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JPH02285628A - 照明光学系 - Google Patents

照明光学系

Info

Publication number
JPH02285628A
JPH02285628A JP1106669A JP10666989A JPH02285628A JP H02285628 A JPH02285628 A JP H02285628A JP 1106669 A JP1106669 A JP 1106669A JP 10666989 A JP10666989 A JP 10666989A JP H02285628 A JPH02285628 A JP H02285628A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
lighting
optical system
changing
integrator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1106669A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanaga Shiozawa
崇永 塩澤
Kazushi Nakano
一志 中野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP1106669A priority Critical patent/JPH02285628A/ja
Publication of JPH02285628A publication Critical patent/JPH02285628A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は照明光学系に関し、特に半導体素子製造用の露
光装置において電子回路等の微細パターンが形成されて
いるマスクやレチクル専の被照射面を効率的に照明する
為の照明光学系に関するものである。
(従来の技術) 最近の半導体製造技術には電子回路の高集積化に伴い、
高密度の電子回路パターンが形成可能なりソグラフィ技
術が要求されている。
リソグラフィ技術のうち比較的高精度な焼付けが出来る
露光装置として電子回路パターンを必要とする寸法に比
べm倍に拡大して形成したレチクルを照明光学系で照明
し、該レチクルを投影光学系によりウェハ面上に17 
m倍に縮少投影する所謂縮少投影露光装置がある。
第7図は縮少投影露光装置に用いられるレチクルを照明
する為の照明光学系の概略図である。
同図において10は光源で例えば水銀ランプやハロゲン
ランプ等から成っている。11は楕円ミラーで光源lO
からの光束を効率良く集光する為にその第1焦点に光源
lOの発光面を配置し、光源10からの光束を第2焦点
近傍に集光している。12はオプティカルインテグレー
タで配光特性の均一な2次光源を形成すると共に最適な
NAを得る為に複数の微少レンズ(フライアイレンズ)
より成り、楕円ミラー2の第2焦点近傍に配置されてい
る。13はコンデンサーレンズであり2次光源であるオ
プテイカルインテグレータ12からの光束を集光し、被
照射面であるレチクル14を均一照明している。
(発明が解決しようとする問題点) 電子回路パターンが形成されているレチクルは般に四角
形をしており、そのパターン領域の寸法には種々のもの
がある。
縮少投影露光装置におけるレチクル面を照明する照明光
学系の有効照明範囲は一般に円形をしている。そしてウ
ェハ而に投影露光する際には有効照明範囲の一部をマス
キング機構等で遮光し、レチクルパターン形状と同様の
四角形内の光束のみを使用するようにしている。
しかしながら現在使用されているレチクルパターンは種
々の大きさのものがある4全てのレチクルに対応させる
には照明光学系の有効照明範囲を最大寸法のレチクルを
対象に構成する必要がある。この4小さなパターン領域
しか持たないレチクルを用いる場合には不使用の光束が
多くなり照明効率を低下させる原因となってくる。
例えばレチクル上で直径100mmの円形領域を保証し
ている照明光学系で直径70mmの円形領域を対象とす
るレチクルを用いる場合には不必要な領域までも照明し
てしまい、照明効率が大変悪くなるという問題点があっ
た。
本発明は照明光学系のNAを変えずに照明領域を対象と
する領域に応じて任意に変えることができ、特に照明領
域が小さい場合には照度を高くすることができ効率的な
照明ができる照明光学系の提供を目的とする。
(問題点を解決する為の手段) 本発明の照明光学系はレーザからの光束を整形光学系を
介して所定の大きさに整形し、平行光束として複数の微
少レンズより成るオプティカルインテグレータに入射さ
せ、該オプティカルインテグレータから射出する光束を
利用して所定面上を照明する際、該オプティカルインテ
グレータの屈折力を変えることにより該所定面上の照明
範囲を変えたことを特徴としている。
(実施例) 第1図(A)、(B)は本発明の照明光学系を縮少投影
露光装置に適用したときの一実施例の要部概略図である
図中1はレーザて例えば指向性の強い光を放射するλ=
248.4nmエキシマレーザ−である。5はレーザ1
から放射された光束、2は光束調整手段であり後述する
ようにレーザ光束5の光束径を整形させるビームエクス
パンダ−等のビーム整形系と配光特性の均一な2次光源
面を形成する為の複数のフライアイレンズより成るオプ
ティカルインテグレータを有している。3は集光光学系
、4は被照射面であるレチクル面である。6は光束調整
手段2から出射した光束か集光する光束調整手段2の像
側焦点面であり、この点は集光光学系3の瞳面にも成っ
ている。101は投影光学系でありレチクル4面上のパ
ターンをウェハ102面上に所定の縮少倍率で投影して
いる。光束調整手段2を構成する各レンズはSin、て
構成され、エキシマレーザ光を効率良く伝達する。
本実施例ではレーザlからの光束5を光束調整手段2で
所定の開き角を有する光束とし、像側焦点面6に集光し
ている。そして像側焦点面6を瞳面とする集光光学系3
で被照射面4を均一照明している。
このうち第1図(A)は基準状態の光路を示しており、
投影光学系101で対象としている領域Φlを全て照明
している場合である。又第1図(B 、)は投影光学系
101が対象とする領域Φ2が同図(A)に比べて小さ
い場合で光束調整手段2により後述する方法で照明領域
を小さくした場合を示している。
次に本実施例において照明領域を変化させる方法につい
て説明する。
第2図(A)、(B)は各々本実施例の光束調整手段2
内のビーム整形光学系2aとオプティカルインテグレー
タ2bとの関係を示す光学配置の説明図である。
ビーム整形光学系2aはレーザ等の指向性の良い光束5
の光束径を整形し、平行光束としてオプティカルインチ
グレーター2bに入射させている。オプティカルインチ
グレータ2bは複数のフライアイレンズより成る3つの
レンズユニット7.8.9より成っている。
同図においてビーム整形光学系2aで整形された光束が
オプティカルインチグレーター2bに入射する際の各フ
ライアイレンズに入射する光束径をd、オプティカルイ
ンチグレータ2bの焦点距離をfl、集光光学系3の焦
点距離をr2、照明領域4の照射径をΦとすると Φ=(f2/fl)  ・dとなっている。
例えばd=10mm、fl=lomrn、f235mm
とするとΦ=35mmとなる。
本実施例では照明領域Φをオプティカルインチグレータ
2bの焦点距離を変えることにより行っている。
即ちオプティカルインチグレータ2bの像側焦点面6の
位置を固定としつつ、レンズユニット8.9を光軸上移
動させて第2図(B)の如く変位させてオブテイカルイ
ンテグレータ2b全体の焦点距離f1を変えている。こ
れにより前述した式 Φ−(f2/fl)dに基づいて被照射面4上の照明範
囲を変化させている。
例えばオプティカルインチグレータ2bの焦点距離f1
をfl=50mmに変化させると照明領域ΦはΦ=7m
mとなる。
次に具体的に式を用いて説明する。
今、レンズユニット7.8.9のパワー(焦点距離の逆
数)をそれぞれφ1、φ2、φ3、レンズユニット7と
8の主点間距離をe l 、レンズユニット8と9の主
点間距離をC2、レンズユニット9と後側焦点面6の主
点間距離をSkとすると、レンズユニット7.8.9に
より構成されるオプティカルインチグレータ2bの全体
のパワφは ψ・φ1+φ2+φ5−eIφ旨φ2÷φ3)C2φ、
(φ、+φ2)÷e+e2φ、φ、φ。
となる。又、 Sk−φ =l−e+  φ 1−C2φ 1−C2φ
 2◆e+e2φ 1φ2という関係がある。本実施例
ではSkの値を固定とし、全体のパワーφを目的とする
パワーとなるようにレンズユニット8.9を光軸に沿っ
て移動させている。
例えばφ+ =0.04 (f=25mm)φ!  =
 −〇、  05  (f= −20mm)  、  
φs0.04 (f =25mm)、S、=12mm、
e+ =12.43mm、ex =to、77mmのと
きφ=0.0286 (f=35mm)である。
ここで照明範囲を狭くするため例えばφ0.02 (f
=50mm)に設定したい場合にはe、=10.2、e
x=33.85となるようにレンズユニット7と8を動
かせばよい。
本実施例ではオプティカルインチグレータ2bのパワー
φをレンズユニット7.8を移動させて変化させたが、
移動させるレンズユニットはレンズユニット7.8に限
らず、どのレンズユニットを移動させても良い。
レンズユニット7.8.9の屈折力はオプティカルイン
チグレータ2b全体のパワーを所定のレンズユニットの
移動で変えることができるものであれば任意に設定する
ことができる。
本実施例ではオブテイカルインテグレータ2b全体とし
てのパワーが正の場合を示したが第3図に示すように全
体として負のパワーであっても良い。この場合は第2図
(A)、(B)における像側焦点位置6がレンズユニッ
ト9の左側の位置29に変位するだけであり基本的には
第2図(A)、(B)に示す場合と全く同様である。
第2図(A)、(B)に示す実施例ではオプティカルイ
ンチグレータ2bを所定の屈折力の3つのレンズユニッ
ト7.8.9より構成した場合を示したが、第4図(A
)、(B)に示すように正と負の屈折力の2つのレンズ
ユニット13.14より構成しても良い、この場合は2
つのレンズユニット13.14を移動させれば像側焦点
面6の位置を固定した状態でオプティカルインチグレー
タ2b全体のパワーを変えることができる。
第5図(A)、CB)は本発明に係るオプティカルイン
テグレータの他の一実施例の要部概略図であり、同図(
A)は基や状態、同図(■3)は同図(A)に比べて照
明範囲が小さい場合である。
本実施例ではオプティカルインテグレータ2bを前群2
blと後群2b2の2つに分は前群でアフォーカル系を
構成している。そして前群2blのアフォーカル倍率を
変えることによりオプティカルインテグレータ2b全体
のパワーを変えて、前述したのと同様にして被照射面4
の照明範囲を変えている。
第6図は本発明に係るオプティカルインテグレータ2b
の他の一実施例の要部概略図である。
本実施例では第5図に示すオプティカルインテグレータ
を用いると共に2次光源面をより均一にする為に拡散板
や非常に細かいフライアイレンズ等から成る拡散効果を
有する光学素子25をレンズユニット24の前側焦点面
に配置している。これにより均一な2次光源面を形成し
ている。尚、26は光学素子25から射出する光束のN
Aを規制する絞りであり、全系の瞳面位置に配置されて
いる。
(発明の効果) 本発明によれば指向性の高いレーザを光源として用い、
光束調整手段を構成するオプティカルインテグレータの
屈折力を変えることにより、光量損失を防止しつつ、被
照射面一にの照明範囲を任意に変化させることができ、
例えば照明範囲の小さいレチクルを用いたときには照度
を上げることができる為、lショット当りの露光時間を
短縮することができる等の特長を有した照明光学系を達
成することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明を縮少投影露光装置に適用したときの一
実施例の要部概略図、第2図は第1図の光束調整手段2
の説明図、第3図、第4図、第5図、第6図は各々第1
図の光束調整手段2の他の実施例の要部概略図、第7図
は従来の照明光学系の要部概略図である。図中1はレー
ザ、2は光】 2 東調整手段、3は集光光学系、4は被照射面、2aは拡
大系、2bはオプティカルインテグレータ、7.8.9
.30.31.32.13.14.21〜24はレンズ
ユニット、25は光学素子、26は絞り、である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)レーザからの光束を、整形光学系を介して所定の
    大きさに整形し、平行光束として複数の微少レンズより
    成るオプティカルインテグレータに入射させ、該オプテ
    ィカルインテグレータから射出する光束を利用して所定
    面上を照明する際、該オプティカルインテグレータの屈
    折力を変えることにより該所定面上の照明範囲を変えた
    ことを特徴とする照明装置。
JP1106669A 1989-04-26 1989-04-26 照明光学系 Pending JPH02285628A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1106669A JPH02285628A (ja) 1989-04-26 1989-04-26 照明光学系

Applications Claiming Priority (1)

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JP1106669A JPH02285628A (ja) 1989-04-26 1989-04-26 照明光学系

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Publication Number Publication Date
JPH02285628A true JPH02285628A (ja) 1990-11-22

Family

ID=14439484

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1106669A Pending JPH02285628A (ja) 1989-04-26 1989-04-26 照明光学系

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JP (1) JPH02285628A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5319496A (en) * 1992-11-18 1994-06-07 Photonics Research Incorporated Optical beam delivery system
JP2004046146A (ja) * 2002-05-23 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド
DE102009032939A1 (de) 2009-07-14 2011-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Wabenkondensor, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102009045219A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
JP2013072845A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Nuflare Technology Inc パターン検査装置及びパターン検査方法

Cited By (5)

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US5319496A (en) * 1992-11-18 1994-06-07 Photonics Research Incorporated Optical beam delivery system
JP2004046146A (ja) * 2002-05-23 2004-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド
DE102009032939A1 (de) 2009-07-14 2011-01-20 Carl Zeiss Smt Ag Wabenkondensor, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE102009045219A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungssystem für die Mikrolithographie
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