JPH03161491A - エポキシ基を有する有機ケイ素化合物 - Google Patents
エポキシ基を有する有機ケイ素化合物Info
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- JPH03161491A JPH03161491A JP29951389A JP29951389A JPH03161491A JP H03161491 A JPH03161491 A JP H03161491A JP 29951389 A JP29951389 A JP 29951389A JP 29951389 A JP29951389 A JP 29951389A JP H03161491 A JPH03161491 A JP H03161491A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、エボキシ樹弔旨系半導体封止材用材料として
有用な,エボキシ基を有する新規な有機ケイ素化合物に
関する。
有用な,エボキシ基を有する新規な有機ケイ素化合物に
関する。
(従来の技術)
コンデンサ、ダイオード、トランジスタ、サイリスク、
ホール素子などの個別半導体、又はIC.LSIなどの
集積回路においては、内部素子を機械的、電気的に外部
環境から保護するために、エボキシ樹脂系半導体封止材
が使用されている. ところが、最近の半導体パッケージの小型化、薄肉化、
又は半導体封止の大型化にともなって、内部応力の発生
あるいはリードフレームやチップとの耐湿接着性の低下
がエボキシ樹脂系半導体封止材の問題点として大きく取
り上げられるようになってきた. これらの問題点を解決するために、内部応力の発生に対
しては熱可塑性エラストマー、変性ブタジエン液状ゴム
、シリコーンオイルの添加が、一方の耐湿接着性の改善
に3−グリシドキシブロビルトリメトキシシランをはじ
めとする種々のシランカップリング剤の添加が試みられ
ているが十分な効果を得るまでには至っていない。しか
も、単一の化合物で内部応力の低減と耐湿接着性の向上
の両方に効果のあるような化合物は知られていない. (発明が解決しようとする課題) 本発明は、エポキシ樹脂系半導体封止材の内部応力の低
減及びlFFf湿接着性の向上の両方に効果のある、エ
ボキシ基を有する有機ケイ素化合物を提供することを目
的とする。
ホール素子などの個別半導体、又はIC.LSIなどの
集積回路においては、内部素子を機械的、電気的に外部
環境から保護するために、エボキシ樹脂系半導体封止材
が使用されている. ところが、最近の半導体パッケージの小型化、薄肉化、
又は半導体封止の大型化にともなって、内部応力の発生
あるいはリードフレームやチップとの耐湿接着性の低下
がエボキシ樹脂系半導体封止材の問題点として大きく取
り上げられるようになってきた. これらの問題点を解決するために、内部応力の発生に対
しては熱可塑性エラストマー、変性ブタジエン液状ゴム
、シリコーンオイルの添加が、一方の耐湿接着性の改善
に3−グリシドキシブロビルトリメトキシシランをはじ
めとする種々のシランカップリング剤の添加が試みられ
ているが十分な効果を得るまでには至っていない。しか
も、単一の化合物で内部応力の低減と耐湿接着性の向上
の両方に効果のあるような化合物は知られていない. (発明が解決しようとする課題) 本発明は、エポキシ樹脂系半導体封止材の内部応力の低
減及びlFFf湿接着性の向上の両方に効果のある、エ
ボキシ基を有する有機ケイ素化合物を提供することを目
的とする。
[発明の構成1
(課題を解決するための手段)
本発明は一般式
(式中、Rl.R2、R3、R4及びR6は置換又は非
置換の1価の炭化水素基、Bは置換又は非置換の2価の
炭化水素基、Yは加水分解性基、mは0〜2.OOOの
整数、n G1 1〜3の整数、Aは を表わす6但し、R3及びR4は繰り返し単位ごとに任
意に異なって6よい) で示されるエボキシ基を有する有機ケイ素化合物である
. 式(1)において Rl、R2、R3、R4及びRl′
としては、メチル、エチル、プロビル、ブチル、ベンチ
ル、ヘキシル、ペブチル、オクチル、ノニル.デシル、
ドデシルのようなアルキル基;シクロペンチル、シクロ
ヘキシルのようなシクロアルキル基:ベンジル、2−フ
ェニルエチルのようなアラルキル基;フエニル、トリル
のようなアリール基:ビニル、アリルのようなアルケニ
ル基;及びハロゲン原子、シアノ基などで置換されたク
ロロメチル、クロロフエニル、3.3.3−トリフルオ
ロブロビル、シアンエチルのような置換炭化水素基が例
示される。これらの中で6、原料の入手及び合成が容易
なことから炭素数1〜4の飽和脂肪族炭化水素基、とり
わけメチル基が好ましい。
置換の1価の炭化水素基、Bは置換又は非置換の2価の
炭化水素基、Yは加水分解性基、mは0〜2.OOOの
整数、n G1 1〜3の整数、Aは を表わす6但し、R3及びR4は繰り返し単位ごとに任
意に異なって6よい) で示されるエボキシ基を有する有機ケイ素化合物である
. 式(1)において Rl、R2、R3、R4及びRl′
としては、メチル、エチル、プロビル、ブチル、ベンチ
ル、ヘキシル、ペブチル、オクチル、ノニル.デシル、
ドデシルのようなアルキル基;シクロペンチル、シクロ
ヘキシルのようなシクロアルキル基:ベンジル、2−フ
ェニルエチルのようなアラルキル基;フエニル、トリル
のようなアリール基:ビニル、アリルのようなアルケニ
ル基;及びハロゲン原子、シアノ基などで置換されたク
ロロメチル、クロロフエニル、3.3.3−トリフルオ
ロブロビル、シアンエチルのような置換炭化水素基が例
示される。これらの中で6、原料の入手及び合成が容易
なことから炭素数1〜4の飽和脂肪族炭化水素基、とり
わけメチル基が好ましい。
式(I)において、加水分解性基のYとしては、メトキ
シ、エトキシ、n−ブロボキシ、1−ブロボキシ、メト
キシエトキシ、n−プトキシ、 sec−ブトキシ、i
−ブトキシ、t−ブトキシ、シクロヘキシルオキシのよ
うなアルコキシ並びにフエノキシ基及びヒドロキシル基
等が例示される.これらの中でち、合成の容易さ、安定
性,適度な反応性などの観点からアルコキシ基が望まし
く、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
シ、エトキシ、n−ブロボキシ、1−ブロボキシ、メト
キシエトキシ、n−プトキシ、 sec−ブトキシ、i
−ブトキシ、t−ブトキシ、シクロヘキシルオキシのよ
うなアルコキシ並びにフエノキシ基及びヒドロキシル基
等が例示される.これらの中でち、合成の容易さ、安定
性,適度な反応性などの観点からアルコキシ基が望まし
く、メトキシ基、エトキシ基が特に好ましい。
式(I)において、nは1〜3の整数であり、本発明の
化合物(I)をエボキシ樹脂系半導体封止材料に使用す
る場合には、接着の信頼性を考慮すると、3であること
が好ましい。
化合物(I)をエボキシ樹脂系半導体封止材料に使用す
る場合には、接着の信頼性を考慮すると、3であること
が好ましい。
式N)において,mはO〜2.000の整数であるが、
本発明の化合物(Nをエボキシ樹脂系半導体封止材料に
使用する場合には、樹脂との親和性や相溶性を考慮する
と、mは1〜2oの範囲であることが望ましく、更に原
料の入手及び合成が容易であることがらmは■〜5の範
囲であることが好ましい。
本発明の化合物(Nをエボキシ樹脂系半導体封止材料に
使用する場合には、樹脂との親和性や相溶性を考慮する
と、mは1〜2oの範囲であることが望ましく、更に原
料の入手及び合成が容易であることがらmは■〜5の範
囲であることが好ましい。
式(I)において、Bとしては、ポリメチレン基、才キ
シボリメチレン基、フエニレンボリメチレン基などが例
示される。これらの中でも、炭素数2のエチレン基が好
ましい。
シボリメチレン基、フエニレンボリメチレン基などが例
示される。これらの中でも、炭素数2のエチレン基が好
ましい。
本発明の化合物(I)の製法としては、一般式( TI
)で示されるシロキサン化合物R1 R3 (式中、A.R’、R2、R3、R4及びmは前記と同
じである) と一般式(Ill)で示されるシラン化合物R’−Sl
−Yl1 (式中、R’.Y及びnは前記と同じであり、R6は炭
素一炭素二重結合を有する基である) とを触媒の存在下に付加反応させる方法が挙げられる。
)で示されるシロキサン化合物R1 R3 (式中、A.R’、R2、R3、R4及びmは前記と同
じである) と一般式(Ill)で示されるシラン化合物R’−Sl
−Yl1 (式中、R’.Y及びnは前記と同じであり、R6は炭
素一炭素二重結合を有する基である) とを触媒の存在下に付加反応させる方法が挙げられる。
この化学反応を反応式(1)に示す。
(I)
(式中、
A、
B、
C,
R’
R2
R3
R’ .R’ .Y.m及びnは前記と同じである)
本発明の化合物(I)の原料として使用する前記シロキ
サン化合物(II)は次のようにして得られる。一般式
(1v)で示されるα、ω−ジハイドロジェンボリ才ル
ガノシロキサンにアリルグリシジルエーテル、l−ビニ
ル−3.4−エポキシシク口ヘキサン又は1.3−ジグ
リシドキシ−2ーメチレンプロパンを白金触媒の存在下
に付加反応させ、次いで減圧蒸留などの方法で精製する
ことにより得られる. (式中、R1、R2、R3、R4及びmは前記と同.じ
てある) 本発明の化合物(I)の原料として使用する前記シラン
化合物( Ill )は炭素一炭素二重結合を有するこ
とが必須である。例えば、以下の化学式で示されるシラ
ン化合物などが挙げられる。
サン化合物(II)は次のようにして得られる。一般式
(1v)で示されるα、ω−ジハイドロジェンボリ才ル
ガノシロキサンにアリルグリシジルエーテル、l−ビニ
ル−3.4−エポキシシク口ヘキサン又は1.3−ジグ
リシドキシ−2ーメチレンプロパンを白金触媒の存在下
に付加反応させ、次いで減圧蒸留などの方法で精製する
ことにより得られる. (式中、R1、R2、R3、R4及びmは前記と同.じ
てある) 本発明の化合物(I)の原料として使用する前記シラン
化合物( Ill )は炭素一炭素二重結合を有するこ
とが必須である。例えば、以下の化学式で示されるシラ
ン化合物などが挙げられる。
CI.
CHz= CHSi (OCHsl x 、 C
Hi= CHSi (OCHsl x 、?■・ CH. = CHSiOCH. 、 CH. =
CHSi (OCH.CIhl. 、CH. CHz = CHCHzSt (OCHal s、CH
I = CHOCHiCHiCHaSL (OCHs)
s 、CH. = CHCH−OCH2CH−OC
H−CH−CH−Si fOcH−) s 、CH.
= (:HC−H4Si (OCH−) − 、CH
z = CHCsH4CHiCH*S1 (OCHsl
gこれらの中でも、入手の容易さ及び反応性の点でC
Hz=CHSifOCH−)− . CH−=CHS
xfOCHiC}l−)−が好ましい. 付加反応(1)において,シロキサン化合物(II)と
シラン化合物( III )との使用割合は特に限定し
ないが、シロキサン化合物(II)のヒドロシリル基1
モル当たり,シラン化合物(III)のビニル基lモル
が反応するので、等モル量を使用し反応させることが経
済上好ましい。但し、特定原料の収率を重視する場合は
一方の使用モル量を増加して反応させることも可能であ
る. 付加反応(1)の触媒としては、周期律表第■族の金属
の錯化合物を挙げることができ、塩化白金酸を炭素数1
〜6のアルコール又はケトン類若しくはアルデヒド類の
ようなカルボニル化合物に溶解した白金化合物、又は各
種才レフィンと白金若しくはロジウムとの錯化合物が好
ましく用いられる.これら錯化合物の使用量は特に限定
しないが、シラン化合物( III )の使用量に対し
て金属原子として1〜2,OOOppmの範囲が好まし
い.1ppm未満では反応が遅く、短時間に良好な収率
をあげることができない。また、2.OOOppII1
以上用いても特に加えただけの効果はない。
Hi= CHSi (OCHsl x 、?■・ CH. = CHSiOCH. 、 CH. =
CHSi (OCH.CIhl. 、CH. CHz = CHCHzSt (OCHal s、CH
I = CHOCHiCHiCHaSL (OCHs)
s 、CH. = CHCH−OCH2CH−OC
H−CH−CH−Si fOcH−) s 、CH.
= (:HC−H4Si (OCH−) − 、CH
z = CHCsH4CHiCH*S1 (OCHsl
gこれらの中でも、入手の容易さ及び反応性の点でC
Hz=CHSifOCH−)− . CH−=CHS
xfOCHiC}l−)−が好ましい. 付加反応(1)において,シロキサン化合物(II)と
シラン化合物( III )との使用割合は特に限定し
ないが、シロキサン化合物(II)のヒドロシリル基1
モル当たり,シラン化合物(III)のビニル基lモル
が反応するので、等モル量を使用し反応させることが経
済上好ましい。但し、特定原料の収率を重視する場合は
一方の使用モル量を増加して反応させることも可能であ
る. 付加反応(1)の触媒としては、周期律表第■族の金属
の錯化合物を挙げることができ、塩化白金酸を炭素数1
〜6のアルコール又はケトン類若しくはアルデヒド類の
ようなカルボニル化合物に溶解した白金化合物、又は各
種才レフィンと白金若しくはロジウムとの錯化合物が好
ましく用いられる.これら錯化合物の使用量は特に限定
しないが、シラン化合物( III )の使用量に対し
て金属原子として1〜2,OOOppmの範囲が好まし
い.1ppm未満では反応が遅く、短時間に良好な収率
をあげることができない。また、2.OOOppII1
以上用いても特に加えただけの効果はない。
又、付加反応(1)は、シラン化合物( III )と
触媒を仕込み、所定の温度に加熱して、シロキサン化合
物(II)を滴下反応させることが、反応制御上好まし
い。反応温度は通常、20〜200℃であり、好ましく
は50〜150℃である。反応時間は触媒使用量、反応
温度、原料モル比などにより0.1〜50時間の範囲で
変えることが可能である。この反応は常圧下又は加圧下
のいずれでち実施することができる. 更に、付加反応(1)において、有機溶媒は必須とする
ちのではないが、それを使用する場合はヘキサン、ヘブ
タンのような脂肪族炭化水素;シクロヘキサンのような
脂環式炭化水素;ジエチルエーテルのようなエーテル類
;ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水
素:及び1.2−ジクロ口エタンのようなハロゲン化炭
化水素などを使用することが可能である。有機溶媒の使
用量は特に限定しないが、反応物質の合計重量に対して
i0〜500重量%の範囲とすることが好ましい。
触媒を仕込み、所定の温度に加熱して、シロキサン化合
物(II)を滴下反応させることが、反応制御上好まし
い。反応温度は通常、20〜200℃であり、好ましく
は50〜150℃である。反応時間は触媒使用量、反応
温度、原料モル比などにより0.1〜50時間の範囲で
変えることが可能である。この反応は常圧下又は加圧下
のいずれでち実施することができる. 更に、付加反応(1)において、有機溶媒は必須とする
ちのではないが、それを使用する場合はヘキサン、ヘブ
タンのような脂肪族炭化水素;シクロヘキサンのような
脂環式炭化水素;ジエチルエーテルのようなエーテル類
;ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水
素:及び1.2−ジクロ口エタンのようなハロゲン化炭
化水素などを使用することが可能である。有機溶媒の使
用量は特に限定しないが、反応物質の合計重量に対して
i0〜500重量%の範囲とすることが好ましい。
前記の製法により得られた反応混合物からの本発明の化
合物(I)の単離及び精製は、有機合成化学の分野で一
般に使用されている手法によって行うことができ、例え
ば未反応の低沸点成分を減圧留去するか又は減圧蒸留す
ることによって目的物質を単離することが可能である。
合物(I)の単離及び精製は、有機合成化学の分野で一
般に使用されている手法によって行うことができ、例え
ば未反応の低沸点成分を減圧留去するか又は減圧蒸留す
ることによって目的物質を単離することが可能である。
[発明の効果]
本発明のエポキシ基を有する有機ケイ素化合物は,エボ
キシ樹脂系半導体封止材の内部応力の低減及び耐湿接着
性の向上の両方に効果が期待できるほか、゜その分子構
造中にシロキサン結合と加水分解性シリル基を有するた
め、シリコーンゴムとの相溶性に優れており、シリコー
ン系接着シール材の接着向上剤としても有用である。
キシ樹脂系半導体封止材の内部応力の低減及び耐湿接着
性の向上の両方に効果が期待できるほか、゜その分子構
造中にシロキサン結合と加水分解性シリル基を有するた
め、シリコーンゴムとの相溶性に優れており、シリコー
ン系接着シール材の接着向上剤としても有用である。
(実施例)
以下に、実施例を挙げ,本発明を更に詳しく説明する。
なお、本発明の範囲は以下の実施例のみに限定されるも
のではない。
のではない。
実施例1
撹拌機、温度計、滴下漏斗及び還流冷却器を備えた内容
積5℃のフラスコに、塩化白金酸0. 5gを20mt
’のイソブロビルアルコールに溶解した溶液5.0−と
ビニルトリメトキシシラン1480g (10モル)を
仕込み、撹拌を開始し、マントルヒーターで液温を70
゜Cに加熱した。
積5℃のフラスコに、塩化白金酸0. 5gを20mt
’のイソブロビルアルコールに溶解した溶液5.0−と
ビニルトリメトキシシラン1480g (10モル)を
仕込み、撹拌を開始し、マントルヒーターで液温を70
゜Cに加熱した。
次いで、滴下漏斗より1−(3−グリシドキシブ口ビル
)−3−ハイドロジェン−1.1.3.3−テトラメチ
ルジシロキサン2,600g(10モル)を液温70〜
80゜Cになるように適宜冷却しながら2時間かけて滴
下した。滴下終了後、液7M 8 0℃で1時間撹拌し
、ガスクロマトグラフィー分析により原料がほぼ消失し
ていることを確認した. 敢冷後、高さ50cmのビグロー力ラムを取り付けた蒸
留装置で蒸留し、沸点130〜131℃/3丁orrの
留分を分取した結果、無色透明の1−(3−グリシドキ
シブ口ビル)−3− (2−トリメトキシシリルエチル
) −1,l,3.3−テトラメチルジシロキサン3,
762g (収率95%)を得た.このものは、ガスク
ロマトグラフィー分析により98%の高純度であること
が確認された. このものの元素分析、赤外線吸収スペクトル分析、′H
核磁気共鳴吸収スペクトル分析及び質量スペクトル分析
の結果は後記の通りであり、次式の構造であることが確
認された. ・元素分析: 実測値 S i : 21.23% C : 45.4
8%H:9.08% O : 24.21%計算値 S
i ; 21.24% C : 45.42%H;9
.15% O ; 24.20%赤外線吸収スペクトル
分析(液膜法:cm−’) :2950,2850.
1380,1240.1060,950,830.78
0・’H核磁気共鳴吸収スペクトル分析(90MH2、
CCL中): 位置 化学シフトδippm) a 2.4 〜 2.6 b 2.8〜3.1 C 3.4 〜 3,6 d 3.4 〜 3,6 e 2.4 〜 2.8 f O.4〜 0.62 g 0.4〜 0.62 hO.40.6 2 i 3.5 9・質
量スペクトル分析(m/el : 396 (M”)
実施例2 撹拌機、温度計、滴下漏斗及び還流冷却器を備えた内容
積12のフラスコに、塩化白金酸0. 5gを20d
のイソブロビルアルコールに溶解した溶液0.6−とビ
ニルトリエトキシシラン190g(1モル)を仕込み、
撹拌を開始し、液温を70℃に加熱した。
)−3−ハイドロジェン−1.1.3.3−テトラメチ
ルジシロキサン2,600g(10モル)を液温70〜
80゜Cになるように適宜冷却しながら2時間かけて滴
下した。滴下終了後、液7M 8 0℃で1時間撹拌し
、ガスクロマトグラフィー分析により原料がほぼ消失し
ていることを確認した. 敢冷後、高さ50cmのビグロー力ラムを取り付けた蒸
留装置で蒸留し、沸点130〜131℃/3丁orrの
留分を分取した結果、無色透明の1−(3−グリシドキ
シブ口ビル)−3− (2−トリメトキシシリルエチル
) −1,l,3.3−テトラメチルジシロキサン3,
762g (収率95%)を得た.このものは、ガスク
ロマトグラフィー分析により98%の高純度であること
が確認された. このものの元素分析、赤外線吸収スペクトル分析、′H
核磁気共鳴吸収スペクトル分析及び質量スペクトル分析
の結果は後記の通りであり、次式の構造であることが確
認された. ・元素分析: 実測値 S i : 21.23% C : 45.4
8%H:9.08% O : 24.21%計算値 S
i ; 21.24% C : 45.42%H;9
.15% O ; 24.20%赤外線吸収スペクトル
分析(液膜法:cm−’) :2950,2850.
1380,1240.1060,950,830.78
0・’H核磁気共鳴吸収スペクトル分析(90MH2、
CCL中): 位置 化学シフトδippm) a 2.4 〜 2.6 b 2.8〜3.1 C 3.4 〜 3,6 d 3.4 〜 3,6 e 2.4 〜 2.8 f O.4〜 0.62 g 0.4〜 0.62 hO.40.6 2 i 3.5 9・質
量スペクトル分析(m/el : 396 (M”)
実施例2 撹拌機、温度計、滴下漏斗及び還流冷却器を備えた内容
積12のフラスコに、塩化白金酸0. 5gを20d
のイソブロビルアルコールに溶解した溶液0.6−とビ
ニルトリエトキシシラン190g(1モル)を仕込み、
撹拌を開始し、液温を70℃に加熱した。
次いで,滴下漏斗より1−(3−グリシドキシブ口ビル
)−5−ハイドロジェン−1.1.33.5.5−ヘキ
サメチルトリシロキサン332g(1モル)を液温7o
〜80℃になるように適宜冷却しながら3時間かけて滴
下した.滴下終了後、液温80℃で1時間撹拌し、ガス
クロマトグラフィー分析により原料がほぼ消失している
ことを確認した. 放冷後、高さ50cmのビグロ一カラムを取り付けた蒸
留装置で蒸留し、沸点160〜162℃/2 Torr
の留分を分取した結果、無色透明の1−(3−グリシド
キシプロビル)−5− (2−トリエトキシシリルエチ
ル) −1.1,3.3.55−ヘキサメチルトリシロ
キサン481g(収率94%)を得た.この6のは、ガ
スクロマトグラフィー分析により98%の高純度である
ことが確認された。
)−5−ハイドロジェン−1.1.33.5.5−ヘキ
サメチルトリシロキサン332g(1モル)を液温7o
〜80℃になるように適宜冷却しながら3時間かけて滴
下した.滴下終了後、液温80℃で1時間撹拌し、ガス
クロマトグラフィー分析により原料がほぼ消失している
ことを確認した. 放冷後、高さ50cmのビグロ一カラムを取り付けた蒸
留装置で蒸留し、沸点160〜162℃/2 Torr
の留分を分取した結果、無色透明の1−(3−グリシド
キシプロビル)−5− (2−トリエトキシシリルエチ
ル) −1.1,3.3.55−ヘキサメチルトリシロ
キサン481g(収率94%)を得た.この6のは、ガ
スクロマトグラフィー分析により98%の高純度である
ことが確認された。
このものの元素分析、赤外線吸収スペクトル分析、′H
核磁気共鳴吸収スペクトル分析及び質量スペクトル分析
の結果は後記の通りであり、次式の構造であることが確
認された。
核磁気共鳴吸収スペクトル分析及び質量スペクトル分析
の結果は後記の通りであり、次式の構造であることが確
認された。
−CH.C:H.Si fOcH.cH3)3・元素分
析: 実測値 S i : 21.91% C 46.85% H;9.40% O : 21.84%S i ; 2
1.90% C ; 46.83%H . 9.
43% O:21.83%・赤外線吸収スペクトル分
析(液膜法:cm−’)2950, 2850, 13
80. 1240. 1060,950.830, 7
80H核磁気共I!I吸収スペクトル分析(9(IMH
.、C(:1 4中): 位置 化学シフトδ(ppm) 8 2.4 〜 2.6 b 2.8〜3.1 c 3.4〜 3.6 d 3.4〜3.6 e 2.4 〜 2.6 f O.4〜0.6 g O.4 〜 0.6 h O.4〜0.6 1 3.6 〜 3.9 j 1.0〜1.3 質量スペクトル分析(m/e) : 5計算値
析: 実測値 S i : 21.91% C 46.85% H;9.40% O : 21.84%S i ; 2
1.90% C ; 46.83%H . 9.
43% O:21.83%・赤外線吸収スペクトル分
析(液膜法:cm−’)2950, 2850, 13
80. 1240. 1060,950.830, 7
80H核磁気共I!I吸収スペクトル分析(9(IMH
.、C(:1 4中): 位置 化学シフトδ(ppm) 8 2.4 〜 2.6 b 2.8〜3.1 c 3.4〜 3.6 d 3.4〜3.6 e 2.4 〜 2.6 f O.4〜0.6 g O.4 〜 0.6 h O.4〜0.6 1 3.6 〜 3.9 j 1.0〜1.3 質量スペクトル分析(m/e) : 5計算値
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1、R^2、R^3、R^4及びR^5は
置換又は非置換の1価の炭化水素基、Bは置換又は非置
換の2価の炭化水素基、Yは加水分解性基、mは0〜2
,000の整数、nは1〜3の整数、Aは ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼ を表わす。但し、R^3及びR^4は繰り返し単位ごと
に任意に異なってもよい) で示されるエポキシ基を有する有機ケイ素化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29951389A JPH03161491A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | エポキシ基を有する有機ケイ素化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29951389A JPH03161491A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | エポキシ基を有する有機ケイ素化合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03161491A true JPH03161491A (ja) | 1991-07-11 |
Family
ID=17873561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29951389A Pending JPH03161491A (ja) | 1989-11-20 | 1989-11-20 | エポキシ基を有する有機ケイ素化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03161491A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4234898C1 (de) * | 1992-10-16 | 1994-04-07 | Goldschmidt Ag Th | Organopolysiloxane mit einer endständigen SiH-Gruppe und einer am anderen Kettenende befindlichen weiteren funktionellen Gruppe sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
CN108026279A (zh) * | 2015-07-20 | 2018-05-11 | 莫门蒂夫性能材料有限公司 | 不对称取代的聚有机硅氧烷衍生物 |
-
1989
- 1989-11-20 JP JP29951389A patent/JPH03161491A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4234898C1 (de) * | 1992-10-16 | 1994-04-07 | Goldschmidt Ag Th | Organopolysiloxane mit einer endständigen SiH-Gruppe und einer am anderen Kettenende befindlichen weiteren funktionellen Gruppe sowie Verfahren zu ihrer Herstellung |
CN108026279A (zh) * | 2015-07-20 | 2018-05-11 | 莫门蒂夫性能材料有限公司 | 不对称取代的聚有机硅氧烷衍生物 |
JP2018528289A (ja) * | 2015-07-20 | 2018-09-27 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ ゲーエムベーハー | 非対称に置換されたポリオルガノシロキサン誘導体 |
US11535751B2 (en) | 2015-07-20 | 2022-12-27 | Momentive Performance Materials Gmbh | Asymmetrically substituted polyorganosiloxane derivatives |
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