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JPH0316222A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0316222A
JPH0316222A JP1151867A JP15186789A JPH0316222A JP H0316222 A JPH0316222 A JP H0316222A JP 1151867 A JP1151867 A JP 1151867A JP 15186789 A JP15186789 A JP 15186789A JP H0316222 A JPH0316222 A JP H0316222A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
silicon nitride
nitride film
under
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1151867A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Shiosaki
潮崎　裕行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP1151867A priority Critical patent/JPH0316222A/ja
Publication of JPH0316222A publication Critical patent/JPH0316222A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
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    • H01L2924/351—Thermal stress

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置、詳しくはその層間絶縁膜に関す
るものである。
従来の技術 第３図は、従来の半導体装置のボンデ，インパッド部の
断面図であり、１は半導体基板、２は層間絶縁膜、３は
アルミニウム蒸着膜、４はシリコン粒子、Ｓはリードワ
イヤー、６は封止樹脂である。
但し、層間絶縁膜２は、アルミニウム配線直下が窒化珪
素膜でないものとする。
近年、半導体装置の多機能化，縮小化に伴ない、アノレ
ミニウム配線の材料の主流であった純アノレミニウムに
代えて、シリコン含有のアノレミニウム、壇たはシリコ
ン及び銅含有のアノレミニウムが使われるようになって
きた。
発明が解決しようとする課題 アルミニウム蒸着膜３として、シリコン含有のアｌレミ
ニウム、筐たはシリコン及び銅含有のアルξニウムを層
間絶縁模２上に蒸着し、その後、熱処理を処すことによ
り、アノレミニウム中のシリコンが直径約１μｍのシリ
コン粒子４となり、アルミニウム蒸着喚３中に析出する
。これは、その後、リードワイヤー６を超音波併用型熱
圧着でボンディングする際、その荷重及び超音波振動の
付加において、シリコン粒子４が層間絶縁膜２に傷を入
れる。
そこで、その眉間絶縁暎２に傷の入った製品を半田実装
すると、その際の熱により、半導体基板１と封止樹脂ｅ
との熱膨張差による応力がリードワイヤー６の接着部に
加わり、眉間絶縁間２に入った傷が拡大され、リードワ
イヤー５がはがれる。
本発明は、上記のような半導体装置のリードワイヤーの
はがれを解決することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は、上記の目的を違或させるため、ボンディング
パッド部周辺で、アルミニウム配線下の層間絶縁膜のう
ち、ア〃ミニウム配線直下を窒化珪素膜にしたものであ
る。
作用 このように、本発明によると、ヤング率が破断強度に比
例することから、ヤング率の高い窒化珪素膜を使用する
とボンディング時、シリコン粒子により傷が付きに＜＜
、半田実装時の熱応力により発生するワイヤーはがれを
防止することができる。
実施例 次に、本発明の一実施例を第１図，第２図により説明す
る。第１図のように、アｐミニウム蒸着膜３下の層間絶
縁膜に窒化珪素膜７が使用されている場合、ボンディン
グパッド部周辺に限９アルミニウム蒸着膜直下の窒化珪
素膜以外の層間絶縁膜８を除去し、アノレミニウム蒸着
膜３直下に窒化珪素膜がくるようにする。また、第２図
のように、アノレミニウム蒸着膜３下の層間絶縁膜に窒
化珪素膜が使用されていない場合、ボンディング・８ツ
ド部周辺に限９、アｐミニウム蒸着膜３直下に窒化珪素
膜７をつける。
発明の効果 以上に述べたように、ボンディングパッド部周辺に限９
、アルミニウム゛配線直下の層間絶縁膜を窒化珪素膜に
することにより、窒化珪素膜はヤング率が高く、破壊強
度が大きいため、リードワイヤーをボンディングする際
、シリコン粒子により島がつきにくいため、半田実装時
の熱応力により発生するワイヤーはがれを防止すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図．第２図はワイヤーはがれ対策一実施例の概要を
示す図、第３図は従来の半導体装置のポンディングパッ
ド部の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・層間絶縁膜（
但し、アノレミニウム配線直下が窒化珪素膜でないもの
）、３・・・・・・アｐミニウム蒸着膜、４・・・・・
・シリコン粒子、６・・・・・リードワイヤー、６・・
・・・・封止樹脂、７・・・・・・窒化珪素膜、８・・
・・・・窒化珪素膜以外の層間絶縁膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　シリコン含有、またはシリコン及び金属含有のアルミ
    ニウムによる配線からなるボンディングパッド部周辺直
    下の層間絶縁膜を窒化珪素膜にしたことを特徴とした半
    導体装置。
JP1151867A 1989-06-14 1989-06-14 半導体装置 Pending JPH0316222A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1151867A JPH0316222A (ja) 1989-06-14 1989-06-14 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1151867A JPH0316222A (ja) 1989-06-14 1989-06-14 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0316222A true JPH0316222A (ja) 1991-01-24

Family

ID=15527959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1151867A Pending JPH0316222A (ja) 1989-06-14 1989-06-14 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0316222A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5770246A (en) * 1994-08-12 1998-06-23 Sodick Co., Ltd. Injection molding machine

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5770246A (en) * 1994-08-12 1998-06-23 Sodick Co., Ltd. Injection molding machine

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