JPH0224995A - エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPH0224995A JPH0224995A JP63175530A JP17553088A JPH0224995A JP H0224995 A JPH0224995 A JP H0224995A JP 63175530 A JP63175530 A JP 63175530A JP 17553088 A JP17553088 A JP 17553088A JP H0224995 A JPH0224995 A JP H0224995A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- emitting layer
- thin film
- transparent electrode
- insulating thin
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野）
本発明はエレクトロルミネセンス素子に関する。
分散型のエレクトロルミネセンス素子では、発光層は蛍
光体とバインダーとの混合物からなり、第３図に示すよ
うに、透明電極２上に発光層４が直接形成されていた（
例えば、特開昭５７−８０６９５号公報）。
光体とバインダーとの混合物からなり、第３図に示すよ
うに、透明電極２上に発光層４が直接形成されていた（
例えば、特開昭５７−８０６９５号公報）。
〔発明が解決しようとする課題］
しかし、上記エレクトロルミネセンス素子では、蛍光体
の誘電率とバインダーの誘電率とが異なるため、蛍光体
に不均一な電界がかかり、輝度が低くなるという問題が
あった。
の誘電率とバインダーの誘電率とが異なるため、蛍光体
に不均一な電界がかかり、輝度が低くなるという問題が
あった。
本発明は、上記のように、従来のエレクトロルミネセン
ス素子では、蛍光体に不均一な電界がかかり、それによ
って輝度が低下したという問題点を解決し、以って高輝
度のエレクトロルミネセンス素子を提供することを目的
とする。
ス素子では、蛍光体に不均一な電界がかかり、それによ
って輝度が低下したという問題点を解決し、以って高輝
度のエレクトロルミネセンス素子を提供することを目的
とする。
本発明は、透明電極と発光層との間に比誘電率が２５以
下の酸化物または窒化物からなる絶縁薄膜を５〜１，０
００ｎｍの厚さに設けることによって、蛍光体に不均一
な電界がかかるのを防止して、高輝度を呈し得るように
したものである。
下の酸化物または窒化物からなる絶縁薄膜を５〜１，０
００ｎｍの厚さに設けることによって、蛍光体に不均一
な電界がかかるのを防止して、高輝度を呈し得るように
したものである。
すなわち、上記酸化物または窒化物からなる絶縁薄膜を
透明電極と発光層との間に設けることによって、発光層
にかかる電界が上記絶縁薄膜によって規制されるように
なり、従来のように蛍光体の誘電率とバインダーの誘電
率との相違に基づいて蛍光体に不均一な電界がかかるの
が防止され、均一な電界が蛍光体にかかるようになって
、エレクトロルミネセンス素子が高輝度を呈するように
なる。また、上記絶縁薄膜によって蛍光体と透明電極と
が接触しなくなり、発光時に蛍光体と透明電極との接触
部分で過大電流が流れて発光効率が低下するのが防止さ
れるようになり、この面からも輝度が向上する。
透明電極と発光層との間に設けることによって、発光層
にかかる電界が上記絶縁薄膜によって規制されるように
なり、従来のように蛍光体の誘電率とバインダーの誘電
率との相違に基づいて蛍光体に不均一な電界がかかるの
が防止され、均一な電界が蛍光体にかかるようになって
、エレクトロルミネセンス素子が高輝度を呈するように
なる。また、上記絶縁薄膜によって蛍光体と透明電極と
が接触しなくなり、発光時に蛍光体と透明電極との接触
部分で過大電流が流れて発光効率が低下するのが防止さ
れるようになり、この面からも輝度が向上する。
つぎに本発明のエレクトロルミネセンス素子の構成を図
面を参照しつつ説明する。
面を参照しつつ説明する。
第１図は本発明に係るエレクトロルミネセンス素子の一
例を示す断面図である０図中、１は透明基板、２は透明
電極、３は比誘電率が２５以下の酸化物または窒化物か
らなる絶縁薄膜であり、４は発光層、５は誘電層、６は
背面電極、７は防湿フィルムからなる外装体で、８は接
着剤である。なお、この第１図には図示されていないが
、透明電極２および背面電極６からはそれぞれリード体
が引き出され、外部の駆動電源と接続できるようになっ
ている。
例を示す断面図である０図中、１は透明基板、２は透明
電極、３は比誘電率が２５以下の酸化物または窒化物か
らなる絶縁薄膜であり、４は発光層、５は誘電層、６は
背面電極、７は防湿フィルムからなる外装体で、８は接
着剤である。なお、この第１図には図示されていないが
、透明電極２および背面電極６からはそれぞれリード体
が引き出され、外部の駆動電源と接続できるようになっ
ている。
透明基板ｌには例えば厚さが１０〜５０μｒｎ程度のポ
リエチレンテレフタレートフィルムが用いられ、透明電
極２はインジウム−スズ酸化物膜（以下、ＩＴＯ膜とい
う）からなり、上記透明基板Ｉ上に真空蒸着法やスパッ
タ法などにより形成される。
リエチレンテレフタレートフィルムが用いられ、透明電
極２はインジウム−スズ酸化物膜（以下、ＩＴＯ膜とい
う）からなり、上記透明基板Ｉ上に真空蒸着法やスパッ
タ法などにより形成される。
絶縁薄膜３は、後に例示するような比誘電率が２５以下
の酸化物または窒化物からなり、真空蒸着法やスパッタ
法などで上記透明型８ｉ２上に形成される０発光層４は
蛍光体とバインダーとの混合物からなり、蛍光体として
はＺｎＳを母体にし、これにＣｕ、ＣＩやＣｕ、ＡＩ、
Ｃｕ、Ｍｎなとの賦活剤が添加されたものが用いられて
おり、バインダーとしてはシアノエチル化セルロースや
シアノエチル化プルランなどの高誘電率有機物が用いら
れている。誘電層５はＢａＴｉ０ｚなどの高誘電率酸化
物と前述のシアノエチル化セルロース、シアノエチル化
プルランなどの高誘電率有機物よりなるバインダーとの
混合物からなる。これら発光層４および誘電層５を模式
的に拡大して示すと第２図のとおりであり、この第２図
に基づいて説明すると、発光層４ではシアンエチル化セ
ルロースやシアノエチル化プルランなどの高誘電率有機
物からなるバインダー４ｂ中に蛍光体４ａが分散して存
在しており、誘電層５では前記同様の高誘電率有機物か
らなるバインダー５ｂ中にＢａＴｉ０．などの高誘電率
酸化物５ａが分散して存在している。このように、発光
層４ではバインダー４ｂ中に蛍光体４ａが分散して存在
しているので、第３図に示すように、透明電極２上に直
接発光層４が形成されている従来構造のエレクトロルミ
ネセンス素子では、発光層４の蛍光体４ａの誘電率とバ
インダー４ｂの誘電率との相違により蛍光体４ａに不均
一な電界がかかり、輝度が低くなるという欠点が見られ
るが、本発明のエレクトロルミネセンス素子では、透明
電極２と発光層４との間に絶縁薄膜３が設けられている
ので、発光層４にかかる電界が絶縁薄膜３によって規制
され、蛍光体に不均一な電界がかかるのが防止されて、
均一な電界が蛍光体にかかるようになり、エレクトロル
ミネセンス素子が高輝度を呈するようになる。また、第
３図に示すように、透明電極２上に発光層４が直接形成
されている従来構造のエレクトロルミネセンス素子では
、蛍光体と透明電極２とが接触しているので、発光時に
蛍光体と透明電極２との接触部分で過大電流が流れて発
光効率が低下するという欠点も見られるが、本発明のエ
レクトロルミネセンス素子では、透明電極２と発光層４
との間に絶縁薄膜３が設けられているので、蛍光体と透
明電極２とが接触しなくなり、したがって、発光時に蛍
光体と透明電極２との接触部分で過大電流が流れて発光
効率が低下するのが防止されるようになり、この面から
も輝度が向上する。
の酸化物または窒化物からなり、真空蒸着法やスパッタ
法などで上記透明型８ｉ２上に形成される０発光層４は
蛍光体とバインダーとの混合物からなり、蛍光体として
はＺｎＳを母体にし、これにＣｕ、ＣＩやＣｕ、ＡＩ、
Ｃｕ、Ｍｎなとの賦活剤が添加されたものが用いられて
おり、バインダーとしてはシアノエチル化セルロースや
シアノエチル化プルランなどの高誘電率有機物が用いら
れている。誘電層５はＢａＴｉ０ｚなどの高誘電率酸化
物と前述のシアノエチル化セルロース、シアノエチル化
プルランなどの高誘電率有機物よりなるバインダーとの
混合物からなる。これら発光層４および誘電層５を模式
的に拡大して示すと第２図のとおりであり、この第２図
に基づいて説明すると、発光層４ではシアンエチル化セ
ルロースやシアノエチル化プルランなどの高誘電率有機
物からなるバインダー４ｂ中に蛍光体４ａが分散して存
在しており、誘電層５では前記同様の高誘電率有機物か
らなるバインダー５ｂ中にＢａＴｉ０．などの高誘電率
酸化物５ａが分散して存在している。このように、発光
層４ではバインダー４ｂ中に蛍光体４ａが分散して存在
しているので、第３図に示すように、透明電極２上に直
接発光層４が形成されている従来構造のエレクトロルミ
ネセンス素子では、発光層４の蛍光体４ａの誘電率とバ
インダー４ｂの誘電率との相違により蛍光体４ａに不均
一な電界がかかり、輝度が低くなるという欠点が見られ
るが、本発明のエレクトロルミネセンス素子では、透明
電極２と発光層４との間に絶縁薄膜３が設けられている
ので、発光層４にかかる電界が絶縁薄膜３によって規制
され、蛍光体に不均一な電界がかかるのが防止されて、
均一な電界が蛍光体にかかるようになり、エレクトロル
ミネセンス素子が高輝度を呈するようになる。また、第
３図に示すように、透明電極２上に発光層４が直接形成
されている従来構造のエレクトロルミネセンス素子では
、蛍光体と透明電極２とが接触しているので、発光時に
蛍光体と透明電極２との接触部分で過大電流が流れて発
光効率が低下するという欠点も見られるが、本発明のエ
レクトロルミネセンス素子では、透明電極２と発光層４
との間に絶縁薄膜３が設けられているので、蛍光体と透
明電極２とが接触しなくなり、したがって、発光時に蛍
光体と透明電極２との接触部分で過大電流が流れて発光
効率が低下するのが防止されるようになり、この面から
も輝度が向上する。
背面電極６は厚さが５０μｍ程度のアルミニウム箔また
は厚さ１０〜５０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に形成した厚さ１００〜５００ｎｍのアルミニ
ウム蒸着膜からなり、外装体７としての防湿フィルムに
は厚さ１００〜５００ａｍ程度のポリクロロトリフルオ
ロエチレンシートが使用されている。
は厚さ１０〜５０μｍのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に形成した厚さ１００〜５００ｎｍのアルミニ
ウム蒸着膜からなり、外装体７としての防湿フィルムに
は厚さ１００〜５００ａｍ程度のポリクロロトリフルオ
ロエチレンシートが使用されている。
そして、上記透明基板１、透明電極２、絶縁薄膜３、発
光層４、誘電層５、背面電極６などの素子内容物は上記
防湿フィルムからなる外装体７で覆われ、外装体７．７
同士の接合部は接着剤８で接着されて、素子内部が密閉
状態となるようにされている。
光層４、誘電層５、背面電極６などの素子内容物は上記
防湿フィルムからなる外装体７で覆われ、外装体７．７
同士の接合部は接着剤８で接着されて、素子内部が密閉
状態となるようにされている。
前記の絶縁薄膜３を構成する材料は酸化物または窒化物
からなるが、これらの酸化物または窒化物は誘電率が２
５以下のもので、特に誘電率が３〜２０の範囲のものが
好ましい、この絶縁薄膜３を構成する酸化物としては、
例えばＡＩ！０ｆｆ（比誘電率８） 、Ｔａ５ｋｓ （
比誘電率２５） 、ＹｇＣｈ （比誘電率＋５） 、Ｓ
ｉ Ｏｘ （比誘電率５）などが用いられ、窒化物と
しては例えばＡＩＮ （比誘電率８）、ｓ １３Ｎ４
（比誘電率５）などが用いられる。これら酸化物または
窒化物からなる絶縁Ｅｌ膜３は真空蒸着法、スパンタ法
などで透明電極２上に形成され、その厚みは５〜１，０
００ｎｍの範囲であることが必要であり、特に１０〜３
００ｎｍの範囲が好ましい、すなわち、上記絶縁薄膜３
の厚みが５ｎｍより薄くなると蛍光体にかかる電界を均
一にする効果が少なくなり、また絶縁薄膜３の厚みが１
．０００ｎｍより厚くなるとその厚み増加によって蛍光
体の発光状態が外部から視認しに（くなり坪度が低下す
る。
からなるが、これらの酸化物または窒化物は誘電率が２
５以下のもので、特に誘電率が３〜２０の範囲のものが
好ましい、この絶縁薄膜３を構成する酸化物としては、
例えばＡＩ！０ｆｆ（比誘電率８） 、Ｔａ５ｋｓ （
比誘電率２５） 、ＹｇＣｈ （比誘電率＋５） 、Ｓ
ｉ Ｏｘ （比誘電率５）などが用いられ、窒化物と
しては例えばＡＩＮ （比誘電率８）、ｓ １３Ｎ４
（比誘電率５）などが用いられる。これら酸化物または
窒化物からなる絶縁Ｅｌ膜３は真空蒸着法、スパンタ法
などで透明電極２上に形成され、その厚みは５〜１，０
００ｎｍの範囲であることが必要であり、特に１０〜３
００ｎｍの範囲が好ましい、すなわち、上記絶縁薄膜３
の厚みが５ｎｍより薄くなると蛍光体にかかる電界を均
一にする効果が少なくなり、また絶縁薄膜３の厚みが１
．０００ｎｍより厚くなるとその厚み増加によって蛍光
体の発光状態が外部から視認しに（くなり坪度が低下す
る。
本発明において、絶縁薄膜３を構成するのに用いる酸化
物または窒化物の比誘電率を２５以下に特定するのは、
比誘電率が大きくなると、透明電極２から発光層４にか
かる電界を絶縁薄ＩＩ！４３で規制することが困難にな
り、また厚み増加による杯度の低下を考慮すると形成し
うる膜厚の上限が１，０００ｎｍ程度になるため、それ
らを考慮すると、比誘電率を２５以下にしておくことが
必要となるからである。
物または窒化物の比誘電率を２５以下に特定するのは、
比誘電率が大きくなると、透明電極２から発光層４にか
かる電界を絶縁薄ＩＩ！４３で規制することが困難にな
り、また厚み増加による杯度の低下を考慮すると形成し
うる膜厚の上限が１，０００ｎｍ程度になるため、それ
らを考慮すると、比誘電率を２５以下にしておくことが
必要となるからである。
つぎに実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１
透明基体となる厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレ
ートフィルム上に厚さ２００ｎｍのＩＴＯＩＱを真空蒸
着法によって形成して透明電極とし、この透明電極上に
絶縁薄膜として第１表に試料Ｎ１１１１〜Ｉ−５で示す
各膜厚みのＡ１□０．膜を真空蒸着法により形成した。
ートフィルム上に厚さ２００ｎｍのＩＴＯＩＱを真空蒸
着法によって形成して透明電極とし、この透明電極上に
絶縁薄膜として第１表に試料Ｎ１１１１〜Ｉ−５で示す
各膜厚みのＡ１□０．膜を真空蒸着法により形成した。
つぎに、上記Ａ１□０．膜からなる絶縁薄膜上に、シア
ノエチル化プルランおよびＺｎＳ：Ｃｕ、ＣＩをｎ−メ
チル−２−ピロリドンに分散させて調製した発光層形成
用のペーストをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥して厚
さ６０μｍの発光層を形成し、ついで該発光層上にＢａ
Ｔｉ０＋とシアノエチル化プルランをｎ−メチル−２−
ピロリドンに分散させて調製した誘電層形成用のペース
トをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥して厚さ２０μｍ
の誘電層を形成し、該誘電層上に厚さ５０μｍのアルミ
ニウム笛をラミネートして背面電極とした。そして、透
明電極と背面電極にそれぞれリード体を接続したのち、
全体を厚さ３００μｍのポリクロロトリフロロエチレン
よりなる防湿フィルムで上下より挟み、防湿フィルム同
士の接合部を接着剤で接着して封止し、エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
ノエチル化プルランおよびＺｎＳ：Ｃｕ、ＣＩをｎ−メ
チル−２−ピロリドンに分散させて調製した発光層形成
用のペーストをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥して厚
さ６０μｍの発光層を形成し、ついで該発光層上にＢａ
Ｔｉ０＋とシアノエチル化プルランをｎ−メチル−２−
ピロリドンに分散させて調製した誘電層形成用のペース
トをスクリーン印刷法で塗布し、乾燥して厚さ２０μｍ
の誘電層を形成し、該誘電層上に厚さ５０μｍのアルミ
ニウム笛をラミネートして背面電極とした。そして、透
明電極と背面電極にそれぞれリード体を接続したのち、
全体を厚さ３００μｍのポリクロロトリフロロエチレン
よりなる防湿フィルムで上下より挟み、防湿フィルム同
士の接合部を接着剤で接着して封止し、エレクトロルミ
ネセンス素子を作製した。
実施例２〜６
実施例１におけるＡ１．Ｏ，に代えて、それぞれＴ ａ
、０．．５ｉｎ２、Ｙ Ｚ Ｏｘ、Ｓｉ＊Ｎ４、ＡＩ
Ｎを用い、それら酸化物または窒化物からなる絶縁薄膜
の厚みを３００ｎｍにした以外は実施例１と同様にして
エレクトロルミネセンス素子を作製した。
、０．．５ｉｎ２、Ｙ Ｚ Ｏｘ、Ｓｉ＊Ｎ４、ＡＩ
Ｎを用い、それら酸化物または窒化物からなる絶縁薄膜
の厚みを３００ｎｍにした以外は実施例１と同様にして
エレクトロルミネセンス素子を作製した。
比較例１
Ａ１□０．からなる絶縁薄膜を形成しなかったほかは実
施例１と同様にしてエレクトロルミネセンス素子を作製
した。
施例１と同様にしてエレクトロルミネセンス素子を作製
した。
比較例２
Ａ１．Ｏｌからなる絶縁薄膜の厚みを２ｎｍに変えたほ
かは実施例１と同様にしてエレクトロルミネセンス素子
を作製した。
かは実施例１と同様にしてエレクトロルミネセンス素子
を作製した。
比較例３
Ａ１□０３からなる絶縁薄膜の厚みを２，０００ｎｍに
変えたほかは実施例１と同様にしてエレクトロルミネセ
ンス素子を作製した。
変えたほかは実施例１と同様にしてエレクトロルミネセ
ンス素子を作製した。
上記のように作製した各エレクトロルミネセンス素子に
４００１（ｚの正弦波を印加し、電圧１００■の輝度を
測定した。その結果を第１表に示す。
４００１（ｚの正弦波を印加し、電圧１００■の輝度を
測定した。その結果を第１表に示す。
第
第１表に示すように、絶縁薄膜を５〜１，０００ ｎｒ
ｎのｌγみに設けた実施例のエレクトロルミネセンス素
子は、従来品に相当する比較例１のエレクトロルミネセ
ンス素子に比べて、高輝度であった。
ｎのｌγみに設けた実施例のエレクトロルミネセンス素
子は、従来品に相当する比較例１のエレクトロルミネセ
ンス素子に比べて、高輝度であった。
〔発明の効果）
以上説明したように、本発明では、透明電極と発光層と
の間に比誘電率の小さい酸化物または窒化物からなる絶
縁薄膜を５〜１，０００ｎｍの厚みに設けることによっ
て、発光層にかかる電界を上記絶縁薄膜で規制し、蛍光
体に不均一な電界がかかるのを防止して、輝度を高める
ことができた。
の間に比誘電率の小さい酸化物または窒化物からなる絶
縁薄膜を５〜１，０００ｎｍの厚みに設けることによっ
て、発光層にかかる電界を上記絶縁薄膜で規制し、蛍光
体に不均一な電界がかかるのを防止して、輝度を高める
ことができた。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係るエレクトロルミネセンス素子の一
例を示す断面図であり、第２図はエレクトロルミネセン
ス素子の発光層と誘電層を模式的に拡大して示す断面図
である。第３図は従来のエレクトロルミネセンス素子を
示す断面図である。 ２・・・透明電極、 ３・・・絶縁薄膜、 ４・・・発
光層、５・・・誘電層、 ６・・・背面電極 ２・・透明電極 ３・絶縁薄膜 ４ 発光層
例を示す断面図であり、第２図はエレクトロルミネセン
ス素子の発光層と誘電層を模式的に拡大して示す断面図
である。第３図は従来のエレクトロルミネセンス素子を
示す断面図である。 ２・・・透明電極、 ３・・・絶縁薄膜、 ４・・・発
光層、５・・・誘電層、 ６・・・背面電極 ２・・透明電極 ３・絶縁薄膜 ４ 発光層
Claims (3)
- （１） 透明電極２と背面電極６との間に少なくとも発
光層４および誘電層５を設けるエレクトロルミネセンス
素子であって、透明電極２と発光層４との間に比誘電率
が２５以下の酸化物または窒化物からなる絶縁薄膜３を
５〜１，０００ｎｍの厚みに設けたことを特徴とするエ
レクトロルミネセンス素子。 - （２） 酸化物がＡｌ＿２Ｏ＿３、Ｔａ＿２Ｏ＿５、Ｓ
ｉＯ＿２およびＹ＿２Ｏ＿３から選ばれる少なくとも１
種である請求項１記載のエレクトロルミネセンス素子。 - （３） 窒化物がＡＩＮおよびＳｉ＿３Ｎ＿４から選ば
れる少なくとも１種であるエレクトロルミネセンス素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175530A JPH0224995A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63175530A JPH0224995A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224995A true JPH0224995A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15997679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63175530A Pending JPH0224995A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0224995A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61134491A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-21 | フロントエンジニアリング株式会社 | ボ−リングマシンの制御装置 |
| JPH05326149A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Fukuvi Chem Ind Co Ltd | 分散型エレクトロルミネッセンス |
| DE4123230B4 (de) * | 1990-07-18 | 2005-05-25 | Planar Systems Oy | Phosphorschicht einer elektrolumineszierenden Komponente |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP63175530A patent/JPH0224995A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61134491A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-21 | フロントエンジニアリング株式会社 | ボ−リングマシンの制御装置 |
| DE4123230B4 (de) * | 1990-07-18 | 2005-05-25 | Planar Systems Oy | Phosphorschicht einer elektrolumineszierenden Komponente |
| JPH05326149A (ja) * | 1992-05-20 | 1993-12-10 | Fukuvi Chem Ind Co Ltd | 分散型エレクトロルミネッセンス |
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