JPH02223928A - 欠陥救済方法 - Google Patents
欠陥救済方法Info
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- JPH02223928A JPH02223928A JP1042992A JP4299289A JPH02223928A JP H02223928 A JPH02223928 A JP H02223928A JP 1042992 A JP1042992 A JP 1042992A JP 4299289 A JP4299289 A JP 4299289A JP H02223928 A JPH02223928 A JP H02223928A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置に用いられるアクティブマトリク
ス基板及び半導体素子の欠陥救済方法に関する。
ス基板及び半導体素子の欠陥救済方法に関する。
近年、絶縁基板」−に薄膜ｉ・ランジスタ（以下ＴＰＴ
と略す）を形成する研究が活発に行なわれている。この
技術はガラス等の安価な絶縁基板を用いて薄形デイスプ
レィを実現するアクティブマトリックスパネル等の応用
で重要な技術である。この応用において９表示パネルの
表示部電極として透明電極を用い、対向透明電極間に液
晶を封入することにより透過型表示パネル構成がとれる
。
と略す）を形成する研究が活発に行なわれている。この
技術はガラス等の安価な絶縁基板を用いて薄形デイスプ
レィを実現するアクティブマトリックスパネル等の応用
で重要な技術である。この応用において９表示パネルの
表示部電極として透明電極を用い、対向透明電極間に液
晶を封入することにより透過型表示パネル構成がとれる
。
第２図（ａ）は透過型表示パネルを構成するＴＰＴの外
観図を示す。図面に於いて２０１はソースライン、２０
２はゲートライン、２０３はゲート電極、２０４は多結
晶シリコン薄膜、２ｏ５はソースコンタクト、２０６は
ドレインコンタクト。
観図を示す。図面に於いて２０１はソースライン、２０
２はゲートライン、２０３はゲート電極、２０４は多結
晶シリコン薄膜、２ｏ５はソースコンタクト、２０６は
ドレインコンタクト。
２０７は透明導電膜であるところの液晶駆動電極である
。ソースライン及びゲートラインには画素外に外部ドラ
イブ回路及び電機特性測定装置との電気的接線を取る為
の端子が形成されている。
。ソースライン及びゲートラインには画素外に外部ドラ
イブ回路及び電機特性測定装置との電気的接線を取る為
の端子が形成されている。
次に、第２図（ａ）の破線部分の断面図を第２図（ｂ）
に示す。図面に於いて２１１は絶縁性基板、２１２は多
結晶シリコン内に不純物をドープしたソース拡散領域、
２１３も２１２と同様に形成したドレイン拡散領域、２
１４はゲート酸化膜。
に示す。図面に於いて２１１は絶縁性基板、２１２は多
結晶シリコン内に不純物をドープしたソース拡散領域、
２１３も２１２と同様に形成したドレイン拡散領域、２
１４はゲート酸化膜。
２１５はゲート電極、２１６は眉間絶縁膜、２１７はソ
ースティン、２１８は液晶駆動電極である。
ースティン、２１８は液晶駆動電極である。
前記ＴＰＴのゲート電極とソースライン又はソース拡散
領域は膜厚が約１ミクロンメートルの眉間絶縁膜及び膜
厚が数１０から数１００ミクロンメートルのゲート酸化
膜によって絶縁されている為にゲート電極とソース拡散
領域間のリークが発生し易い。
領域は膜厚が約１ミクロンメートルの眉間絶縁膜及び膜
厚が数１０から数１００ミクロンメートルのゲート酸化
膜によって絶縁されている為にゲート電極とソース拡散
領域間のリークが発生し易い。
例えばプロセスに於いて、異物（ゴミ、ケバ等）がＴＰ
Ｔとなる部分の基板上に更にＴＰＴの形成中に多結晶シ
リコン上、ゲート酸化膜上等に付着すると、多結晶シリ
コンドゲート電極間が短絡したリークが発生する。また
、こすり偏によっても同様である。特にゲート酸化膜上
に付いた場合はほとんどの場合大変尾おきなリークとな
る。また。
Ｔとなる部分の基板上に更にＴＰＴの形成中に多結晶シ
リコン上、ゲート酸化膜上等に付着すると、多結晶シリ
コンドゲート電極間が短絡したリークが発生する。また
、こすり偏によっても同様である。特にゲート酸化膜上
に付いた場合はほとんどの場合大変尾おきなリークとな
る。また。
外観上判断しにくいような微少な異物や静電気によるゲ
ート酸化膜破壊によってもリークが発生することがある
。
ート酸化膜破壊によってもリークが発生することがある
。
前記の原因等によりソース拡散領域と、ゲート電極との
間にリークが発生すると、それに電気的接続する。ソー
スライン及びゲートライン間のリークとなる。該ライン
間のリークによってゲートライン信号とソースライン信
号が混合し９表示パネルを点燈するとソース・ゲートラ
インの欠陥として外観で確認される。また、ソース拡散
領域とドレイン拡散領域との間にリークが発生するとリ
ークが発生した部分のＴＰＴに接続される画素は欠陥と
して外観で確認される。
間にリークが発生すると、それに電気的接続する。ソー
スライン及びゲートライン間のリークとなる。該ライン
間のリークによってゲートライン信号とソースライン信
号が混合し９表示パネルを点燈するとソース・ゲートラ
インの欠陥として外観で確認される。また、ソース拡散
領域とドレイン拡散領域との間にリークが発生するとリ
ークが発生した部分のＴＰＴに接続される画素は欠陥と
して外観で確認される。
従来の前記の欠陥修正方法を第２図に従って説明する。
第２図（ａ）はソース拡散領域、ゲート電極間にリーク
を有するＴＰＴであり修正前である。
を有するＴＰＴであり修正前である。
（ｃ）、（ｄ）が修正後である。（Ｃ）ではレーザリペ
ア装置等を用いることにより非接触でソース拡散領域と
ソースライン間を接続する多結晶シリコン層を切断（溶
断）する。（ｄ）では同様な方法によりゲート電極とゲ
ートライン間を接続する導電薄膜を切断する等の欠陥修
正方法が従来用いられていた。なお、この種の欠陥修正
方法として関連するものには例えば特開昭５８−１７１
８４５ 、号が挙げられる。
ア装置等を用いることにより非接触でソース拡散領域と
ソースライン間を接続する多結晶シリコン層を切断（溶
断）する。（ｄ）では同様な方法によりゲート電極とゲ
ートライン間を接続する導電薄膜を切断する等の欠陥修
正方法が従来用いられていた。なお、この種の欠陥修正
方法として関連するものには例えば特開昭５８−１７１
８４５ 、号が挙げられる。
上記従来技術は欠陥が発生した場合、レーザ等によりソ
ース拡散領域とソースライン間の多結晶シリコン層又は
ゲート電極とゲートライン電極間を接続する導電７ａ膜
を溶断した半導体膜や金属薄膜等が液晶を汚染する。新
たな部分に短絡状態を発生させる等の問題があった。
ース拡散領域とソースライン間の多結晶シリコン層又は
ゲート電極とゲートライン電極間を接続する導電７ａ膜
を溶断した半導体膜や金属薄膜等が液晶を汚染する。新
たな部分に短絡状態を発生させる等の問題があった。
本発明はかかる問題を除去したもので、その目的は欠陥
部分以外の他の部分に影響を及ぼすに欠陥を修正するこ
とにある。
部分以外の他の部分に影響を及ぼすに欠陥を修正するこ
とにある。
上記目的を達成するために欠陥が発生した場合に、電気
的に切断したい部分は金属膜と酸化物系導電膜とのコン
タクト又は半導体膜と酸化物系導電膜とのコンタクト領
域を形成した構造とし。
的に切断したい部分は金属膜と酸化物系導電膜とのコン
タクト又は半導体膜と酸化物系導電膜とのコンタクト領
域を形成した構造とし。
欠陥が発生した場合に、レーザ光等により部分的に熱を
加えられるようにした。
加えられるようにした。
酸化物系導電膜はシリコン等の半導体膜やアルミニウム
等の金属膜と接触し、熱が加えられると接触界面にＳ
ｉ Ｏ，やＡＱ、０３等の酸化物系絶縁膜を形成する。
等の金属膜と接触し、熱が加えられると接触界面にＳ
ｉ Ｏ，やＡＱ、０３等の酸化物系絶縁膜を形成する。
それによって、欠陥部分は電気的に絶縁されるようにな
るので、ｆ＃、気的短絡した欠陥は修正される。また１
本発明によれば、コンタクト領域に酸化物糸導、ｆｆ１
ｌｌｌの酸素が反応する程度の３００〜５００’Ｃ程の
熱を部分的に加えるだけなので、他の領域への汚染等の
影響を与えることがない。
るので、ｆ＃、気的短絡した欠陥は修正される。また１
本発明によれば、コンタクト領域に酸化物糸導、ｆｆ１
ｌｌｌの酸素が反応する程度の３００〜５００’Ｃ程の
熱を部分的に加えるだけなので、他の領域への汚染等の
影響を与えることがない。
以下２本発明の一実施例を第１図、第３図。
第４図により説明する６
図１（ｂ）はソースコンタクト領域１１５．ドレインコ
ンタクト領域１１６間にリークを有する薄膜トランジス
タの平面図である。ソースコンタクトｌ［１１５とドレ
インコンタクト領域１１６が短絡により画素駆動用透明
導電１１．１１７に信号電圧が常時印加されるようにな
った場合９表示パネルとして欠陥が発生（）た画素は常
時白点対の欠陥として表示される。この場合画素駆動用
透明導電膜１１７をドレイン領域１１６より絶絶すれば
欠陥ＴＦＴ部の画素は常時異点対の欠陥となりパネルと
しては欠陥が目立たなくなる。この場合の透明導電膜１
１７の絶縁方法を図１ （ａ）により説明する。図１（
ａ）は図１ （ｂ）のドレインコンタクト領１１６の断
面拡散図である。絶縁性基板１にシリコン等の半導体膜
やアルミニウム等の金属導電膜２を形成し、この上に層
間絶縁膜６形成後、所定のパターンにコンタク１〜ホー
ルを開［］する。その後、酸化インジウム、酸化スズ、
インジウム、スズ酸化物等の酸化物系導電膜８を堆積す
ると、導電膜２と酸化物系導電膜８は電気的に導電状態
どなる。しかし、導電膜２ど酸化物系導電膜８の接触領
域９．１１６にレーザ光等により部分的に熱を加えると
、酸化物系導電膜８の酸素が導電膜２中に拡散し、接触
界面９にＳｉ、０２やＡＱ２０．等の酸化物系絶縁膜９
を形成し、導電膜２と酸化物系導電膜８を絶縁する。こ
こで、導電膜２はドレインコンタクｌ−領域１１６の多
結晶シリコン簿膜３１４に対応し、酸化物系導電膜８は
画素駆動用透明導電膜３．１７に対応する。
ンタクト領域１１６間にリークを有する薄膜トランジス
タの平面図である。ソースコンタクトｌ［１１５とドレ
インコンタクト領域１１６が短絡により画素駆動用透明
導電１１．１１７に信号電圧が常時印加されるようにな
った場合９表示パネルとして欠陥が発生（）た画素は常
時白点対の欠陥として表示される。この場合画素駆動用
透明導電膜１１７をドレイン領域１１６より絶絶すれば
欠陥ＴＦＴ部の画素は常時異点対の欠陥となりパネルと
しては欠陥が目立たなくなる。この場合の透明導電膜１
１７の絶縁方法を図１ （ａ）により説明する。図１（
ａ）は図１ （ｂ）のドレインコンタクト領１１６の断
面拡散図である。絶縁性基板１にシリコン等の半導体膜
やアルミニウム等の金属導電膜２を形成し、この上に層
間絶縁膜６形成後、所定のパターンにコンタク１〜ホー
ルを開［］する。その後、酸化インジウム、酸化スズ、
インジウム、スズ酸化物等の酸化物系導電膜８を堆積す
ると、導電膜２と酸化物系導電膜８は電気的に導電状態
どなる。しかし、導電膜２ど酸化物系導電膜８の接触領
域９．１１６にレーザ光等により部分的に熱を加えると
、酸化物系導電膜８の酸素が導電膜２中に拡散し、接触
界面９にＳｉ、０２やＡＱ２０．等の酸化物系絶縁膜９
を形成し、導電膜２と酸化物系導電膜８を絶縁する。こ
こで、導電膜２はドレインコンタクｌ−領域１１６の多
結晶シリコン簿膜３１４に対応し、酸化物系導電膜８は
画素駆動用透明導電膜３．１７に対応する。
第２の実施例を以下に示す。第３図はソース拡散領域３
０５．ゲート電極領域３０３間にリークを有する薄膜ト
ランジスタの平面図である。ソース領域３０５にソース
配線３０１として配線物系導電膜を用いて、第１の実施
例用様コンタクト領域３０５にレーザ等により部分的に
熱を加えればソースコンタクト領域３０５に酸化物系の
絶縁膜が形成されソースライン３０１とゲートライン３
０２を絶縁することにＪ：す、ライン欠陥を修正するこ
とができる。
０５．ゲート電極領域３０３間にリークを有する薄膜ト
ランジスタの平面図である。ソース領域３０５にソース
配線３０１として配線物系導電膜を用いて、第１の実施
例用様コンタクト領域３０５にレーザ等により部分的に
熱を加えればソースコンタクト領域３０５に酸化物系の
絶縁膜が形成されソースライン３０１とゲートライン３
０２を絶縁することにＪ：す、ライン欠陥を修正するこ
とができる。
第３の実施例を以下に示す。第４図はソース拡散領域４
０９．ゲート電極領域４０３間にリークを有する薄膜ト
ランジスタの平面図である。この実施例はソース配線４
０１にアルミニウム等の低抵抗の導電膜を用いた場合で
ある。ソース配線４０〕及びＴＦＴのソース拡散領域４
０９にコンタク［・ホールを開口し、酸化物系導電膜４
０８で電気的に導通をとっである。ソース拡散領域４０
９゜ゲート電極領域４０３にリークを有する薄膜１、ラ
ンジスタにおいて、コンタクト領域３０５，３０６の片
側又は両側領域にレーザ等により部分的に熱を加えコン
タクト領域界面３０５，３０６に酸化物系絶縁膜を形成
し、ソースライン４０１とゲートライン４０２とを絶縁
することにより、ライン欠陥を修正することができる。
０９．ゲート電極領域４０３間にリークを有する薄膜ト
ランジスタの平面図である。この実施例はソース配線４
０１にアルミニウム等の低抵抗の導電膜を用いた場合で
ある。ソース配線４０〕及びＴＦＴのソース拡散領域４
０９にコンタク［・ホールを開口し、酸化物系導電膜４
０８で電気的に導通をとっである。ソース拡散領域４０
９゜ゲート電極領域４０３にリークを有する薄膜１、ラ
ンジスタにおいて、コンタクト領域３０５，３０６の片
側又は両側領域にレーザ等により部分的に熱を加えコン
タクト領域界面３０５，３０６に酸化物系絶縁膜を形成
し、ソースライン４０１とゲートライン４０２とを絶縁
することにより、ライン欠陥を修正することができる。
本発明によれば、ＴＩ”Ｔに欠陥が発生した場合にＴＰ
Ｔとソース、ゲートラインとのコンタク１−部分に部分
的に熱を加えるだけで欠陥ＴＰＴを電気的に絶縁できる
ので、他の部分への汚染等の影響を与えないで欠陥を修
正できる効果がある。また、ソース、ゲートラインリー
クによるライン欠陥の画素欠陥にすることが可能となる
。よって表示パネルの歩留い向上及び修正時間の短縮な
どすぐれた効果がある。
Ｔとソース、ゲートラインとのコンタク１−部分に部分
的に熱を加えるだけで欠陥ＴＰＴを電気的に絶縁できる
ので、他の部分への汚染等の影響を与えないで欠陥を修
正できる効果がある。また、ソース、ゲートラインリー
クによるライン欠陥の画素欠陥にすることが可能となる
。よって表示パネルの歩留い向上及び修正時間の短縮な
どすぐれた効果がある。
第１図（ａ） （ｂ）本発明の第１の実施例髪示す
。第２（ａ）は′ｇ１．股トランジスタの平面図、第２
図（ｂ）は第２図（ａ）の破線断面図。 第２図（Ｃ）、（ｄ）は従来方法による欠陥修正後の外
観図である。第３図は本発明による第２の実施例を示す
。第４図は本発明による第３の実施例を示す。 １．２１１・・・絶縁性基板、２，２１２，２１３・・
・ソース・ドレイン拡散領域、１１３，２０３゜２１５
．２３３，３０３，４０３−・・グー１−電極。 １１２．２０２，３０２，４０２・・・ゲートライン、
１．１４，２０４，３０４，４０４・・・多結晶シリコ
ン薄膜、１１５，２０５，３０５゜４０５．４０９・・
・ソースコンタクト、６゜２１６・・・層間絶縁膜、２
１５・・・ゲート電極。 １１６．２０６，３０６，４０６・・・ドレインコンタ
クト、８，１１７，２０７，２１８゜３０７．４０７，
４０８・・・透明導電膜、】】、］−２２０１，２１７
，３０１，４０１・・・ソースライン、９・・・酸化物
系絶縁膜。
。第２（ａ）は′ｇ１．股トランジスタの平面図、第２
図（ｂ）は第２図（ａ）の破線断面図。 第２図（Ｃ）、（ｄ）は従来方法による欠陥修正後の外
観図である。第３図は本発明による第２の実施例を示す
。第４図は本発明による第３の実施例を示す。 １．２１１・・・絶縁性基板、２，２１２，２１３・・
・ソース・ドレイン拡散領域、１１３，２０３゜２１５
．２３３，３０３，４０３−・・グー１−電極。 １１２．２０２，３０２，４０２・・・ゲートライン、
１．１４，２０４，３０４，４０４・・・多結晶シリコ
ン薄膜、１１５，２０５，３０５゜４０５．４０９・・
・ソースコンタクト、６゜２１６・・・層間絶縁膜、２
１５・・・ゲート電極。 １１６．２０６，３０６，４０６・・・ドレインコンタ
クト、８，１１７，２０７，２１８゜３０７．４０７，
４０８・・・透明導電膜、】】、］−２２０１，２１７
，３０１，４０１・・・ソースライン、９・・・酸化物
系絶縁膜。
Claims (1)
- １、絶縁性基板上にマトリックス状に配列する個々の薄
膜トランジスタのソース換算領域とゲート電極との間に
リーク電流が流れ、該ソース拡散量的及びゲート電極に
電気的接続するソースライン及びゲートライン間のリー
クが発生した薄膜トランジスタに於いて、該ソース拡散
領域に酸化物系導電膜とのコンタクト領域を形成し、コ
ンタクト領域を部分的に熱することによりソースライン
及びゲートライン間を絶縁することを特徴とする欠陥救
済方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1042992A JPH02223928A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 欠陥救済方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1042992A JPH02223928A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 欠陥救済方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02223928A true JPH02223928A (ja) | 1990-09-06 |
Family
ID=12651525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1042992A Pending JPH02223928A (ja) | 1989-02-27 | 1989-02-27 | 欠陥救済方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02223928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006339A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌパネルの減光化方法およびｅｌパネル |
| WO2012160609A1 (ja) * | 2011-05-26 | 2012-11-29 | パナソニック株式会社 | 表示パネルおよびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4840022U (ja) * | 1971-09-16 | 1973-05-19 | ||
| JPS6315637A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-22 | 三洋電機株式会社 | 電池装置 |
| JPS63153738U (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-07 |
-
1989
- 1989-02-27 JP JP1042992A patent/JPH02223928A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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