ才一ド2の出力電流らこれ
に比例して変動するから、その低周波成分のみをローパ
スフィルタ7で抽出し、電流/電圧変換器8にて電圧と
して(また、必要なら増幅して)比較器(I)9に入力
する。In such a configuration, a signal (digital or analog signal) modulated according to information is input to the processing circuit 4 from the input terminal 3. Next, a case will be described in which the present invention is applied to recording and reproducing information. During reproduction, a signal for bringing the average optical output of the semiconductor laser I to the level of the optical powers P and I for reproduction is sent to the comparator (I) 9, the amplifier 5, and the comparator (II) 14 (comparator for high-frequency oscillation positive feedback). ) from the processing circuit 4. Specifically, a voltage is applied to the mode that is adjusted in advance so that the laser power is PR at room temperature, and the voltage output from the amplifier (■) 5 is converted into a corresponding DC current by the voltage/current converter 6. Inject into the semiconductor laser l. Further, from the high frequency voltage source 9, a high frequency voltage having an amplitude at an allowable noise level is inputted to the amplifier (II) 10, which is injected as a high frequency current into the semiconductor laser 1 via the voltage/current converter 1l, and then superimposed on the direct current component of When the output PR of the semiconductor laser 1 fluctuates at a frequency lower than the high frequency oscillation frequency due to the influence of ambient temperature, etc., the output current of the photodiode 2 also fluctuates in proportion to this, so only the low frequency component is low-passed. It is extracted by a filter 7 and input as a voltage by a current/voltage converter 8 (and amplified if necessary) to a comparator (I) 9.
上記比較器(工)9では、処理回路4から入力された基
準電圧と、フォトダイ才一ド2からの出力電圧とを比較
し、半導体レーザlの出力の低周波変動を打消すように
、アンブ5に反転した誤差信号を送る.換言すれば、半
導体レーザlに対しては、フォトダイオード2、ローパ
スフィノレタ7,電流/電圧変換器8、比較ffl(1
)9、アンブ5および電圧/電流変換器6により低周波
域の負帰還がかけられ、光出力の低周波域が安定され、
オートバワーコントロールが達成される。また、この時
、上述と同様に、半導体レーザ1に対しては,フォトダ
イオード2、ハイパスフィノレタl2、電流/電圧変換
器l3、比較器(I1)l4、アンプIOおよび電圧/
rs流変換器l1により高周波域の正帰還がかけられ
、基本的には従来技術と同じ原理で、情報信号周波数よ
り充分高い高周波で発振が可能となる.この時、比較器
(II)14に与えられる処理回路4からの基準電圧は
,半導体レーザ1へのバイアスに対して正帰還されるよ
うに設定されている.FIA言すれば、再生時に必要な
半導体レーザlの許容雑音(例えば、相対雑音強度でI
O−”/+12)を越えるような雑音がある時必ず正
帰還がかかり、許容雑音以下になるような大きな振幅を
持つ高周波発振が起り、半導体レーザ1に大きな変調度
を持つ高周波電流が注入されるようにするのである。具
体的には、許容雑音以下で発振を確実に保つには、許容
雑音レベルを小さく取り(ローパスおよびハイパスフィ
ルタによって限られる周波数帯域)、正帰還回路の各要
素を高性能(マージンを取り、雑音レベル、利得、位相
の周波数特性を可成り良好にする)にする必要がある。The comparator 9 compares the reference voltage input from the processing circuit 4 with the output voltage from the photodiode 2, and calculates Send the inverted error signal to Amb5. In other words, for the semiconductor laser l, there are a photodiode 2, a low-pass finoretor 7, a current/voltage converter 8, and a comparison ffl(1
) 9, Negative feedback is applied in the low frequency range by the amplifier 5 and the voltage/current converter 6, and the low frequency range of the optical output is stabilized.
Auto power control is achieved. At this time, as described above, for the semiconductor laser 1, the photodiode 2, the high-pass finoretor l2, the current/voltage converter l3, the comparator (I1) l4, the amplifier IO, and the voltage/voltage converter l2,
Positive feedback in the high frequency range is applied by the RS flow converter l1, and oscillation can be made at a high frequency sufficiently higher than the information signal frequency, basically using the same principle as the conventional technology. At this time, the reference voltage from the processing circuit 4 applied to the comparator (II) 14 is set so as to be fed back positively to the bias applied to the semiconductor laser 1. In FIA terms, the allowable noise of the semiconductor laser l required for reproduction (for example, relative noise intensity I
When there is noise exceeding 0-"/+12), positive feedback is always applied, high-frequency oscillation with a large amplitude that is below the allowable noise occurs, and a high-frequency current with a large modulation factor is injected into the semiconductor laser 1. Specifically, to ensure that oscillation is kept below the allowable noise level, the allowable noise level is kept low (frequency band limited by low-pass and high-pass filters) and each element of the positive feedback circuit is made high. It is necessary to improve the performance (by taking a margin and making the frequency characteristics of noise level, gain, and phase fairly good).
そこで、本発明の実施例では高周波帯域の信号源(電圧
#t)15を設け、その出力をアンプ10に入力するこ
とで、正帰還回路の高性能化を不要にし、コスト的に低
減できるようにしたのである。つまり、比較器(I1)
14の出力として、許容雑音と検出された雑音の比較出
力があるが、これを処理回路4に入力し、これが小さい
場合、すなわち、許容雑音に近い雑音レベルの場合につ
いて処理回路4から、信号源15に高周波帯域の信号を
出力させるための信号を送る。この高周波信号を、アン
プlOに入力することで、安定な正帰還を与えることに
なるのである。信号源15の出力波形としては、様々な
周波数、位相を含む波形が可能であるが、パルスまたは
立上り(立下り)の鋭いステップ状波形が回路も簡単な
ので、望ましい。このような簡単な回路の追加により、
一度、発振が始まれば、後は通常の正帰還回路で発振が
持続し、レーザ雑音が低減されるのである。Therefore, in the embodiment of the present invention, by providing a high frequency band signal source (voltage #t) 15 and inputting its output to the amplifier 10, it is possible to eliminate the need for higher performance of the positive feedback circuit and reduce costs. I made it. In other words, comparator (I1)
As an output of 14, there is a comparison output between the allowable noise and the detected noise, which is input to the processing circuit 4, and when this is small, that is, when the noise level is close to the allowable noise, the signal source is output from the processing circuit 4. 15 to output a signal in a high frequency band. By inputting this high frequency signal to the amplifier IO, stable positive feedback is provided. The output waveform of the signal source 15 can be a waveform including various frequencies and phases, but a pulse or a step-like waveform with a sharp rise (fall) is preferable because the circuit is simple. By adding such a simple circuit,
Once oscillation begins, a normal positive feedback circuit continues the oscillation and reduces laser noise.
第2図は、半導体レーザ1の電流〜光出力特性を示す模
式図であり、横軸はアンブ5より注入される直流電流、
縦軸は高周波発振帯域を平均化した平均光出力である。FIG. 2 is a schematic diagram showing the current-optical output characteristics of the semiconductor laser 1, where the horizontal axis represents the DC current injected from the amplifier 5;
The vertical axis is the average optical output obtained by averaging the high frequency oscillation band.
ここでは符号16が高周波発振していない時の特性であ
り、l7が高周波発振している時の特性であり、実に、
l8が高周波発振はしているが、前述のいづれかの原因
で高周波発振の振幅が小さくなった時の特性であり、平
均光出力が再生レベルPRである時の各特性19,20
.21に対応している。すなわち、アンプ5およびlO
から半導体レーザに最終的に注入される電流波形の一例
である。図から明らかなように、高周波発振が不安定で
あると、パルス発光が不安定で平均光出力が変動し、特
性16,17の中間で変動する。たとえば、最悪の場合
、電流波形l7で出力P,lが得られているが、バイア
ス電流が一定で、高周波発振がバイアス電流値と異なる
電流波形21のように停止すると、特性l6からレーザ
発振が行われないことが理解されよう。しかし、本発明
によれば、前述のように、高周波発振周波数より低い周
波数の平均出力の変動を、前述のオート・パワーコント
ロールにより除去しているために、そのような不都合は
生じ難い。つまり、第2図において、高周波の発振に変
動があり、平均光出力に変化があると、オート・パワー
・コントロールにより、バイアス電流値を制御し、たと
えば、波形19,20.21というように制御され、平
均光出力を再生用パワーPRに保つように動作するため
、低い周波数領域で安定かつ低雑音の光出力が得られる
。Here, 16 is the characteristic when high frequency oscillation is not occurring, and l7 is the characteristic when high frequency oscillation is occurring, and indeed,
This is the characteristic when l8 is high-frequency oscillating, but the amplitude of the high-frequency oscillation is small due to any of the reasons mentioned above, and the characteristics 19 and 20 are when the average optical output is the reproduction level PR.
.. It corresponds to 21. That is, amplifier 5 and lO
This is an example of the current waveform that is finally injected into the semiconductor laser. As is clear from the figure, when the high frequency oscillation is unstable, the pulsed light emission is unstable and the average optical output fluctuates, and fluctuates between characteristics 16 and 17. For example, in the worst case, the output P, l is obtained with the current waveform l7, but if the bias current is constant and the high-frequency oscillation stops as shown in the current waveform 21, which is different from the bias current value, the laser oscillation will stop from the characteristic l6. It will be understood that this will not be done. However, according to the present invention, such inconveniences are unlikely to occur because, as described above, fluctuations in the average output at frequencies lower than the high frequency oscillation frequency are removed by the above-mentioned automatic power control. In other words, in Fig. 2, when there is a fluctuation in high frequency oscillation and a change in the average optical output, the bias current value is controlled by auto power control, and the control is performed as shown in waveforms 19, 20, and 21, for example. Since it operates to maintain the average optical output at the reproduction power PR, stable and low-noise optical output can be obtained in the low frequency range.
更に、本発明によれば、高周波信号源15から前述のよ
うに、適宜、高周波信号が加えられると、より安定な高
周波発振が得られ、戻り光量、戻り光遅延時間(戻り光
の位相)などによる第2図に示したような変動が少なく
なる。Further, according to the present invention, when a high frequency signal is appropriately applied as described above from the high frequency signal source 15, more stable high frequency oscillation can be obtained, and the amount of returned light, the returned light delay time (the phase of the returned light), etc. This reduces the fluctuations shown in FIG. 2.
次に,記録の時には、記録すべき情報に対応した変調信
号が入力端子3から処理回路4に与えられるが、ここで
は波形整形が行なわれアンプ5に半導体レーザlを変調
する信号が与えられる。Next, during recording, a modulation signal corresponding to the information to be recorded is applied from the input terminal 3 to the processing circuit 4, where waveform shaping is performed and a signal for modulating the semiconductor laser 1 is applied to the amplifier 5.
たとえば、2値記録の場合、通常、再生用光パワーP7
と高出力半パワーP.とを2値に対応させて変調すると
すると、その時、比較器Nl)9へ与える基準電圧も、
そのPR,P.に対応した2値に変調されたものが与え
られる。これにより、オート・パワーコントロールで、
それぞれの光出力PR,Pllに安定化され、良好な光
変調が行なえる。For example, in the case of binary recording, the optical power for reproduction is usually P7
and high output half power P. If we modulate the corresponding binary values, then the reference voltage applied to the comparator Nl)9 is also
Its PR, P. is modulated into binary values corresponding to . As a result, auto power control
The respective optical outputs PR and Pll are stabilized and good optical modulation can be performed.
また,処理回路4は高周波発振の正帰還用の比較器(I
I)14の基1!電圧として、レーザの光出力の変調に
対応して正帰還のオン・オフを行なうように与えられる
。それは光出力が大きいPwの時,高周波発振が起らな
いように、正帰還回路をカットすること、また、負帰還
になるように基準電圧の極性を変えるなどして、光出力
が小さいP,lの時、再生時と同じ電圧を与え、高周波
発振を可能とし,雑音を低減する。また、処理回路4か
ら信号源15に与えられる制御信号も、同様に、光出力
がPwの時は、高周波発振が起らないように、パルスや
ステップ波形を出力しないようにし、光出力PIIの時
、再生時と同様に高周波発振させるように制御し、雑音
を低減するのである。The processing circuit 4 also includes a comparator (I) for positive feedback of high frequency oscillation.
I) Group 1 of 14! It is applied as a voltage to turn positive feedback on and off in response to modulation of the laser's optical output. This is done by cutting off the positive feedback circuit so that high frequency oscillation does not occur when the optical output is large Pw, and by changing the polarity of the reference voltage to create negative feedback. When it is l, the same voltage as during reproduction is applied, enabling high frequency oscillation and reducing noise. Similarly, the control signal given from the processing circuit 4 to the signal source 15 is such that when the optical output is Pw, pulses and step waveforms are not output to prevent high frequency oscillation, and the optical output PII is During playback, the system is controlled to generate high-frequency oscillation in the same way as during playback, thereby reducing noise.
このようにして、PR,P.のどちらの光出力レベルで
も、また、高周波発振が変動する要因が発生しても、前
記才一トバワーコントロールと、高周波帯域信号源l5
により、目的通りの低雑音のPll,Pwが半導体レー
ザ1から出力され、安定な記録動作が行なわれる。In this way, PR, P. At any optical output level, or even if a factor that fluctuates the high frequency oscillation occurs, the power control and the high frequency band signal source l5
As a result, the desired low-noise Pll and Pw are output from the semiconductor laser 1, and stable recording operation is performed.
なお、上述において、光出力がPwのときに、正帰還を
中止し、高周波発振を行なわないのは次の理由による。In the above description, the reason why positive feedback is stopped and high frequency oscillation is not performed when the optical output is Pw is as follows.
すなわち、第2図に示されるように、バイアス電流が高
くなると、高周波発振の電流振幅が、特性l7のように
大きくなっても、対応する電流波形の谷側のピークが、
既にしきい値を切らなくなり、それが特性17(第2図
で)と特性16とがバイアス電流の高い方で一致してし
まうからである。つまり、高出力では高周波の変調度が
低下し、雑音低減効果が期待できないのである。それだ
けでなく、電流波形の山側のピークが、レーザの最大定
格を越える可能性があり、レーザの寿命を短縮するおそ
れがあり、そこで高出力側では高周波の変調を中断する
のである。That is, as shown in FIG. 2, when the bias current becomes high, even if the current amplitude of high-frequency oscillation becomes large as shown in characteristic 17, the peak on the valley side of the corresponding current waveform becomes
This is because the threshold value is no longer exceeded, and characteristic 17 (in FIG. 2) and characteristic 16 match at the higher bias current. In other words, at high output, the degree of modulation of high frequencies decreases, and no noise reduction effect can be expected. Not only that, the peak on the mountain side of the current waveform may exceed the maximum rating of the laser, potentially shortening the laser's lifespan, so high-frequency modulation is interrupted on the high output side.
なお、上記実施例において、信号源15の出力端には、
望ましくは、高周波帯域のみを通過させるパンドパスフ
ィルタを設けるとよい。In addition, in the above embodiment, the output terminal of the signal source 15 is
Preferably, a bandpass filter that passes only high frequency bands is provided.
また、上記実施例では雑音のレベル判定出力を比較器(
TI)14からとり、処理回路4に導いたが、アンブ1
0で増幅した出力を用いてもよい。また、信号源15の
出力をアンプ10に入力したが、これら、正帰還回路中
であれば、フィルタl2からレーザ1の端子までの間の
どこに入力してもよい。この場合の人力信号は、その入
力個所に適合した信号に最適化される。このようにして
、本発明の上述の構成によって、半導体レーザ1の雑音
を十分に低減させ、しかも、半導体レーザ1の出力の変
調の有無によらず、安定な信頼性の高いレーザ駆動が可
能となる。In addition, in the above embodiment, the noise level judgment output is sent to the comparator (
TI) was taken from 14 and led to processing circuit 4, but
The output amplified by 0 may also be used. Although the output of the signal source 15 is input to the amplifier 10, it may be input anywhere between the filter l2 and the terminal of the laser 1 as long as it is in the positive feedback circuit. In this case, the human input signal is optimized to a signal suitable for the input location. In this way, with the above-described configuration of the present invention, the noise of the semiconductor laser 1 can be sufficiently reduced, and moreover, stable and highly reliable laser driving can be performed regardless of the presence or absence of modulation of the output of the semiconductor laser 1. Become.
次に、第3図を参照して、本発明の別の実施例について
説明する。ここでは、高周波発振用の正帰還と、光出力
安定用の負帰還とを1つの帰還回路系で構成していて、
装置の簡素化を実現している。すなわち、入力端子3か
ら、情報に応じた変調信号を処理回路4に人力する。こ
こでは,前記実施例と同じように,情報の記録、再生に
ついての装置に適用して説明する。Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Here, positive feedback for high frequency oscillation and negative feedback for stabilizing optical output are configured in one feedback circuit system.
The device has been simplified. That is, from the input terminal 3, a modulated signal corresponding to the information is manually input to the processing circuit 4. Here, as in the previous embodiment, the present invention will be explained by applying it to an apparatus for recording and reproducing information.
再生時には、半導体レーザlの出力を再生用光パワーP
Rに一定に保ち、高周波発振を行なう。At the time of reproduction, the output of the semiconductor laser l is changed to the optical power for reproduction P.
R is kept constant and high frequency oscillation is performed.
前述の実施例と同様に5処理回路4よりパワーP.に対
応した電圧がアンブ22に与えられる。As in the previous embodiment, the power P. A voltage corresponding to the voltage is applied to the amplifier 22.
そして、上記アンブ22の出力電圧を電圧/電流変換器
23により電流に変換し、半導体レーザlに注入し、再
生用パワーPRを得る。モニタ用フォトダイオード2の
出力電流は、高周波発振帯域まで、周波数特性が伸びて
いる電流/電圧変換器24により、半導体レーザlの出
力光に対応した電圧を得る。ここで電流/電圧変換器2
4は、その周波特性が2段階に切替え可能であって、処
理回路4からの信号により、高周波発振帯域の周波数特
性が制御される。具体的には、高速のアナログスイッチ
でフィルタ特性を切替えるか、デジタルフィルタを用い
て特性を切換えるように構成される。こうして得られた
モニタ用電圧は、比較器25に人力され、前実施例と同
様に、処理回路4より入力される基準電圧と比較され、
その反転誤差信号がアンブ22に入力される。Then, the output voltage of the amplifier 22 is converted into a current by the voltage/current converter 23, and the current is injected into the semiconductor laser l to obtain the reproduction power PR. The output current of the monitor photodiode 2 is converted into a voltage corresponding to the output light of the semiconductor laser 1 by a current/voltage converter 24 whose frequency characteristics extend to the high frequency oscillation band. Here current/voltage converter 2
4, its frequency characteristics can be switched in two stages, and the frequency characteristics of the high frequency oscillation band are controlled by a signal from the processing circuit 4. Specifically, the filter characteristics are switched using a high-speed analog switch or a digital filter. The monitor voltage thus obtained is input to the comparator 25 and compared with the reference voltage input from the processing circuit 4, as in the previous embodiment.
The inverted error signal is input to amplifier 22.
したがって,処理回路4から比較器25に与えられる基
準電圧をもとにして、半導体レーザlに対してフォトダ
イオード2、電流/電圧変換器24、比較器25、アン
ブ22、電圧/電流変換器23により帰還がかけられる
。その帰還のゲインと位相の周波数特性は電流/電圧変
換器24の周波数特性で決定され、基本的には、反転増
幅器による負帰還の構成である。そして、低周波におい
ては、位相が180度ずれており、通常の負帰還がかか
り、前記実施例と同様,オートバワーコントロールが行
なわれ、高周波においては、実に位相がまわり、360
度のずれで正帰還がかかる。その帯域でのゲインは1以
上に設定されており、発振が開始される。再生時には高
周波発振が可能な周波数特性をもった帰還が選択されて
いる。具体的には高周波発振帯域で帰還のゲインが1以
上でかつ位相が360” (またはその整数倍)まわ
るように、電流/電圧変換器24の周波数特性を切換え
る。Therefore, based on the reference voltage given to the comparator 25 from the processing circuit 4, the photodiode 2, the current/voltage converter 24, the comparator 25, the amplifier 22, and the voltage/current converter 23 are connected to the semiconductor laser l. Return is applied. The frequency characteristics of the gain and phase of the feedback are determined by the frequency characteristics of the current/voltage converter 24, and is basically a negative feedback configuration using an inverting amplifier. At low frequencies, the phase is shifted by 180 degrees, normal negative feedback is applied, and auto power control is performed as in the previous embodiment, and at high frequencies, the phase is shifted by 360 degrees.
Positive feedback is required due to degree deviation. The gain in that band is set to 1 or more, and oscillation is started. During playback, feedback with frequency characteristics that enable high-frequency oscillation is selected. Specifically, the frequency characteristics of the current/voltage converter 24 are switched so that the feedback gain is 1 or more in the high frequency oscillation band and the phase rotates by 360'' (or an integral multiple thereof).
また、前述の実施例と同様に、処理回路4により出力が
制御される高周波帯域信号源26により、高周波発振の
安定化を実現している。比較器25から、許容雑音と検
出雑音との比較出力が得られ、それをもとに処理回路4
が信号源26を制御する。信号源26が処理回路4から
出力命令を受けると、高周波帯域を含むパルスやステッ
プ状波形を出力する。それが比較器25に入力され、前
記実施例と同様、強制的正帰還により高周波帯域で安定
な発振が始まる。このように、本発明により、部品点数
を少なくして、出力の安定化、低雑音化が実現できる。Further, as in the above embodiment, stabilization of high frequency oscillation is realized by the high frequency band signal source 26 whose output is controlled by the processing circuit 4. A comparison output between the allowable noise and the detected noise is obtained from the comparator 25, and based on the output, the processing circuit 4
controls the signal source 26. When the signal source 26 receives an output command from the processing circuit 4, it outputs a pulse or step waveform including a high frequency band. This is input to the comparator 25, and stable oscillation in the high frequency band begins due to forced positive feedback, as in the previous embodiment. As described above, according to the present invention, the number of parts can be reduced, and output stability and noise reduction can be realized.
記録時には、前述の実施例と同様に、入力端子3より与
えられた変調信号を処理回路4で波形整形して、アンプ
22、電圧/電流変換器23を介してレーザlのバイア
スを変調する。また、比較器25には、変調に対応して
変調された基準電圧を与え、変調に対応した才−トパワ
ーコントロールを実現する。実に、本実施例においても
、記録時の高出力レベルの際には高周波発振をやめ、低
出力レベルで発振させる。それには、処理回路4からの
変調に対応した信号により、電流/電圧変換器24の高
周波発振帯域の周波数特性を切換えて行なう。具体的に
は、前記の帰還の高周波発振帯域でのゲインを1未満あ
るいは位相を360度(またはその整数倍)からずらす
ことで、もしくはその2つを同時に実現することで達成
することが可能である。また、高出力時に信号源26の
出力を禁止し、高周波発振を起さず、低出力時に,再生
時と同様に、信号源26から適宜の出力により高周波発
振を安定に起させるのである。During recording, the modulation signal applied from the input terminal 3 is waveform-shaped by the processing circuit 4, and the bias of the laser I is modulated via the amplifier 22 and voltage/current converter 23, as in the previous embodiment. Further, a reference voltage modulated in accordance with the modulation is applied to the comparator 25, thereby realizing intelligent power control in accordance with the modulation. Indeed, in this embodiment as well, high frequency oscillation is stopped when the output level is high during recording, and oscillation is performed at a low output level. To do this, the frequency characteristics of the high frequency oscillation band of the current/voltage converter 24 are switched using a signal corresponding to the modulation from the processing circuit 4. Specifically, this can be achieved by making the gain in the high frequency oscillation band of the feedback less than 1 or by shifting the phase from 360 degrees (or an integral multiple thereof), or by achieving both at the same time. be. Further, when the output is high, the output of the signal source 26 is prohibited, so that high-frequency oscillation does not occur, and when the output is low, the appropriate output from the signal source 26 is used to stably cause high-frequency oscillation, as in the case of reproduction.
なお,上記実施例では本発明を光学的情報記録再生装置
について説明したが、勿論、情報の消去を行なう場合、
光通信、光計測などの分野にも適用可能である。また、
レーザの光出力を変調せず,低出力のみ用いている場合
、例えば、再生のみの場合、処理回路4や比較器の基準
電圧切換え、間波数帯域の切換えが不要であり、常に高
周波発振する状態に固定するケースでは、装置の単純化
が更に進む。In the above embodiments, the present invention has been explained with respect to an optical information recording/reproducing device, but of course, when erasing information,
It can also be applied to fields such as optical communication and optical measurement. Also,
When the optical output of the laser is not modulated and only a low output is used, for example, when only for reproduction, there is no need to switch the reference voltage of the processing circuit 4 or the comparator, or to switch the interwave number band, and the state is always high-frequency oscillation. In the case where it is fixed to , the device is further simplified.
また、上記実施例では、変調の低出力、高出力状態で、
高周波発振、非発振を切換えているが、例えば、光ディ
スクメモリ装置などで、半導体レーザの雑音が再生時の
情報信号帯域(例えば1 00K〜20MHz)でのみ
問題となり、サーボ帯域(0〜50kH.)や、記録、
消去時(記録媒体の記録、消去のしきい値が明確で、い
わゆるガンマが高い場合)では、レーザの雑音が問題に
ならないなら、再生時のみに高周波発振させるだけでも
よい。In addition, in the above embodiment, in the low output and high output states of modulation,
High-frequency oscillation and non-oscillation are switched, but for example, in optical disk memory devices, semiconductor laser noise becomes a problem only in the information signal band during reproduction (for example, 100K to 20MHz), and in the servo band (0 to 50kHz). Ya, records,
If laser noise is not a problem during erasing (when the recording and erasing thresholds of the recording medium are clear and the so-called gamma is high), high-frequency oscillation may be performed only during reproduction.
また、高周波発振を安定化させるために発振の振幅増大
により本帰還回路の一部(例えばアンプ)を飽和するよ
うにして、実質のゲイン(損先も含む)が1になるよう
に設定する方式をとってもよい。In addition, in order to stabilize high-frequency oscillation, a part of the feedback circuit (for example, an amplifier) is saturated by increasing the amplitude of oscillation, and the actual gain (including loss) is set to 1. You can also take
また、本実施例では正帰還回路として、フィルタ、比較
器、アンプ、電流/電圧変換器、電圧/電流変換器、信
号源などの構成を示しているが,これに限定されるもの
ではなく、高周波発振帯域で正帰還がかかり、それより
低周波域で負帰還がかかる構成であればよい。また、レ
ーザ光の検出器を,高周波用、低周波用に分けて設けて
ちよく、他の信号検出器と兼用してもよい。更に、これ
らの回路の全部または一部を、半導体レーザと集積化し
て作成してもよい。Further, in this embodiment, the positive feedback circuit includes a filter, a comparator, an amplifier, a current/voltage converter, a voltage/current converter, a signal source, etc., but the configuration is not limited to this. Any configuration may be sufficient as long as positive feedback is applied in the high frequency oscillation band and negative feedback is applied in the lower frequency band. Further, the laser beam detector may be provided separately for high frequency and low frequency, and may also be used as another signal detector. Furthermore, all or part of these circuits may be integrated with a semiconductor laser.
また、上記実施例では負帰還による才一トパワーコント
ロールの周波数帯域を、高周波帯域近くまでとっている
が、高周波発振の不安定による光出力の変動の周波数帯
域が、ちつと低くければ、それに合わせればよい。また
、使用する情報信号帯域以下、またはサーボ帯域以下、
温度変動帯域以下にすることも可能である。また、これ
ら複数の帯域に分割して独立にオートパワーコントロー
ルすることも可能である。In addition, in the above embodiment, the frequency band of smart power control using negative feedback is set close to the high frequency band, but if the frequency band of optical output fluctuation due to instability of high frequency oscillation is slightly lower, then Just match it. In addition, below the information signal band to be used or below the servo band,
It is also possible to make it below the temperature fluctuation band. It is also possible to divide these into multiple bands and perform automatic power control independently.
また、半導体レーザの出力光のモニタとして、半導体レ
ーザのパッケージ内のフォトダイオードを使用している
が、記録や消去に必要な高い出力を半導体レーザから取
出すのに、通常、レーザの前端面に低反射率、後端面に
高反射率の部材を設けていて、戻り光があると、前方出
力と後方出力との相似性が崩れることがあるから、望ま
しくは前方出力の一部を別途に設けた光検出器でモニタ
するとよい。In addition, a photodiode inside the semiconductor laser package is used to monitor the output light of the semiconductor laser, but in order to extract the high output necessary for recording and erasing from the semiconductor laser, a low Reflectance: If a member with high reflectance is provided on the rear end face and there is return light, the similarity between the front output and the rear output may be lost, so it is preferable to provide a part of the front output separately. It is best to monitor with a photodetector.
また、高周波帯域信号源は本帰還が確実にかかるもので
あればよく、パルス波形やステップ波形に限定されるも
のではない。Further, the high frequency band signal source may be one that can reliably perform this feedback, and is not limited to a pulse waveform or a step waveform.
[発明の効果コ
本発明は、以上詳述したようになり、許容雑音レベルの
範囲で高周波発振により、高周波帯域で正帰還してレー
ザの雑音を低減し、かつ高周波発振を安定化することが
でき、半導体レーザの駆動が、比較的簡素で低コストな
構成により、安定で信頼性のある状態で実現できる。[Effects of the Invention] As described in detail above, the present invention is capable of reducing laser noise and stabilizing high-frequency oscillation by performing positive feedback in a high-frequency band by high-frequency oscillation within an allowable noise level range. The semiconductor laser can be driven stably and reliably using a relatively simple and low-cost configuration.
第l図は本発明の一実旅例を示すブロック図、第2図は
高周波発振駆動を行った場合のレーザの出力特性を説明
するグラフ、第3図は別の実施例を示すブロック図であ
る。
■・・・半導体レーザ
2・・・フォトダイオード
9,l4・・・比較器
8.13・・・電流/電圧変換器
6,1l・・・電圧/電流変換器
15・・・信号源Fig. 1 is a block diagram showing one practical example of the present invention, Fig. 2 is a graph explaining the output characteristics of the laser when driven by high frequency oscillation, and Fig. 3 is a block diagram showing another embodiment. be. ■...Semiconductor laser 2...Photodiode 9, l4...Comparator 8.13...Current/voltage converter 6, 1l...Voltage/current converter 15...Signal source
Claims (1)
信号の少なくとも一部の周波数帯域の信号を、上記半導
体レーザの光出力に対して注入電流を通して正帰還させ
るようにした半導体レーザ駆動装置において、上記半導
体レーザの注入電流を通して、半導体レーザーに信号を
正帰還する帰還手段に対して、上記電流に対応した変調
信号で、上記正帰還信号を含む周波数帯域の高周波信号
源を上記帰還手段に接続するように構成したことを特徴
とする半導体レーザ駆動装置。A semiconductor laser driving device that detects the optical output of a semiconductor laser as a light source, and positively returns a signal in at least a part of the frequency band of the detection signal to the optical output of the semiconductor laser through an injected current, A high frequency signal source in a frequency band including the positive feedback signal is connected to the feedback means for positive feedback of a signal to the semiconductor laser through the injection current of the semiconductor laser, with a modulation signal corresponding to the current. A semiconductor laser drive device characterized by being configured as follows.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP1150476A JP2664775B2 (en) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | Semiconductor laser driver |
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JPH0318079A true JPH0318079A (en) | 1991-01-25 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7041195B2 (en) | 1999-02-19 | 2006-05-09 | Ronald H. Ball | Method of applying and removing a protective film to the surface of a handrail for an escalator or moving walkway |
US7108905B2 (en) | 2000-02-22 | 2006-09-19 | Ronald H. Ball | Protective film for the surface of a handrail for an escalator or moving walkway |
US7278528B2 (en) | 1999-02-19 | 2007-10-09 | Ronald H. Ball | Method of and apparatus for applying a film optionally including advertising or other visible material, to the surface of a handrail for an escalator or moving walkway |
JP2014154835A (en) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical transmitter |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1150476A patent/JP2664775B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7041195B2 (en) | 1999-02-19 | 2006-05-09 | Ronald H. Ball | Method of applying and removing a protective film to the surface of a handrail for an escalator or moving walkway |
US7278528B2 (en) | 1999-02-19 | 2007-10-09 | Ronald H. Ball | Method of and apparatus for applying a film optionally including advertising or other visible material, to the surface of a handrail for an escalator or moving walkway |
US7951254B2 (en) | 1999-02-19 | 2011-05-31 | Ehc Canada, Inc. | Method of applying advertising to the surface of a moving handrail |
US7108905B2 (en) | 2000-02-22 | 2006-09-19 | Ronald H. Ball | Protective film for the surface of a handrail for an escalator or moving walkway |
JP2014154835A (en) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical transmitter |
Also Published As
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JP2664775B2 (en) | 1997-10-22 |
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