JPH03142801A - 電圧非直線抵抗体の製造法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造法Info
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- JPH03142801A JPH03142801A JP1278692A JP27869289A JPH03142801A JP H03142801 A JPH03142801 A JP H03142801A JP 1278692 A JP1278692 A JP 1278692A JP 27869289 A JP27869289 A JP 27869289A JP H03142801 A JPH03142801 A JP H03142801A
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- oxide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体の製
造法に関するものである。
造法に関するものである。
(従来の技術及び発明が解決しようとする課H)酸化亜
鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体は、そのすぐれた非
直線電圧−電流特性から電圧安定化あるいはサージ吸収
を目的とした避雷器やサージアブソーバに広く利用され
ている。この電圧非直線抵抗体は、主成分の酸化亜鉛に
電圧非直線性を発現スる少量のビスマス、アンチモン、
コバルト、マンガン等の金属酸化物を添加し、混合、造
粒、成形したのち焼威し、側面高抵抗層を形成するため
無機物質を側面に塗布した後焼成し、その焼成体の両端
面に電極を取り付けることにより構成されている。
鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体は、そのすぐれた非
直線電圧−電流特性から電圧安定化あるいはサージ吸収
を目的とした避雷器やサージアブソーバに広く利用され
ている。この電圧非直線抵抗体は、主成分の酸化亜鉛に
電圧非直線性を発現スる少量のビスマス、アンチモン、
コバルト、マンガン等の金属酸化物を添加し、混合、造
粒、成形したのち焼威し、側面高抵抗層を形成するため
無機物質を側面に塗布した後焼成し、その焼成体の両端
面に電極を取り付けることにより構成されている。
このようにして得られた電圧非直線抵抗体を大きなサー
ジ吸収を目的とする避雷器に適用する場合には、電圧非
直線抵抗体の開閉サージ、雷サージ放電耐量は大きいこ
とが望ましく、また側面高抵抗層の素子本体に対する付
着強度が高いことが望まれる。
ジ吸収を目的とする避雷器に適用する場合には、電圧非
直線抵抗体の開閉サージ、雷サージ放電耐量は大きいこ
とが望ましく、また側面高抵抗層の素子本体に対する付
着強度が高いことが望まれる。
特開昭60−74403号公報では、ビスマス、コバル
ト、マンガン、アンチモン、ニッケル、ホウ素、アルミ
ニウムがそれぞれBi2O2,C0zOs+ MnO+
5bzO+、 Ni・0. Bt03+^l″+に換
算して、Biass O,1〜5モル%、 Coz0
3MnOO,1〜5モル%、 5bz03Ni0 0.
1〜5モル%、 B、0゜AN” 0.001〜0.
05モル%含まれる混合物を底形した後焼結させ、この
焼結体に熱処理を施す方法が開示されている。しかしこ
の電圧非直線抵抗体はギヤツブ間放電特性が低く、開閉
サージ(2n’s)耐量が低いため、特性的に満足でき
るものではない。
ト、マンガン、アンチモン、ニッケル、ホウ素、アルミ
ニウムがそれぞれBi2O2,C0zOs+ MnO+
5bzO+、 Ni・0. Bt03+^l″+に換
算して、Biass O,1〜5モル%、 Coz0
3MnOO,1〜5モル%、 5bz03Ni0 0.
1〜5モル%、 B、0゜AN” 0.001〜0.
05モル%含まれる混合物を底形した後焼結させ、この
焼結体に熱処理を施す方法が開示されている。しかしこ
の電圧非直線抵抗体はギヤツブ間放電特性が低く、開閉
サージ(2n’s)耐量が低いため、特性的に満足でき
るものではない。
また、特開昭61−204902号公報では、所定のガ
ラスフリットを抵抗体素子の側面に施し、加熱により側
面高抵抗層の形成と酸化ビスマスの体心立方晶への転化
とを同時に行う方法が開示されている。しかし、この電
圧非直線抵抗体は雷サージ放電耐量が低く、側面高抵抗
層の付着強度が低い。
ラスフリットを抵抗体素子の側面に施し、加熱により側
面高抵抗層の形成と酸化ビスマスの体心立方晶への転化
とを同時に行う方法が開示されている。しかし、この電
圧非直線抵抗体は雷サージ放電耐量が低く、側面高抵抗
層の付着強度が低い。
本発明の課題は、大電流領域の制限電圧を低減でき、避
雷装置として使用したときのギャップ間0.1〜5モル
%。
雷装置として使用したときのギャップ間0.1〜5モル
%。
0.1〜5モル%。
0.002〜0.2モル%。
放電特性を向上させることができ、抵抗体素子のサージ
に対する安定化、長寿命化を図ることができ、かつサー
ジ耐量を向上させられるような電圧非直線抵抗体を製造
することである。
に対する安定化、長寿命化を図ることができ、かつサー
ジ耐量を向上させられるような電圧非直線抵抗体を製造
することである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、酸化亜鉛を主成分として含有し、添加成分と
して酸化ビスマスをBizO+に換算して0.1〜2.
0モル%、4非晶質シリカをSiO□に換算して0.5
〜9モル%、硝酸アルミニウムをA l zOxに換算
して0.001〜0.05モル%、及びホウケイ酸ビス
マスガラスをB!03に換算して0.005〜0.1モ
ル%を少なくとも含む混合物を底形、仮焼して仮焼体を
作成し、この仮焼体に酸化物ペーストを塗布し、焼成を
行って側面高抵抗層が形成された焼成体を作成し、この
焼成体に最高温度520〜650℃、昇温速度200℃
/時間以下、降温速度20〜b直線抵抗体の製造法に係
るものである。
して酸化ビスマスをBizO+に換算して0.1〜2.
0モル%、4非晶質シリカをSiO□に換算して0.5
〜9モル%、硝酸アルミニウムをA l zOxに換算
して0.001〜0.05モル%、及びホウケイ酸ビス
マスガラスをB!03に換算して0.005〜0.1モ
ル%を少なくとも含む混合物を底形、仮焼して仮焼体を
作成し、この仮焼体に酸化物ペーストを塗布し、焼成を
行って側面高抵抗層が形成された焼成体を作成し、この
焼成体に最高温度520〜650℃、昇温速度200℃
/時間以下、降温速度20〜b直線抵抗体の製造法に係
るものである。
(作 用)
本発明においては、添加成分を限定し、なおかつ本焼戒
後に特定の条件で熱処理を行うことにより、大電流領域
での制限電圧比の低減、雷サージ放電耐量の向上、サー
ジに対する安定性の飛躍的向上を実現できた。
後に特定の条件で熱処理を行うことにより、大電流領域
での制限電圧比の低減、雷サージ放電耐量の向上、サー
ジに対する安定性の飛躍的向上を実現できた。
酸化ビスマスの添加量をBtz03に換算して0.1〜
2.0モル%(更に好ましくは0.5〜1.5モル%)
としたことにより、雷サージ放電耐量が向上し、制限電
圧比の低減、課電寿命特性の向上が可能となる。これが
0.1モル%未満では雷サージ放電耐量、課電寿命特性
が低下し、2モル%を超えると制限電圧比が増大する。
2.0モル%(更に好ましくは0.5〜1.5モル%)
としたことにより、雷サージ放電耐量が向上し、制限電
圧比の低減、課電寿命特性の向上が可能となる。これが
0.1モル%未満では雷サージ放電耐量、課電寿命特性
が低下し、2モル%を超えると制限電圧比が増大する。
非晶質シリカの添加量を0.5モル%〜9モル%(更に
好ましくは1.0〜3.0モル%)としたことにより、
雷サージ放電耐量の向上、制限電圧比の低減が可能とな
る。これが0.5モル%未満では雷サージ放電耐量が低
下し、制限電圧比が増大し、9モル%を超えるとやはり
雷サージ放電耐量が低下する。
好ましくは1.0〜3.0モル%)としたことにより、
雷サージ放電耐量の向上、制限電圧比の低減が可能とな
る。これが0.5モル%未満では雷サージ放電耐量が低
下し、制限電圧比が増大し、9モル%を超えるとやはり
雷サージ放電耐量が低下する。
硝酸アルミニウム(水溶液として添加するのが好ましい
〉の添加量を^120.に換算して0.001〜0.0
5モル%(更に好ましくは0.002〜0.02モル%
)とすることで、制限電圧比の低減、課電寿命特性の向
上が可能となる。これが0.001モル%未満では制限
電圧比が増大し、0.05モル%を超えると漏洩電流が
増えて課電寿命特性が低下する。
〉の添加量を^120.に換算して0.001〜0.0
5モル%(更に好ましくは0.002〜0.02モル%
)とすることで、制限電圧比の低減、課電寿命特性の向
上が可能となる。これが0.001モル%未満では制限
電圧比が増大し、0.05モル%を超えると漏洩電流が
増えて課電寿命特性が低下する。
ホウケイ酸ビスマスガラスの添加量を8203に換算し
て0.005〜0.1モル%(更に好ましくは0.01
〜0.08モル%)とすることで制限電圧比の低減、雷
サージ印加後のV +aaの変化率の低減が可能になる
。この値がo、oosモル未溝になると制限電圧比が増
大し課電寿命特性も低下する。また、091モル%を越
えると雷サージ放電耐量が低下し制限電圧比も増大する
。
て0.005〜0.1モル%(更に好ましくは0.01
〜0.08モル%)とすることで制限電圧比の低減、雷
サージ印加後のV +aaの変化率の低減が可能になる
。この値がo、oosモル未溝になると制限電圧比が増
大し課電寿命特性も低下する。また、091モル%を越
えると雷サージ放電耐量が低下し制限電圧比も増大する
。
焼成体の熱処理温度を520℃〜650℃(更に好まし
くは550〜600°C)とすることも重要であり、熱
処理温度が520℃未満では粒界の酸化ビスマスが相転
移をほとんどしないため、課電寿命特性が向上せず熱処
理の効果が現れず、650℃を超えると酸化ビスマスが
すべて体心立方晶となって雷サージ放電耐量が低下する
。
くは550〜600°C)とすることも重要であり、熱
処理温度が520℃未満では粒界の酸化ビスマスが相転
移をほとんどしないため、課電寿命特性が向上せず熱処
理の効果が現れず、650℃を超えると酸化ビスマスが
すべて体心立方晶となって雷サージ放電耐量が低下する
。
熱処理時の昇温速度は200℃/時間以下とするが、5
0〜150℃/時間とすると更に好ましい。昇温速度が
200℃/時間を超えると抵抗体素子に熱歪みが生じて
雷サージ放電耐量が低下する。
0〜150℃/時間とすると更に好ましい。昇温速度が
200℃/時間を超えると抵抗体素子に熱歪みが生じて
雷サージ放電耐量が低下する。
また、熱処理時の降温速度は20〜150℃/時間とす
るが50〜100℃/時間とすると更に好ましい。
るが50〜100℃/時間とすると更に好ましい。
降温速度が20℃/時間未満では酸化ビスマスの結晶の
ほとんどが体心立方晶となって雷サージ放電耐量が低下
し、150℃/時間を超えると酸化ビスマスが単斜晶系
となり、課電寿命特性が向上せず、雷サージ放電耐量も
低下する。
ほとんどが体心立方晶となって雷サージ放電耐量が低下
し、150℃/時間を超えると酸化ビスマスが単斜晶系
となり、課電寿命特性が向上せず、雷サージ放電耐量も
低下する。
(実施例)
酸化亜鉛を主成分とする電圧非直線抵抗体を得るには、
まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料を主成分として
含有し、添加成分として酸化ビスマスをBi2O3に換
算して0.1〜2.0モル%、非晶質シリカをSiO□
に換算して0.5〜9モル%、硝酸アルミニウムをAI
!tosに換算して0.001〜0.05モル%、ホウ
ケイ酸ビスマスガラスを820.に換算してo、oos
〜0.1モル%を少なくとも含む混合物を調製する。こ
の混合物中には、他に酸化コバルト、酸化マンガン、酸
化アンチモン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銀、硝
酸銀等を含有させてもよい。また、上記の添加物を80
0〜1000°Cで仮焼した後粉砕し、所定粒度に調整
したものと酸化亜鉛原料を混合してもよい。この際、こ
れらの原料粉末に対して所定量のポリビニルアルコール
水溶液等を加える。
まず所定の粒度に調整した酸化亜鉛原料を主成分として
含有し、添加成分として酸化ビスマスをBi2O3に換
算して0.1〜2.0モル%、非晶質シリカをSiO□
に換算して0.5〜9モル%、硝酸アルミニウムをAI
!tosに換算して0.001〜0.05モル%、ホウ
ケイ酸ビスマスガラスを820.に換算してo、oos
〜0.1モル%を少なくとも含む混合物を調製する。こ
の混合物中には、他に酸化コバルト、酸化マンガン、酸
化アンチモン、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銀、硝
酸銀等を含有させてもよい。また、上記の添加物を80
0〜1000°Cで仮焼した後粉砕し、所定粒度に調整
したものと酸化亜鉛原料を混合してもよい。この際、こ
れらの原料粉末に対して所定量のポリビニルアルコール
水溶液等を加える。
次に好ましくは200mm1g以下の真空度で減圧脱気
を行い。混合泥漿の水分量は30〜35−t%程度に、
またその混合泥漿の粘度は100±50cpとするのが
好ましい0次に得られた混合泥漿を噴霧乾燥装置に供給
して平均粒径50〜150μm、好ましくは80〜12
0μmで、水分量が0.5〜2.Owt%、より好まし
くは0.9〜1.5 wt%の造粒粉を造粒する。次に
得られた造粒粉を、成形工程において、成形圧力800
〜1000kg/c−の下で所定の形状に成形する。
を行い。混合泥漿の水分量は30〜35−t%程度に、
またその混合泥漿の粘度は100±50cpとするのが
好ましい0次に得られた混合泥漿を噴霧乾燥装置に供給
して平均粒径50〜150μm、好ましくは80〜12
0μmで、水分量が0.5〜2.Owt%、より好まし
くは0.9〜1.5 wt%の造粒粉を造粒する。次に
得られた造粒粉を、成形工程において、成形圧力800
〜1000kg/c−の下で所定の形状に成形する。
次に、その成形体を昇降温速度50〜70℃/時間、温
度800−10000 、保持時間1〜5時間という条
件で仮焼成する。なお、仮焼成の前に成形体を昇降温速
度10〜100℃/hrで400〜600°C1保持時
間1〜IO時間で結合剤を飛散除去することが好ましい
。
度800−10000 、保持時間1〜5時間という条
件で仮焼成する。なお、仮焼成の前に成形体を昇降温速
度10〜100℃/hrで400〜600°C1保持時
間1〜IO時間で結合剤を飛散除去することが好ましい
。
次に、仮焼体の側面に高抵抗層を形成する0本例ではB
izOs+ 5btOs+ ZnO,510g等の所定
量に有機結合剤としてエチルセルロース、ブチルカルピ
トール、酢酸nブチル等を加えた絶縁被覆用混合物ペー
ストを、60〜300μmの厚さに仮焼体の側面に塗布
する。
izOs+ 5btOs+ ZnO,510g等の所定
量に有機結合剤としてエチルセルロース、ブチルカルピ
トール、酢酸nブチル等を加えた絶縁被覆用混合物ペー
ストを、60〜300μmの厚さに仮焼体の側面に塗布
する。
次に、これを昇降温速度20〜b
高保持温度1000〜1300℃、好ましくは1050
〜1250°C13〜7時間という条件で本焼成する。
〜1250°C13〜7時間という条件で本焼成する。
本焼成後、得られた焼成体に、最高温度520〜650
℃、昇温速度200℃/時間以下、降温速度20〜15
0℃/時間の熱処理を行う。
℃、昇温速度200℃/時間以下、降温速度20〜15
0℃/時間の熱処理を行う。
なお、この時ガラス粉末に有機結合剤としてエチルセル
ロース、ブチルカルピトール、酸Mn7’チル等を加え
たガラスペーストを前記側面の高抵抗層上に100〜3
00μ−の厚さに塗布し、熱処理することによりガラス
層を形成することが更に好ましい。
ロース、ブチルカルピトール、酸Mn7’チル等を加え
たガラスペーストを前記側面の高抵抗層上に100〜3
00μ−の厚さに塗布し、熱処理することによりガラス
層を形成することが更に好ましい。
その後、得られた電圧非直線抵抗体の両端面をSiC,
A l !O,,ダイヤモンド等の11400−120
00相当の研磨剤により水、好ましくは油を研磨液とし
て使用して研磨する0次に、研磨面を洗浄後、研磨した
両端面に例えばアルミニウム等によって電極を例えば溶
射により設けて電圧非直線抵抗体を得る。
A l !O,,ダイヤモンド等の11400−120
00相当の研磨剤により水、好ましくは油を研磨液とし
て使用して研磨する0次に、研磨面を洗浄後、研磨した
両端面に例えばアルミニウム等によって電極を例えば溶
射により設けて電圧非直線抵抗体を得る。
以下、実際に本発明の範囲内および範囲外の電圧非直線
抵抗体において、各種特性を測定した結果について説明
する。
抵抗体において、各種特性を測定した結果について説明
する。
夫脂斑上
酸化ビスマス、非晶質シリカ、硝酸アルミニウム及びホ
ウケイ酸ビスマスガラスをそれぞれ812031SiO
□、 A l zOi、 Btusに換算して下記表1
に示す添加量だけ含有し、かつCozOa 0.66モ
ル%、 MnO□0.5モル%、 5bzOz 1.0
モル%、 Cr2010.5モル%、 Ni81.0モ
ル%を添加物として含有し、残部がZnOからなる原料
を上述した方法に従って混合、造粒、底形、仮焼し、高
抵抗層を形威し、本焼成を行った。次いで、昇温速度1
50℃/時間で昇温し、500°Cで熱処理し、降温速
度100℃/時間で降温しLA=6.8kV(直径47
mm、厚さ22.5mm(7)素子の直径47mmの面
積にIAの電流を流すのに必要な両端面にかかる電圧)
、直径47mm、厚さ22.5nusの形状を有する本
発明例および比較例の電圧非直線抵抗体を準備した。そ
して、得られた電圧非直線抵抗体に対し、制限電圧比(
V4゜。/VIA)、雷サージ放電耐量及び雷サージ印
加後のν1MA変化率を測定し、その結果を表1に示し
た。
ウケイ酸ビスマスガラスをそれぞれ812031SiO
□、 A l zOi、 Btusに換算して下記表1
に示す添加量だけ含有し、かつCozOa 0.66モ
ル%、 MnO□0.5モル%、 5bzOz 1.0
モル%、 Cr2010.5モル%、 Ni81.0モ
ル%を添加物として含有し、残部がZnOからなる原料
を上述した方法に従って混合、造粒、底形、仮焼し、高
抵抗層を形威し、本焼成を行った。次いで、昇温速度1
50℃/時間で昇温し、500°Cで熱処理し、降温速
度100℃/時間で降温しLA=6.8kV(直径47
mm、厚さ22.5mm(7)素子の直径47mmの面
積にIAの電流を流すのに必要な両端面にかかる電圧)
、直径47mm、厚さ22.5nusの形状を有する本
発明例および比較例の電圧非直線抵抗体を準備した。そ
して、得られた電圧非直線抵抗体に対し、制限電圧比(
V4゜。/VIA)、雷サージ放電耐量及び雷サージ印
加後のν1MA変化率を測定し、その結果を表1に示し
た。
電圧非直線抵抗体の雷サージ放電耐量破壊率は、n=5
0の試験体を準備し、4710μsの波形のインパルス
電流(90にA、 100KA、ll0KA、 120
KA)を2回繰り返し印加し印加によって破壊した素子
の数を試験した個数(50)で除した比率(%)で求め
た。
0の試験体を準備し、4710μsの波形のインパルス
電流(90にA、 100KA、ll0KA、 120
KA)を2回繰り返し印加し印加によって破壊した素子
の数を試験した個数(50)で除した比率(%)で求め
た。
表1の結果から、酸化ビスマス、非晶質シリカ硝酸アル
ミニウム、ホウケイ酸ビスマスガラスの添加量を本発明
に従って限定することにより、大電流領域での制限電圧
比を低減でき、雷サージ放電耐量も向上し、雷サージに
対する安定性も向上することが解る。
ミニウム、ホウケイ酸ビスマスガラスの添加量を本発明
に従って限定することにより、大電流領域での制限電圧
比を低減でき、雷サージ放電耐量も向上し、雷サージに
対する安定性も向上することが解る。
尖施旌i
実施例1と同様にして実施例、比較例の各電圧非直線抵
抗体を作成した。但し、酸化ビスマスの添加量はBi、
03に換算して1.0モル%、非晶質シリカの添加量は
Singに換算して2.0モル%、硝酸アルミニウムの
添加量はAftOiに換算して0.005モル%、ホウ
ケイ酸ビスマスガラスの添加量はBizOzに換算して
0.02モル%とした。また、本焼成後の熱処理におい
て、昇温速度はすべて150℃/時間とし、最高温度、
降温速度は種々変更した。
抗体を作成した。但し、酸化ビスマスの添加量はBi、
03に換算して1.0モル%、非晶質シリカの添加量は
Singに換算して2.0モル%、硝酸アルミニウムの
添加量はAftOiに換算して0.005モル%、ホウ
ケイ酸ビスマスガラスの添加量はBizOzに換算して
0.02モル%とした。また、本焼成後の熱処理におい
て、昇温速度はすべて150℃/時間とし、最高温度、
降温速度は種々変更した。
そして、各実施例、比較例の電圧非直線抵抗体について
課電寿命特性パターン、雷サージ放電耐量破壊率、雷サ
ージ印加後のv4.変化率を測定した。
課電寿命特性パターン、雷サージ放電耐量破壊率、雷サ
ージ印加後のv4.変化率を測定した。
結果を表2に示す。
また課電寿命特性として、課電率95%、温度150″
Cでの加速劣化試験を行い酸化亜鉛素子に流れる抵抗分
電流を測定した結果、試験開始直後より電流値が増加し
熱暴走するパターンa、試験開始後数時間〜数十時間後
より電流値が増加し始め熱暴走に至るパターンb、試験
開始後数十時間のあいだ電流値が増加したのち低下傾向
を示しその後安定的に推移するパターンC1試験開始後
すぐに電流値の低下傾向を示し、その後も安定的に推移
する最も好ましいパターンdの4種類のパターンに課電
寿命特性を大別することが出来る。
Cでの加速劣化試験を行い酸化亜鉛素子に流れる抵抗分
電流を測定した結果、試験開始直後より電流値が増加し
熱暴走するパターンa、試験開始後数時間〜数十時間後
より電流値が増加し始め熱暴走に至るパターンb、試験
開始後数十時間のあいだ電流値が増加したのち低下傾向
を示しその後安定的に推移するパターンC1試験開始後
すぐに電流値の低下傾向を示し、その後も安定的に推移
する最も好ましいパターンdの4種類のパターンに課電
寿命特性を大別することが出来る。
このように、課電寿命特性パターンを図面に示すa、b
、c、dの4パターンに分類し、この分類を表2に記載
した。
、c、dの4パターンに分類し、この分類を表2に記載
した。
表2から解るように、熱処理時の最高温度を520〜6
50°Cとし、また降温速度を20〜b時間とすれば、
課電寿命特性パターンはc、dとなって抵抗分電流の増
大、暴走が起こらず、雷サージ放電耐量破壊率を低くで
き、雷サージに対する素子の安定性も向上する。
50°Cとし、また降温速度を20〜b時間とすれば、
課電寿命特性パターンはc、dとなって抵抗分電流の増
大、暴走が起こらず、雷サージ放電耐量破壊率を低くで
き、雷サージに対する素子の安定性も向上する。
尖施明主
実施例2“と同様にして電圧非直線抵抗体を作成した。
但し、熱処理時の最高温度は560℃、降温速度は10
0’c/時間とし、昇温速度を種々変化させて実施例、
比較例の各電圧非直線抵抗体を作成し、それぞれについ
て雷サージ放電耐量破壊率を測定した。結果を表3に示
す。
0’c/時間とし、昇温速度を種々変化させて実施例、
比較例の各電圧非直線抵抗体を作成し、それぞれについ
て雷サージ放電耐量破壊率を測定した。結果を表3に示
す。
表
表3の結果から解るように、昇温速度を200℃/時間
以下とすることにより、雷サージ放電耐量は大幅に向上
する。
以下とすることにより、雷サージ放電耐量は大幅に向上
する。
(発明の効果)
上記したように、本発明の電圧非直線抵抗体の製造法に
よれば、課電寿命特性、雷サージ放電耐量、雷サージに
対する素子の安定性が著しく向上し、また大電流領域に
おける制限電圧比の低減が可能となる。
よれば、課電寿命特性、雷サージ放電耐量、雷サージに
対する素子の安定性が著しく向上し、また大電流領域に
おける制限電圧比の低減が可能となる。
図面は課電寿命特性パターン例を示すグラフである。
Claims (1)
- 1.酸化亜鉛を主成分として含有し、添加成分として酸
化ビスマスをBi_2O_3に換算して0.1〜2.0
モル%、非晶質シリカをSiO_2に換算して0.5〜
9モル%、硝酸アルミニウムをAl_2O_3に換算し
て0.001〜0.05モル%、及びホウケイ酸ビスマ
スガラスをB_2O_3に換算して0.005〜0.1
モル%を少なくとも含む混合物を成形、仮焼して仮焼体
を作成し、この仮焼体に酸化物ペーストを塗布し、焼成
を行って側面高抵抗層が形成された焼成体を作成し、こ
の焼成体に最高温度520〜650℃,昇温速度200
℃/時間以下、降温速度20〜150℃/時間の熱処理
を施すことを特徴とする電圧非直線抵抗体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1278692A JPH0817123B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1278692A JPH0817123B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03142801A true JPH03142801A (ja) | 1991-06-18 |
JPH0817123B2 JPH0817123B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=17600846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1278692A Expired - Lifetime JPH0817123B2 (ja) | 1989-10-27 | 1989-10-27 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0817123B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106082996A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-11-09 | 华南理工大学 | 一种铋基光热转换材料及其制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59903A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | 株式会社東芝 | 電圧非直線抵抗体 |
JPS62177901A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
JPS62237706A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
-
1989
- 1989-10-27 JP JP1278692A patent/JPH0817123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59903A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | 株式会社東芝 | 電圧非直線抵抗体 |
JPS62177901A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | 株式会社東芝 | 非直線抵抗体の製造方法 |
JPS62237706A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106082996A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-11-09 | 华南理工大学 | 一种铋基光热转换材料及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0817123B2 (ja) | 1996-02-21 |
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