JPH01128402A - 非直線抵抗体 - Google Patents
非直線抵抗体Info
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- JPH01128402A JPH01128402A JP62286155A JP28615587A JPH01128402A JP H01128402 A JPH01128402 A JP H01128402A JP 62286155 A JP62286155 A JP 62286155A JP 28615587 A JP28615587 A JP 28615587A JP H01128402 A JPH01128402 A JP H01128402A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for baking
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- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
A、産業上の利用分野
本発明は、避雷器、サージアブソーバ等に用いて好適な
非直線抵抗体に関する。
非直線抵抗体に関する。
B1発明の概要
本発明は、主成分である酸化亜鉛に各種添加物を加えて
非直線抵抗体素体を形成した非直線抵抗体において、 前記素体の平均粒径を5〜10μmとすることにより、 電気特性と機械特性の双方に優れた非直線抵抗体を得る
ものである。
非直線抵抗体素体を形成した非直線抵抗体において、 前記素体の平均粒径を5〜10μmとすることにより、 電気特性と機械特性の双方に優れた非直線抵抗体を得る
ものである。
C6従来の技術
一般に、非直線抵抗体はオームの法則に従わず、電圧が
高くなると抵抗が減少し電流が著しく増加するという非
直線的な電圧−電流特性を有するため、避雷器やサージ
アブソーバのような異常電圧の吸収などの用途において
大きな効果を発揮する。
高くなると抵抗が減少し電流が著しく増加するという非
直線的な電圧−電流特性を有するため、避雷器やサージ
アブソーバのような異常電圧の吸収などの用途において
大きな効果を発揮する。
非直線抵抗体の代表的なものとして、酸化亜鉛、を主成
分とした非直線抵抗体素体からなるものが知られている
。酸化亜鉛を主成分とする非直線抵抗体素体は、高純度
の酸化亜鉛ZnOに二酸化ビスマスB iO* +酸化
コバルトcoo3.二酸化マンガンM n O* 、酸
化アンチモンSb*Os等の酸化物を微量添加し、混合
造粒、成形後に所定温度以上で焼成して作られる。この
非直線抵抗体素体はコバルトCoやマンガンMn等を固
溶した10pR前後のZnO結晶(10°Ω−cx)を
Boo、を主成分とする0、1μm以下の高抵抗粒界層
が取り囲んだ三次元構造を持っている。
分とした非直線抵抗体素体からなるものが知られている
。酸化亜鉛を主成分とする非直線抵抗体素体は、高純度
の酸化亜鉛ZnOに二酸化ビスマスB iO* +酸化
コバルトcoo3.二酸化マンガンM n O* 、酸
化アンチモンSb*Os等の酸化物を微量添加し、混合
造粒、成形後に所定温度以上で焼成して作られる。この
非直線抵抗体素体はコバルトCoやマンガンMn等を固
溶した10pR前後のZnO結晶(10°Ω−cx)を
Boo、を主成分とする0、1μm以下の高抵抗粒界層
が取り囲んだ三次元構造を持っている。
すなわち、第8図はZnOを主成分とする非直線抵抗体
素体1の微細構造の模式図であって、5a、5bはZn
O結晶層、6a、6bは表面バリア層、7は粒界層であ
る。第9図は非直線素体lの等価回路であって、R1は
ZnO結晶5a、5bの抵抗、R2とC3は表面バリア
層6a、6bの抵抗と容量、R8とC5は粒界層7の抵
抗と容量である。素体lは、粒界層7に電圧を印加する
と電圧の上昇と共に粒界層7の抵抗R1が急激に低下す
る非直線特性を持っている。この素体lの優れた非直線
性はZnO−絶縁物−ZnOの形に起因して第10図に
示す電圧−電流特性として表わすことができる。一般(
こ、素体1の成分組成が変わらなければ1単位当たりの
粒子−粒界層(絶縁物)−粒子の電圧−電流特性はあま
り変わらないと考えられている。
素体1の微細構造の模式図であって、5a、5bはZn
O結晶層、6a、6bは表面バリア層、7は粒界層であ
る。第9図は非直線素体lの等価回路であって、R1は
ZnO結晶5a、5bの抵抗、R2とC3は表面バリア
層6a、6bの抵抗と容量、R8とC5は粒界層7の抵
抗と容量である。素体lは、粒界層7に電圧を印加する
と電圧の上昇と共に粒界層7の抵抗R1が急激に低下す
る非直線特性を持っている。この素体lの優れた非直線
性はZnO−絶縁物−ZnOの形に起因して第10図に
示す電圧−電流特性として表わすことができる。一般(
こ、素体1の成分組成が変わらなければ1単位当たりの
粒子−粒界層(絶縁物)−粒子の電圧−電流特性はあま
り変わらないと考えられている。
D1発明が解決しようとする問題点
非直線抵抗体は電気特性のみに注目されていたため、セ
ラミックスのように機械的強度と電気特性の双方から検
討されていなかった。そこで、ZnOバリスタの機械的
強度と電気特性について検討した。
ラミックスのように機械的強度と電気特性の双方から検
討されていなかった。そこで、ZnOバリスタの機械的
強度と電気特性について検討した。
本発明の目的は、酸化亜鉛を主成分とし、各種添加物を
含む非直線抵抗体において、三次元的に連結している非
直線抵抗体素体のZnO粒子の平均粒径を5〜10μm
の範囲に制御することにより、電気特性と機械特性の双
方に優れた非直線抵抗体を提供することである。
含む非直線抵抗体において、三次元的に連結している非
直線抵抗体素体のZnO粒子の平均粒径を5〜10μm
の範囲に制御することにより、電気特性と機械特性の双
方に優れた非直線抵抗体を提供することである。
E9問題点を解決するための手段
本発明は、上述の点に鑑みて、主成分とする酸化亜鉛Z
nOと、三酸化ビスマスBit’sが0゜25〜1.0
モル%、酸化アンチモン5bvOaが0.5〜2.0モ
ル%、酸化コバルトCot’sが0゜25〜1.0モル
%、二酸化マンガンが0.25〜1.0モル%、酸化ク
ロムCr*Osが0.1−1.0モル%、酸化ニッケル
N E Otが0.1〜1.0モル%、二酸化けい素S
i Otが0.25〜2.0モル%からなる組成比の
添加物を、該添加物のモル%と前記酸化亜鉛ZnOのモ
ル%の総和が100モル%となるような混合物により非
直線抵抗体素体を形成し、該非直線抵抗体素体の平均粒
径を5〜10μmに制御する。
nOと、三酸化ビスマスBit’sが0゜25〜1.0
モル%、酸化アンチモン5bvOaが0.5〜2.0モ
ル%、酸化コバルトCot’sが0゜25〜1.0モル
%、二酸化マンガンが0.25〜1.0モル%、酸化ク
ロムCr*Osが0.1−1.0モル%、酸化ニッケル
N E Otが0.1〜1.0モル%、二酸化けい素S
i Otが0.25〜2.0モル%からなる組成比の
添加物を、該添加物のモル%と前記酸化亜鉛ZnOのモ
ル%の総和が100モル%となるような混合物により非
直線抵抗体素体を形成し、該非直線抵抗体素体の平均粒
径を5〜10μmに制御する。
F、実施例
以下に、本発明の実施例を第1図〜第7図を参照して説
明する。
明する。
第1図は本発明の実施例に係る非直線抵抗体を概略的に
示すもので、10は総括的に示す非直線抵抗体であって
、半導体素体として非直線性が良く、しかも誘電率が高
く、酸化亜鉛を一成分とする非直線抵抗体素体11を用
いる。12は非直線抵抗体素体の側面上に被覆された絶
縁皮膜体、13a、13bは非直線抵抗体素体11の端
面に取り付けられた電極、14a、14bは電極端子で
ある。
示すもので、10は総括的に示す非直線抵抗体であって
、半導体素体として非直線性が良く、しかも誘電率が高
く、酸化亜鉛を一成分とする非直線抵抗体素体11を用
いる。12は非直線抵抗体素体の側面上に被覆された絶
縁皮膜体、13a、13bは非直線抵抗体素体11の端
面に取り付けられた電極、14a、14bは電極端子で
ある。
非直線抵抗体素体11は、主成分としての酸化亜鉛Zn
Oに、二酸化ビスマスBitOa(0,25〜1.0モ
ル%)、酸化アンチモンS b fio、(0。
Oに、二酸化ビスマスBitOa(0,25〜1.0モ
ル%)、酸化アンチモンS b fio、(0。
5〜2.0モル%)、酸化コバルトCotOs(0゜2
5〜1.0モル%)、二酸化マンガンMn0t(0゜2
5〜1.0モル%)、酸化クロムCrtOs(0゜1〜
1.Of−ル%)、酸化−1−ッケルNi0(0,1〜
1.0モル%)および二酸化けい素S i Oz (0
,25〜2.0モル%)からなる添加物を混合して構成
されている。また絶縁皮膜体12は、非直線抵抗体素体
11の外周面にガラス等の絶縁材を覆設して構成されて
いる。
5〜1.0モル%)、二酸化マンガンMn0t(0゜2
5〜1.0モル%)、酸化クロムCrtOs(0゜1〜
1.Of−ル%)、酸化−1−ッケルNi0(0,1〜
1.0モル%)および二酸化けい素S i Oz (0
,25〜2.0モル%)からなる添加物を混合して構成
されている。また絶縁皮膜体12は、非直線抵抗体素体
11の外周面にガラス等の絶縁材を覆設して構成されて
いる。
第1図に示す構成の非直線抵抗体10は次のようにして
作られる。
作られる。
[第1実施例コ
まず、酸化亜鉛Zn096.0モル%に、添加物として
二酸化ビスマスBi*Osを0.5モル%。
二酸化ビスマスBi*Osを0.5モル%。
酸化アンチモンSb*Osを1.0モル%、酸化コバル
トCocosを0.5モル%、二酸化マンガンM n
O*を0.5モル%、二酸化クロムCr*Osを0.5
モル%、酸化ニッケルNLOを1.0モル%および二酸
化けい素5totを0.5モル%の割合で加えて充分混
合した後、40xiφx 10 zxtの非直線棒素体
11を形成し、この非直線抵抗体素体11を900℃で
2時間仮焼し、この仮焼された非直線抵抗体素体11の
側面に絶縁材を塗布した後1050〜1250℃の温度
で、10〜20時間焼成した。この焼成した素体11の
側面に形成された絶縁皮膜体上に再度ガラス等の絶縁材
を塗布し500〜700℃の温度で、2〜lO時間ガラ
スの焼付と素体11の熱処理を同時に行った。
トCocosを0.5モル%、二酸化マンガンM n
O*を0.5モル%、二酸化クロムCr*Osを0.5
モル%、酸化ニッケルNLOを1.0モル%および二酸
化けい素5totを0.5モル%の割合で加えて充分混
合した後、40xiφx 10 zxtの非直線棒素体
11を形成し、この非直線抵抗体素体11を900℃で
2時間仮焼し、この仮焼された非直線抵抗体素体11の
側面に絶縁材を塗布した後1050〜1250℃の温度
で、10〜20時間焼成した。この焼成した素体11の
側面に形成された絶縁皮膜体上に再度ガラス等の絶縁材
を塗布し500〜700℃の温度で、2〜lO時間ガラ
スの焼付と素体11の熱処理を同時に行った。
その後、素体11の両端面を研磨し、電極13a。
13bとしてアルミニウム等を溶射した。
第2図(A)および第2図(B)は、それぞれ、上述の
第1実施例による非直線抵抗体素体の走査電子顕微鏡写
真を示し、第2図(A)は焼成温度が1200℃、素体
の粒径が13μ貢の場合で、1000倍に拡大したもの
であり、第2図(B)は焼成温度が1060℃0粒径が
7μ肩の場合で、1000倍に拡大したものである。
第1実施例による非直線抵抗体素体の走査電子顕微鏡写
真を示し、第2図(A)は焼成温度が1200℃、素体
の粒径が13μ貢の場合で、1000倍に拡大したもの
であり、第2図(B)は焼成温度が1060℃0粒径が
7μ肩の場合で、1000倍に拡大したものである。
第1実施例による非直線抵抗体によれば、焼成温度とV
l mA/ m Inの関係は、第3図の直線Q1.
に示すように、反比例の関係である。また、焼成温度と
平均粒径との関係は、第4図の直線Q。に示すように、
正比例関係にあり、粒径と圧縮強度との関係は第5図の
曲線Q3mに示す特性になる。平均粒径とエネルギー吸
収能力比率の関係は第6図の曲線σ4aに示す特性にな
る。第6図の特性においては、lOμ肩粒径素子に2
m S波す−ジを印加したときのエネルギー吸収量を1
.0としたときの比率である。さらに、平均粒径とΔV
/Vの変化比率は第7図の曲線Qsaのようになる。第
7図の特性においては、10μ肩粒径素子に40kA(
4X10μs波)2回印加後のVIIIIAの変化率を
1.0としたときの比率である。
l mA/ m Inの関係は、第3図の直線Q1.
に示すように、反比例の関係である。また、焼成温度と
平均粒径との関係は、第4図の直線Q。に示すように、
正比例関係にあり、粒径と圧縮強度との関係は第5図の
曲線Q3mに示す特性になる。平均粒径とエネルギー吸
収能力比率の関係は第6図の曲線σ4aに示す特性にな
る。第6図の特性においては、lOμ肩粒径素子に2
m S波す−ジを印加したときのエネルギー吸収量を1
.0としたときの比率である。さらに、平均粒径とΔV
/Vの変化比率は第7図の曲線Qsaのようになる。第
7図の特性においては、10μ肩粒径素子に40kA(
4X10μs波)2回印加後のVIIIIAの変化率を
1.0としたときの比率である。
[第2実施例コ
第2実施例においては、Zn0(96,5%)に添加物
としてB i *Os (0,7モル%)、sb。
としてB i *Os (0,7モル%)、sb。
0s(0,5モル%)、Co20s(0,5モル%)。
M n O! (0、5モル%。)、CrtOs(0,
5モル%)、Nl0(1,0モル%)およびSiOx(
0゜5モル%)を加え充分混合した後、第1実施例と同
様にして成形、素体仮焼、焼成、熱処理、電極付を行っ
て非直線抵抗体を得た。
5モル%)、Nl0(1,0モル%)およびSiOx(
0゜5モル%)を加え充分混合した後、第1実施例と同
様にして成形、素体仮焼、焼成、熱処理、電極付を行っ
て非直線抵抗体を得た。
第2実施例による非直線抵抗体によれば、焼成温度とv
l、A/mmの関係は第3図の直線121bとなり、焼
成温度と平均粒径の関係は第4図の直線Qlbのように
なる。また、粒径と圧縮強度との関係は第5図の曲線1
23bの如くであり、平均粒径とエネルギー吸収能力比
率の関係1よ第6図の曲*Q、、の如くである。さらに
、平均粒径とΔV/Vの変化率比率は第7図の曲線Q5
bのようになる。
l、A/mmの関係は第3図の直線121bとなり、焼
成温度と平均粒径の関係は第4図の直線Qlbのように
なる。また、粒径と圧縮強度との関係は第5図の曲線1
23bの如くであり、平均粒径とエネルギー吸収能力比
率の関係1よ第6図の曲*Q、、の如くである。さらに
、平均粒径とΔV/Vの変化率比率は第7図の曲線Q5
bのようになる。
第3図に示すように、第1.第2実施例のものは共に焼
成温度とV r mA/ rn rnは直線関係にあり
、第4図から明らかなように素体のZnO素子の平均粒
径も焼成温度と直線関係である。また、第5図に示すよ
うに、第1.第2実施例によるものは共にZnO素子の
圧縮強度は、粒径lOμ肩以下の方が強度が高く、特に
7μII〜9μ肩の範囲に極大値を持つことが判明した
。第6図の特性はエネルギー吸収比率を示しているが、
第5図の圧縮強度の特性曲線に良く相似しており、7μ
肩〜9μ餡こ極大値を持っている。さらに、第7図に示
す40kA(4xlOμS波)インパルスを2回印加後
のVIIIAの変化率ら粒径の小さい方が良いことを示
し、制限電圧比(lokAのインパルスを印加したとき
のZnO索子の端子電圧と、1mAの電流(DCを流し
たときの端子電圧の比)も粒径が小さい方が良い結果を
示している。
成温度とV r mA/ rn rnは直線関係にあり
、第4図から明らかなように素体のZnO素子の平均粒
径も焼成温度と直線関係である。また、第5図に示すよ
うに、第1.第2実施例によるものは共にZnO素子の
圧縮強度は、粒径lOμ肩以下の方が強度が高く、特に
7μII〜9μ肩の範囲に極大値を持つことが判明した
。第6図の特性はエネルギー吸収比率を示しているが、
第5図の圧縮強度の特性曲線に良く相似しており、7μ
肩〜9μ餡こ極大値を持っている。さらに、第7図に示
す40kA(4xlOμS波)インパルスを2回印加後
のVIIIAの変化率ら粒径の小さい方が良いことを示
し、制限電圧比(lokAのインパルスを印加したとき
のZnO索子の端子電圧と、1mAの電流(DCを流し
たときの端子電圧の比)も粒径が小さい方が良い結果を
示している。
以上の結果から、ZnO素子のZnO粒子の平均粒径を
5〜lOμmの範囲に制御することにより、ZnO素子
の機械的強度が高くなり、ZnO素子のエネルギー吸収
能力を高め、インパルス印加によるV、□の変化率を小
さくすることができる。
5〜lOμmの範囲に制御することにより、ZnO素子
の機械的強度が高くなり、ZnO素子のエネルギー吸収
能力を高め、インパルス印加によるV、□の変化率を小
さくすることができる。
この特性は避雷器用素子、アブソーバ用素子として最も
重要なものである。
重要なものである。
また、曲げ強度に関しては、10μ肩の粒径のものでは
11 、5 kgf/1ttx″であったものが、8.
5μ肩の粒径のものはl 3 、2 ktif/xrx
”と強くなった。
11 、5 kgf/1ttx″であったものが、8.
5μ肩の粒径のものはl 3 、2 ktif/xrx
”と強くなった。
さらに、今回の実験では2つの実施例で組成を多少変化
させた結果が得られたが、これは成分組成が変わっても
同様に結果が得られることは当然考えられることである
。
させた結果が得られたが、これは成分組成が変わっても
同様に結果が得られることは当然考えられることである
。
G3発明の効果
本発明は以上の如くであって、主成分とする酸化亜鉛Z
nOに、三酸化ビスマスBit’s、酸化アンチモン5
bzOa、酸化コバルトCotOs、二酸化マンガンM
n0t、二酸化けい素S10.からなる添加物を総和が
100モル%になるように混合してなる非直線抵抗体素
体の平均粒径が5〜IOμ買の範囲となるようにしたか
ら、電気的特性と機械的特性の双方に優れた非直線抵抗
体を得ることができる。
nOに、三酸化ビスマスBit’s、酸化アンチモン5
bzOa、酸化コバルトCotOs、二酸化マンガンM
n0t、二酸化けい素S10.からなる添加物を総和が
100モル%になるように混合してなる非直線抵抗体素
体の平均粒径が5〜IOμ買の範囲となるようにしたか
ら、電気的特性と機械的特性の双方に優れた非直線抵抗
体を得ることができる。
第1図は本発明の非直線抵抗体を概略的に示す正断面図
、第2図(A)、第2図(B)はそれぞれ本発明の第1
実施例による金属体である非直線抵抗体の走査顕微鏡写
真、第3図は本発明の第1実施例と第2実施例に係る非
直線抵抗体の焼成温度とV + s A / rn r
nの関係を示す特性図、第4図は第1実施例と第2実施
例に係る非直線抵抗体−の焼成温度と平均粒径の関係を
示す特性図、第5図は第1実施例と第2実施例による非
直線抵抗体の粒径と圧縮強度の関係を示す特性図、第6
図は第1゜第2実施例による平均粒径とエネルギー吸収
能力比率の関係を示す特性図、第7図は第1.第2実施
例の平均粒径とΔV/Vの変化率比率の関係を示す特性
図、第8図は一般の酸化亜鉛を主成分とする非直線抵抗
体の模式図、第9図は第8図の非直線抵抗体の等価回路
図、第10図は第8図の非直線抵抗体の電流/電圧特性
図である。 11・・・非直線抵抗体素体、12・・・絶縁ヅ膜体、
13 a、 l 3 b−i極。 第1図 本亮明/l非市球jA拭ム 第2図(A) 莢紺剃1 第2図CB) 羨屍xi ’ (;y″ 第3図 第5図 誼僅(μm) 第7図 3Pf1* 矩(、um) ba*江Ωノ立ノイー4bbiヒ立0バIノ占ご一へシ
第9図 第10図 乞 弐(A) 手続補正書動却 1.事件の表示 昭和62年特許願第2861.55号 2、発明の名称 非直線抵抗体 3、補正をする者 事件との関係 出願人 (610) 株式会社 明 電 舎 4、代理人〒104 東京都中央区明石町1番29号 液済会ビル昭和63年
2月23日 7、補正の内容 明細書第15頁第8行〜第1O行目に「第2図(A)、
第2図(B)はそれぞれ本発明の第1実施例による金属
体である非直線抵抗体の走査顕微鏡写真」とあるのを、
「第2図(A)、第2図(B)はそれぞれ本発明の実施
例による酸化亜鉛と酸化金属を混合した非直線抵抗体の
粒子構造を示す走査顕微鏡写真」と補正する。 以上
、第2図(A)、第2図(B)はそれぞれ本発明の第1
実施例による金属体である非直線抵抗体の走査顕微鏡写
真、第3図は本発明の第1実施例と第2実施例に係る非
直線抵抗体の焼成温度とV + s A / rn r
nの関係を示す特性図、第4図は第1実施例と第2実施
例に係る非直線抵抗体−の焼成温度と平均粒径の関係を
示す特性図、第5図は第1実施例と第2実施例による非
直線抵抗体の粒径と圧縮強度の関係を示す特性図、第6
図は第1゜第2実施例による平均粒径とエネルギー吸収
能力比率の関係を示す特性図、第7図は第1.第2実施
例の平均粒径とΔV/Vの変化率比率の関係を示す特性
図、第8図は一般の酸化亜鉛を主成分とする非直線抵抗
体の模式図、第9図は第8図の非直線抵抗体の等価回路
図、第10図は第8図の非直線抵抗体の電流/電圧特性
図である。 11・・・非直線抵抗体素体、12・・・絶縁ヅ膜体、
13 a、 l 3 b−i極。 第1図 本亮明/l非市球jA拭ム 第2図(A) 莢紺剃1 第2図CB) 羨屍xi ’ (;y″ 第3図 第5図 誼僅(μm) 第7図 3Pf1* 矩(、um) ba*江Ωノ立ノイー4bbiヒ立0バIノ占ご一へシ
第9図 第10図 乞 弐(A) 手続補正書動却 1.事件の表示 昭和62年特許願第2861.55号 2、発明の名称 非直線抵抗体 3、補正をする者 事件との関係 出願人 (610) 株式会社 明 電 舎 4、代理人〒104 東京都中央区明石町1番29号 液済会ビル昭和63年
2月23日 7、補正の内容 明細書第15頁第8行〜第1O行目に「第2図(A)、
第2図(B)はそれぞれ本発明の第1実施例による金属
体である非直線抵抗体の走査顕微鏡写真」とあるのを、
「第2図(A)、第2図(B)はそれぞれ本発明の実施
例による酸化亜鉛と酸化金属を混合した非直線抵抗体の
粒子構造を示す走査顕微鏡写真」と補正する。 以上
Claims (1)
- 主成分とする酸化亜鉛(ZnO)と、三酸化ビスマス(
Bi_2O_3)が0.25〜1.0モル%,酸化アン
チモン(Sb_2O_3)が0.5〜2.0モル%,酸
化コバルト(Co_2O_3)が0.25〜1.0モル
%,二酸化マンガン(MnO_2)が0.25〜1.0
モル%,酸化クロム(Cr_2O_3)が0.1〜1.
0モル%,酸化ニッケル(NiO_2)が0.1〜1.
0モル%,二酸化けい素(SiO_2)が0.25〜2
.0モル%からなる組成比の添加物を、該添加物のモル
%と前記酸化亜鉛(ZnO)のモル%の総和が100モ
ル%となるような混合物により非直線抵抗体素体を形成
し、該非直線抵抗体素体の平均粒径を5〜10μmとし
たことを特徴とする非直線抵抗体。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62286155A JP2552309B2 (ja) | 1987-11-12 | 1987-11-12 | 非直線抵抗体 |
CA000582843A CA1339553C (en) | 1987-11-12 | 1988-11-10 | Material for resistor body and non-linear resistor made thereof |
KR1019880014780A KR0133080B1 (ko) | 1987-11-12 | 1988-11-10 | 비직선 저항체 및 그의 제조방법 |
EP88118868A EP0316015B1 (en) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Material for resistor body and non-linear resistor made thereof |
AU25023/88A AU616441B2 (en) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Material for resistor body and non-linear resistor made thereof |
DE3887731T DE3887731T2 (de) | 1987-11-12 | 1988-11-11 | Material für Widerstände und daraus hergestellter nichtlinearer Widerstand. |
US07/270,084 US4920328A (en) | 1987-11-12 | 1988-11-14 | Material for resistor body and non-linear resistor made thereof |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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JP2552309B2 JP2552309B2 (ja) | 1996-11-13 |
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ID=17700653
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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KR (1) | KR0133080B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01149401A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-12 | Ngk Insulators Ltd | 電圧非直線抵抗体 |
JP2012160555A (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-23 | Toshiba Corp | 電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法 |
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US5250281A (en) * | 1989-07-11 | 1993-10-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for manufacturing a voltage non-linear resistor and a zinc oxide material to be used therefor |
EP0408308B1 (en) * | 1989-07-11 | 1994-10-12 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for manufacturing a voltage non-linear resistor and a zinc oxide material to be used therefor |
US5269971A (en) * | 1989-07-11 | 1993-12-14 | Ngk Insulators, Ltd. | Starting material for use in manufacturing a voltage non-linear resistor |
CA2029291A1 (en) * | 1990-11-05 | 1992-05-06 | Wilfred Frey | Communication line filter |
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CN101503291B (zh) * | 2009-03-07 | 2011-09-14 | 抚顺电瓷制造有限公司 | 高压交流氧化锌电阻片 |
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CN101702358B (zh) * | 2009-12-03 | 2011-03-16 | 陕西科技大学 | 一种高压压敏电阻及其制备方法 |
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JPS62237703A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | 日本碍子株式会社 | 電圧非直線抵抗体の製造法 |
-
1987
- 1987-11-12 JP JP62286155A patent/JP2552309B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-11-10 CA CA000582843A patent/CA1339553C/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-10 KR KR1019880014780A patent/KR0133080B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-11-11 AU AU25023/88A patent/AU616441B2/en not_active Ceased
- 1988-11-11 EP EP88118868A patent/EP0316015B1/en not_active Revoked
- 1988-11-11 DE DE3887731T patent/DE3887731T2/de not_active Revoked
- 1988-11-14 US US07/270,084 patent/US4920328A/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
DE3887731D1 (de) | 1994-03-24 |
US4920328A (en) | 1990-04-24 |
EP0316015A2 (en) | 1989-05-17 |
KR0133080B1 (ko) | 1998-04-24 |
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AU2502388A (en) | 1989-05-18 |
CA1339553C (en) | 1997-11-25 |
AU616441B2 (en) | 1991-10-31 |
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