JPH0273233A - 画像表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はアクティブマトリクス液晶表示装置等の画像表
示装置に関する。

（従来の技術） 近年、ＣＲＴに変わる画像表示装置として、液晶を用い
たアクティブマトリクス液晶表示装置が注目されている
。精細な画像を表示するには、解像度の高い映像が必要
となり５マトリクスを構成する絵素は小さくする必要が
生じる。さらに画面の大型化により絵素の数は膨大なも
のとなる。このように非常に精細な表示を要求されるア
クティブマトリクス表示装置の製造には、最近めざまし
く進歩したＬＳＩ製造技術が用いられる。

第４図にアクティブマトリクス表示装置に用いられる絵
素電極基板の一例を示す。５行×６列のマトリクス状に
配列された絵素電極８の各々には。

スイッチング素子として、アモルファスシリコン（以下
ａ−３ｔと称す）を用いた薄膜トランジスタ（以下ＴＰ
Ｔと称す）１５が備えられている。この絵素電極基板に
は、走査線、信号線としてそれぞれ５本のゲートバス配
ｖＡ１２ａ−１２ｅ、　　６本のソースバス配線１１ａ
〜ｌｌｆが備えられ、該ゲートバス配線１２ａ〜１２ｅ
と該ソースバス配線１１ａ〜１１「とは、絶縁膜を介し
て互いに直交するように配線されている。第５図は、第
４図の■−ｖ線に沿った断面図である。ガラス基板１上
にメタル膜が形成された後、エツチングによってゲート
電極２゜ゲートハス配線１２ａ〜１２ｅが形成される。

次にプラズマＣＶＤ及びエツチングによってゲート絶縁
膜３．ａ−Ｓｉ半導体膜４が形成される。さらに。

堆積、エンチングを繰り返すことによって、リンドープ
ｎ”−ａ−３ｉ膜５，５．絵素電極８．ドレイン電極６
．ソース電極７．及びソースバス配線１１ａ〜ｉｔｒが
形成され、その上層に保護用絶縁膜９が形成される。最
後にブラックストライプ１０が形成される。

（発明が解決しようとする課題） アクティブマトリクス液晶表示装置は、近年の画面の大
型化に伴い、大面積、多数バス配線の方向に進むものと
思われる。例えば５インチのアクティブマトリクス液晶
表示装置に於いて、絵素電極基板上にゲートバス配線４
８０本、ソースバス配線６４０本が配線される場合を考
えると、ゲートバス配線４８０本の全長、及びソースバ
ス配線６４０本の全長はそれぞれ約５０ｍとなり２両配
線の全長は合計１００ｍにも及ぶ。高密度に配置された
ハス配線を有する絵素電極基板に於いて、　　１００ｍ
もの長さにわたって断線不良のないバス配線を作製する
ことは非常に困難であり、解決策が求められている。

本発明の目的は、バス配線の断線不良の問題を解消する
ことが可能な構造を備えた画像表示装置を提供すること
にある。

（課題を解決するための手段） 本発明の画像表示装置は、絵素電極がマトリクス状に配
列され、それぞれ一方向に列をなす走査線及び信号線が
縦横に配線されている画像表示装置であって、該走査線
及び信号線の列の一方の列の両端部のそれぞれに於いて
、該一方の列中の少なくとも一部の線と交差して、該一
部の線の上方に絶縁膜を介して形成された修正用上層配
線、及び該走査線及び信号線の列の一方の列と並行して
。

該絶縁膜の下方に形成され、該修正用上層配線と電気的
に接続された修正用下層配線を備えており。

そのことにより上記目的が達成される。

（作用） 前記走査線又は前記信号線のいずれかが断線している場
合において、該断線不良箇所を有する該走査線又は信号
線の両端と、絶縁膜を介して形成されている前記修正用
上層配線とを、電気的に接続することにより、該不良断
線を修正することができる。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。

第１図は１本発明の実施例であるアクティブマトリクス
液晶表示装置に用いられる絵素電極基板の平面図である
。５行×６列のマトリクス状に配列された絵素電極８の
各々には、スイッチング素子として、ａ−３ｉを用いた
ＴＦＴ１５が備えられている。この絵素電極基板には、
走査線として５本のゲートバス配線１２ａ〜１２ｅが、
信号線として６木のソースバス配線１１ａ〜ｌｌｆがそ
れぞれ備えられ、該ゲートバス配線１２ａ〜１２ｅと該
ソースバス配線１１ａ〜ｌｌｆとは、ゲート絶縁膜３を
介して互いに直交するように形成されている。第２図は
第１図の■−■線に沿った断面図である。ガラス基板ｌ
上にメタル膜が形成された後、エツチングによってゲー
ト電極２及びゲートバス配線１２ａ〜１２ｅが形成され
る。このとき該ゲートバス配線１２８〜１２ｅが形成さ
れると同時に、２本の修正用下層配線１３−１　、１３
−２も形成される。第１図に示すように、該修正用下層
配線１３−１は、ゲートバス配線１２ｅの外側に平行し
て、該修正用下層配線１３−２は、ゲートバス配線１２
ａの外側に平行してそれぞれ形成される。次にプラズマ
ＣＶＤ及びエツチングにより、ゲート絶縁膜３及びａ−
５ｉ半導体膜４が形成される。このときゲートバス配線
１２ａ〜１２ｅの両端部及び修正用下層配線１３−１゜
１３−２の両端部は、ゲート絶縁膜３の端より突出する
ようにされる（第１図及び第３図）。ａ−３ｉ半導体膜
４は２ゲート絶縁膜３を介してゲート電極２に相対する
位置に形成される。また、ゲート絶縁膜３上には絵素電
極８も形成される。さらに、堆積、エツチングにより、
ａ−３ｉ半導体膜４上に、リンドープｎ”−ａ−３ｉ膜
５，５が形成され、それぞれのリンドープｎ”−ａ−３
ｉ膜５上にはソース電極７又はドレイン電極６が形成さ
れる。このとき該ソース電極７に接続されるソースバス
配線１１ａ〜ｌｌｆも同時に形成され、該ソースハス配
線１１ａ〜１１［は、ゲート絶縁膜３上に該ゲート絶縁
膜３を介して、ゲートバス配線１２ａ〜１２ｅ及び修正
用下層配線１３−１　、１３−２に直交するように形成
される。また、該ソースバス配線１１ａ〜１１ｆの両端
部は、ゲート絶縁膜３が形成されている部分の外に突出
して形成される（第１図）酸ドレイン電極６は絵素電極
８に接続するように形成される。

上述のようにして形成された絵素電極基板の上層に、さ
らに保護用絶縁膜９が全面に形成される。

該保護用絶縁膜９は、ゲート絶縁膜３に重なるようにし
て形成される。保護用絶縁膜９の上に、さらにメタル膜
のブラックストライプ１０が形成される。このとき同時
に修正用上層配線１４−１〜１４４が形成される。第１
図に示すように、修正用土層配線１４−１．１４−２は
ソースバス配線１１ａの外側に平行して、修正用上層配
線１４−３．１４−４はソースバス配線１１ｆの外側に
平行してそれぞれ形成される。また、該修正用上層配線
１４−１，１４３は、ゲートバス配線１２ｄ、１２ｅと
交差し、その端部がゲートバス配線１２ｃ及び修正用下
層配線１３−１と重なるようにして形成される。修正用
上層配線１４−１．１４−３の端部は直角に曲げられて
絶縁膜３．９の外で修正用下層配線１３−１の端部上に
突出しており、修正用上層配線１４−１　、１４−２と
修正用下層配線１３−１とはゲート絶縁膜３及び保護用
絶縁膜９の存在する部分の外で電気的に接続される（第
３図参照）。同様に、修正用上層配線１４−２．１４−
４は、ゲートバス配線１２ａ、１２ｂと交差し、ゲート
バス配線１２ｃ及び修正用下層配ｋｉ１３−２と重なる
ように形成゛され、ゲート絶縁膜３及び保護用絶縁膜９
の端の外で修正用下層配線１３−２と電気的に接続され
る。

このような修正用上層配線１４−１−１４−４及び修正
用下層配線１３−１　、１３−２を有する本実施例の断
線修正機能は１次のようにして実現される。

第１図のＸで示された位置でゲートバス配線１２ｂが断
線しているとする。この場合には第１図中のＹｌ及びＹ
２のそれぞれの位置で、該ゲートバス配線１２ｂの両端
部と、該修正用上層配線１４−２゜１４−４とを、レー
ザＣＶＤ、メタルボンディング等で電気的に接続するこ
とによって、ゲートバス配線１２ｂ、修正用上層配線１
４−２．修正用下層配線１３−２．修正用上層配線１４
−４　、及びゲートバス配線１２ｂの回路を形成して、
断線部Ｘを修正することができる。

本実施例においては、２本の修正用下層配線１３−１．
１３−２及び４本の修正用上層配線１４−１〜１４−４
が第１図のように配されているので、異なるゲートバス
配線上で起こる２箇所の断線を修正できるが、さらに修
正用上層配線と修正用下層配線の数を増やせばより多く
の断線箇所を修正できることは言うまでもない。

上述の実施例に於いてはゲートバス配線１２ａ〜１２ｅ
の断線修正機能の例を示したが１本発明によれば、ソー
スバス配線１１ａ〜１１［の断線修正機能をも実現でき
る。この場合には、２本の修正用下層配線、ソース電極
７．ドレイン電極６及びソースバス配線１１ａ〜Ｉｌｆ
が同時にゲート絶縁膜３の上に形成され、２本の該修正
用下層配線は、それぞれソースバス配線１１ａ及び１１
「の外側に平行して形成される。また４本の修正用上層
配線は、ブラックストライプ１０が形成されると同時に
形成され、ゲートバス配線１２ａ及び１２ｅの外側にそ
れぞれ２本づつ縦列して平行に形成される。４本の該修
正用上層配線のうち、ゲートバス配線１２ａ〜１２ｅを
はさんで対向する一方の対の２本は、ソースバス配線１
１ａ〜ｌｌｃと、他方の対の２本はｌｉｄ〜１１ｆと保
護用絶縁膜９を介して交差するように配される。ゲート
バス配線１２ａ〜１２ｅをはさんで対向する２対の該修
正用上層配線は、それぞれ近接する該修正用下層配線と
、ゲート絶縁膜３及び保護用絶縁膜９の端の外で電気的
に接続される。この場合には断線したソースバス配線と
それに対応した該修正用上層配線とを電気的に接続する
ことにより、ソースバス配線の修正機能を果たすことが
できる。

（発明の効果） 本発明の画像表示装置は、このように修正用上層配線及
び修正用下層配線を有しているので、走査線、信号線の
バス配線に断線が生じた場合にも５容易に修正ができ、
従来では困難であった大面積の画像表示装置を高い歩留
りで安定して提供することが可能となる。

４、　゛の　　　なｉ′■ 第１図は本発明の一実施例に用いられる絵素電極基板の
平面図、第２図は第１図の■−■線に沿う断面図、第３
図は第１図のＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図、第４図は従来
のアクティブマトリクス表示装置に用いられる絵素電極
基板の一例を示す平面図第５図は第４図のＩＶ−ＩＶに
沿う断面図。

１・・・ガラス基板、２・・・ゲート電極、３・・・ゲ
ート絶縁膜、４・・・ａ−３ｊ半導体、５・・・リンド
ープａ−３ｉ膜、６・・・ドレイン電極、７・・・ソー
ス電極。

８・・・絵素電極、９・・・保護用絶縁膜、　１０・・
・ブラックストライブ、　１１・・・ソースバス配線、
１２・・・ゲートバス配線、１３−１〜１３−２・・・
修正用下層配線、１４−１〜１４−４・・・修正用上層
配線、１５・・・ＴＰＴ。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、絵素電極がマトリクス状に配列され、それぞれ一方
   向に列をなす走査線及び信号線が縦横に配線されている
   画像表示装置であって、 該走査線及び信号線の列の一方の列の両端部のそれぞれ
   に於いて、該一方の列中の少なくとも一部の線と交差し
   て、該一部の線の上方に絶縁膜を介して形成された修正
   用上層配線、及び 該走査線及び信号線の列の一方の列と並行して、該絶縁
   膜の下方に形成され、該修正用上層配線と電気的に接続
   された修正用下層配線 を備えた画像表示装置。