JPH03162183A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH03162183A JPH03162183A JP1300717A JP30071789A JPH03162183A JP H03162183 A JPH03162183 A JP H03162183A JP 1300717 A JP1300717 A JP 1300717A JP 30071789 A JP30071789 A JP 30071789A JP H03162183 A JPH03162183 A JP H03162183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- photoelectric conversion
- output line
- transistor
- horizontal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光電変換装置に係り、特に光電変換さ＋−１＾
ｇ曲九普積可牝ナ戸出轡亦愉薯専私たＩラミ也牲み出す
光電変換装置に関する。
ｇ曲九普積可牝ナ戸出轡亦愉薯専私たＩラミ也牲み出す
光電変換装置に関する。
［従来の技術］
従来、入射された光を光電変換して、信号電荷として蓄
積し、この信号電荷に対応する信号を取出す光電変換装
置がある。その一つにバイボーラトランジスタのベース
領域に電荷を蓄積し、この蓄積された電荷を増幅してエ
ミッタから取出す充電変換装置がある． 第４図はかかる従来の充電変換装置の回路構成図である
。なお、ここでは４行、４列分のセンサー回路が例示さ
れている。
積し、この信号電荷に対応する信号を取出す光電変換装
置がある。その一つにバイボーラトランジスタのベース
領域に電荷を蓄積し、この蓄積された電荷を増幅してエ
ミッタから取出す充電変換装置がある． 第４図はかかる従来の充電変換装置の回路構成図である
。なお、ここでは４行、４列分のセンサー回路が例示さ
れている。
第５図は、上記光電変換装置の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。
イミングチャートである。
第４図において、ｌはセンサー画素で、バイボーラトラ
ンジスタＴｒ、ベースに接続する容量Ｃ，Ｐ型ＭＯＳト
ランジスタＭで構成される。
ンジスタＴｒ、ベースに接続する容量Ｃ，Ｐ型ＭＯＳト
ランジスタＭで構成される。
２は画素のバイボーラトランジスタＴｒのエミッタに接
続される出力線、３は出力信号を蓄積するための蓄積容
量、４は出力線２と蓄積容量３との間をスイ、ソ手ング
するかめのＭｌＩＳ｝−ランジ又夕５は出力線２をリセ
ットするためのＭＯＳ ｝ランジスタ、６は出力信号を
出力するための水平出力線、７は蓄積容量３の蓄積信号
を水平シフトレジスタＨＳＲから出力に従って水平出力
線６に転送するためのＭＯＳ ｝−ランジスタ、８は水
平出力線６をリセットするためのＭＯＳトランジスタ、
９は画素を駆動するための水平駆動線、１０は垂直シフ
トレジスタＶＳＲからの出力に従って駆動される画素の
行を選択するためのバッファ用ＭＯＳトランジスタであ
る。Ｖｌ，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４は垂直シフトレジスタＶＳ
Ｒからの出力、ＰＨＳは水平シフトレジスタＨＳＲのス
タートパルス、ＰＨＩ，ＰＨ２は水平シフトレジスタＨ
ＳＲの走査パルスであり、上側の水平シフトレジスタＨ
ＳＲからの出力Ｈｌ，Ｈ３は、走査パルスＰＨ１に同期
し、下側の水平シフトレジスタＨＳＲからの出力Ｈ２，
Ｈ４は走査パルスＰＨ２に同期する。またＰＴはＭＯＳ
トランジスタ４のゲートに印加するパルス、ＰｖＣはＭ
ＯＳ ｝ランジスタ５のゲートに印加するパルス、ＰＲ
は駆動パルスである。
続される出力線、３は出力信号を蓄積するための蓄積容
量、４は出力線２と蓄積容量３との間をスイ、ソ手ング
するかめのＭｌＩＳ｝−ランジ又夕５は出力線２をリセ
ットするためのＭＯＳ ｝ランジスタ、６は出力信号を
出力するための水平出力線、７は蓄積容量３の蓄積信号
を水平シフトレジスタＨＳＲから出力に従って水平出力
線６に転送するためのＭＯＳ ｝−ランジスタ、８は水
平出力線６をリセットするためのＭＯＳトランジスタ、
９は画素を駆動するための水平駆動線、１０は垂直シフ
トレジスタＶＳＲからの出力に従って駆動される画素の
行を選択するためのバッファ用ＭＯＳトランジスタであ
る。Ｖｌ，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４は垂直シフトレジスタＶＳ
Ｒからの出力、ＰＨＳは水平シフトレジスタＨＳＲのス
タートパルス、ＰＨＩ，ＰＨ２は水平シフトレジスタＨ
ＳＲの走査パルスであり、上側の水平シフトレジスタＨ
ＳＲからの出力Ｈｌ，Ｈ３は、走査パルスＰＨ１に同期
し、下側の水平シフトレジスタＨＳＲからの出力Ｈ２，
Ｈ４は走査パルスＰＨ２に同期する。またＰＴはＭＯＳ
トランジスタ４のゲートに印加するパルス、ＰｖＣはＭ
ＯＳ ｝ランジスタ５のゲートに印加するパルス、ＰＲ
は駆動パルスである。
以下、第５図に従ってセンサー動作を説明するｄ
まず、出力Ｖ１がＨｉｇｈレベルとなって、センサー画
素の第１行が選択されるとき、パルスＰＴを旧ｇｈレベ
ル、パルスＰＶＣをＬＯＷレベルとして、出力線２及び
蓄積容量３を浮遊状態とし、駆動パルスＰＲをＨｉｇｈ
レベルとし、第１行画素の読出しを行う．奇数列にある
画素の信号は、上側の蓄積容量３に、偶数列にある画素
の信号は下側の蓄積容量３に蓄積される。上側の水平出
力線６には走査パルスＰＨ１に同期して信号が転送され
、走査パルスＰＨ２に同期して、上側の水平出力線６が
リセットされる。下側の水平出力線６には走査パルスＰ
Ｈ２に同期して信号が転送され、走査パルスＰＨ１に同
期して下側の水平出力線６がリセットされる。この水平
走査の間、駆動パルスＰＲはＬＯＷレベルとなって、第
１行の画素のバイボーラトランジスタＴｒのベースは、
ＧＮＤとなる。水平走査終了後、駆動パルスＰＲは｝Ｉ
ｉｇｈレベルとなって、ベース電位は容量結合を通して
正電位になり、ＭＯＳ ｝ランジスタ５を通してＧＮＤ
に固定されている出力線２に、順方向電流が流れ込み、
ベース電位はある一定レベルまで下がる。駆動パルスＰ
ＲがＭＩＤＤＬＥレベルになると、画素のエミッターベ
ース間は、逆バイアスとなって、光電荷の蓄積が始まる
。出力ＶｌがＬＯＷレベルとなり、出力ｖ２がＨｉｇｈ
レベルとなって、第２行が選択されると、第２行の画素
において、同様の動作が繰り返され、結局、画素からの
増幅された信号出力は、上下のアンプから順次出力され
ることになる。
素の第１行が選択されるとき、パルスＰＴを旧ｇｈレベ
ル、パルスＰＶＣをＬＯＷレベルとして、出力線２及び
蓄積容量３を浮遊状態とし、駆動パルスＰＲをＨｉｇｈ
レベルとし、第１行画素の読出しを行う．奇数列にある
画素の信号は、上側の蓄積容量３に、偶数列にある画素
の信号は下側の蓄積容量３に蓄積される。上側の水平出
力線６には走査パルスＰＨ１に同期して信号が転送され
、走査パルスＰＨ２に同期して、上側の水平出力線６が
リセットされる。下側の水平出力線６には走査パルスＰ
Ｈ２に同期して信号が転送され、走査パルスＰＨ１に同
期して下側の水平出力線６がリセットされる。この水平
走査の間、駆動パルスＰＲはＬＯＷレベルとなって、第
１行の画素のバイボーラトランジスタＴｒのベースは、
ＧＮＤとなる。水平走査終了後、駆動パルスＰＲは｝Ｉ
ｉｇｈレベルとなって、ベース電位は容量結合を通して
正電位になり、ＭＯＳ ｝ランジスタ５を通してＧＮＤ
に固定されている出力線２に、順方向電流が流れ込み、
ベース電位はある一定レベルまで下がる。駆動パルスＰ
ＲがＭＩＤＤＬＥレベルになると、画素のエミッターベ
ース間は、逆バイアスとなって、光電荷の蓄積が始まる
。出力ＶｌがＬＯＷレベルとなり、出力ｖ２がＨｉｇｈ
レベルとなって、第２行が選択されると、第２行の画素
において、同様の動作が繰り返され、結局、画素からの
増幅された信号出力は、上下のアンプから順次出力され
ることになる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記従来の光電変換装置では、蓄積容量
３と水平出力線６との間の容量分割で水平出力線６に転
送された出力信号は、必ずリセットされなければならず
、この水平出力線６のリセット動作のために、第４図及
び第５図で説明したように、１つの行の画素の信号を順
次取出すたｈｔ：−ｔ＋東ｓｒｔ中＋＋１−自ｚ ト仰
１ ） Ｔ （［１＋１ Ｌｍ Ｏ Ｌ＋ ｆ 巾力
１、なければならない。特に、カラーセンサーのように
２行分の信号を転送しなければならない場合、上記従来
の光電変換装置による信号転送方法は難しくなる。さら
に、水平出力線６への信号転送は容量分割によるため、
水平出力線６に表れる信号電圧は、蓄積容量３で蓄積さ
れた信号電圧よりも下がってしまうという課題があった
。
３と水平出力線６との間の容量分割で水平出力線６に転
送された出力信号は、必ずリセットされなければならず
、この水平出力線６のリセット動作のために、第４図及
び第５図で説明したように、１つの行の画素の信号を順
次取出すたｈｔ：−ｔ＋東ｓｒｔ中＋＋１−自ｚ ト仰
１ ） Ｔ （［１＋１ Ｌｍ Ｏ Ｌ＋ ｆ 巾力
１、なければならない。特に、カラーセンサーのように
２行分の信号を転送しなければならない場合、上記従来
の光電変換装置による信号転送方法は難しくなる。さら
に、水平出力線６への信号転送は容量分割によるため、
水平出力線６に表れる信号電圧は、蓄積容量３で蓄積さ
れた信号電圧よりも下がってしまうという課題があった
。
［課題を解決するための手段］
本発明の光電変換装置は、光電変換された電荷を蓄積可
能な光電変換要素の信号出力側にダーリントン型トラン
ジスタの制御電極を電気的に接続し、該ダーリントン型
トランジスタの一方の主電極に負荷手段を電気的に接続
して、エミッタフォロア回路を構成し、該主電極から信
号を読み出すことを特徴とする。
能な光電変換要素の信号出力側にダーリントン型トラン
ジスタの制御電極を電気的に接続し、該ダーリントン型
トランジスタの一方の主電極に負荷手段を電気的に接続
して、エミッタフォロア回路を構成し、該主電極から信
号を読み出すことを特徴とする。
〔作 用］
本発明は、光電変換要素の信号出力側にダーリントン型
トランジスタの制御電極を電気的に接続し、該ダーリン
トン型トランジスタの一方の主電極番こ角浦半ｆｆ９を
雷悟的に培縛１，て一工Ｓ・ソタフナロア回路を構成す
ることにより、主電極と接続される信号出力線のリセッ
トを不要とし、１本の信号出力線から、リセット動作を
はさまずに、複数の光電変換要素から逐次信号が出力す
ることを可能としたものである。
トランジスタの制御電極を電気的に接続し、該ダーリン
トン型トランジスタの一方の主電極番こ角浦半ｆｆ９を
雷悟的に培縛１，て一工Ｓ・ソタフナロア回路を構成す
ることにより、主電極と接続される信号出力線のリセッ
トを不要とし、１本の信号出力線から、リセット動作を
はさまずに、複数の光電変換要素から逐次信号が出力す
ることを可能としたものである。
［実施例］
以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図は、本発明の光電変換装置の第ｌ実施例の回路構
成図である。
成図である。
なお、第４図に示した構成部材と共通するものについて
は、同一符号を付し、説明を省くものとする。
は、同一符号を付し、説明を省くものとする。
第１図において、１ｌはダーリントン型バイボーラトラ
ンジスタであり、ベース領域は、蓄積容量３と接続され
ている。１２は負荷抵抗であり、ＭＯＳ ｝ランジスタ
７がＯＮ状態となった時に、ダーリントン型バイボーラ
トランジスタ１１とともにエミッタフォロワが形成され
る。
ンジスタであり、ベース領域は、蓄積容量３と接続され
ている。１２は負荷抵抗であり、ＭＯＳ ｝ランジスタ
７がＯＮ状態となった時に、ダーリントン型バイボーラ
トランジスタ１１とともにエミッタフォロワが形成され
る。
センサー画素の動作については、第４図及び第５図で説
明した従来例と同じであるが、蓄積容量３に信号が蓄積
された後は、水平シフトレジスタＨＳＲからの出力によ
ってＯＮ状態となったＭＯＳトランジスタ７を通して、
エミッタフォロワ動作によって、水平出力線６に信号が
出力される。エミッタフォロワ動作時、ベースは浮遊状
態にあるが、ダーリントン型バイボーラトランジスタ１
１の電流増幅率は、きわめて高いため、ベース電位の下
降は十分無視できる。このような信号読み出しは、従来
のような水平出力線６のリセットは不要であり、走査パ
ルスＰＨＩ，ＰＨ２の両方の同期出力を出すシフトレジ
スタを使い、１行の画素の信号を１本の水平出力線から
出力できる。
明した従来例と同じであるが、蓄積容量３に信号が蓄積
された後は、水平シフトレジスタＨＳＲからの出力によ
ってＯＮ状態となったＭＯＳトランジスタ７を通して、
エミッタフォロワ動作によって、水平出力線６に信号が
出力される。エミッタフォロワ動作時、ベースは浮遊状
態にあるが、ダーリントン型バイボーラトランジスタ１
１の電流増幅率は、きわめて高いため、ベース電位の下
降は十分無視できる。このような信号読み出しは、従来
のような水平出力線６のリセットは不要であり、走査パ
ルスＰＨＩ，ＰＨ２の両方の同期出力を出すシフトレジ
スタを使い、１行の画素の信号を１本の水平出力線から
出力できる。
また、出力はＭＯＳ トランジスタ７のＯＮ抵抗と、負
荷抵抗１２との抵抗分割によって、蓄積容量３に蓄積さ
れた信号よりも下がるが、ＭＯＳ トランジスタ７のＯ
Ｎ抵抗を十分小さくすることは容易であり、従来の容量
分割による方法よりもはるかに高レベルの信号を水平出
力線６に出力することができる。
荷抵抗１２との抵抗分割によって、蓄積容量３に蓄積さ
れた信号よりも下がるが、ＭＯＳ トランジスタ７のＯ
Ｎ抵抗を十分小さくすることは容易であり、従来の容量
分割による方法よりもはるかに高レベルの信号を水平出
力線６に出力することができる。
第２図は、本発明の光電変換装置の第２実施例の信号の
水平転送部の回路構成図である。
水平転送部の回路構成図である。
同図において、１３はＯＮ状態になった時にエミッタフ
ォロワの負荷抵抗として働＜ ＭＯＳトランジスタであ
る。ＭＯＳ トランジスタｌ３は、各ダーリントン型バ
イボーラトランジスタｌ１に接続されている。かかる水
平転送部の動作は、第１図の場合と同じであるが、本実
施例での出力は、抵抗分割もないため、蓄積容量３にお
ける信号が、まったく降下せずに、水平出力線６に現わ
れる。
ォロワの負荷抵抗として働＜ ＭＯＳトランジスタであ
る。ＭＯＳ トランジスタｌ３は、各ダーリントン型バ
イボーラトランジスタｌ１に接続されている。かかる水
平転送部の動作は、第１図の場合と同じであるが、本実
施例での出力は、抵抗分割もないため、蓄積容量３にお
ける信号が、まったく降下せずに、水平出力線６に現わ
れる。
また、第ｌ図に示した第１実施例では、ＭｏＳトランジ
スタ７のＯＮ抵抗のばらつきによって、水平出力線６の
出力がばらつくが、本実施例ではＭＯＳ トランジスタ
１３のＯＮ抵抗ばらつきのエミッタフォロワ出力ばらつ
きへの寄与は小さい。
スタ７のＯＮ抵抗のばらつきによって、水平出力線６の
出力がばらつくが、本実施例ではＭＯＳ トランジスタ
１３のＯＮ抵抗ばらつきのエミッタフォロワ出力ばらつ
きへの寄与は小さい。
第３図は、本発明を適用した固体撮像装置の概略的構成
図である。
図である。
同図において、光センサがエリア状に配列された撮像素
子２０１は、垂直走査部２０２及び水平走査部２０３に
よってテレビジョン走査が行なわれる。
子２０１は、垂直走査部２０２及び水平走査部２０３に
よってテレビジョン走査が行なわれる。
水平走査部２０３から出力された信号は、処理回路２０
４を通して標準テレビジョン信号として出力される。
４を通して標準テレビジョン信号として出力される。
垂直および水平走査部２０２及び２０３の駆動バノレス
φＭｍ， φｓ＋＋ φＨ！Ｉ φｖｓ． φｖ＋
． φｖ２等はドライバ２０５によって供給される。ま
たドライバ２０５はコントローラ２０６によって制限さ
れる。
φＭｍ， φｓ＋＋ φＨ！Ｉ φｖｓ． φｖ＋
． φｖ２等はドライバ２０５によって供給される。ま
たドライバ２０５はコントローラ２０６によって制限さ
れる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の光電変換装置によれば、
光電変換要素の信号出力側にダーリントン型トランジス
タの制御電極を電気的に接続し、該ダーリントン型トラ
ンジスタの一方の主電極に負荷手段を電気的に接続して
、エミッタフォロア回路を構歳することにより、主電極
と接続される信号出力線のリセットを不要とし、１本の
信号出力線から、リセット動作をはさまずに、複数の光
電変換要素から逐次信号を出力することができる。また
、従来のような信号の容量Ａ Ｉ’ｌｌ ＜、ｆｒいか
め、ベースに蓄積された信号をそのまま信号出力線に出
力することができる。
光電変換要素の信号出力側にダーリントン型トランジス
タの制御電極を電気的に接続し、該ダーリントン型トラ
ンジスタの一方の主電極に負荷手段を電気的に接続して
、エミッタフォロア回路を構歳することにより、主電極
と接続される信号出力線のリセットを不要とし、１本の
信号出力線から、リセット動作をはさまずに、複数の光
電変換要素から逐次信号を出力することができる。また
、従来のような信号の容量Ａ Ｉ’ｌｌ ＜、ｆｒいか
め、ベースに蓄積された信号をそのまま信号出力線に出
力することができる。
第ｌ図は、本発明の光電変換装置の第１実施例の回路構
成図である。 第２図は、本発明の光電変換装置の第２実施例の信号の
水平転送部の回路構成図である。 第３図は、本発明を適用した固体撮像装置の概略的構成
図である． 第４図は、従来の光電変換装置の回路構成図である。 第５図は、上記充電変換装置の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。 ｌ：センサー画素、２：出力線、３：蓄積容量、４：Ｍ
ＯＳ｝ランジスタ、５：ＭＯＳ｝−ランジスタ、６：水
平出力線、７：ＭＯＳトランジスタ、８：ＭＯＳトラン
ジスタ、９：水平駆動線、ｌｏ：ＭＯＳトランジスタ、
１１：ダーリントン型バイボーラトランジスタ、１２：
負荷抵抗、１３：１ｉ１０３ トランジスタ、ＨＳＲ：
水平シフトレジスタ、ＶＳＲ：垂直シフトレジスタ、Ａ
ＭＰ：前置増幅器。
成図である。 第２図は、本発明の光電変換装置の第２実施例の信号の
水平転送部の回路構成図である。 第３図は、本発明を適用した固体撮像装置の概略的構成
図である． 第４図は、従来の光電変換装置の回路構成図である。 第５図は、上記充電変換装置の動作を説明するためのタ
イミングチャートである。 ｌ：センサー画素、２：出力線、３：蓄積容量、４：Ｍ
ＯＳ｝ランジスタ、５：ＭＯＳ｝−ランジスタ、６：水
平出力線、７：ＭＯＳトランジスタ、８：ＭＯＳトラン
ジスタ、９：水平駆動線、ｌｏ：ＭＯＳトランジスタ、
１１：ダーリントン型バイボーラトランジスタ、１２：
負荷抵抗、１３：１ｉ１０３ トランジスタ、ＨＳＲ：
水平シフトレジスタ、ＶＳＲ：垂直シフトレジスタ、Ａ
ＭＰ：前置増幅器。
Claims (2)
- （１）光電変換された電荷を蓄積可能な光電変換要素の
信号出力側にダーリントン型トランジスタの制御電極を
電気的に接続し、該ダーリントン型トランジスタの一方
の主電極に負荷手段を電気的に接続して、エミッタフォ
ロア回路を構成し、該主電極から信号を読み出す光電変
換装置。 - （２）前記光電変換要素が、半導体トランジスタの制御
電極領域に光電変換された電荷を蓄積し、該半導体トラ
ンジスタの一方の主電極領域から増幅された信号を取出
す光電変換素子である請求項１記載の光電変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300717A JP2582168B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
| US07/618,361 US5146339A (en) | 1989-11-21 | 1990-11-21 | Photoelectric converting apparatus employing Darlington transistor readout |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1300717A JP2582168B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03162183A true JPH03162183A (ja) | 1991-07-12 |
| JP2582168B2 JP2582168B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=17888254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1300717A Expired - Fee Related JP2582168B2 (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2582168B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0577391A2 (en) * | 1992-06-30 | 1994-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus |
| KR100236797B1 (ko) * | 1991-12-26 | 2000-01-15 | 이데이 노부유끼 | 이미지센서용 소스종동회로 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01288181A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Seiko Instr Inc | 半導体イメージセンサ装置 |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP1300717A patent/JP2582168B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01288181A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Seiko Instr Inc | 半導体イメージセンサ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100236797B1 (ko) * | 1991-12-26 | 2000-01-15 | 이데이 노부유끼 | 이미지센서용 소스종동회로 |
| EP0577391A2 (en) * | 1992-06-30 | 1994-01-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid state image pickup apparatus |
| EP0577391A3 (en) * | 1992-06-30 | 1994-06-08 | Canon Kk | Solid state image pickup apparatus |
| US6049357A (en) * | 1992-06-30 | 2000-04-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus including signal accumulating cells |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2582168B2 (ja) | 1997-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10778918B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| US6784928B1 (en) | Solid state image pickup device and signal reading method thereof | |
| JP4971586B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2012019358A (ja) | 固体撮像装置および撮像システム | |
| JP2005244435A (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
| US4366503A (en) | Solid state image pick-up device and its charge transfer method | |
| JP2001045375A (ja) | 撮像装置とその読み出し方法 | |
| JP2641802B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JPH05283670A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の電荷読出し方法 | |
| CN104272719B (zh) | 固体摄像装置 | |
| JP4058791B2 (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム | |
| JPH01243675A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH04262679A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH01154678A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3563971B2 (ja) | 信号処理装置及びそれを用いた撮像装置 | |
| JP2003110940A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH03162183A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH11239299A (ja) | 固体撮像装置及びその駆動方法、並びにカメラ | |
| JP2721603B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法と固体撮像装置 | |
| JPH044682A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH04293371A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3481822B2 (ja) | 固体撮像装置およびカラーリニアイメージセンサ | |
| JPH0440179A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2880011B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH05191734A (ja) | Ｃｃｄ型固体撮像素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |