JPH025237A - 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はレーザービーム等により、情報を高密度、大容
量で記録再生、及び消去できる光学情報記録再生消去部
材と光ディスクに関するものである。

従来の技術 光デイスクメモリに関しては、ＴｅとＴｅａ。

を主成分とするＴｅＯｘ　（０＜ｘ＜２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがある。さらに、レーザ光により
薄膜を加熱し、溶融し、急冷することにより、非晶質化
し情報を記録しまたこれを加熱し、徐冷することにより
結晶化し、消去することができる材料としては、ニス・
アール・オプシンスキ（Ｓ　、Ｒ、Ｏｖｓｈｉｎｓｋｙ
）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ１５Ｔｅ８１ｓｂｚ　Ｓｔ
等が知られている。また、Ａｓ！　Ｓ３やＡ３＝　Ｓｅ
３あるいはＳｂ、３ｅ。

等カルコゲン元素と周期律表第■族あるいはＧｅ等の第
■族元素等の組み合せからなる薄膜等が広く知られてい
る。これらの薄膜にレーザ光で情報を記録し、その情報
を消去する方法としては、あらかじめ薄膜を結晶化させ
ておき、これにφ１μｍに絞ったレーザ光を情報に対応
させて強度変調を施し、例えば、円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射し、このレーザ光照射部位は、薄膜
の融点以上に昇温し、かつ急冷し、非晶質化したマーク
として情報の記録がおこなえる。この情報を消去するに
際してはディスクの回転トラック方向に長いスポット光
を照射することにより、薄膜を加熱昇温させ、長いスポ
ット光による徐冷効果によって再び結晶化させる方法が
知られている。

発明が解決しようとする課題 薄膜を加熱昇温し、溶融急冷非晶質化および加熱昇温結
晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な記録媒体
における第一の課題は結晶化に際し、長いスポット光に
よる徐冷効果を必要とすることである。第二の課題は加
熱サイクルに対応して信号品質が変動することである。

この変動要因としては、記録スポット光および消去スポ
ット光による４００℃以上の急速な加熱、冷却の多数回
のくりかえし刺激による基板材質の熱的、機械的な損傷
がある。さらに、記録薄膜の熱的、機械的な損傷がある
。記録薄膜については、その構成組成によっては、膜中
の組成、成分の場所的な変化いわゆる偏析が発生する場
合もある。

基板あるいは記録膜が以上のような変化を生じた場合、
記録再生、消去のサイクルにおいて、ノイズの増大を生
じ、サイクル特性の劣化が発生するという課題があった
。

本発明の目的は第一に短い、サークルスポットで結晶化
をおこなえる部材を提供することである。

第二の目的はサイクル特性の安定な部材を提供すること
である。

課題を解決するための手段 本発明は、レーザ光等の照射により熱的に薄膜の状態を
変化させて情報を記録および消去する部材において、薄
膜材料として、ＧｅＴｅと、Ｇｅの混合体とし、Ｇｅと
ＧｅＴｅのモル比をＸとして、Ｘ　＝　Ｇ　ｅ　／　Ｇ
　ｅ　Ｔ　ｅを０＜Ｘ＜０．３に選び、これを基板に形
成してなることを特徴とする光学情報記録再生消去部材
を提供するものである。

作用 ＧｅＴｅ合金は融点が、Ｔｍ＝７２５℃と高く、薄膜化
することにより、非晶質膜が得られ、この膜にレーザ光
を照射し、昇温溶融急冷あるいは、昇温徐冷することに
より非晶質化、結晶化の記録作用を有する。

この組成体は結晶化速度が速く、短いレーザスポットや
サークルスポットで結晶化する性質を有する。しかしな
がら、逆に結晶化速度が速いために非晶質化マーク形成
に、冷却速度の制限をうける。そこで、融点の高い、Ｔ
ｍ＝９３６℃のＧｅを混合することにより、結晶化速度
を制御する。Ｇｅの混合量を多くすることにしたがって
結晶化速度が低下し、逆に非晶質化マーク形成が容易に
なる。このＧｅは結晶化、非晶質化の過程において、Ｇ
ｅＴｅの結晶化粒径の成長に対する阻止効果を有し、記
録、消去のサイクルにおいて結晶化粒径による感度変化
を押さえサイクル特性の向上をもたらす。

実施例 以下本発明の一実施例について、図面を用いて説明する
。

記録層である薄膜を形成する基板としては、あらかじめ
、レーザ光案内用の溝あるいは、ピット列を形成したポ
リカーボネイト等の樹脂基板あるいは、ガラス板を用い
る。この表面にあらかじめ耐熱性のすぐれたＺｎＳある
いはｓｉｏ、等の第一の無機誘電体層を形成してお（。

この誘電体層としては５１０！を１５モル％以上含ませ
たＺｎＳ誘電体層が好ましい。

この上に、ＧｅＴｅ合金および過剰Ｇｅからなる混合薄
膜を形成する。さらにこの記録薄膜層の上に第二の無機
誘電体層を設けることにより耐熱性の向上をはかること
ができる。薄膜形成の方法としては、真空蒸着あるいは
、スバフタ法が使用できる。第二の無機誘電体層の上に
反射層を設けることにより、感度の向上をはかることも
できる。

この薄膜の膜厚として８０ｎ＋＋＋を選ぶ。さらに保護
板としてポリカーボネイト板を接着剤で密着する。

φ１３０　ｖｎａのディスクとして、１８００ｒｐｍ回
転でｆｌ＝３．４３ＭＨｚの信号と、ｆ　２　＝１．０
ＭＨｚの信号のオーパーライト特性を測定する。オーバ
ーライドは、１ケのサークルスポットφ１μｍのレーザ
光により、高いパワーレベル１８ＩＩＷ、低いパワーレ
ベル１０１のパワーレベル間の変調で、高いパワーレベ
ルで非晶質化マークを形成し、低いパワーレベルで非晶
質化マークを結晶化して消去する同時消録の方法である
。

第１図に記録薄膜の組成と記録特性および消去特性の関
係をしめす。記録薄膜の組成はＸ−Ｇｅ／　Ｇ　ｅ　Ｔ
　ｅであられす。記録特性はＣ／Ｎであられす。消去特
性は消去率であられす。Ｘ＝Ｏつまり、過剰Ｇｅがない
場合は記録Ｃ／Ｎは低く、これは、非晶質化マークが形
成されにくいことに対応している。Ｇｅが少し入るだけ
で記録Ｃ／Ｎは急に増大しＸ＝０．１以上で５０ｄＢ以
上になる。ただし、消去率は逆にｘ＝０つまり、過剰Ｇ
ｅがない場合の方が高く、Ｇｅ量が増加するにしたがっ
て低下する。Ｘ−０，４以上で２０ｄＢ以下になる。サ
イクル特性は、Ｇｅが少ない領域では記録振幅の低下に
より限界が生ずる。Ｇｅが多い領域ではノイズレベルの
増大により限界が生ずる。Ｘ＝０．２では、Ｃ／Ｎおよ
び消去率が高く、さらに、ＩＥ＋５サイクル以上安定で
ある。

発明の効果 レーザ光による記録再生消去をおこなう部材において、
ＧｅＴｅ合金に過剰Ｇｅを混合した記録薄膜によりつぎ
の効果を得る。

（１１非晶質化記録および、結晶化消去が容易で１スポ
ツトサークルビームオーバライトが可能。

（２）多サイクル記録および消去においてＣ／Ｎ。

消去率特性がすぐれる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における光学情報記録再生消
去部材の記録薄膜の組成とレーザ記録、消去特性をあら
れすグラフである。 ■・・・・・・記録特性Ｃ／Ｎ、２・・・・・・消去特
性、消去率。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）レーザー光の照射により、そのエネルギーを吸収
   して昇温し、溶融し、急冷し、アモルファス化する性質
   とアモルファスの状態を昇温することにより、結晶化す
   る性質を有する記録薄膜としてＧｅＴｅ合金と過剰Ｇｅ
   の混合体とし、Ｇｅ／ＧｅＴｅのモル比をＸとして、０
   ＜Ｘ＜０．３に選び基板に形成してなる光学情報記録再
   生消去部材。
2. （２）基板の上にあらかじめ誘電体層を形成し、その上
   にＧｅＴｅ−過剰Ｇｅからなる薄膜を形成し、さらにそ
   の上に誘電体層を形成し、さらにその誘電体層の上に反
   射層を形成してなる請求項（１）記載の光学情報記録再
   生消去部材。
3. （３）記録薄膜としてＧｅＴｅ−過剰Ｇｅからなる材料
   を用いた光ディスク。