JP2001330850A - 液晶表示装置およびその欠陥修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 補助容量の欠陥に起因する表示欠陥の修正が
容易な構造を備える液晶表示装置およびその欠陥修正方
法を提供することにより、液晶表示装置の製造歩留まり
を向上する。 【解決手段】 補助容量電極１４は、第１領域１４ａ、
第２領域１４ｂ、および第３領域１４ｃを有する。第１
領域１４ａは、接続配線２４と接続される接続端１４ｔ
と、第１コンタクトホール１９ａ内に露出されるコンタ
クト部１４ｈとを含み、第２領域１４ｂは、第１領域１
４ａおよび第２領域１４ｂよりも幅の狭い第３領域１４
ｃを介して、第１領域１４ａと電気的に接続されてい
る。補助容量電極１４の第３領域１４ｃを切断し、第１
領域１４ａと第２領域１４ｂとを互いに電気的に切断す
ることによって、第２領域１４ｂの欠陥に起因する表示
不良が修正される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
びその表示欠陥を修正する方法に関し、特に、補助容量
の欠陥に起因する表示欠陥の修正が可能な液晶表示装置
およびその欠陥修正方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、小型、軽量、薄型また
は低消費電力などの利点から、ＯＡ機器やＡＶ機器など
の分野で実用化が進んでいる。特に、スイッチング素子
として薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と略す。）
を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置（以下、
「ＴＦＴ型液晶表示装置」と称する。）は、精細な動画
表示が可能であり、種々のディスプレイとして使用され
ている。

【０００３】従来のＴＦＴ型液晶表示装置の構成を模式
に図３に示す。ＴＦＴ型液晶表示装置４００は、マトリ
クス状に配置された複数の絵素容量４０と、絵素容量４
０のそれぞれに電気的に接続された薄膜トランジスタ５
０とを有する。絵素容量４０のそれぞれは、液晶容量４
２と、液晶容量４２に電気的に並列に接続された補助容
量４４とを有する。

【０００４】ＴＦＴ５０のゲート電極Ｇは走査配線５２
に接続されており、走査電圧が印加される。ＴＦＴ５０
のソース電極Ｓは信号配線５４に接続されおり、信号電
圧が印加される。ＴＦＴ５０のドレイン電極Ｄは絵素容
量４０の一端に接続されている。絵素容量４０を構成す
る液晶容量４２および補助容量４４のそれぞれの一方の
電極がＴＦＴ５０のドレイン電極に接続されており、こ
れらの電極には、ＴＦＴ５０を介して、信号電圧が印加
される。液晶容量４２および補助容量４４の他方の電極
には、対向電圧が印加される。

【０００５】ＴＦＴ５０のゲート電極Ｇに、例えば６０
Ｈｚの周波数で順次、走査電圧を印加することによっ
て、ＴＦＴ５０が順次ＯＮ状態とされ、信号電圧が印加
される絵素容量４０が順次選択される（線順次走査）。
信号電圧は、この走査に同期しており、それぞれの絵素
容量４０に対応する階調電圧値を有してる。絵素容量４
０は、ＴＦＴ５０がＯＮ状態にある期間に印加された電
圧を１フィールド期間（または１フレーム期間）に亘っ
て保持する。絵素容量４０を液晶容量４２だけで構成す
ると、液晶容量４２の漏れ電流によって電圧が低下する
ので、これを抑制・防止するために補助容量４４が設け
られている。

【０００６】ＴＦＴ型液晶表示装置４００の絵素領域の
具体的な構成を図４を参照しながら説明する。図４は、
ＴＦＴ型液晶表示装置４００の絵素領域の模式的な平面
図である（例えば、特開平９−２８１５２４号公報参
照）。ＴＦＴ型液晶表示装置４００は、ＴＦＴ基板と、
カラーフィルタ基板（または対向基板）と、これらの間
に設けられた液晶層とを有している。簡単さのために、
図４には、ＴＦＴ基板の構成だけを示している。

【０００７】ＴＦＴ基板４００ａは、透明基板（例え
ば、ガラス基板）と、ガラス基板上に形成されたＴＦＴ
５０と、ＴＦＴ５０に接続された、走査配線５２、信号
配線５４および絵素電極４２ａとを有している。ＴＦＴ
基板４００ａは、さらに、補助容量電極４４と、補助容
量共通配線４６とを有している。

【０００８】ＴＦＴ５０のゲート電極Ｇ、走査配線５２
および補助容量共通配線４６を覆うように、典型的に
は、ＴＦＴ基板４００ａのほぼ全面に、ゲート絶縁膜
（不図示）が形成されている。ゲート絶縁膜上に、ＴＦ
Ｔ５０を構成する半導体層（ソース領域、チャネル領
域、ドレイン領域を含む）と、信号配線５４と、補助容
量電極４４と、接続配線６４とが形成されている。接続
配線６４は、ＴＦＴ５０のドレイン電極Ｄと補助容量電
極４４ａとを互いに電気的に接続している。

【０００９】さらに、これらを覆うように、ＴＦＴ基板
のほぼ全面に絶縁層（不図示）が形成されており、この
絶縁層上に絵素電極４２ａが形成されている。絵素電極
４２ａは、この絶縁層に形成されたコンタクトホール内
において、補助容量電極４４のコンタクトホール部４４
ｈと電気的に接続されている。すなわち、絵素電極４２
ａは、補助容量電極４４および接続電極６４を介して、
ＴＦＴ５０のドレイン電極Ｄに電気的に接続されてい
る。

【００１０】液晶容量４２は、絵素電極４２ａと、絵素
電極４２ａに対向する対向電極（不図示）と、これらの
間の液晶層（不図示）によって構成されている。補助容
量４４は、補助容量電極４４と補助容量共通配線４６
と、これらの間に位置するゲート絶縁膜（不図示）によ
って構成されている。絵素電極４２ａおよび補助容量電
極４４はＴＦＴ５０のドレイン電極Ｄに接続されてお
り、補助容量共通配線４６には、対向電極（不図示）と
同じ電圧が印加されるように構成されている。このよう
にして、液晶容量４２と、液晶容量４２に並列に接続さ
れた補助容量４４が絵素容量４０を構成している。液晶
層が、液晶容量４２に印加された電圧に応じた配向状態
をとり、その光学特性が変化すること（電気光学特性）
を利用して、表示が行われる。

【００１１】種々のタイプの液晶層を用いたＴＦＴ型液
晶表示装置が実用化されている。特に、９０°ツイスト
配向のネマティック液晶層を用いたツイステッドネマテ
ィック（以下、「ＴＮ型」と称する。）の液晶表示装置
が最も広く利用されている。ＴＮ型液晶表示装置は、電
圧無印加時に白表示を行う、ノーマリホワイトモード
（以下、「ＮＷモード」と称する。）として一般的に利
用されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ＴＦＴ型液晶表示装置
は広く利用されるているが、ＴＦＴ基板の構造が複雑で
ある上、ディスプレイパネルの大型化や高精細化に進展
に伴う、絵素数の増加や、微細化のために、表示欠陥と
なる絵素の発生率が上昇している。すなわち、ＴＦＴ型
液晶表示装置の製造の歩留まりが低いという問題があ
る。

【００１３】これまで、ＴＦＴの不良や配線（走査配線
や信号配線）の起因する表示欠陥を修正するために、一
絵素に対して複数のＴＦＴや、複数の配線を設けれるな
ど、冗長構造を利用する方法が検討されているが、補助
容量に起因する表示欠陥を修正するための構造や方法は
検討されていない。

【００１４】本発明は、上記の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、補助容量の欠陥に起因する表示
欠陥の修正が容易な構造を備える液晶表示装置およびそ
の欠陥修正方法を提供することにより、液晶表示装置の
製造歩留まりを向上することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、マトリクス状に配置された複数の絵素容量と、前記
複数の絵素容量のそれぞれに電気的に接続された薄膜ト
ランジスタとを有し、前記複数の絵素容量のそれぞれ
は、液晶容量と、前記液晶容量に電気的に並列に接続さ
れた補助容量とを有し、前記液晶容量は、第１基板に形
成された絵素電極と、第２基板に形成された対向電極
と、前記絵素電極と前記対向電極との間に設けられた液
晶層とを有し、前記補助容量は、前記第１基板に形成さ
れた補助容量共通配線および補助容量電極と、前記補助
容量共通配線と前記補助容量電極との間に設けられた第
１絶縁層とを有し、前記第１基板は、前記薄膜トランジ
スタと、前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続され
た走査配線と、前記薄膜トランジスタのソース電極に接
続された信号配線と、前記薄膜トランジスタのドレイン
電極と前記補助容量電極とを電気的に互いに接続する第
１接続配線と、少なくとも前記ドレイン電極、前記補助
容量電極および前記第１接続配線の上に形成された第２
絶縁層とをさらに有し、前記絵素電極は、前記第２絶縁
層上に形成されており、前記補助容量電極上に位置する
前記第２絶縁層に形成された第１コンタクトホール内に
おいて、前記補助容量電極に接続されており、前記補助
容量電極は、第１、第２および第３領域を有し、前記第
１領域は、前記接続配線と接続される接続端と、前記第
１コンタクトホール内に露出されるコンタクト部とを含
み、前記第２領域は、前記第１領域および前記第２領域
よりも幅の狭い前記第３領域を介して、前記第１領域と
電気的に接続されており、前記第３領域は、前記補助容
量共通配線と重ならない位置に形成されている構成を備
え、そのことによって上記目的が達成される。

【００１６】本発明の液晶表示装置の欠陥修正方法は、
上述の構成を備える液晶表示装置について、前記複数の
絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容量を特定す
る工程と、前記特定された絵素容量の前記補助容量電極
の前記第３領域を切断することによって、前記第１領域
と前記第２領域とを互いに電気的に切断する工程とを包
含し、そのことによって上記目的が達成される。

【００１７】本発明の液晶表示装置は、前記第１基板
は、前記第１絶縁層の下部に形成された修正用接続電極
をさらに有し、前記絵素電極は、前記修正用接続電極上
に位置する前記第１絶縁層に形成された第２コンタクト
ホール内において、前記修正用接続電極と接続されてお
り、前記ドレイン電極から前記補助容量電極の前記第３
領域に至る接続経路の一部および、前記補助容量電極の
前記第２領域の一部または前記第２領域から延設された
第２接続配線が、前記第１絶縁層を介して前記修正用接
続電極に対向するように配置されている構成を備えるこ
とが好ましい。

【００１８】前記修正用接続電極は、前記ゲート電極
と、前記走査配線と、前記補助容量共通配線と同一の導
電層から形成されていることが好ましい。

【００１９】本発明の液晶表示装置の欠陥修正方法は、
修正用接続電極を備える上述の液晶表示装置について、
前記複数の絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容
量を特定する工程と、前記特定された絵素容量の前記補
助容量電極の前記第３領域を切断することによって、前
記第１領域と前記第２領域とを互いに電気的に切断する
工程と、前記絵素電極と前記補助容量電極とを互いに電
気的に切断する工程と、 前記第１接続電極配線と前記
補助容量電極の前記接続端とを互いに電気的に切断する
工程と、前記第１絶縁層を介して前記修正用接続電極に
対向するように配置されている、前記ドレイン電極から
前記補助容量電極の前記第３領域に至る接続経路の前記
一部および、前記補助容量電極の前記第２領域の前記一
部または前記第２領域から延設された前記第２接続配線
を、それぞれ前記修正用接続電極に電気的に接続する工
程とを包含してもよい。

【００２０】前記ソース電極と前記ドレイン電極とを前
記ゲート電極を介して互いに電気的に短絡させる工程
と、前記ゲート電極と前記走査配線とを互いに電気的に
切断する工程と、前記補助容量電極の前記第２領域の前
記一部または前記第２領域から延設された前記第２接続
配線と、前記修正用接続電極との電気的な接続を切断す
る工程とを包含してもよい。

【００２１】以下に、本発明の作用を説明する。

【００２２】本発明の液晶表示装置が備える補助容量電
極は、第１、第２および第３の領域を有している。第３
領域は、第１および第２領域よりも狭い幅を有している
ので、例えば、レーザ光を照射することによって容易に
切断することができる。第２領域は、ドレイン電極に接
続されている第１領域に、第３領域を介して接続されて
いるので、第３領域を切断することによって、第２領域
はドレイン電極から電気的に切断される。従って、補助
容量電極の第２領域が関与する表示欠陥（例えば、補助
容量電極の第２領域と補助容量共通配線との短絡に起因
する欠陥）は、上記の操作によって修正される。

【００２３】第３領域を補助容量共通配線と重ならない
位置に形成しておけば、第３領域にレーザ光を照射する
工程において、補助容量共通配線にダメージを与えるこ
とが防止されるとともに、切断すべき位置を光学的に
（例えばルーペを用いて）容易に確認することができ
る。

【００２４】上述の構成では、補助容量電極の第１領域
が関与する表示欠陥（例えば、補助容量電極の第１領域
と補助容量共通配線との短絡に起因する欠陥）を修正す
ることができないが、以下の構成を採用することによっ
て、第１領域が関与する表示欠陥を修正することが可能
となる。

【００２５】第１絶縁層の下部（すなわち、補助容量共
通配線と同じレベル）に修正用接続電極を設け、第１絶
縁層に設けた第２コンタクトホールを介して修正用接続
電極を絵素電極とを電気的に互いに接続しておく。ドレ
イン電極から補助容量電極の第３領域に至る接続経路の
一部（すなわち、接続電極または補助容量電極の第１領
域の一部）および、補助容量電極の第２領域の一部また
は第２領域から延設された第２接続配線が、第１絶縁層
を介して、この修正用接続電極に対向するように配置し
ておく。製造されたままの状態（欠陥修正されるまで）
では、修正用接続電極は、絵素電極以外の電極や配線と
は電気的に接続されていない。

【００２６】修正用接続電極は、上述したように、補助
容量電極の第２領域をドレイン電極から電気的に切断し
ても表示欠陥が修正されない場合に、補助容量電極の第
１領域をドレイン電極および絵素電極から電気的に切断
した状態で、第２領域を再びドレイン電極に電気的に接
続するために用いられる。すなわち、補助容量電極の第
１領域が関与する表示欠陥を修正するために用いられ
る。

【００２７】修正用接続電極は以下の様にして、ドレイ
ン電極および補助容量電極の第２領域と電気的に接続さ
れる。

【００２８】第１絶縁層を介して修正用接続電極に対向
するように形成された、ドレイン電極から補助容量電極
の第３領域に至る接続経路の一部（導体層）に、例えば
レーザ光を照射することによって、第１絶縁層にコンタ
クトホールが形成されるとともに、レーザ光照射によっ
て溶融された導体層が、第１絶縁層に形成されたコンタ
クトホール内に流れ込み、修正用接続電極がドレイン電
極に電気的に接続される。同様に、第１絶縁層を介して
修正用接続電極に対向するように形成された、補助容量
電極の第２領域の一部または第２領域から延設された第
２接続配線（導体層）に、例えばレーザ光を照射するこ
とによって、第１絶縁層にコンタクトホールが形成され
るとともに、レーザ光照射によって溶融された導体層
が、第１絶縁層に形成されたコンタクトホール内に流れ
込み、修正用接続電極が補助容量電極の第２領域に電気
的に接続される。なお、補助容量電極の第１領域をドレ
イン電極および絵素電極から電気的に切断する工程は、
例えば、レーザ光照射によって実行することができる。

【００２９】上述の操作を行っても表示欠陥が修正され
ない場合、ソース電極とドレイン電極とをゲート電極を
介して互いに電気的に短絡させ、ゲート電極を走査配線
から電気的に切断し、且つ、補助容量電極の第２領域と
修正用接続電極との電気的な接続を切断することによっ
て、絵素電極の電位をソース電極の電位と常に同じにす
ることができる。従って、表示欠陥を呈していた絵素
は、常に点灯状態となり、視認されにくくなる。特に、
ＮＷモードの液晶表示装置においては、輝点欠陥が暗点
欠陥となるので、表示品位の低下が効果的に抑制され
る。

【００３０】

【発明の実施の形態】図面を参照しながら本発明による
実施形態のＴＦＴ型液晶表示装置を説明する。本発明は
以下の実施形態に限定されるものではなく、補助容量を
備えるＴＦＴ型液晶表示装置に広く適用できる。

【００３１】図１、図２Ａおよび図２Ｂを参照しなが
ら、本発明による実施形態のＴＦＴ型液晶表示装置１０
０を説明する。液晶表示装置１００は、図４に示した従
来のＴＦＴ型液晶表示装置４００と同様に、図３に示し
た等価回路であらわされる。補助容量の欠陥を修正する
ための構造を有している点で、従来のＴＦＴ型液晶表示
装置４００と異なる。図２Ａおよび図２Ｂは、それぞれ
図１中の２Ａ−２Ａ’線および２Ｂ−２Ｂ’線に沿った
断面図である。

【００３２】液晶表示装置１００のＴＦＴ基板１００ａ
は、透明基板（例えば、ガラス基板）１１と、ガラス基
板上に形成されたＴＦＴ５０と、ＴＦＴ５０に接続され
た、走査配線５２、信号配線５４および絵素電極４２ａ
と、を有している。ＴＦＴ基板１００ａは、さらに、補
助容量電極１４と、補助容量共通配線１６と、修正用接
続電極１８と、第１接続配線２４と、第２接続配線２６
とを有している。

【００３３】ＴＦＴ５０のゲート電極Ｇ、走査配線５
２、補助容量共通配線１６および修正用接続電極２６
は、同じ金属層（例えば、Ｔａ層）をパターニングする
ことによって形成されている。このような構成を採用す
ることによって、製造プロセスの増加を抑制できる利点
が得られる。勿論、他の導電層（例えばＩＴＯ層）を含
む積層構造としてもよい。

【００３４】ＴＦＴ５０のゲート電極Ｇ、走査配線５
２、補助容量共通配線１６および修正用接続電極２６を
覆うように、典型的には、ＴＦＴ基板１００ａのほぼ全
面に、ゲート絶縁膜（例えばＳｉＮｘ層）１７が形成さ
れている。ゲート絶縁膜１７上に、ＴＦＴ５０を構成す
る半導体層（チャネル領域（例えばａ−Ｓｉ層）、ソー
ス領域およびドレイン領域（ｎ⁺−Ｓｉ層）を含む：不
図示）と、ソース電極Ｓと、ドレイン電極Ｄと、信号配
線５４と、補助容量電極１４と、第１接続配線２４およ
び第２接続配線２６とが形成されている。ソース電極
Ｓ、ドレイン電極Ｄ、信号配線５４、補助容量電極１
４、第１接続配線２４および第２接続配線２６は、同じ
金属層（例えばＴａ層）をパターニングすることによっ
て形成されている。勿論、他の導電層（例えばＩＴＯ
層）を含む積層構造としてもよい。

【００３５】補助容量電極１４は、第１領域１４ａと、
第２領域１４ｂと、第３領域１４ｃとを備えている。補
助容量電極１４の第１領域１４ａおよび第２領域１４ｂ
は、補助容量共通配線１６よりも幅が広く、第３領域１
４ｃは、第１領域１４ａおよび第２領域１４ｂよりも幅
が狭く形成されている。言い換えると、補助容量電極
は、その中央部にくびれた（幅の狭い）領域（第３領域
１４ｃ）を有している。さらに、第３領域１４ｃは、補
助容量共通配線１６と重ならない位置に形成されてい
る。補助容量電極１４は、ゲート絶縁膜１７を介して補
助容量共通配線１６と対向し、補助容量４４（図３参
照）を構成する。

【００３６】第１接続配線２４は、ＴＦＴ５０のドレイ
ン電極Ｄと補助容量電極１４とを互いに電気的に接続し
ており、且つ、その分岐部２４ａの一部がゲート絶縁膜
１７を介して修正用接続電極１８と対向するように形成
されている。第１接続電極２４と補助容量電極１４とが
互いに接続される接続端１４ｔは、補助容量電極１４の
第１領域１４ａ内にある。第２接続配線２６は補助容量
電極１４の第２領域１４ｂから延設されており、その一
部がゲート絶縁膜１７を介して修正用接続電極１８と対
向するように形成されている。

【００３７】さらに、これらを覆うように、ＴＦＴ基板
１００ａのほぼ全面に絶縁層（例えば、約２μｍの樹脂
層）１９が形成されており、この絶縁層１９上に絵素電
極（例えばＩＴＯ層）４２ａが形成されている。ＴＦＴ
基板１００ａの表面をほぼ平坦にできる比較的厚い絶縁
層１９を形成すると、絵素電極４２ａをＴＦＴ５０、走
査配線５２や信号配線５４の一部と重畳するように形成
できるので、開口率を向上することができる。絶縁層１
９を複数の層（例えば、ＳｉＮｘなどの無機材料からな
る層と樹脂層との積層構造）から形成してもよい。

【００３８】絵素電極４２ａは、この絶縁層１９に形成
されたコンタクトホール１９ａ内において、補助容量電
極１４のコンタクトホール部１４ｈと電気的に接続され
ている（図２Ａ参照）。絵素電極４２ａと補助容量電極
１４とが電気的に接続されるコンタクトホール部１４ｈ
は、補助容量電極１４がドレイン電極Ｄに電気的に接続
される接続端１４ｔと同様に、第１領域１４ａ内に形成
されている。絵素電極４２ａは、また、絶縁層１９に形
成されたコンタクトホール１９ａおよびゲート絶縁層１
７に形成されたコンタクトホール１７ａを介して、修正
用接続電極１８のコンタクト領域１８ｈと電気的に接続
されている。ＴＦＴ基板１００ａの製造プロセスでは、
修正用接続電極１８は、絵素電極４２ａ以外の電極や配
線に接続されおらず、絵素電極４２ａは、補助容量電極
１４および第１接続電極２４を介して、ＴＦＴ５０のド
レイン電極Ｄに電気的に接続されている。

【００３９】上述のような構成を有するＴＦＴ基板１０
０ａは、公知の製造プロセスで製造することができる。
得られたＴＦＴ基板１００ａと、別途形成されたカラー
フィルタ基板（不図示）とを用いて、常法に従って液晶
表示装置１００を作製することができる。本発明に液晶
表示装置に用いられるカラーフィルタ基板（対向基板）
や液晶層に特に制限はない。

【００４０】上述した構成を有する液晶表示装置１００
の表示欠陥は、以下のようにして修正することができ
る。液晶表示装置１００は、表示欠陥が補助容量４４の
欠陥（例えば、補助容量電極１４と補助容量共通配線１
６との短絡不良）に起因する表示欠陥を修正することが
できる。

【００４１】まず、絵素容量４０のなかから表示欠陥を
呈する絵素容量４０を特定する。例えば、液晶表示装置
１００を表示動作し、欠陥絵素を目視で（例えばルーペ
を用いて）特定する。特定された絵素容量４０の補助容
量電極１４の第３領域１４ｃに、例えばレーザ光を照射
し、第１領域１４ａと第２領域１４ｂとを互いに電気的
に切断する（切断箇所：図１中のＸ１）。レーザ光照射
による補助容量電極１４の第３領域１４ｃの切断は、公
知の方法で実施することができる。

【００４２】第３領域１４ｃは、第１領域１４ａおよび
第２領域１４ｂよりも狭い幅を有しているので、容易に
切断することができる。また、第３領域１４ｃは補助容
量共通配線１６と重ならない位置に形成されているの
で、第３領域にレーザ光を照射する工程において、補助
容量共通配線１６にダメージを与えることが防止される
とともに、切断すべき位置を光学的に容易に確認するこ
とができる。

【００４３】このようにして、補助容量電極１４の第２
領域１４ｂを第１領域１４ａから電気的に切断すると、
例えば、第２領域１４ｂと補助容量共通配線１６との短
絡不良に起因する表示欠陥が修正される。

【００４４】この後、上記の表示欠陥が修正されたか否
かを確認し、表示欠陥が修正されていなかった場合に
は、以下の操作を行うことによって、補助容量電極１４
の第１領域１４ａをＴＦＴ５０のドレイン電極Ｄおよび
絵素電極４２ａから電気的に切断した状態で、修正用接
続電極１８を介して第２領域１４ｂを再びドレイン電極
Ｄに電気的に接続する。すなわち、補助容量電極１４の
第１領域１４ａが補助容量共通配線１６と短絡している
ことに起因する表示欠陥を修正する。

【００４５】まず、補助容量電極１４の第１領域１４ａ
をドレイン電極Ｄおよび絵素電極４２から電気的に切断
する工程を説明する。コンタクトホール１４ｈの周辺
（図１中の破線で示した箇所Ｘ２）に、例えばレーザ光
を照射することによって、補助容量電極１４の第１領域
１４ａを絵素電極４２から電気的に切断する。また、第
１接続配線２４の修正用接続電極１８と重なるように形
成された分岐部２４ａと接続端１４ｔとの間（図１中の
Ｘ３）に、例えばレーザ光を照射することによって、第
１領域１４ａをドレイン電極Ｄから電気的に切断する。

【００４６】修正用接続電極１８は、以下のようにし
て、補助容量電極１４の第２領域１４ｂおよびＴＦＴ５
０のドレイン電極Ｄに電気的に接続される。

【００４７】ゲート絶縁膜１７を介して修正用接続電極
１８に対向するように形成された、ドレイン電極Ｄから
補助容量電極１４の第３領域１４ｃに至る接続経路の一
部（ここでは、第１接続電極２４の分岐部２４ａ）に、
例えばレーザ光を照射することによって、ゲート絶縁膜
１７にコンタクトホールが形成されるとともに、レーザ
光照射によって溶融された第１接続電極２４を構成する
金属が、ゲート絶縁膜１７に形成されたコンタクトホー
ル内に流れ込み、修正用接続電極１８がドレイン電極Ｄ
に電気的に接続される（図１中の接続点Ｙ１）。

【００４８】同様に、ゲート絶縁膜１７を介して修正用
接続電極１８に対向するように形成された第２領域１４
ｂから延設された第２接続配線２６に、例えばレーザ光
を照射することによって、ゲート絶縁膜１７にコンタク
トホールが形成されるとともに、レーザ光照射によって
溶融された金属が、ゲート絶縁膜１７に形成されたコン
タクトホール内に流れ込み、修正用接続電極１８が補助
容量電極１４の第２領域１４ｂに電気的に接続される
（図１中の接続点Ｙ２）。なお、ここでは、第２接続配
線２６を設けたが、補助容量電極１４の第２領域１４ｂ
の一部が修正用接続電極１８と重畳する構成を採用する
こともできる。

【００４９】なお、上述した、補助容量電極１４の第１
領域１４ａをＴＦＴ５０のドレイン電極Ｄおよび絵素電
極４２ａから電気的に切断する工程と、修正用接続電極
１８を介して第２領域１４ｂを再びドレイン電極Ｄに電
気的に接続する工程とは、どちらを先に実行しても良
い。また、それぞれの工程における切断または接続を行
う順序に制限はない。

【００５０】この後、上記の表示欠陥が修正されたか否
かを確認し、例えば、補助容量値の不足などにより、表
示欠陥が修正されていなかった場合には、ＴＦＴ５０の
ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとをゲート電極Ｇを介し
て互いに電気的に短絡させ、ゲート電極を走査配線から
電気的に切断し、且つ、補助容量電極１４の第２領域１
４ｂと修正用接続電極１８との電気的な接続を切断す
る。このようにすると、絵素電極４２ａの電位をソース
電極Ｓ（すなわち、信号配線５４）の電位と常に同じに
することができる。従って、表示欠陥を呈していた絵素
は、常に点灯状態となり、視認されにくくなる。特に、
ＮＷモードの液晶表示装置においては、輝点欠陥が暗点
欠陥となるので、表示品位の低下が効果的に抑制され
る。

【００５１】ＴＦＴ５０のソース電極Ｓとドレイン電極
Ｄと電気的に短絡させる工程は、特開平７−１０４３１
３号公報に開示されている方法を用いて実行することが
できる。ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄとゲート電
極Ｇとの重畳部（図１中のＹ３およびＹ４）にレーザ光
を照射することによって、半導体層（不図示）にコンタ
クトホールが形成されるとともに、レーザ光照射によっ
て溶融された金属が、形成されたコンタクトホール内に
流れ込み、ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄがゲート
電極Ｇを介して互いに電気的に接続される。

【００５２】上記の実施形態では、修正用接続電極１８
を設け、補助容量電極１４の第１領域１４ａにおける不
良に起因する表示欠陥をも修正できる構成を説明した
が、修正用接続電極１８を省略しても、補助容量電極１
４の第２領域１４ｂにおける不良に起因する表示欠陥を
修正することができるので、液晶表示装置の製造歩留ま
りを従来よりも向上することができる。

【００５３】また、上記に実施形態では、補助容量電極
１４を２つの領域（第１領域１４ａと第２領域１４ｂ）
に分割したが、３以上の領域に分割してもよい。但し、
修正後に使用される補助容量電極の面積が小さくなりす
ぎると、補助容量値が不足するので、例示した２分割構
造が好ましい。また、第１領域１４ａと第２領域１４ｂ
の面積は、それぞれの領域による容量値が略等しくなる
ように設定することが好ましい。なお、修正用接続電極
１８を省略し、第１領域だけを用いる場合には、第１領
域による容量値が十分得られるように、第２領域による
容量値よりも第１領域による容量値が大きくなるよう
に、補助容量電極１４を分割してもよい。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、補助容量の欠陥に起因
する表示欠陥の修正が容易な構造を備える液晶表示装置
およびその欠陥修正方法が提供され、その結果、液晶表
示装置の製造歩留まりを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施形態のＴＦＴ型液晶表示装置
１００の模式的な平面図である。

【図２Ａ】液晶表示装置１００の模式的な断面図であ
り、図１中の２Ａ−２Ａ’線に沿った断面を示す。

【図２Ｂ】液晶表示装置１００の模式的な断面図であ
り、図１中の２Ｂ−２Ｂ’線に沿った断面を示す。

【図３】補助容量を備える従来のＴＦＴ型液晶表示装置
４００の等価回路示す模式図である。

【図４】従来のＴＦＴ型液晶表示装置４００の模式的な
平面図である。

【符号の説明】

１１ 透明基板 １４ 補助容量電極 １４ａ 補助容量電極の第１領域 １４ｂ 補助容量電極の第２領域 １４ｃ 補助容量電極の第３領域 １４ｔ 補助容量電極の接続端 １６ 補助容量共通配線 １７ ゲート絶縁膜 １８ 修正用接続電極 ２４ 第１接続配線 ２４ａ 第１接続配線の分岐部 ２６ 第２接続配線 ４０ 絵素容量 ４２ 液晶容量 ４４ 補助容量 ５０ ＴＦＴ ５２ 走査配線 ５４ 信号配線 １００ 液晶表示装置 １００ａ ＴＦＴ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA26 JB56 JB69 JB72 JB73 KA12 KB22 MA37 MA47 MA52 NA13 NA29 PA08 5C094 AA42 AA45 BA03 BA43 CA19 EA04 EA05 EB02 ED02 HA08 5F110 AA27 BB01 CC07 DD02 FF03 GG02 GG15 HK09 NN02 NN03 NN24 NN27 NN73 5G435 AA17 AA19 BB12 GG12 KK05 KK10 LL04 LL08

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に配置された複数の絵素容
   量と、前記複数の絵素容量のそれぞれに電気的に接続さ
   れた薄膜トランジスタとを有し、 前記複数の絵素容量のそれぞれは、液晶容量と、前記液
   晶容量に電気的に並列に接続された補助容量とを有し、
   前記液晶容量は、第１基板に形成された絵素電極と、第
   ２基板に形成された対向電極と、前記絵素電極と前記対
   向電極との間に設けられた液晶層とを有し、前記補助容
   量は、前記第１基板に形成された補助容量共通配線およ
   び補助容量電極と、前記補助容量共通配線と前記補助容
   量電極との間に設けられた第１絶縁層とを有し、 前記第１基板は、前記薄膜トランジスタと、前記薄膜ト
   ランジスタのゲート電極に接続された走査配線と、前記
   薄膜トランジスタのソース電極に接続された信号配線
   と、前記薄膜トランジスタのドレイン電極と前記補助容
   量電極とを電気的に互いに接続する第１接続配線と、少
   なくとも前記ドレイン電極、前記補助容量電極および前
   記第１接続配線の上に形成された第２絶縁層とをさらに
   有し、 前記絵素電極は、前記第２絶縁層上に形成されており、
   前記補助容量電極上に位置する前記第２絶縁層に形成さ
   れた第１コンタクトホール内において、前記補助容量電
   極に接続されており、 前記補助容量電極は、第１、第２および第３領域を有
   し、前記第１領域は、前記接続配線と接続される接続端
   と、前記第１コンタクトホール内に露出されるコンタク
   ト部とを含み、前記第２領域は、前記第１領域および前
   記第２領域よりも幅の狭い前記第３領域を介して、前記
   第１領域と電気的に接続されており、前記第３領域は、
   前記補助容量共通配線と重ならない位置に形成されてい
   る、液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記第１基板は、前記第１絶縁層の下部
   に形成された修正用接続電極をさらに有し、前記絵素電
   極は、前記修正用接続電極上に位置する前記第１絶縁層
   に形成された第２コンタクトホール内において、前記修
   正用接続電極と接続されており、 前記ドレイン電極から前記補助容量電極の前記第３領域
   に至る接続経路の一部および、前記補助容量電極の前記
   第２領域の一部または前記第２領域から延設された第２
   接続配線が、前記第１絶縁層を介して前記修正用接続電
   極に対向するように配置されている、請求項１に記載の
   液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記修正用接続電極は、前記ゲート電極
   と、前記走査配線と、前記補助容量共通配線と同一の導
   電層から形成されている、請求項２に記載の液晶表示装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１に記載の液晶表示装置の欠陥を
   修正する方法であって、 前記複数の絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容
   量を特定する工程と、 前記特定された絵素容量の前記補助容量電極の前記第３
   領域を切断することによって、前記第１領域と前記第２
   領域とを互いに電気的に切断する工程と、を包含する、
   液晶表示装置の欠陥修正方法。
5. 【請求項５】 請求項２または３に記載の液晶表示装置
   の欠陥を修正する方法であって、 前記複数の絵素容量のなかから表示欠陥を呈する絵素容
   量を特定する工程と、 前記特定された絵素容量の前記補助容量電極の前記第３
   領域を切断することによって、前記第１領域と前記第２
   領域とを互いに電気的に切断する工程と、 前記絵素電極と前記補助容量電極とを互いに電気的に切
   断する工程と、 前記第１接続電極配線と前記補助容量電極の前記接続端
   とを互いに電気的に切断する工程と、 前記第１絶縁層を介して前記修正用接続電極に対向する
   ように配置されている、前記ドレイン電極から前記補助
   容量電極の前記第３領域に至る接続経路の前記一部およ
   び、前記補助容量電極の前記第２領域の前記一部または
   前記第２領域から延設された前記第２接続配線を、それ
   ぞれ前記修正用接続電極に電気的に接続する工程と、 を包含する、液晶表示装置の欠陥修正方法。
6. 【請求項６】 前記ソース電極と前記ドレイン電極とを
   前記ゲート電極を介して互いに電気的に短絡させる工程
   と、 前記ゲート電極と前記走査配線とを互いに電気的に切断
   する工程と、 前記補助容量電極の前記第２領域の前記一部または前記
   第２領域から延設された前記第２接続配線と、前記修正
   用接続電極との電気的な接続を切断する工程と、をさら
   に包含する、請求項５に記載の液晶表示装置の欠陥修正
   方法。