[go: up one dir, main page]

JPH0232684Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0232684Y2
JPH0232684Y2 JP1989051949U JP5194989U JPH0232684Y2 JP H0232684 Y2 JPH0232684 Y2 JP H0232684Y2 JP 1989051949 U JP1989051949 U JP 1989051949U JP 5194989 U JP5194989 U JP 5194989U JP H0232684 Y2 JPH0232684 Y2 JP H0232684Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cylindrical member
target
coating
cathode sputtering
strip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1989051949U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01164758U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JPH01164758U publication Critical patent/JPH01164758U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0232684Y2 publication Critical patent/JPH0232684Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Medicines Containing Plant Substances (AREA)
  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、カソードスパツタリング装置、詳
しくは、回転マグネトロンカソードの改良に関す
るものである。
〔従来の技術〕
1983年10月26日特許の米国特許第４，356，073
号には、減圧コーテイング室の内部に、所望のコ
ーテイング材の層を保有する円筒状部材を回転自
由に設け、平板状の基材を減圧コーテイング室の
内部に給送して、該基材の表面をコーテイングす
る手段が開示されている。
また、同特許には、異なつたコーテイング材を
前記円筒状部材の周面のセグメントごとに保有さ
せ、異なつたコーテイング材ごとにスパツタリン
グを行つて、単一ソースから異なつたコーテイン
グ材を基材にコーテイングすることができる手段
が開示されている。
〔考案が解決しようとする問題点〕
前記の公知技術においては、円筒状部材の周面
のセグメントごとに保有させた異なつたコーテイ
ング材の内の一つが消費されたときには、減圧コ
ーテイング室から該円筒状部材を取り出し、その
表面をクリーニングし、フレツシユなコーテイン
グ材を補給することになるが、この間は、コーテ
イング操作を中断しなければならず、生産性が低
下し、労働コスト、生産コストが上がるなどの問
題点がある。特に、カソードのクリーニングは、
残留するコーテイング材を完全に取り除くため必
要な操作であるが、きわめて経費のかかる仕事で
あり、これがコストアツプの要因となつている。
〔問題点を解決するための手段〕
この考案は、前記した問題点を解決するために
考案されたもので、円筒状部材と、この円筒状部
材を回転させる手段とを備え、スパツタすべきコ
ーテイング材を保有するターゲツト手段を前記円
筒状部材に着脱自由に取り付け、前記ターゲツト
手段は、円筒状部材の周縁にそお長さ方向に沿つ
て装着されて互いに間隔をおいて平行に配置さ
れ、前記円筒状部材に対し着脱自由に取り付けら
れている複数のターゲツトストリツプから設け
て、作業を中断することなく、コーテイング材が
新たに補給されたものを用いて、きわめて能率よ
くスパツタリング操作を行えるようにしたもので
ある。
また、この考案は、前記ターゲツト手段を構成
するターゲツトストリツプを装着した前記円筒状
部材に磁石装置を内蔵させ、前記円筒状部材を回
転させて、種々異なつたコーテイング材の内の所
望のコーテイング材が保有されているターゲツト
ストリツプを基材に対面させ、該コーテイング材
のスパツタリングを行うカソードスパツタリング
装置を提供することを目的とする。
〔実施例〕 図示の実施例により、この考案を詳細に説明す
る。
図において、符号１０は、カソード装置全体を
示すもので、カソード装置は、減圧コーテイング
室１１内に水平に設置されている。コーテイング
室１１は、角形のもので、底壁１２、上壁１３、
四方の側壁からなるもので、図においては、左右
の側壁１４，１５のみが示されている。底壁１２
と上壁１３は、前記四方の側壁（側壁１４，１５
のみ図示）とシール１６，１７を介して密封され
ている。減圧用の真空ポンプ１８がコーテイング
室１１に接続し、該室内の圧力を所望の圧力に減
圧できるようになつている。また、ガス供給管１
９がバルブ２０を介してコーテイング室１１に接
続しており、必要に応じ、ガスをコーテイング室
１１内に供給することができるようになつてい
る。
カソード装置１０は、コーテイング室１１内に
設置された水平方向に長い円筒状部材２１から構
成され、その下方に磁石装置２２が設けてある。
円筒状部材２１は、適当な非磁性体素材、例え
ば、真ちゆう、またはステンレススチールなどか
ら成形されていて、操作に必要な直径、長さ、壁
厚を有している。円筒状部材２１の左右の端部
は、内側端壁２３と外側端壁２４それぞれにより
閉止され、内側端壁２３は、トラニヨン２５（筒
耳）に支持され、トラニヨン２５（筒耳）は、コ
ーテイング室の側壁１４にネジ２６ａ止めされた
ブラケツト２６に支持されている。円筒状部材２
１の外側端部は、コーテイング室の側壁１５を貫
通して外方に突出し、この貫通部分は、コーテイ
ング室の側壁１５に設けたブツシユ２７に支持さ
れている。コーテイング室の側壁１５を貫通して
外方に突出した円筒状部材２１の外側端部は、コ
ーテイング室の側壁１５にネジ３０止めされたカ
ラー２８，２９によりシールされている。
前記したように、通常の方法であると、コーテ
イング材は、円筒状部材に直接に付与されるが、
この考案によれば、多数のターゲツトストリツプ
３１が設けてあり、これらストリツプの外表面に
所望のコーテイング材３２がスパツタリングされ
るようになつている。これらのターゲツトストリ
ツプ３１は、適当な幅をもつたもので、円筒状部
材の長さ方法のほぼ全長にわたる長さになつてい
る。これらのターゲツトストリツプ３１は、前記
円筒状部材の周面にそつて、それぞれ間隔をおい
て平行に配置されている。
ターゲツトストリツプ３１は、クランプバー３
３により円筒状部材２１に着脱自由に取り付けら
れていて、クランプバー３３は、各ターゲツトス
トリツプ３１の間に配置され、ネジ３３ａにより
円筒状部材２１にねじこまれて、各ターゲツトス
トリツプ３１を円筒状部材２１に止着する。ター
ゲツトストリツプ３１は、前記円筒状部材の周面
に形成された凹部３４に嵌合され、ターゲツトス
トリツプ３１の両側部に張り出しているフランジ
３５に前記クランプバー３３が係合して、固定さ
れる。したがつて、いずれかのターゲツトストリ
ツプ３１上のコーテイング材が消費された時に
は、そのターゲツトストリツプは、ネジ３３ａを
外せば、フレツシユなコーテイング材が付与され
ている新しいターゲツトストリツプと簡単に交換
することができる。そして、交換した古いターゲ
ツトストリツプをクリーニングし、フレツシユな
コーテイング材をこれに付与する間でもコーテイ
ング装置の操作を続行することができ、これによ
つてコーテイング装置の操作を中断する必要がな
く、操作時間の短縮とコストダウンが可能とな
る。
操作中におけるカソード装置の冷却を行うた
め、クーラント供給管３６が設けられている。こ
の供給管は、適当な非磁性体素材により成形され
ており、円筒状部材２１の内部に、その長さ方向
に沿つて架設され、クーラント供給管３６から磁
石装置２２がハンガー部材３７を介して垂設され
ている。クーラント供給管３６の内側の閉止端部
は、トラウニオン３８を介して円筒状部材２１の
端壁２３に支持されている。
クーラント供給管３６の外側端部は、円筒状部
材２１の端壁２４に設けた開口部を通つて外側に
突出し、キヤツプ３９により閉止されている。水
などの冷媒が前記供給管３６の外側端部からパイ
プ４０を介して管内に供給され、孔４１を通つて
カソード装置内に流入し、循環して、放出管４２
から槽４３へ排出される。
クーラント供給管３６は、ロツクバー４４によ
り固定されているもので、ロツクバー４４の下端
がクーラント供給管３６に固定され、その上端
は、コーテイング室の上壁にねじこまれているロ
ツド４４ａにより支持されている。
円筒状部材２１内に設置の磁石装置２２は、円
筒状部材２１の長さ方向に沿つて平行な列Ａ、Ｂ
の二列横隊に配列された複数個のＵ型永久磁石４
５からなるもので、これらの列Ａ、Ｂは、第３図
に示すように、互いに交差する角度をもつてクー
ラント供給管３６に前記ハンガー部材３７を介し
て取り付けられている。
永久磁石４５は、円筒状部材２１の長さ方向に
そい配置され、円周方向に対し、互いに所定の間
隔をおいて設置されている。列Ａ、Ｂにおける各
永久磁石４５の外側の足４６は、熱間ロールマイ
ルドスチールのような適当な磁性体素材からなる
比較的幅の狭いストリツプ４７に当接し、内側の
足４８もストリツプ４７と平行なストリツプ４９
に当接している。永久磁石４５は、前記のストリ
ツプ４７、４９にネジ５０，５１により固定され
ており、ストリツプ４７，４９の底面５２は、前
記円筒状部材２１の内面の曲率に合つた曲面にな
つていて、該内面に近接している。前記した永久
磁石は、磁石に一方の極（ノースポール）が外側
の磁性ストリツプ４７に当接し、他方の極（サウ
スポール）が内側の磁性ストリツプ４９に当接す
ることが好ましい。またＵ型永久磁石の代わりに
電磁石などの他の磁石も使用でき、さらに構造の
異なる永久磁石も使用できる。
円筒状部材２１を回転させることにより、所望
のターゲツトストリツプを前記磁石に対向させ、
スパツタリングを行う位置に位置させることがで
きる。円筒状部材２１の回転または間欠回転（イ
ンデツクス）は、自動または手動により行うこと
ができるもので、このため操作レバー５３が設け
られている。操作レバー５３は、カラー５４に固
定され、カラー５４は、円筒状部材２１の端壁２
４にネジ５５を介して取り付けられている。
第３図に示したような磁石配列の場合には、タ
ーゲツトストリツプは、三つの対ａ〜ｂ、ｃ〜
ｄ、ｅ〜ｆにクループ分けされ、それぞれ対とな
つたターゲツトストリツプは、それぞれ異なつた
コーテイング材を保有し、円筒状部材２１の間欠
回転により前記磁石と対向するスパツタリング位
置へ送られる。なお、この考案においては、ター
ゲツトストリツプをクループ化せず、ターゲツト
ストリツプ一本ずつによりスパツタリングさせる
ようにすることも含まれる。
スパツタリングを行うに必要なカソードポテン
シアルは、電気接点５６を介して直流電源（図示
せず）から供給されるもので、電気接点５６は、
前記円筒状部材にローリングまたはスライド接触
する。カソード装置は、適宜アースされている。
コーテイング材のスパツタによりコーテイング
される基材ｓは、平板状のもので、コーテイング
室１１の内部に設けてあるコンベア手段によりカ
ソード装置１０の下側に給送されるもので、前記
コンベア手段は、コーテイング室１１の底壁に設
置のベアリングブロツク６０，６１にジヤーナル
結合された水平軸５９に軸装されたローラー５
７，５８を有している。
〔考案の効果〕
この考案によれば、円筒状部材と、この円筒状
部材を回転させる手段とを備え、スパツタすべき
コーテイング材を保有するターゲツト手段を前記
円筒状部材に着脱自由に取り付け、前記ターゲツ
ト手段は、円筒状部材の周縁にその長さ方向に沿
つて装着されて互いに間隔をおいて平行に配置さ
れ、前記円筒状部材に対し着脱自由に取り付けら
れている複数のターゲツトストリツプからなるも
のであることから、例えばコーテイング材を異な
らせ、円筒状部材を回転させて、種々の異なつた
コーテイング材のうち、所望のコーテイング材が
保有されているターゲツトストリツプを基材に対
面させ、このコーテイング材のスパツタリングを
容易に行うことができるようになる。またコーテ
イング材が同一（すべてのコーテイング材が同一
ではなく、数本のターゲツトストリツプごとにコ
ーテイング材が異なる場合も含める）である場
合、いずれかのターゲツトストリツプ上のコーテ
イング材が消費されたときには、そのターゲツト
ストリツプを外し、フレツシユなコーテイング材
を有している新しいターゲツトストリツプと簡単
に交換することができ、交換した古いターゲツト
ストリツプをクーリングしフレツシユなコーテイ
ング材を付与する間においても装置側を中断させ
ることなく操作を続行させることができ、これに
よつてコーテイング操作を中断する必要がなくな
つて操作時間の短縮とコストダウンを図ることが
できるようになる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この考案に係るカソードスパツタリ
ング装置の一実施例の断面図、第２図は、同じく
側面図、第３図は、第１図３−３線矢視方向断面
図である。 １０……カソード装置、１１……減圧コーテイ
ング室、１２……底壁、１３……上壁、１４，１
５……側壁、１６，１７……シール、１８……真
空ポンプ、１９……ガス供給管、２０……バル
ブ、２１……円筒状部材、２２……磁石装置、２
３……内側端壁、２４……外側端壁、２５……ト
ラニヨン、２６……ブラケツト、２７……ブツシ
ユ、２８，２９……カラー、３０……ネジ、３１
……ターゲツトストリツプ、３２……コーテイン
グ材、３３……クランプバー、３３ａ……ネジ、
３４……凹部、３５……フランジ、３６……クー
ラント供給管、３７……ハンガー部材、３８……
トラウニオン、３９……キヤツプ、４０……パイ
プ、４１……孔、４２……放出管、４３……槽、
４４……ロツクバー、４４ａ……ロツド、４５…
…永久磁石、４６……永久磁石の外側の足、４７
……ストリツプ、４８……永久磁石の内側の足、
４９……ストリツプ、５０，５１……ネジ、５２
……ストリツプの底面、５３……操作レバー、５
４……カラー、５５……ネジ、５６……電気接
点、ｓ……コーテイングされる基材、５９……水
平軸、５７，５８……ローラー、６０，６１……
ベアリングブロツク。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 円筒状部材と、この円筒状部材を回転させる
    手段とを備え、スパツタすべきコーテイング材
    を保有するターゲツト手段を前記円筒状部材に
    着脱自由に取り付け、 前記ターゲツト手段は、円筒状部材の周縁に
    その長さ方向に沿つて装着されて互いに間隔を
    おいて平行に配置され、前記円筒状部材に対し
    着脱自由に取り付けられている複数のターゲツ
    トストリツプからなることを特徴とするカソー
    ドスパツタリング装置。 (2) 前記ターゲツト手段を構成するターゲツトス
    トリツプは、各ターゲツトストリツプの間に配
    置されたクランプ手段により前記円筒状部材に
    対し着脱自由に取り付けられている実用新案登
    録請求の範囲第１項記載のカソードスパツタリ
    ング装置。 (3) 前記クランプ手段は、各ターゲツトストリツ
    プの間に配置されて、各ターゲツトストリツプ
    に係合するクランプバーと、これを前記円筒状
    部材に対し着脱自由に取り付ける手段とからな
    る実用新案登録請求の範囲第２項記載のカソー
    ドスパツタリング装置。 (4) 前記円筒状部材の内部を冷却する手段を備え
    た実用新案登録請求の範囲第１項記載のカソー
    ドスパツタリング装置。 (5) 前記円筒状部材の内部に磁石装置が設けてあ
    る実用新案登録請求の範囲第１項記載のカソー
    ドスパツタリング装置。 (6) 前記円筒状部材の内部に磁石装置が、その長
    さ方向に沿い設けてある実用新案登録請求の範
    囲第１項記載のカソードスパツタリング装置。 (7) 前記円筒状部材の内部に永久磁石装置が、そ
    の長さ方向に沿い設けてある実用新案登録請求
    の範囲第３項記載のカソードスパツタリング装
    置。
JP1989051949U 1983-08-17 1989-05-01 Expired JPH0232684Y2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/523,928 US4443318A (en) 1983-08-17 1983-08-17 Cathodic sputtering apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01164758U JPH01164758U (ja) 1989-11-17
JPH0232684Y2 true JPH0232684Y2 (ja) 1990-09-04

Family

ID=24087006

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59170976A Pending JPS6059067A (ja) 1983-08-17 1984-08-16 カソードスパツタリング装置
JP1989051949U Expired JPH0232684Y2 (ja) 1983-08-17 1989-05-01

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59170976A Pending JPS6059067A (ja) 1983-08-17 1984-08-16 カソードスパツタリング装置

Country Status (10)

Country Link
US (1) US4443318A (ja)
EP (1) EP0134559A3 (ja)
JP (2) JPS6059067A (ja)
AU (1) AU575056B2 (ja)
BR (1) BR8404043A (ja)
CA (1) CA1230079A (ja)
DK (1) DK393384A (ja)
HU (1) HU191712B (ja)
IT (1) IT1174633B (ja)
NO (1) NO842265L (ja)

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910000508B1 (ko) * 1984-08-31 1991-01-26 니찌덴 아넬바 가부시끼가이샤 동적자계를 이용한 방전 반응장치
FR2596920A1 (fr) * 1986-04-03 1987-10-09 Saint Roch Sa Glaceries Cathode de pulverisation
US4834860A (en) * 1987-07-01 1989-05-30 The Boc Group, Inc. Magnetron sputtering targets
US4904362A (en) * 1987-07-24 1990-02-27 Miba Gleitlager Aktiengesellschaft Bar-shaped magnetron or sputter cathode arrangement
US5096562A (en) * 1989-11-08 1992-03-17 The Boc Group, Inc. Rotating cylindrical magnetron structure for large area coating
US5047131A (en) * 1989-11-08 1991-09-10 The Boc Group, Inc. Method for coating substrates with silicon based compounds
BE1003701A3 (fr) * 1990-06-08 1992-05-26 Saint Roch Glaceries Cathode rotative.
US5427665A (en) * 1990-07-11 1995-06-27 Leybold Aktiengesellschaft Process and apparatus for reactive coating of a substrate
WO1992002659A1 (en) * 1990-08-10 1992-02-20 Viratec Thin Films, Inc. Shielding for arc suppression in rotating magnetron sputtering systems
US5200049A (en) * 1990-08-10 1993-04-06 Viratec Thin Films, Inc. Cantilever mount for rotating cylindrical magnetrons
FR2667616B1 (fr) * 1990-10-05 1993-01-15 Aerospatiale Procede et installation de metallisation en continu d'une meche de fibres etalee.
US5100527A (en) * 1990-10-18 1992-03-31 Viratec Thin Films, Inc. Rotating magnetron incorporating a removable cathode
US5108574A (en) * 1991-01-29 1992-04-28 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
US5262032A (en) * 1991-05-28 1993-11-16 Leybold Aktiengesellschaft Sputtering apparatus with rotating target and target cooling
US5211824A (en) * 1991-10-31 1993-05-18 Siemens Solar Industries L.P. Method and apparatus for sputtering of a liquid
EP0681616B1 (en) * 1993-01-15 2002-11-13 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
US5405517A (en) * 1993-12-06 1995-04-11 Curtis M. Lampkin Magnetron sputtering method and apparatus for compound thin films
US5567289A (en) * 1993-12-30 1996-10-22 Viratec Thin Films, Inc. Rotating floating magnetron dark-space shield and cone end
US5620577A (en) * 1993-12-30 1997-04-15 Viratec Thin Films, Inc. Spring-loaded mount for a rotatable sputtering cathode
DE4418906B4 (de) * 1994-05-31 2004-03-25 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Verfahren zum Beschichten eines Substrates und Beschichtungsanlage zu seiner Durchführung
US5571393A (en) * 1994-08-24 1996-11-05 Viratec Thin Films, Inc. Magnet housing for a sputtering cathode
US5445721A (en) * 1994-08-25 1995-08-29 The Boc Group, Inc. Rotatable magnetron including a replacement target structure
FR2725073B1 (fr) 1994-09-22 1996-12-20 Saint Gobain Vitrage Cathode rotative de pulverisation cathodique a plusieurs cibles
US5527439A (en) * 1995-01-23 1996-06-18 The Boc Group, Inc. Cylindrical magnetron shield structure
DE19543375A1 (de) * 1995-11-21 1997-05-22 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mittels Magnetronzerstäuben
FR2745010B1 (fr) * 1996-02-20 1998-06-12 Serole Michelle Paparone Cible de pulverisation cathodique de forme tubulaire ou derivee, faite de plusieurs plaques longitudinales et sa methode de fabrication
US6217716B1 (en) 1998-05-06 2001-04-17 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for improving target erosion in hollow cathode magnetron sputter source
DE19830223C1 (de) * 1998-07-07 1999-11-04 Techno Coat Oberflaechentechni Vorrichtung und Verfahren zum mehrlagigen PVD - Beschichten von Substraten
US6436252B1 (en) 2000-04-07 2002-08-20 Surface Engineered Products Corp. Method and apparatus for magnetron sputtering
US6409897B1 (en) 2000-09-20 2002-06-25 Poco Graphite, Inc. Rotatable sputter target
US7399385B2 (en) * 2001-06-14 2008-07-15 Tru Vue, Inc. Alternating current rotatable sputter cathode
EP1336985A1 (de) * 2002-02-19 2003-08-20 Singulus Technologies AG Zerstäubungskathode und Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Substrates mit mehreren Schichten
US20030173217A1 (en) * 2002-03-14 2003-09-18 Sputtering Components, Inc. High-power ion sputtering magnetron
DE10213043B4 (de) * 2002-03-22 2008-10-30 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Rohrmagnetron und seine Verwendung
US20040074770A1 (en) * 2002-07-02 2004-04-22 George Wityak Rotary target
US20050051422A1 (en) * 2003-02-21 2005-03-10 Rietzel James G. Cylindrical magnetron with self cleaning target
US20050276381A1 (en) * 2003-07-02 2005-12-15 Academy Corporation Rotary target locking ring assembly
KR20060111896A (ko) * 2003-07-04 2006-10-30 베카에르트 어드벤스드 코팅스 회전 관형 스퍼터 타겟 조립체
US20050224343A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Richard Newcomb Power coupling for high-power sputtering
WO2005108646A2 (en) * 2004-04-29 2005-11-17 Academy Corporation Rotary target locking ring assembly
US20060049043A1 (en) * 2004-08-17 2006-03-09 Matuska Neal W Magnetron assembly
US20060065524A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Richard Newcomb Non-bonded rotatable targets for sputtering
DK1799876T3 (da) * 2004-10-18 2009-04-20 Bekaert Advanced Coatings Flad endeblok som bærer for et drejeligt forstövningsmål
US20060096855A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Richard Newcomb Cathode arrangement for atomizing a rotatable target pipe
ES2319569T3 (es) * 2005-03-11 2009-05-08 Bekaert Advanced Coatings Bloque terminal sencillo, de angulo recto.
US20060278524A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for modulating power signals to control sputtering
US20060278521A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals
US20070089982A1 (en) * 2005-10-24 2007-04-26 Hendryk Richert Sputtering target and method/apparatus for cooling the target
US20070095281A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Stowell Michael W System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources
US7842355B2 (en) * 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
US20070158187A1 (en) * 2006-01-12 2007-07-12 Wagner Andrew V Cathode for a vacuum sputtering system
KR20090029213A (ko) * 2006-06-19 2009-03-20 베카에르트 어드벤스드 코팅스 스퍼터링 장치의 엔드-블록용 삽입편
DE102007049735B4 (de) * 2006-10-17 2012-03-29 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Versorgungsendblock für ein Rohrmagnetron
US8236152B2 (en) * 2006-11-24 2012-08-07 Ascentool International Ltd. Deposition system
US8152975B2 (en) * 2007-03-30 2012-04-10 Ascentool International Deposition system with improved material utilization
DE102008039211B4 (de) * 2008-05-07 2011-08-25 VON ARDENNE Anlagentechnik GmbH, 01324 Rohrtarget mit Endblock zur Kühlmittelversorgung
DE102008039664A1 (de) 2008-08-26 2010-05-12 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Versorgungsendblock
DE202008018196U1 (de) 2008-08-26 2012-02-02 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Versorgungsendblock
US8182662B2 (en) * 2009-03-27 2012-05-22 Sputtering Components, Inc. Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus
DE102009033546B4 (de) 2009-07-16 2014-07-17 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Versorgungsendblock für ein rotierendes Magnetron
TW201207139A (en) * 2010-06-23 2012-02-16 Tosoh Smd Inc Bimetallic rotary target
US20120048725A1 (en) * 2011-06-24 2012-03-01 Primestar Solar, Inc. Non-bonded rotary semiconducting targets and methods of their sputtering
GB201200574D0 (en) * 2012-01-13 2012-02-29 Gencoa Ltd In-vacuum rotational device
JP5913382B2 (ja) * 2012-01-31 2016-04-27 Ｊｘ金属株式会社 スパッタリングターゲット組立体
US20140110246A1 (en) * 2012-10-18 2014-04-24 Primestar Solar, Inc. Methods for depositing a homogeneous film via sputtering from an inhomogeneous target
US9368330B2 (en) 2014-05-02 2016-06-14 Bh5773 Ltd Sputtering targets and methods
JP2023024280A (ja) * 2021-08-04 2023-02-16 エフ・ハー・エル・アンラーゲンバウ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング 多連スパッタリングターゲット
TW202500780A (zh) 2023-06-22 2025-01-01 德商Ｆｈｒ設備製造有限公司 真空塗佈系統及以增加的塗佈率塗佈基板之方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3829373A (en) * 1973-01-12 1974-08-13 Coulter Information Systems Thin film deposition apparatus using segmented target means
JPS51117933A (en) * 1975-04-10 1976-10-16 Tokuda Seisakusho Spattering apparatus
JPS5266837A (en) * 1975-10-27 1977-06-02 Nichiden Varian Kk Spattering device
MX145314A (es) * 1975-12-17 1982-01-27 Coulter Systems Corp Mejoras a un aparato chisporroteador para producir pelicula electrofotografica
US4204936A (en) * 1979-03-29 1980-05-27 The Perkin-Elmer Corporation Method and apparatus for attaching a target to the cathode of a sputtering system
DE3069702D1 (en) * 1980-08-08 1985-01-10 Battelle Development Corp Apparatus for coating substrates by high-rate cathodic sputtering, as well as sputtering cathode for such apparatus
US4290877A (en) * 1980-09-08 1981-09-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior Sputtering apparatus for coating elongated tubes and strips
US4356073A (en) * 1981-02-12 1982-10-26 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus
JPS588768U (ja) * 1981-07-10 1983-01-20 セイコー精機株式会社 気体圧縮機
US4376025A (en) * 1982-06-14 1983-03-08 Battelle Development Corporation Cylindrical cathode for magnetically-enhanced sputtering
US4417968A (en) * 1983-03-21 1983-11-29 Shatterproof Glass Corporation Magnetron cathode sputtering apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0134559A2 (en) 1985-03-20
AU575056B2 (en) 1988-07-21
IT1174633B (it) 1987-07-01
DK393384A (da) 1985-02-18
NO842265L (no) 1985-02-18
CA1230079A (en) 1987-12-08
AU2919484A (en) 1985-02-21
BR8404043A (pt) 1985-07-16
JPS6059067A (ja) 1985-04-05
US4443318A (en) 1984-04-17
JPH01164758U (ja) 1989-11-17
DK393384D0 (da) 1984-08-16
HUT35723A (en) 1985-07-29
IT8422206A0 (it) 1984-08-02
EP0134559A3 (en) 1987-01-07
HU191712B (en) 1987-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0232684Y2 (ja)
US4356073A (en) Magnetron cathode sputtering apparatus
US4422916A (en) Magnetron cathode sputtering apparatus
FI79917C (fi) Roterbar foerstoftningsanordning och -katod
CA2094252C (en) Rotating magnetron incorporating a removable cathode
US4519885A (en) Method and apparatus for changing sputtering targets in a magnetron sputtering system
US5096562A (en) Rotating cylindrical magnetron structure for large area coating
EP0543844B1 (en) Cantilever mount for rotating cylindrical magnetrons
JPH06503855A (ja) 回転マグネトロンスパッタリングシステムにおけるアーク抑制のためのシールディング
JPS60234971A (ja) 真空成膜装置
JP2008533297A (ja) 単一の直角エンドブロック
US20180037984A1 (en) Endblock for rotatable target with electrical connection between collector and rotor at pressure less than atmospheric pressure
EP1834007A1 (en) Oscillating shielded cylindrical target assemblies and their methods of use
KR100674005B1 (ko) 스퍼터링 소스 및 이를 구비한 스퍼터
JPS59116375A (ja) スパッタリング装置
JP2749307B2 (ja) ターゲツト電極
CS261213B2 (cs) Způsob napravování tenkých vrstev a zařízení k provádění tohoto způsobu
JPH0527046U (ja) 円筒物蒸着装置
JPS59179781A (ja) スパツタリング装置
JPH08169704A (ja) オゾン発生器