JPH0311681A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0311681A JPH0311681A JP14404289A JP14404289A JPH0311681A JP H0311681 A JPH0311681 A JP H0311681A JP 14404289 A JP14404289 A JP 14404289A JP 14404289 A JP14404289 A JP 14404289A JP H0311681 A JPH0311681 A JP H0311681A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- state laser
- solid
- semiconductor laser
- polygonal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0606—Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0615—Shape of end-face
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08095—Zig-zag travelling beam through the active medium
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、金属、半導体、セラミックス等の加工あるい
はコアギユレータとして医療に用いる高出力の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置に関するものである。
はコアギユレータとして医療に用いる高出力の半導体レ
ーザ励起固体レーザ装置に関するものである。
（従来の技術）
従来、固体レーザ装置の励起には、アークランプやフラ
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起効率が低いた
め、レーザ全体の効率は悪く、また、ランプや固体レー
ザ媒質の放熱のために装置は大形とならざるを得なかっ
た。近年、高出力の半導体レーザが開発されるに及び、
これを固体レーザの励起光源として用いるようになって
きた。
ッシュランプ等が用いられてきたが、励起効率が低いた
め、レーザ全体の効率は悪く、また、ランプや固体レー
ザ媒質の放熱のために装置は大形とならざるを得なかっ
た。近年、高出力の半導体レーザが開発されるに及び、
これを固体レーザの励起光源として用いるようになって
きた。
中でもＮｄ：ＹＡＧレーザ媒質の軸端面を半導体レーザ
で軸励起する方法は、Ｗも効率よくしかも安定にＴ Ｅ
Ｍｏ、モードで発振する方法として注目されている。
で軸励起する方法は、Ｗも効率よくしかも安定にＴ Ｅ
Ｍｏ、モードで発振する方法として注目されている。
この種の従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置につい
て、第４図により説明する。同図において、従来の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、ネオジム（Ｎｄ）を注
入したＮｄ：ＹＡＧロッド１を挟んで、上記のＮｄ：Ｙ
ＡＧロッド１の後端面に形成した平面状の内部反射鏡と
凹面状の外部反射鏡２で光共振器を形成したＹＡＧレー
ザと、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１を励起する半導体レ
ーザ３と、上記の半導体レーザ３の出射光を上記のＮｄ
：ＹＡＧロット１の後端面に集光する集光レンズ４とか
ら構成される。
て、第４図により説明する。同図において、従来の半導
体レーザ励起固体レーザ装置は、ネオジム（Ｎｄ）を注
入したＮｄ：ＹＡＧロッド１を挟んで、上記のＮｄ：Ｙ
ＡＧロッド１の後端面に形成した平面状の内部反射鏡と
凹面状の外部反射鏡２で光共振器を形成したＹＡＧレー
ザと、上記のＮｄ：ＹＡＧロッド１を励起する半導体レ
ーザ３と、上記の半導体レーザ３の出射光を上記のＮｄ
：ＹＡＧロット１の後端面に集光する集光レンズ４とか
ら構成される。
半導体レーザ３の出射光を集光レンズ４でＮｄ：ＹＡＧ
ロッド１の軸端面に集光して、ＹＡＧレーザを励起する
方法は、軸励起のため半導体レーザ光とＹＡＧレーザ光
の結合効率がよいため、励起効率が高いばかりでなく、
ＴＥＭｏｏモードで安定して作動するが、励起箇所が１
点で、しかも、半導体レーザ３の高出力化に限界がある
ため、ＹＡＧレーザの高出力化が難しいという問題があ
る。
ロッド１の軸端面に集光して、ＹＡＧレーザを励起する
方法は、軸励起のため半導体レーザ光とＹＡＧレーザ光
の結合効率がよいため、励起効率が高いばかりでなく、
ＴＥＭｏｏモードで安定して作動するが、励起箇所が１
点で、しかも、半導体レーザ３の高出力化に限界がある
ため、ＹＡＧレーザの高出力化が難しいという問題があ
る。
この問題の解決策として、本発明者は、第５図。
第６図および第７図に示すような多角柱状Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド１の各多角柱構成面で、ＹＡＧレーザ光をスパイ
ラル状に反射させ、各構成面の反射点（・印）を複数の
半導体レーザで励起する側面励起方式を提案した。
ロッド１の各多角柱構成面で、ＹＡＧレーザ光をスパイ
ラル状に反射させ、各構成面の反射点（・印）を複数の
半導体レーザで励起する側面励起方式を提案した。
発明者の提案した側面励起方式の半導体レーザ励起固体
レーザ装置について、説明する。第５図は本発明者によ
る半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図
、第６図はその固体レーザ部を示す斜視図、第７図はそ
の固体レーザ媒質の展開図、第８図はその出力特性図で
ある。
レーザ装置について、説明する。第５図は本発明者によ
る半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図
、第６図はその固体レーザ部を示す斜視図、第７図はそ
の固体レーザ媒質の展開図、第８図はその出力特性図で
ある。
第５図において、本発明による半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置は、−辺の幅が５ｍ、長さが３２ｍの六角柱状
で、両端面中央に中心軸に対して角度Ｏを１１°にした
、内部反射鏡となる反射面５ａおよび出射面５ｂを形成
したＮｄ：ＹＡ、Ｇロッド５と、第６図に破線で示すよ
うに、上記の反射面５ａから出射面５ｂに内部反射を繰
り返しながら進むＹＡＧレーザ光の各反射点５Ｃに合わ
せて、六角柱の各構成面５ｄに対向するように配置した
それぞれ複数個のレンズ一体形半導体レーザ６と、上記
の出射面５ｂに相対向するように凹面側を配置した曲率
半径１ｍの外部反射鏡７とから構成されている。さらに
、これらの構成部品の反射率および透過率を、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧロッド５の反射面５ａが波長１．０６戸ｍに対して
９９％以上の反射率、その出射面５ｂが同じ波長１．０
６戸に対して９９％の透過率、その六角柱構成面５ｄが
波長］、 、 ０６７ｍに対しては９９％以」二の反射
率と波長０．８０９μｍに対して９０％以」二の透過率
をそれぞれ有するように、また、外部反射鏡７の凹面鏡
面が、波長１．０６戸に対して８０％の反射率を有する
ようにコーティングを施した。
ーザ装置は、−辺の幅が５ｍ、長さが３２ｍの六角柱状
で、両端面中央に中心軸に対して角度Ｏを１１°にした
、内部反射鏡となる反射面５ａおよび出射面５ｂを形成
したＮｄ：ＹＡ、Ｇロッド５と、第６図に破線で示すよ
うに、上記の反射面５ａから出射面５ｂに内部反射を繰
り返しながら進むＹＡＧレーザ光の各反射点５Ｃに合わ
せて、六角柱の各構成面５ｄに対向するように配置した
それぞれ複数個のレンズ一体形半導体レーザ６と、上記
の出射面５ｂに相対向するように凹面側を配置した曲率
半径１ｍの外部反射鏡７とから構成されている。さらに
、これらの構成部品の反射率および透過率を、Ｎｄ：Ｙ
ＡＧロッド５の反射面５ａが波長１．０６戸ｍに対して
９９％以上の反射率、その出射面５ｂが同じ波長１．０
６戸に対して９９％の透過率、その六角柱構成面５ｄが
波長］、 、 ０６７ｍに対しては９９％以」二の反射
率と波長０．８０９μｍに対して９０％以」二の透過率
をそれぞれ有するように、また、外部反射鏡７の凹面鏡
面が、波長１．０６戸に対して８０％の反射率を有する
ようにコーティングを施した。
その結果、第８図の出力特性図に示すように、発明者の
提案した半導体レーザ励起固体レーザ装置が発振するた
めの、レンズ一体形半導体レーザ６の発振しきい入力値
は０．９Ｗ、最大出力は入力値がＩＯＷのとき３．２Ｗ
であった。なお、このときのレンズ一体形半導体レーザ
６の一個当りの出力は、０．２８Ｗである。
提案した半導体レーザ励起固体レーザ装置が発振するた
めの、レンズ一体形半導体レーザ６の発振しきい入力値
は０．９Ｗ、最大出力は入力値がＩＯＷのとき３．２Ｗ
であった。なお、このときのレンズ一体形半導体レーザ
６の一個当りの出力は、０．２８Ｗである。
（発明が解決しようとする課題）
発明者の提案した上述の側面励起方式の半導体レーザ励
起固体レーザ装置は、第４図に示した従来の軸励起方式
と同様に、半導体レーザ光とＹＡＧレーザ光の結合効率
がよいため、励起効率が高いばかりでなく、Ｔ Ｅ Ｍ
、、モードで安定に作動し、しかも多数のレンズ一体形
半導体レーザ６で励起するので高出力の半導体レーザ励
起固体レーザ装置が得られる。しかしながら、六角柱状
Ｎｄ：ＹＡＧロッド５の端面を加工して、それぞれ両端
面から突起する反射面５ａおよび出射面５ｂを加工する
ため、平面に加工することは容易であるが、球面に加工
することは難しいという問題があった。
起固体レーザ装置は、第４図に示した従来の軸励起方式
と同様に、半導体レーザ光とＹＡＧレーザ光の結合効率
がよいため、励起効率が高いばかりでなく、Ｔ Ｅ Ｍ
、、モードで安定に作動し、しかも多数のレンズ一体形
半導体レーザ６で励起するので高出力の半導体レーザ励
起固体レーザ装置が得られる。しかしながら、六角柱状
Ｎｄ：ＹＡＧロッド５の端面を加工して、それぞれ両端
面から突起する反射面５ａおよび出射面５ｂを加工する
ため、平面に加工することは容易であるが、球面に加工
することは難しいという問題があった。
そのため、出射面５ｂを平面とし、外部反射鏡７を設け
る必要があり、さらに小形化を進めることが難しいとい
う問題があった。
る必要があり、さらに小形化を進めることが難しいとい
う問題があった。
本発明は上記の問題を解決するもので、外部反射鏡のな
い超小形で高出力の半導体レーザ励起固体レーザ装置を
提供するものである。
い超小形で高出力の半導体レーザ励起固体レーザ装置を
提供するものである。
（課題を解決するための手段）
上記の課題を解決するため、本発明は、六角柱状Ｎｄ：
ＹＡＧロッドの六角柱構成面の端部に設けた突起部に反
射面および出射面を形成するものである。
ＹＡＧロッドの六角柱構成面の端部に設けた突起部に反
射面および出射面を形成するものである。
（作 用）
上記の構成により、反射面および出射面の加工は端面に
妨げられないので、容易になる。従って、出射面に容易
に球面加工を施すことができるため、外部反射鏡を省く
ことができ、さらに小形化を進めることが可能となる。
妨げられないので、容易になる。従って、出射面に容易
に球面加工を施すことができるため、外部反射鏡を省く
ことができ、さらに小形化を進めることが可能となる。
（実施例）
本発明の一実施例について、第１図ないし第３図により
説明する。
説明する。
第１図、第２図および第３図は、それぞれ本発明による
半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、
その固体レーザ部の斜視図および固体レーザ媒質の展開
図である。
半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視図、
その固体レーザ部の斜視図および固体レーザ媒質の展開
図である。
これらの図に示す実施例が、第５図ないし第８図に示し
た発明者の提案例と異なる点は、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド５の両端面近傍に、断面三角形の突起５ｅおよび
５ｆを形成し、これに軸中心線と１１°の傾斜角Ｏをな
す反射面５ａおよび出射面５ｂを設けた点と、外部反射
鏡７の代りに、上記の出射面５ｂを曲率半径１ｍの凸面
に加工し、波長１．０６７ｍに対し８０％の反射率を持
つようにコーティングを施した点である。その他は変わ
らないので、同じ構成部品には同一符号を付してその説
明を省略する。
た発明者の提案例と異なる点は、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧ
ロッド５の両端面近傍に、断面三角形の突起５ｅおよび
５ｆを形成し、これに軸中心線と１１°の傾斜角Ｏをな
す反射面５ａおよび出射面５ｂを設けた点と、外部反射
鏡７の代りに、上記の出射面５ｂを曲率半径１ｍの凸面
に加工し、波長１．０６７ｍに対し８０％の反射率を持
つようにコーティングを施した点である。その他は変わ
らないので、同じ構成部品には同一符号を付してその説
明を省略する。
また、その動作および出力特性も、発明者の提案と変わ
らないので、その説明も省略する。
らないので、その説明も省略する。
なお、本発明では、六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド５を用
いたが、角数を増加し、各構成面に対向して設置するレ
ンズ一体形半導体レーザの数を増やしてもよい。また、
集光レンズを一体に組み込んだが、光ファイバを利用し
て、反射点５Ｃを励起してもよい。
いたが、角数を増加し、各構成面に対向して設置するレ
ンズ一体形半導体レーザの数を増やしてもよい。また、
集光レンズを一体に組み込んだが、光ファイバを利用し
て、反射点５Ｃを励起してもよい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、多角柱状固体レ
ーザ媒質に形成した反射面および出射面の加工が、極め
て容易となるため、出射面の凸球面加工が可能となり、
外部反射鏡のない、超小形で高出力、且つ安価な半導体
レーザ励起固体レーザ装置が得られる。従って、高出力
を要する加工用および医療用に大きく貢献する。
ーザ媒質に形成した反射面および出射面の加工が、極め
て容易となるため、出射面の凸球面加工が可能となり、
外部反射鏡のない、超小形で高出力、且つ安価な半導体
レーザ励起固体レーザ装置が得られる。従って、高出力
を要する加工用および医療用に大きく貢献する。
第１図、第２図および第３図は本発明による側面励起方
式の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視
図、その六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッドの斜視図およびそ
の展開図、第４図は従来の軸励起方式の半導体レーザ励
起固体レーザ装置の７ 斜視図、第５図、第６図、第７図および第８図は発明者
が提案した側面励起方式の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の構成を示す斜視図、その固体レーザ部の斜視図、
その固体レーザ媒質の展開図および出力特性図である。 １ ・Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ２，７ ・・・外部反射
鏡、 ３ ・・・半導体レーザ、 ４・・・集光レンズ
、 ５・・・六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ５ａ・・
・反射面、 ５ｂ・・・出射面、 ５ｃ・・・反射点、
５ｄ・・・六角柱構成面、 ５ｅ、５ｆ・・・突起、
６ ・・・レンズ一体形半導体レーザ。
式の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す斜視
図、その六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッドの斜視図およびそ
の展開図、第４図は従来の軸励起方式の半導体レーザ励
起固体レーザ装置の７ 斜視図、第５図、第６図、第７図および第８図は発明者
が提案した側面励起方式の半導体レーザ励起固体レーザ
装置の構成を示す斜視図、その固体レーザ部の斜視図、
その固体レーザ媒質の展開図および出力特性図である。 １ ・Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ２，７ ・・・外部反射
鏡、 ３ ・・・半導体レーザ、 ４・・・集光レンズ
、 ５・・・六角柱状Ｎｄ：ＹＡＧロッド、 ５ａ・・
・反射面、 ５ｂ・・・出射面、 ５ｃ・・・反射点、
５ｄ・・・六角柱構成面、 ５ｅ、５ｆ・・・突起、
６ ・・・レンズ一体形半導体レーザ。
Claims (1)
- 多角柱状で、その両端近傍の多角柱構成面に設けた突起
に、上記の多角柱構成面と傾斜角を有する反射面および
出射面を形成し、且つ上記の反射面は平面に、出射面は
凸球面として光共振器を構成した固体レーザ媒質と、上
記の多角柱構成面のスパイラル状の反射点に集光するよ
うに配置した複数個の半導体レーザとから構成された半
導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14404289A JP2558523B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14404289A JP2558523B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311681A true JPH0311681A (ja) | 1991-01-18 |
| JP2558523B2 JP2558523B2 (ja) | 1996-11-27 |
Family
ID=15352969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14404289A Expired - Lifetime JP2558523B2 (ja) | 1989-06-08 | 1989-06-08 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558523B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003535480A (ja) * | 2000-05-30 | 2003-11-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置 |
-
1989
- 1989-06-08 JP JP14404289A patent/JP2558523B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003535480A (ja) * | 2000-05-30 | 2003-11-25 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 光学的にポンピングされる表面放出半導体レーザ装置 |
| JP4819290B2 (ja) * | 2000-05-30 | 2011-11-24 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | レーザ装置および製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2558523B2 (ja) | 1996-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5432811A (en) | Laser rod with polyhedron shaped ends | |
| US6160934A (en) | Hollow lensing duct | |
| US5966392A (en) | Butt-coupling pumped single-mode solid-state laser with fiber-coupled diode | |
| JPH0311681A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP3271603B2 (ja) | Ｌｄ励起固体レーザ装置 | |
| JPH05121803A (ja) | 半導体励起固体レーザ | |
| JPH0311680A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0637368A (ja) | レーザ装置およびビームエキスパンダ | |
| JP2757608B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ | |
| JP2906867B2 (ja) | レーザダイオード励起固体レーザ波長変換装置 | |
| JPH0311682A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2676920B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH11284257A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH0448664A (ja) | アレイ半導体レーザ端面励起固体レーザ | |
| JP2001015837A (ja) | 固体レーザ発振器 | |
| JP2596462B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2000183433A (ja) | 固体ｓｈｇレーザ装置 | |
| JPH033379A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JPH03150885A (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JP2685331B2 (ja) | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 | |
| JPH11177165A (ja) | 固体レーザーの光励起方式 | |
| JP2546145B2 (ja) | ランプ励起ＴＥＭｏｏモード固体レーザ装置 | |
| JPH10107344A (ja) | レーザ装置 | |
| JPH06132586A (ja) | 固体レーザ装置 | |
| JP2001102667A (ja) | 半導体レーザー励起固体レーザー |