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JPH03116903A - バリスタの製造方法 - Google Patents

バリスタの製造方法

Info

Publication number
JPH03116903A
JPH03116903A JP1255389A JP25538989A JPH03116903A JP H03116903 A JPH03116903 A JP H03116903A JP 1255389 A JP1255389 A JP 1255389A JP 25538989 A JP25538989 A JP 25538989A JP H03116903 A JPH03116903 A JP H03116903A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
varistor
raw material
mixed
zno
mixed raw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1255389A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Azuma
亨 東
Kazuyoshi Nakamura
和敬 中村
Yasunobu Yoneda
康信 米田
Yukio Sakabe
行雄 坂部
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP1255389A priority Critical patent/JPH03116903A/ja
Publication of JPH03116903A publication Critical patent/JPH03116903A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ZnOを主成分とするバリスタの製造方法に
関し、特に、副成分原料であるMn及びCoの酸化物を
均一に分散させ得ることを可能とするZnOバリスタの
製造方法に関する。
〔従来の技術〕
バリスタは、印加電圧に応じて抵抗値が非直線的に変化
する電圧非直線性抵抗体素子として知られており、サー
ジ吸収素子や電圧安定化素子等に広く用いられている。
上記の用途に用いられるバリスタとしては、ディスク型
バリスタ及び積層型バリスタ等がある。
ディスク型バリスタは、電圧非直線性を示す材料からな
る板状のバリスタ素子の両生面に電極が形成されており
、該電極にリード線が接合されており、さらにリード線
の引出されている部分を除いて全体が外装樹脂で被覆さ
れた構造を有する。また、積層型バリスタは、バリスタ
特性を有する焼結体内にバリスタ層を介して重なり合う
複数の内部電極が配置されており、この複数の内部電極
は、焼結体の対向する両端面に交互に引出されており、
該焼結体の対向両端面に上記内部電極と電気的に接続さ
れる外部電極が形成された構造を有する。
ところで、ディスク型バリスタ及び積層型バリスタに用
いられる電圧非直線性を示すバリスタ材料としては、Z
nOを主体とするものが広く用いられている。また、製
造に際しては、バリスタ特性を改善するために、ZnO
に、副成分原料としてB i、co、Mnまたはsb等
の酸化物を添加して混合・粉砕し、得られた混合原料の
成形体を焼成することにより、バリスタ特性を示す焼結
体を得ていた。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
上記の製造方法により製造された焼結体を用いたバリス
タでは、所望のサージ耐量を得ることができなかうた。
例えば、200■電源用に用いられるバリスタでは、1
500A程度の8×20μ秒のサージ電流を通電した場
合、V+@A (バリスタに1mAの電流が流れた時に
、バリスタの両端にかかる電圧値を示す)の変化率が±
10%以内であることが要求される。しかしながら、従
来の製造方法により得たバリスタでは、150OA以上
のサージ耐量を安定に得ることが困難であった。
よって、本発明の目的は、より大きなサージ耐量を安定
に得ることができるバリスタの製造方法を提供すること
にある。
〔技術的課題を解決するための手段〕
本願発明者らは、上述の問題点を種々検討した結果、Z
nOバリスタにおけるサージ耐量のばらつきが生じる原
因を、製造工程において、主成分原料のZnOに対して
副成分原料のBi、、Co、Mnまたはsb等の酸化物
の分散状態の不均一性によることを見出し、特に、Zn
Oに固溶されるMn及びCoが非直線性及びサージ耐量
を向上させる上で重要な副成分原料であり、ZnOに均
一に固溶されない場合、サージ耐量にばらつきが生しる
ことを見出し、本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、副成分原料として、少なくともM
nO及びCozOzを含むZnOバリスタの製造方法で
あって、下記の工程を備えることを特徴とする。
本発明では、まず、主成分原料としてZnOが、副成分
原料としてのMnO及びCo、O,と混合されて粉砕さ
れ、さらに熱処理されて、ZnO中にMn及びCoが固
溶された第1の混合原料が得られる。
次に、上記第1の混合原料中に、MnO及びCo2O3
以外の副成分原料が混合・粉砕され、第2の混合原料が
得られる。
しかる後、上記第2の混合原料が成形されて成形体が得
られ、この成形体を焼成する・ことによりバリスタ特性
を有する焼結体が得られる。
〔作用〕
種々の副成分原料のうち、電圧非直線性及びサージ耐量
を改善させる上で重要な役割を果たすMn及びCoが予
めZnOに混合され、粉砕及び熱処理されるので、第1
の混合原料においてはZnOにMn及びCoが均一に固
溶され分散される。
従って、Mn及びCoが均一に分散されるため、局所的
な電流集中が防止され、それによってサージ耐量のばら
つきが低減される。
すなわち、本発明は、サージ耐量及び電圧非直線性に大
きく影響する副成分原料であるM n O及びCo、O
,のみを他の)1成分原料とは別に予めZnO中に均一
に分散させたことに特徴を有するものである。なお、他
の副成分原料としては、Biやsb等の酸化物のように
、従来より用いられている種々の副成分原料を用いるこ
とができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、第1の混合原料の段階でMn及びCo
がZnO中に均一に分散させて固溶されているため、他
の副成分を混合・粉砕して得られる第2の混合原料を成
形・焼成することにより、サージ耐量のばらつきが少な
く、局所的な電流集中の生じ難いバリスタを安定に得る
ことができる。
そして、局所的な電流集中を防止することができるので
、バリスタのサージ耐量及び電圧非直線性も高められ、
例えば1500A以上のサージ耐量を安定に得ることが
できる。
〔実施例の説明〕
以下、本発明のバリスタの製造方法の実施例につき説明
する。
まず、主成分原料であるZnO並びに副成分原料である
MnO及びCo、O,を、97.8モル%二0.5モル
%二0.5モル%の比率となるように秤量し、ボールミ
ルに10時間湿合・粉砕し、混合粉砕物を得た。この混
合粉砕物を700°C以上の温度で2時間熱処理し、M
n及びCoをZnO中に固溶させた第1の混合材料を得
た。
得られた第1の混合原料に、他の副成分原料であるBi
t’Os及び5bzOsを、それぞれ、0゜5モル%及
び0.7%添加し、ボールミルにより10時間湿式混合
し、粉砕し、それによって第2の混合原料を得た。
得られた第2の混合原料を脱水した後、760°Cの温
度で仮焼した。
仮焼された第2の混合原料に、バインダとして酢酸ビニ
ル2重量%及びポリビニルアルコールl。
5重量%を添加し、再びボールミルにより10時間湿式
混合し、造粒粉末を得た。
次に、得られた造粒粉末を、直径8m+a、厚さ1゜2
Nの大きさにプレスにより圧縮成形し、成形密度a、8
g/cIIIの円板状成形体を得た。
得られた成形体を、T’OO”Cの温度で1時間加熱処
理し、バインダを飛散させ、しかる後1100°C〜1
400°Cの温度で2時間焼成し、焼結体すなわちバリ
スタ素子を得た。
得られたバリスタ素子の両生面にAgからなるペースト
を塗布し、650°Cの温度で10分間焼付けて電極を
形成した。
得られた画電極に、それぞれ、はんだ付けによりリード
を接合した。さらに、リードの引出されている部分を除
く全体を、エポキシ樹脂により被覆し、ディスク型バリ
スタ(後述の試料番号1)を得た。
得られた試料番号1のバリスタにつき、単位厚みあたり
のバリスタ電圧(V1mA/sJ及び電圧非直線性係数
(α)並びに1000.1500及び2000Aの8×
20μ秒のサージ電流を印加し、1時間後にバリスタ特
性の変化率(%)を測定した。結果を下記の第1表に及
び第2表に示した。
なお、電圧非直線性係数αは、1/log(V+−A/
V。、+*A)により求めた。
また、比較例として、主成分原料ZnOに対し、第1表
に示すように、先に熱処理を行う副成分原料を変更して
製造されたバリスタ素子を用いて作製したディスク型バ
リスタ(試料番号2〜11)を用意した。さらに、従来
のバリスタの製造方法、すなわち全ての副成分原料を主
成分原料であるZnOに同時に添加して製造したバリス
タ素子を用い、同様にディスク型バリスタ(試料番号1
2)を用意した。
上記比較例及び従来例のディスク型バリスタについても
、実施例のディスク型バリスタと同様の測定を行い、そ
の結果を第1表及び第2表に併せて示した。なお、第1
表及び第2表中の*は、比較例及び従来例であることを
示す。
(以下、余白) 第 表 (以下、 余白) 第 2 表 第1表及び第2表から明らかなように、実施例のディス
ク型バリスタ(試料番号1)では、比較例(試料番号2
〜11)及び従来例(試料番号12)のディスク型バリ
スタに比較して、バリスタ電圧の初期値が小さくなり、
電圧非直線性係数も大きくなっていることがわかる。
また、サージ電流印加後のバリスタ電圧の変化率をみて
も、実施例のディスク型バリスタの方が、初期値に対し
て±10%以内と、サージ電流印加後のバリスタ電圧の
変化率の小さいことがわかる。
特に、2000Aのサージ電流印加後においても、バリ
スタ電圧の変化率は−6,5%であり、ディスク型バリ
スタのサージ耐量も向上していることがわかる。
なお、上記の実施例では、円板状のディスク型バリスタ
の製造方法に適用したものを示したが、本発明の製造方
法はこの構造のバリスタを製造する方法に限定されるも
のではない。例えば、角板状等の任意の平面形状のディ
スク型バリスタの製造方法に適用することができる。
また、ディスク型バリスタだけでなく、内部電極とバリ
スタ層を交互に積層してなる積層型バリスタの製造にも
適用することができ、ディスク型バリスタの場合と同様
の効果が得られることばいうまでもない。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  副成分として、少なくともMnO及びCo_2O_3
    を含むZnOバリスタの製造方法であって、主成分原料
    としてのZnOを、副成分原料としてのMnO及びCo
    _2O_3と混合・粉砕及び熱処理し、ZnO中にMn
    及びCoが固溶された第1の混合原料を得る工程と、 前記第1の混合原料に、MnO及びCo_2O_3以外
    の副成分原料を混合し、粉砕し、第2の混合原料を得る
    工程と、 前記第2の混合原料を成形して成形体を得る工程と、 前記成形体を焼成する工程とを備えることを特徴とする
    バリスタの製造方法。
JP1255389A 1989-09-29 1989-09-29 バリスタの製造方法 Pending JPH03116903A (ja)

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