JPH03119512A - 金属薄膜型磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は金属薄膜型磁気記録媒体に関するものである ［従来の技術］ 真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなど
の方法により、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ。

あるいはこれらの合金をフィルム基村上に形成させた金
属薄膜タイプの磁気記録媒体は、記録密度の向上に非常
に有効であり、基材としてはポリエステルフィルムが多
用されている。

しかし、ポリエステルフィルムは耐熱性が十分でないた
めに金属薄膜の形成条件が制限され、垂直磁気記録媒体
用の基材としては芳香族ポリイミドフィルムや芳香族ポ
リアミドフィルムの使用が検討されている。これら耐熱
フィルムの表面形成方法については、特開昭６０−１２
７５２３や特開昭６２−１１６６３７に種々提案かされ
ている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記の従来の金属薄膜型磁気記録媒体で
は、磁性層の耐久性が不十分で傷が入りやすいなどの問
題があり、これを改善するため基材フィルムに含有され
る粒子を大きくすると出力特性が不良になる問題があっ
た。また非磁性側もガイドピンと接触して削れや傷が入
るといった問題点があった。

本発明はかかる問題点を解決し、本来金属薄膜型磁気記
録媒体が有する優れた出力特性を維持しつつ耐久性の優
れた金属薄膜型磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。

［課題を解決するための手段］ 本発明は（１）芳香族ポリアミドあるいは芳香族ポリイ
ミドから成る基材フィルムの少なくとも片面に金属薄膜
型磁性層を設けてなる金属薄膜型磁気記録媒体であって
、該基材フィルムはＡ層の少なくとも片面に不活性粒子
を含有するＢ層が積層されてなるフィルムであり、Ｂ層
に含有される不活性粒子の平均粒径ｄＢが５〜４００ｎ
ｍ、該粒子のＢ層における含有量が０．１〜４０ｗ１％
、Ｂ層の厚さｔｌｌと平均粒径ｄＢの比ｔＩｌ／ｄＢが
０゜１−〜４の範囲にあり、かっ該基材フィルムの屈曲
試験後の強度保持率が７０％以上であることを特徴とす
る金属薄膜型磁気記録媒体、（２）芳香族ポリアミドあ
るいは芳香族ポリイミドから成る基材フィルムが、Ａ層
の一方の面に不活性粒子を含有するＢ層を、他方の面に
不活性粒子を含有するＣ層を積層して成るフィルムであ
って、該基材フィルムのＢ層側に金属薄膜型磁性層が設
けられており、Ｂ層に含有される不活性粒子の平均粒径
ｄ　Ｉ＋が５〜ｉ５０ｎｍ、該粒子のＢ層における含有
量が０１１−〜３０ｗｔ％、Ｂ層の厚さｔＢと平均粒径
ｄＢの比ｔＩＩ／ｄＢが０．　１〜４、該Ｃ層に含有さ
れる不活性粒子の平均粒径ｄＣが４０〜４００ｎｍ。

該粒子のＣ層における含有量が１〜４０ｗｔ％、Ｃ層の
厚さｔ。と平均粒径ｄＣの比ｔ。／　ｄＣが０゜１〜４
であり、かつ該基材フィルムの屈曲試験後の強度保持率
が７０％以上であることを特徴とする金属薄膜型磁気記
録媒体をその骨子とするものである。

本発明の芳香族ポリアミドとは一般式 ％式％ で示される繰り返し単位を５０モル％以上含む重合体か
ら成るものが好ましく、より好ましくは、７０モル％以
上である。

ここでＡｒｌ　、Ａｒ２は少なくとも１個の芳香環を含
み、同一でも異なっていてもよく、これらの代表例とし
ては次のものがあげられる。

また、これらの芳香環の環上の水素の一部が、ハロゲン
基（特に塩素）、ニトロ基、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基（
特にメチル基）、Ｃｌ−Ｃ５のアルコキシ基などの置換
基で置換されているものも含む。また、Ｘは、　ＯＣＨ
２ Ｓ　０２−１−５−１−〇〇−などである。これらは単
独または共重合の形で含まれる。

特に薄物の磁気テープ用途などには、機械特性、環境変
化（温度、湿度）に対する寸法安定性などの点から、パ
ラ結合を主体としたものが好ましく、さらに芳香環に塩
素を導入したものがより好ましい。

あるいは 〇 八 （ここでｐ、　ｑは０〜３でｐ＋ｑ≧１）を５０モル％
以上含むものが挙げられる。

本発明における芳香族ポリイミドとは、重合体の繰り返
し単位の中に芳香環とイミド環を各々１つ以上含むもの
であり、一般式 で示される繰り返し単位を５０モル％以上含むものが好
ましく、より好ましくは７０モル％以上である。

ここでＡｒ３、Ａｒ５は少なくとも１個の芳香環を含み
、イミド環を形成する２つのカルボニル基は芳香環上の
隣接する炭素原子に結合している。

このＡｒ３は、芳香族テトラカルボン酸あるいはこの無
水物に由来する。代表例としては、次のようなものが挙
げられる。

ここで、Ｙは一〇−１−ＣＯ−−（ｊ−１，２Ｓ　　　
　Ｓ　０２−などである。

また、Ａｒ５は、無水トリカルボン酸、あるいはこのハ
ライドに由来する。

Ａｒ４、Ａｒ６は少なくとも１個の芳香環を含み、芳香
族ジアミン、芳香族ジイソシアネートに由来する。また
、アミド結合、ウレタン結合等を含んでいてもよい。Ａ
ｒ４．Ａｒｅの代表例としては、次のようなものが挙げ
られる。

ここで、これらの芳香環の環上の水素の一部が、ハロゲ
ン基、ニトロ基、０１〜Ｃ３のアルキル基、Ｃ１〜Ｃ３
のアルコキシ基などの置換基で置換されたものも含む。

Ｚは、−〇−−ＣＨ２Ｓ　　　　Ｓ　Ｏ２−−ＣＯ−な
どである。これらは単独または共重合の形で含まれる。

また、本発明の芳香族ポリアミド、芳香族ポリイミドに
は本発明を阻害しない範囲内で、Ａ、、Ｂ。

Ｃ各層に、滑剤、酸化防止剤、その他の添加剤等や他の
ポリマーがブレンドされてもよい。

また本発明のＡ、Ｂ、Ｃの各層のポリマ組成は同じでも
異なる種類のものでもよい。

本発明の金属薄膜型磁気記録媒体を構成する基材フィル
ムのＢ層中の不活性粒子の平均粒子径ｄ□は耐久性の点
から５〜４００ｎｍであることが必要である。さらにＢ
層側に磁性層が設けられる場合には５〜１５０ｎ＋ｎ、
より好ましくは５〜１１００ｎであり、磁性層が設けら
れない場合には４０〜４００ｎｍが好ましく、５０〜２
００ｎｍがより好ましい。

本発明に使用する不活性粒子の種類は特に限定されない
が、粒径が揃ったコロイド粒子が特に好ましく、シリカ
、アルミナ、酸化チタン、炭酸カルシウムのコロイド粒
子が挙げられる。また架橋高分子による粒子（例えば架
橋ポリスチレン）やフッ素含有粒子などもある。

本発明の基材フィルム８層中の不活性粒子の含有量は０
．１〜４０ｗ（％が必要である。さらにＢ層側に磁性層
が設けられる場合には０．］−〜３０ｗｔ％、より好ま
しくは１〜３０Ｗ（％であり、設けられない場合には１
〜４０Ｗ１％が好ましく、より好ましくは２〜３０ｗ１
％である。含有量が上記の範囲より少ないと耐久性が不
良となり、多いと出力特性が不良となったり、粒子が脱
落してやはり耐久性が悪化するので好ましくない。

本発明の基材フィルム３層の厚さｔｎと該８層中に含有
される不活性粒子の平均粒径ｄＢの比ｔＢ／ｄＢは、０
．１−〜４が必要であり、好ましくは０．　２〜３、さ
らに好ましくは０．　３〜２の範囲である。このような
範囲にすることで８層中での粒子の位置が規制され、フ
ィルム表面の突起高さの均一化が図れる。ｔＢ／ｄＢが
上記範囲より外れると耐久性が悪くなり、さらに磁性層
を設けた場合には出力特性が悪化しやすくなる。

さらに、基材フィルムのＡ層は不活性粒子を含有してい
る必要は特にないが、平均粒径が５〜１１−５０ｎ、特
に１０〜８０ｎｍの不活性粒子が０゜００１〜０．１５
重量％、特に０．００５〜０゜０５重量％含有されてい
ると、耐久性がより一層良好となるので望ましい。

Ｂ層側に磁性層を設けた場合には、Ａ層面上でＢ層と反
対の面に０層を設けることは好ましい。

このＣ層中には平均粒径ｄＣが４０〜４００ｎｍ。

より好ましくは５０〜２００ｎｍの不活性粒子を、１−
〜４０ｗ（％、より好ましくは２〜３０ｗ１％添加する
と、蒸着等の加工工程でのフィルムの良好なハンドリン
グ性を維持できる。

この０層の厚さｔＣと、含有する不活性粒子の平均粒径
ｄＣの比ｔ　ｃ　／　ｄ　ｃは、０．１〜４が好ましく
、より好ましくは０．　２〜３とすると、蒸着等の加工
工程におけるフィルムのハンドリング性がより一層向上
し、さらにはバックコート処理をしなくても良好な走行
性を有する磁気記録媒体を提供することも可能である。

なおＣ層中の粒子種はＡ層、８層中のものと同じであっ
ても異なっ１− −２ ていでもよく特に限定されないが、粒径が揃ったシリカ
、アルミナ、酸化チタン、炭酸カルシウムなどのコロイ
ド粒子が好ましい。また架橋高分子による粒子（例えば
架橋ポリエスチレン）やフッ素含有粒子なども使用でき
る。

本発明に使用する不活性粒子は、粒径比（粒子の長径／
短径）が１．　０〜４．３の粒子、特に、球形状の粒子
の場合に耐久性がより一層良好となるので望ましい。

本発明に使用する不活性粒子はフィルム中での単一粒子
指数が０．　５以上、好ましくは０．　７以上である場
合に耐久性がより一層良好となるので特に望ましい。

本発明を構成する基材フィルムは、屈曲試験後の強度保
持率が７０％以上あることが必要である。

好ましくは８０％以上である。これより小さいと磁気記
録媒体の耐久性が悪化し、またフィルム切れを起こして
走行不能となる。本発明の基材フィルムは少なくともＡ
層、Ｂ層の２層から成っているためフィルム製造時など
の温度履歴により各層内での内部応力が異なり、この差
が屈曲性、ひいては記録媒体の耐久性や走行性に影響を
及ぼすものと考えられる。

本発明を構成する基材フィルムのＢ層の表面の中心線深
さＲＰＢと中心線平均粗さＲ８Ｂの比ＲＰＢ／ＲａＢは
３〜２０、より好ましくは４〜１５の場合に出力特性、
耐久性がより良好となるので望ましい。またＢ層側に磁
性層を設ける場合には、Ｂ層の表面のＲＰＢは１〜５Ｑ
ｎｍ、より好ましくは２〜２０ｎｍであり、ＲａＢは０
．２〜５ｎｍが望ましい。

磁性層の厚さｔＭは特に限定されないが、Ｂ層側に磁性
層を設けた場合のＢ層の厚さｔｌｌとの関係はｔＢ／ｌ
、Ａが０．０２〜１５０、特に０．１４〜１５０、さら
に０．２〜１００の範囲であることが好ましい。

本発明を構成する基材フィルムの厚みは１−〜２０μｍ
が好ましく、より好ましくは２〜１−０μｍである。ま
たＢ層及び０層の厚みはそれぞれ０゜００５〜１−μｍ
１より好ましくは０．０１〜Ｏ。

−３ Ａ ５μｍの場合に耐久性、出力特性がより良好となるので
特に望ましい。

本発明を構成する基材フィルムは、少な（とも一方向の
ヤング率が４００ｋｇ／ｍｒｒｆ以上、より好ましくは
７００ｋｇ／ｍｒｒ？以上である。また縦方向と横方向
のヤング率比は０．　３〜３、より好ましくは０．５〜
２の範囲にある場合に耐久性、出力特性が良好であり望
ましい。

本発明は上記の基材フィルムの少なくとも片面に金属薄
膜型磁性層を設けた磁気記録媒体である。

この磁性層の種類は特に限定されないが、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｒ、Ｆｅや、これらの合金から成るものであり、記録
方式は、水平記録、垂直記録を問わない。

次に本発明の製造法について説明するが、これに限定さ
れるものではない。

まず、芳香族ポリアミドであるが、酸クロリドとジアミ
ンとからの場合は、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、
ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムア
ミド（ＤＭＦ）などの非プロトン性有機極性溶媒中で、
溶液重合したり、水系媒体を使用する界面重合などで合
成される。ポリマ溶液は、単量体として酸クロリドとジ
アミンを使用すると塩化水素が副生ずるため、これを中
和するために水酸化カルシウム、炭酸カルシウム、炭酸
リチウムなどの無機の中和剤、またエチレンオキサイド
、プロピレンオキサイド、アンモニア、トリエチルアミ
ン、トリエタノールアミン、ジェタノールアミンなどの
有機の中和剤を添加する。

また、イソシアネートとカルボン酸との反応は、非プロ
トン性有機極性溶媒中、触媒の存在下で行なわれる。

これらのポリマ溶液はそのままフィルムを形成する製膜
原液にしてもよく、ポリマを一度単離してから上記の溶
媒に再溶解して製膜原液を調製してもよい。また有機の
中和剤を使用した場合には、加熱や減圧下にポリマ溶液
を放置して中和物の一部または全部を蒸発させてから製
膜に供することもできる。

製膜原液には溶解助剤として無機塩例えば塩化５ ６ カルシウム、塩化マグネシム、塩化リチウム、硝酸リチ
ウムなどを添加する場合もある。製膜原液中のポリマ濃
度は２〜４０ｗｔ％程度が好ましい。

一方、芳香族ポリイミドあるいはポリアミド酸の溶液は
次のようにして得られる。即ち、ポリアミド酸はＮ−メ
チルピロリドン（ＮＭＰ）　、ジメチルアセトアミド（
ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などの非
プロトン性有機極性溶媒中で、テトラカルボン酸二無水
物と芳香族ジアミンを反応させて、調製することができ
る。また、芳香族ポリイミドは前記のポリアミド酸を含
有する溶液を加熱したり、ピリジンなどのイミド化剤を
添加してポリイミドの固体を得、これを再度溶媒に溶解
して調製できる。製膜原液中のポリマ濃度は５〜４０ｗ
１％程度が好ましい。

上記のように調製された製膜原液は、いわゆる溶液製膜
法によりフィルム化が行なわれる。溶液製膜法には乾湿
式法、乾式法、湿式法などがあるが、乾湿式法、乾式法
が表面性のよいフィルムを得るには好ましい。

なお芳香族ポリアミドあるいは芳香族ポリイミドの製膜
原液中に不活性粒子を含有せしめる方法としては、重合
前に粒子を添加しておく方法、重合後に添加する方法、
製膜直前に製膜原液に混練する方法などを採用できる。

湿式法で製膜する場合には該原液を口金から直接製膜用
浴中に押し出すか、又は−旦ドラム等の支持体上に押し
出し、支持体ごと湿式浴中に導入する方法が採用される
。この浴は一般に水系媒体からなるものであり、水の他
に有機溶媒や無機塩等を含有していてもよい。湿式浴を
通すことでフィルム中に含有された塩類、有機溶媒やイ
ミド化剤等の抽出が行なわれるが、これら湿式浴全体を
通過する時間はフィルムの厚みにもよるが１０秒〜３０
分である。さらにフィルムの長手方向に延伸が行なわれ
る。次いで乾燥、横延伸、熱処理が行なわれるがこれら
の処理は一般に２００〜５００℃で、合計で１−秒〜３
０分である。

乾湿式法で製膜する場合は該原液を口金からドラム、エ
ンドレスベルト等の支持体上に押し出して薄膜とし、次
いでかかる薄膜層から溶媒を飛散させ薄膜が自己保持性
をもつまで乾燥する。乾燥条件は室温〜３００’Ｃ，６
０分以内の範囲である。

乾式１程を終えたフィルムは支持体から剥離されて湿式
１程に導入され、上記の湿式法と同様に脱塩、脱溶媒な
どが行なわれ、さらに延伸、乾燥、熱処理が行なわれて
フィルムとなる。

乾式法のプロセスを採用した場合には、ドラム、あるい
はエンドレスベルト等の上で乾燥され、自己保持性をも
ったフィルムを、これら支持体から剥離し、フィルムの
長手方向に延伸を行なう。さらに残存溶媒を除去するた
めの乾燥や、延伸、熱処理が行なわれるが、これらの処
理は２００〜５００℃で１秒〜３０分である。

以上のように形成されるフィルムはその製膜工程中で延
伸が行なわれるが、延伸倍率は面倍率で０．８〜５．０
（面倍率とは延伸後のフィルム面積を延伸前のフィルム
の面積で除した値で定義する。１以下はリラックスを意
味する。）の範囲内にあることが好ましく、より好まし
くは１．１．〜９ ３．０である。

また本発明の屈曲試験後の強度保持率を高く維持するに
は延伸あるいは熱処理後のフィルムを除冷することが有
効であり、１００°Ｃ〜２００℃の条件で１１秒以上保
持することが有効である。−旦この条件で冷却されると
内部応力が除かれ、再加熱しても各層での内部応力差が
発生することはない。

本発明の積層フィルムを形成するには、Ａ層側に相当す
る製膜原液と、Ｂ層側に相当する製膜原液の２種類を、
さらにＣ層側に相当する製膜原液を加えれば３種類を公
知の方法例えば特開昭５６−１６２６１７のように合流
管で積層したり、口金内で積層して形成することができ
る。またいずれか一種の製膜原液でフィルムを形成して
おき、その上に他の製膜原液を流延して脱溶媒を行ない
、積層フィルムとすることもできる。特に合流管や、口
金内で積層する場合は、原液の粘度が１．００〜１−０
０００ポイズになるように調節することが好ましい。こ
の範囲より小さいと原液が口金から出る前０ に液どうしが混合しやすくなり好ましくない。逆にこの
範囲より大きいとメルトフラクチャーが発生しフィルム
表面が粗れやすくなり好ましくない。

また各層の液の粘度は同じことが好ましいが、多少の粘
度差があってもよく、粘度差は５０％以内を目標とする
とよい。

さらに乾式法、乾湿式法を採用する場合、乾燥工程中で
各層が混合することがある。支持体上ヘキャストされた
原液は加熱されると一旦粘度が低下し、その後溶媒の蒸
発に伴なって再び粘度が上昇するが、粘度が１０ポイズ
より下がると各層が混合しやすくなるので、１０ポイズ
好ましくは５０ポイズより粘度が下がらないよう乾燥条
件を十分調節する必要がある。例えは乾燥温度を少なく
とも２段階に分けて上げていく方法が採用できる。

以上のようにして本発明のフィルムは製造されるが、さ
らに磁性層などを付着させる前に前処理として、グロー
放電処理やコロナ放電処理を施すと磁性層の密着性、耐
久性が向上しより好ましい。

次に、このフィルムに金属薄膜を形成する。その方法は
公知の方法で行なうことができるが、例えば、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｒ、Ｆｅやこれらの合金を、真空蒸着、イオンブ
レーティング、スパッタリング等により基材フィルム上
に直接、あるいはＡ１、Ｔｉ、Ｃｒ等の下地薄膜を介し
て形成させる。水平記録の場合は、ｃｏ−Ｎｉ合金を斜
め蒸着で、また垂直記録の場合はＣｏ−Ｃｒ合金を基材
フィルム面の直角方向から蒸発させて形成することが生
産性を向上できる点で好ましい。

［発明の効果］ 本発明は、基材フィルムの表面層中の不活性粒子の量、
大きさと層の厚さとの関係を特定範囲とすることで、耐
久性の優れた磁気記録媒体が得られたものである。また
磁気記録媒体製造時の走行性、加工速度の増大にも対応
できる。

さらに、本発明のフィルムは、耐熱性が良好なため高温
で磁性層を設けることができ、磁気特性の向上が可能と
なる。

なお本発明の磁気記録方式は水平磁化、垂直磁化を問わ
ない。

［特性の測定方法、効果の評価方法］ 本発明の特性値の測定方法および効果の評価方法は次の
通りである。

（１）粒子の平均粒径 フィルムの断面を透過型電子顕微鏡（Ｔ　Ｅ　Ｍ）で写
真観察し、粒子を検知する。この写真をイメージアナラ
イザーで、粒子数４．００個以上について数値処理し、
数平均径りを平均粒径とする。

Ｄ−ΣＤ、／Ｎ （ここで、Ｄｌは粒子の円相光径、Ｎは粒子数）（２）
粒径比 上記（１）の測定において、粒子の（長径の平均値）／
（短径の平均値）の比で表わし、下式で計算される。

長径−ΣＤ、、／Ｎ、短径−ΣＤ２．／Ｎ（ここで、Ｄ
　１１ｓ　Ｄ　２＋はそれぞれ個々の粒子の長径（最大
径）と短径（最短径）、Ｎは粒子数）（３）単一粒子指
数 上記（１）の測定において、粒子の占める全面積をＡ１
そのうち２個以上の粒子が凝集している凝集３ 体の占める面積をＢとしたとき、（Ａ−Ｂ）／Ａをもっ
て単一粒子指数とする。

（４）Ｒａ（中心線平均粗さ）、Ｒｐ（中心線深さ） 小板研究所製の薄膜段差測定器（ＥＴ−１０）を用い、
触剣先端半径０．　５μｍ１触針荷重５　ｍｇカットオ
フ値０．００８ｍ＋ｎ、測定長０．５ｍｍの条件で１０
回測定し、その平均値でＲａ、Ｒｐを表わした。

なお、Ｒａ、Ｒｐの定義は、たとえば奈良治部著「表面
粗さの測定、評価法」　（総合技術センタ、１９８３）
に示されているものである。

（５）屈曲試験後の強度保持率 ＪＰＣＡ規格（Ｊ　ＰＣＡ−ＦＣＯＬ−１９８６）の耐
屈曲性試験機にフィルム単体をセットシ（ここでループ
の内径は５ｍｍとする）、毎分１２０回程度の速度で往
復運動を繰り返す。１００００回往復させた後のフィル
ムを引っ張り試験機で強度を測定し、屈曲試験を行なわ
ないフィルムの強度と比較して強度保持率を求める。

４ （６）耐久性 磁性層を設けたフィルムを幅１／２インチのテープ状に
スリットしたものをテープ走行性試験機を使用して、ガ
イドピン（表面粗度：Ｒａで１゜Ｏｎｍ）上を走行させ
る（走行速度１００　ｍ／ｍｉｎ。

走行回数１Ｑｐａｓｓ、巻き付は角＝６００、走行張カ
ニ６５ｇ）。

ここでＢ層をガイドピン側にして走行させる。

試験後、テープのＢ層側に入った傷を顕微鏡で観察し、
幅２．５μｍ以上の傷がテープ幅あたり２本未満は◎、
２本以上１０本未満は○、１０本以上は×き判定した。

◎が望ましいが、０でも実用的には使用可能である。

■　電磁変換特性 蒸着したフィルムを１／２インチ幅にスリットし、Ｖ　
Ｔ　Ｒカセットに組み込みＶＴＲテープとした。このテ
ープに家庭用ＶＴＲを用いてシバツク製のテレビ試験波
形発生器により１−００％クロマ信号を記録し、その再
生信号からシバツク製カラービデオノイズ測定器（９２
５Ｄ／１）でクロマＳ／Ｎを測定した。市販のテープを
基準として評価した。

（８）Ｂ層の厚さ ２次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）を用いて、フィル
ム中の粒子の内最も高濃度の粒子に起因する元素と芳香
族ポリアミドあるいは芳香族ポリイミドの炭素元素の濃
度比（Ｍ＋／Ｃ＋）を粒子濃度とし、Ｂ層の表面から深
さ（厚さ）方向の分析を行なう。表層では表面という界
面のために粒子濃度は低く表面から遠ざかるにつれて粒
子濃度は高くなる。本発明フィルムの場合は深さ［Ｉ］
でいったん極大値となった粒子濃度がまた減少し始める
。この濃度分布曲線をもとに極大値の粒子濃度の↑／２
になる深さ［■］　（ここでＨ＞Ｉ）を積層厚さとした
。

なお、フィルム中にもっとも多く含有する粒子が有機高
分子粒子の場合はＳＩＭＳでは測定が難しいので、表面
からエツチングしなからＸＰｓ（Ｘ線光電子分光法）、
ＩＲ（赤外分光法）あるいはコンフォーカル顕微鏡など
で、その粒子濃度のデプスプロファイルを測定し、上記
同様の手法から積層厚さを求めても良い。

さらに、上述した粒子濃度のデプスプロファイルからで
はなく、フィルムの断面観察あるいは薄膜段差測定機等
によってＢ層の積層厚さを求めてもよい。

［実施例］ 以下に実施例に基づいて本発明を説明する。ただし本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。

実施例Ｉ ＮＭＰ中に分散した平均粒径５０ｎｍのコロイダルシリ
カを重合槽に仕込み、この中に２−クロルパラフェニレ
ンジアミン８５モル％、４．４’−ジアミノジフェニル
スルホン１５モル％のアミン成分と、２−クロルテレフ
タル酸クロリド１００モル％の酸成分を添加して重合し
、さらに水酸化リチウムで中和してＢ層用のポリマ溶液
を得た。なおコロイダルシリカの含有量は８ｗｔ％（コ
ロイダルシリカ／（コロイダルシリカ＋芳香族ポリアミ
ド））である。同様の方法で平均粒径４．　Ｏｎ　ｍの
コロイダルシリカを０．１ｗｆ％含有するＡ層用のポリ
マ溶液を製造した。いずれのポリマ溶液も、ポリマ濃度
１０ｗｔ％、溶液粘度を３０℃で３０００ポイズに調整
して製膜原液とした。

これらの原液を２台の押出機で口金に供給し、口金内で
積層して金属ベルト上べ流延した。押出量を調節するこ
とで最終の基材フィルムのＢ層の厚さを０．０５μｍに
なるように、また総厚み７μｍになるように条件を決め
た。この流延されたフィルムをまず１−２０°Ｃで乾燥
し、次いで１５０℃で自己保持性を持つまで乾燥後、ベ
ルトから剥離して水槽中に導入し、脱溶媒と脱塩を行な
い、次いでテンター内で水分の乾燥と熱処理、冷却を行
なって最終フィルムを得た。この間でフィルムは水槽中
で長手方向（ＭＤ力方向に１，２倍、テンター内で幅方
向（ＴＤ力方向に１．２倍延伸された。また熱処理は３
００°Ｃで５分、冷却は１５０℃で５秒保持した 得られた７μｍ厚みの芳香族ポリアミドフィル７ ムは、ＭＤ，ＴＤ力方向もヤング率は１，１００ｋｇ　
／　ｍ　ｒｄＢ強度５５ｋｇ／ｍｒｒ？、伸度５０％と
機械特性のすぐれたものであった。

次いでこのフィルムのＢ層側にＣｏ−Ｎｉを０。

１μｍ蒸着して磁性層を設け、さらにスリットして磁気
テープとして耐久性、電磁変換特性を評価したが非常に
優れたものであった。なおこの磁性層を除去してフィル
ムの屈曲試験を行なったところ第１−表のように良好な
ものであった。

実施例２ 実施例１と同じポリマを用い、コロイダルシリカの平均
粒径、添加量、及びＢ層の厚みを第１表の条件になるよ
うに製膜して７μｍのフィルムを得た。このフィルムの
Ａ層側に磁性層を設けて磁気テープを作製し評価を行な
ったところ、耐久性、電磁変換特性とも良好なものであ
った。

実施例３ ２−クロルパラフェニレンジアミン８５モル％と４、４
′−ジアミノジフェニルエーテル１５モル％をアミン成
分とし、２−クロルテレフタル酸クロリド１００モル％
を酸成分としてＮＭＰ中で重合し、さらに水酸化リチウ
ムで中和してポリマ溶液を得た。なおコロイダルシリカ
は第１表の条件になるように重合前に添加しておいて、
Ａ層、Ｂ層、０層の各々を形成する３種のポリマ溶液を
作製した。

これを３台の押出機を用いて口金に供給し、口金内で積
層した。次いで実施例１−と同様にして製膜し７μｍの
フィルムを得、Ｂ層側にＣｏ−Ｎｉを０．　　２μｍ蒸
着して磁気テープを作製した。

このテープの評価を行なったところ、耐久性、電磁変換
特性とも非常に良好であった。

なおこの芳香族ポリアミドフィルムの機械特性は、ヤン
グ率Ｌ　　３００ｋｇ／ｍｒｒｒ、強度６０ｋｇ／ｍポ
、伸度５２％であった。

実施例４ ４、４１−ジアミノジフェニルエーテル７０モル％と、
パラフェニレンジアミン３０モル％をアミン成分とし、
無水ピロメリット・酸１００モル％とをＤＭＡｃ中で重
合してポリアミド酸溶液を得た。

この重合に先立ち、第１表に示すようなコロイダルシリ
カを前もってＤＭＡｃ中に分散させておいた。

得られた２種類のポリマ溶液を２台の押出機で合流管へ
送液して積層し、口金から金属ベルト上へ流延した。ま
ず１１０℃で乾燥し、次いで１４０℃の熱風で自己保持
性を持つまで乾燥し、さらにベルトから剥離して４４０
°Ｃのテンターへ導入して熱処理を行なった後、３００
℃、１５０℃で各々２秒ずつ保持して冷却し１０μｍの
基材フィルムを得た。なお延伸倍率はＭＤ、ＴＤとも１
゜１倍で、この芳香族ポリイミドフィルムの機械特性は
ヤング率４３０　ｋｇ／　ｍ　ｒｒ？、強度２８ｋｇ／
ｍｒｒｌ’、伸度６５％であった。

このフィルムのＢ層側に実施例１−と同様に磁性層を設
けて磁気テープを作製し、耐久性、電磁変換特性を評価
したところ良好な結果が得られた。

比較例１〜５ 実施例１と同じポリマを用い、コロイダルシリカの平均
粒径、添加量、及びＢ層の厚みを第１表のように本発明
から外れた条件になるように設定して製膜し、７μｍの
フィルムを得た。なお比較例５ではテンターで３００°
Ｃで熱処理後、０℃の冷却ロールで急冷した。これらの
フィルムに実施例１と同様に磁性層を設けて耐久性、電
磁変換特性を測定したところ、満足できるものはなかっ
た。

１ ２

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）芳香族ポリアミドあるいは芳香族ポリイミドから
   成る基材フィルムの少なくとも片面に金属薄膜型磁性層
   を設けてなる金属薄膜型磁気記録媒体であって、該基材
   フィルムはＡ層の少なくとも片面に不活性粒子を含有す
   るＢ層が積層されてなるフィルムであり、Ｂ層に含有さ
   れる不活性粒子の平均粒径ｄ＿Ｂが５〜４００ｎｍ、該
   粒子のＢ層における含有量が０．１〜４０ｗｔ％、Ｂ層
   の厚さｔ＿Ｂと平均粒径ｄ＿Ｂの比ｔ＿Ｂ／ｄ＿Ｂが０
   ．１〜４の範囲にあり、かつ該基材フィルムの屈曲試験
   後の強度保持率が７０％以上であることを特徴とする金
   属薄膜型磁気記録媒体。
2. （２）基材フィルムの少なくとも一方のＢ層側に金属薄
   膜型磁性層が設けられており、該磁性層側のＢ層に含有
   される不活性粒子の平均粒径ｄ＿Ｂが５〜１５０ｎｍ、
   該粒子のＢ層における含有量が０．１〜３０ｗｔ％であ
   ることを特徴とする請求項（１）記載の金属薄膜型磁気
   記録媒体。
3. （３）基材フィルムがＡ層の片面にのみＢ層を積層して
   なるフィルムであって、該Ａ層側に金属薄膜型磁性層が
   設けられており、Ｂ層に含有される不活性粒子の平均粒
   径ｄ＿Ｂが４０〜４００ｎｍ、該粒子のＢ層における含
   有量が１〜４０ｗｔ％であることを特徴とする請求項（
   １）記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
4. （４）芳香族ポリアミドあるいは芳香族ポリイミドから
   成る基材フィルムが、Ａ層の一方の面に不活性粒子を含
   有するＢ層を、他方の面に不活性粒子を含有するＣ層を
   積層して成るフィルムであって、該基材フィルムのＢ層
   側に金属薄膜型磁性層が設けられており、Ｂ層に含有さ
   れる不活性粒子の平均粒径ｄ＿Ｂが５〜１５０ｎｍ、該
   粒子のＢ層における含有量が０．１〜３０ｗｔ％、Ｂ層
   の厚さｔ＿Ｂと平均粒径ｄ＿Ｂの比ｔ＿Ｂ／ｄ＿Ｂが０
   ．１〜４、該Ｃ層に含有される不活性粒子の平均粒径ｄ
   ＿Ｃが４０〜４００ｎｍ、該粒子のＣ層における含有量
   が１〜４０ｗ１％、Ｃ層の厚さｔ＿Ｃと平均粒径ｄ＿Ｃ
   の比ｔ＿Ｃ／ｄ＿Ｃが０．１〜４であり、かつ該基材フ
   ィルムの屈曲試験後の強度保持率が７０％以上であるこ
   とを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。