JPH02201913A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH02201913A JPH02201913A JP1019433A JP1943389A JPH02201913A JP H02201913 A JPH02201913 A JP H02201913A JP 1019433 A JP1019433 A JP 1019433A JP 1943389 A JP1943389 A JP 1943389A JP H02201913 A JPH02201913 A JP H02201913A
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- air
- exposure apparatus
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70816—Bearings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/709—Vibration, e.g. vibration detection, compensation, suppression or isolation
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子製造プロセス等で用いられる露光
装置に関し、特にウニ八等の被露光体を搭載するステー
ジの支持構造に関するものである。
装置に関し、特にウニ八等の被露光体を搭載するステー
ジの支持構造に関するものである。
(従来の技術〕
従来、半導体素子製造に用いられる露光装置としてステ
ッパと呼ばれる装置が知られている。このステッパは、
基板例えば半導体ウェハを投影レンズ下でステップ移動
させながら、原板すなわちレチクル(又はマスク)上に
形成されているパターン像を投影レンズで縮小して1枚
のウェハ上の複数箇所に順次露光して行くものである。
ッパと呼ばれる装置が知られている。このステッパは、
基板例えば半導体ウェハを投影レンズ下でステップ移動
させながら、原板すなわちレチクル(又はマスク)上に
形成されているパターン像を投影レンズで縮小して1枚
のウェハ上の複数箇所に順次露光して行くものである。
ステッパは、解像度および重ね合せ精度の性能面から、
現在アライナ(露光装置)の主流となっている。
現在アライナ(露光装置)の主流となっている。
第8図は従来のステッパの構成例、第9図は第8図のス
テッパのXYステージ搭載部分を示す。図において、1
はレチクルの像をウェハ上に投影する投影レンズ、2は
クエへを載置するトップステージ、3はYステージ、4
はXステージ、5はステージベース、6は定盤、7はサ
ーボマウントを示す。
テッパのXYステージ搭載部分を示す。図において、1
はレチクルの像をウェハ上に投影する投影レンズ、2は
クエへを載置するトップステージ、3はYステージ、4
はXステージ、5はステージベース、6は定盤、7はサ
ーボマウントを示す。
このようなアライナで処理される半導体ウェハについて
は、半導体素子のコスト低減を図るため大口径のサイズ
の半導体ウェハを用いる傾向にある。現在、ウェハサイ
ズはφ6′ (φ150mm)が 主流であるが、19
89年頃にはφ8′〜φ10′ (φ200mm〜φ2
50mm)になるものと見込まれている。
は、半導体素子のコスト低減を図るため大口径のサイズ
の半導体ウェハを用いる傾向にある。現在、ウェハサイ
ズはφ6′ (φ150mm)が 主流であるが、19
89年頃にはφ8′〜φ10′ (φ200mm〜φ2
50mm)になるものと見込まれている。
一方、半導体素子(特にDRAM)はIM(メガ)ビッ
ト時代から4M(メガ)時代へと高集積化が進み、線巾
も微細化し、高NA投影レンズ、高精度位置合せおよび
高精度XYステージ等が切望されている。
ト時代から4M(メガ)時代へと高集積化が進み、線巾
も微細化し、高NA投影レンズ、高精度位置合せおよび
高精度XYステージ等が切望されている。
しかし、従来のφ3′〜φ6′用の露光装置を単にφ8
′〜φ10′用にサイズアップし、XYステージを第9
図の定盤6に直接固定する従来方法および従来のXYス
テージ3.4では以下のような問題が生じる。
′〜φ10′用にサイズアップし、XYステージを第9
図の定盤6に直接固定する従来方法および従来のXYス
テージ3.4では以下のような問題が生じる。
すなわち、XYステージ3.4のストロークアップによ
り、ストロークアップ前のものと同じ精度を保証するた
めにはガイド剛性を上げる必要性がある。また、前記高
精度ステージの要求のため、単にストロークアップによ
る重量増加分よりさらにステージ重量は増大する。その
ため、ステージ移動の加速度による加振力の増大と投影
レンズの重量増加によるレンズ保持等の構造体の相対的
剛性ダウンにより振動問題が生じ、 ■構造体強化による装置の大型化、コストアップ、およ
び ■XYステージ移動速度減のための生産性ダウン ■振動増大化の為の振動減衰時間の増大に伴なう生産性
ダウン 等の問題が発生する。
り、ストロークアップ前のものと同じ精度を保証するた
めにはガイド剛性を上げる必要性がある。また、前記高
精度ステージの要求のため、単にストロークアップによ
る重量増加分よりさらにステージ重量は増大する。その
ため、ステージ移動の加速度による加振力の増大と投影
レンズの重量増加によるレンズ保持等の構造体の相対的
剛性ダウンにより振動問題が生じ、 ■構造体強化による装置の大型化、コストアップ、およ
び ■XYステージ移動速度減のための生産性ダウン ■振動増大化の為の振動減衰時間の増大に伴なう生産性
ダウン 等の問題が発生する。
また、XYステージの位置合せが高精度を要求されるに
従って第9図の定盤6に取り付いている不図示のウェハ
搬送機構等のm動部から発生する振動が問題となってく
る。すなわちこれらの振動が高精度位置合せの障害とな
る為に別の振動除去手段を設ける必要が生じたり、XY
ステージ位置合せ時にはウェハ搬送部を停止させる等の
手段が必要となる。
従って第9図の定盤6に取り付いている不図示のウェハ
搬送機構等のm動部から発生する振動が問題となってく
る。すなわちこれらの振動が高精度位置合せの障害とな
る為に別の振動除去手段を設ける必要が生じたり、XY
ステージ位置合せ時にはウェハ搬送部を停止させる等の
手段が必要となる。
本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、コンパクトな
構成で装置の振動防止を実現し、同時に据動規制用ガイ
ドにエアベアリングのみまたはエアベアリングとピエゾ
素子との組合せを用いることにより、微動機構部をステ
ージ穆動部側でなく固定した定盤の側に形成し、安価か
つステージの軽量化を図ることを目的とする。
構成で装置の振動防止を実現し、同時に据動規制用ガイ
ドにエアベアリングのみまたはエアベアリングとピエゾ
素子との組合せを用いることにより、微動機構部をステ
ージ穆動部側でなく固定した定盤の側に形成し、安価か
つステージの軽量化を図ることを目的とする。
(課題を解決するための手段および作用〕本発明によれ
ばXYステージベースをエアベアリングを用いて定盤よ
り浮上させる事により装置の振動を抑制したものである
。
ばXYステージベースをエアベアリングを用いて定盤よ
り浮上させる事により装置の振動を抑制したものである
。
すなわち、感光性薄膜を有する基板をXYステージに搭
載して投影レンズ下でステップ移動させながら原板(レ
チクル)上に形成されている像を投影レンズで縮小して
上記基板上の複数箇所に順次露光してゆくステップアン
ドリピート方式の露光装置において、基板を固定するウ
ェハチャックを搭載するXYステージを、定盤からZ軸
方向に微少量浮上させさらにX軸、Y軸方向すなわち上
記投影レンズの光軸に垂直な方向に対して、エアベアリ
ングを微少隙間を介して配置し、ステージベースの移動
を制限する様にしたものである。
載して投影レンズ下でステップ移動させながら原板(レ
チクル)上に形成されている像を投影レンズで縮小して
上記基板上の複数箇所に順次露光してゆくステップアン
ドリピート方式の露光装置において、基板を固定するウ
ェハチャックを搭載するXYステージを、定盤からZ軸
方向に微少量浮上させさらにX軸、Y軸方向すなわち上
記投影レンズの光軸に垂直な方向に対して、エアベアリ
ングを微少隙間を介して配置し、ステージベースの移動
を制限する様にしたものである。
また、上記エアベアリングのエアパッドをピエゾ素子で
微少8勤可能とし、XYステージの微少な姿勢制御およ
び位置制御を行なうようにしたものである。なお、ここ
で言う姿勢制御とは上記投影レンズの光軸に対する回転
方向および上記光軸とXY平面の角度の制御の事である
。
微少8勤可能とし、XYステージの微少な姿勢制御およ
び位置制御を行なうようにしたものである。なお、ここ
で言う姿勢制御とは上記投影レンズの光軸に対する回転
方向および上記光軸とXY平面の角度の制御の事である
。
(実施例)
第1図は本発明の第1の実施例を示し、1はレチクルの
像をウェハ上に投影する投影レンズ、2はウェハを載置
するトップステージ、3はYステージ、4はXステージ
、5はステージベース(基台)、6は定盤、7はサーボ
マウント、8−1゜8−2はエアバット、9はエアバッ
ト8の支持部である。トップステージ2は、XYステー
ジ3゜4上に支持され投影レンズ1に対しXY力方向移
動可能であるとともに、露光用光学系である投影レンズ
1の光軸方向(Z方向)および水平面内で回転方向(θ
方向)に移動可能である。定盤6はステージベース5お
よび投影レンズ1を支持する。エアバット8−1はステ
ージベース5のXY力方向規制する為にステージベース
5のXY方向4側面の各々に各2ケ計8ケ取付けられて
いる。
像をウェハ上に投影する投影レンズ、2はウェハを載置
するトップステージ、3はYステージ、4はXステージ
、5はステージベース(基台)、6は定盤、7はサーボ
マウント、8−1゜8−2はエアバット、9はエアバッ
ト8の支持部である。トップステージ2は、XYステー
ジ3゜4上に支持され投影レンズ1に対しXY力方向移
動可能であるとともに、露光用光学系である投影レンズ
1の光軸方向(Z方向)および水平面内で回転方向(θ
方向)に移動可能である。定盤6はステージベース5お
よび投影レンズ1を支持する。エアバット8−1はステ
ージベース5のXY力方向規制する為にステージベース
5のXY方向4側面の各々に各2ケ計8ケ取付けられて
いる。
エアバット8−2はステージベース5を2方向にエア浮
上させる為に定盤6の上面に4ケ所取付けである。第2
図は、XYステージおよびトップステージのヨーイング
の計測システム概略図である。11は光源であるレーザ
ーヘッド、12は第1図のトップ(θ、Z)ステージ2
に取り付けられた反射ミラー 13−1はX方向を計測
する干渉計、13−2はY方向を計測する干渉計、13
−3はXYステージのヨーイングすなわち投影レンズ光
軸に対するθ方向を計測する干渉計、14−1.14−
2.14−3は干渉縞を電気信号に変換するレシーバで
、14−1はX方向用、14−2は方向用、14−3は
θ方向用である。
上させる為に定盤6の上面に4ケ所取付けである。第2
図は、XYステージおよびトップステージのヨーイング
の計測システム概略図である。11は光源であるレーザ
ーヘッド、12は第1図のトップ(θ、Z)ステージ2
に取り付けられた反射ミラー 13−1はX方向を計測
する干渉計、13−2はY方向を計測する干渉計、13
−3はXYステージのヨーイングすなわち投影レンズ光
軸に対するθ方向を計測する干渉計、14−1.14−
2.14−3は干渉縞を電気信号に変換するレシーバで
、14−1はX方向用、14−2は方向用、14−3は
θ方向用である。
まず、露光すべきウェハ(図示しない)をトップステー
ジ2に載置し、不図示のマイクロコンピュータ−により
上記クエへを投影レンズ1下の所定の位置にXYステー
ジ3.4を駆動させて搬送する。そして露光径大のステ
ップ位置に移動し露光するという動作をくり返す、この
時、XYステージ3.4が高速8動するため各種振動を
発生させる。本実施例ではこの振動は、ステージベース
5がエアバット8−1.8−2を介して定盤6から浮上
しかつエア支持されているため、遮断され、装置全体や
投影レンズ1に伝わらない。但し数Hz以下の低周波振
動については遮断できないが、数Hz以下の振動すなわ
ち微少移動に対してはXYステージが微小移動する事に
より対応する。
ジ2に載置し、不図示のマイクロコンピュータ−により
上記クエへを投影レンズ1下の所定の位置にXYステー
ジ3.4を駆動させて搬送する。そして露光径大のステ
ップ位置に移動し露光するという動作をくり返す、この
時、XYステージ3.4が高速8動するため各種振動を
発生させる。本実施例ではこの振動は、ステージベース
5がエアバット8−1.8−2を介して定盤6から浮上
しかつエア支持されているため、遮断され、装置全体や
投影レンズ1に伝わらない。但し数Hz以下の低周波振
動については遮断できないが、数Hz以下の振動すなわ
ち微少移動に対してはXYステージが微小移動する事に
より対応する。
第3図、第4図、第5図は本発明の第2の実施例である
。
。
第3図は露光装置のステージ部分の側面図、第4図は上
面図を示した図である。21はステージベース5のZ方
向の位置を測定するセンサー22−1はステージベース
5のX方向の位置を測定するセンサー 22−2はステ
ージベース5のY方向の位置を測定するセンサーである
。第5図は本実施例の制御系ブロック図である。同図に
おいて、51は第2図で示したX、Y、 ヨーイング
レーザー測定システムであり、トップステージ2の位置
を測定する。52はステージベース5の位置を測定する
システムで、センサー21.22を使用する。53はX
Yステージの移動量、移動速度についてXYステージの
移動、ステージベースの移動に関して最適な動作命令を
発信し、各瞬間のトップステージの移動手段、移動速度
をフィードバック制御するマイクロコンピュータ−であ
る。
面図を示した図である。21はステージベース5のZ方
向の位置を測定するセンサー22−1はステージベース
5のX方向の位置を測定するセンサー 22−2はステ
ージベース5のY方向の位置を測定するセンサーである
。第5図は本実施例の制御系ブロック図である。同図に
おいて、51は第2図で示したX、Y、 ヨーイング
レーザー測定システムであり、トップステージ2の位置
を測定する。52はステージベース5の位置を測定する
システムで、センサー21.22を使用する。53はX
Yステージの移動量、移動速度についてXYステージの
移動、ステージベースの移動に関して最適な動作命令を
発信し、各瞬間のトップステージの移動手段、移動速度
をフィードバック制御するマイクロコンピュータ−であ
る。
56はXYステージを8勤させるサーボモーター 54
はマイクロコンピュータ−53の指令によりサーボモー
ター56をドライブするドライバー 57はエアバット
に供給するエアの圧力を変化させるユニット、55はマ
イクロコンピュータ−53の指令により圧力コントロー
ルユニット57をドライブするドライバーである。次に
第2図、第3図、第4図、第5図を参照し、本実施例の
動作を説明する。まず、露光すべきウェハのショットレ
イアウトおよびX、Y方向の移動量を予めマイクロコン
ピュタ−53に人力する。マイクロコンピュータ−53
はこれらのデーターよりXYステージサーボドライバー
54への駆動指令を行なう。次にレーザー測定システム
51、およびステージベース位置測定システム52から
リアルタイムで人力された移動速度データおよびステー
ジ位置計測データに基づいてマイクロコンピュータ−5
3が目標停止位置での位置合わせを最短時間で行なう様
にXYステージサーボドライバー54および圧力コント
ロールドライバー55をリアルタイムで駆動制御する。
はマイクロコンピュータ−53の指令によりサーボモー
ター56をドライブするドライバー 57はエアバット
に供給するエアの圧力を変化させるユニット、55はマ
イクロコンピュータ−53の指令により圧力コントロー
ルユニット57をドライブするドライバーである。次に
第2図、第3図、第4図、第5図を参照し、本実施例の
動作を説明する。まず、露光すべきウェハのショットレ
イアウトおよびX、Y方向の移動量を予めマイクロコン
ピュタ−53に人力する。マイクロコンピュータ−53
はこれらのデーターよりXYステージサーボドライバー
54への駆動指令を行なう。次にレーザー測定システム
51、およびステージベース位置測定システム52から
リアルタイムで人力された移動速度データおよびステー
ジ位置計測データに基づいてマイクロコンピュータ−5
3が目標停止位置での位置合わせを最短時間で行なう様
にXYステージサーボドライバー54および圧力コント
ロールドライバー55をリアルタイムで駆動制御する。
第6図はエアバット8−1.8−2に微動機構を付加し
た構造を示す図である。61−1は支持部材9に取付け
たピエゾアクチュエーターで、エアバット8−1を微動
させる機構を構成している。61−2は定盤6に取付け
たピエゾアクチュエーターで、エアバット8−2を微動
させる機構を構成している。第7図は第5図のブロック
図に58のピエゾドライバ59のピエゾアクチュエータ
ーを付加したものである。すなわち上記第2の実施例に
対してニーアバツト8−1.8−2を微動させる事によ
りステージベース5の駆動制御をさらに積極的にかつ高
精度に行う様にしたものである。ピエゾアクチュエータ
ー59を使用する事により圧力コントロールによらずに
ステージベース駆動制御ができるためエアバット8−1
.8−2に加える圧力を一定に固定してもよい。また、
トップステージやXYステージの微動機構を廃止して上
記ピエゾアクチュエーター59のみにより微動機構を構
成してもよい。
た構造を示す図である。61−1は支持部材9に取付け
たピエゾアクチュエーターで、エアバット8−1を微動
させる機構を構成している。61−2は定盤6に取付け
たピエゾアクチュエーターで、エアバット8−2を微動
させる機構を構成している。第7図は第5図のブロック
図に58のピエゾドライバ59のピエゾアクチュエータ
ーを付加したものである。すなわち上記第2の実施例に
対してニーアバツト8−1.8−2を微動させる事によ
りステージベース5の駆動制御をさらに積極的にかつ高
精度に行う様にしたものである。ピエゾアクチュエータ
ー59を使用する事により圧力コントロールによらずに
ステージベース駆動制御ができるためエアバット8−1
.8−2に加える圧力を一定に固定してもよい。また、
トップステージやXYステージの微動機構を廃止して上
記ピエゾアクチュエーター59のみにより微動機構を構
成してもよい。
以上説明したように、本発明によればXYステージのス
テージベースと定盤の間にエアベアリングを介装してス
テージベースを浮上および拘束する事により、XYステ
ージの駆動時に発する振動を装置全体に伝える事なく高
速位置決めが可能となる。また、XYステージへの外部
振動か、らの影響を抑制する事ができ、装置全体のコン
パクト化、コストの低減が可能となる。また、ステージ
の微動機構を廃止してピエゾアクチュエーターにより微
動制御を行うことによりステージの簡素化が可能になり
、装置全体のコンパクト化、コストの低減に大きく寄与
する。
テージベースと定盤の間にエアベアリングを介装してス
テージベースを浮上および拘束する事により、XYステ
ージの駆動時に発する振動を装置全体に伝える事なく高
速位置決めが可能となる。また、XYステージへの外部
振動か、らの影響を抑制する事ができ、装置全体のコン
パクト化、コストの低減が可能となる。また、ステージ
の微動機構を廃止してピエゾアクチュエーターにより微
動制御を行うことによりステージの簡素化が可能になり
、装置全体のコンパクト化、コストの低減に大きく寄与
する。
第1図は本発明に係る露光装置の実施例の側面図、
第2図は本発明に係る露光装置のXYヨーイングのレー
ザー計測システムの概略図、 第3図は本発明の別の実施例のウェハ搭載ステージ部分
の側面図、 第4図は第3図のウェハ塔載ステージ部分の上面図、 第5図は本発明に係る露光装置の制御系ブロック図、 第6図は本発明のさらに別の実施例の要部詳細図、 第7図は第6図の実施例の制御ブロック図、第8図は従
来の露光装置の側面図、 第9図は第8図の露光装置のステージ部分の概略図であ
る。 1・・・投1三レンズ、2・・・トップステージ、3・
・・Yステージ、4・・・Xステージ、5・・・ステー
ジベース、6・・・定盤、8−1.8−2・・・エアバ
ット、 61−1.61−2・・・ピエゾアクチュエータ。
ザー計測システムの概略図、 第3図は本発明の別の実施例のウェハ搭載ステージ部分
の側面図、 第4図は第3図のウェハ塔載ステージ部分の上面図、 第5図は本発明に係る露光装置の制御系ブロック図、 第6図は本発明のさらに別の実施例の要部詳細図、 第7図は第6図の実施例の制御ブロック図、第8図は従
来の露光装置の側面図、 第9図は第8図の露光装置のステージ部分の概略図であ
る。 1・・・投1三レンズ、2・・・トップステージ、3・
・・Yステージ、4・・・Xステージ、5・・・ステー
ジベース、6・・・定盤、8−1.8−2・・・エアバ
ット、 61−1.61−2・・・ピエゾアクチュエータ。
Claims (6)
- (1)露光用光学系と、被露光体を搭載するステージと
、該ステージを前記露光用光学系に対し移動させるため
の移動手段と、該移動手段を支持する基台と、前記露光
用光学系および基台を支持する定盤と、前記基台および
定盤間に介装したエア支持手段とを具備したことを特徴
とする露光装置。 - (2)前記エア支持手段は、前記基台を定盤に対し前記
光学系の光軸方向に支持するとともに該基板を定盤に対
し光軸に直角な方向に拘束する位置に設けられたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の露光装置。 - (3)前記光軸方向は垂直上下方向であって、基台を定
盤から浮上して支持しかつ該光軸に直角な水平面のX、
Y方向の各々に対し基台を拘束する位置に前記エア支持
手段を配置したことを特徴とする特許請求の範囲第2項
記載の露光装置。 - (4)前記エア支持手段のエア圧力制御により前記ステ
ージをX方向、Y方向、回転方向(θ方向)および光軸
方向(Z方向)に微動可能に構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第3項記載の露光装置。 - (5)前記エア支持手段を微動可能に装着し、該エア支
持手段の微動制御により前記ステージをX方向、Y方向
、回転方向(θ方向)および光軸方向(Z方向)に微動
可能に構成したことを特徴とする特許請求の範囲第3項
記載の露光装置。 - (6)前記エア支持手段はピエゾ素子により微動可能に
構成されたことを特徴とする特許請求の範囲第5項記載
の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1019433A JPH02201913A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1019433A JPH02201913A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02201913A true JPH02201913A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=11999151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1019433A Pending JPH02201913A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02201913A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101905432A (zh) * | 2009-06-03 | 2010-12-08 | 昭进半导体设备(上海)有限公司 | 晶圆背磨机的悬浮式可转动工作台 |
EP3141336A1 (de) | 2015-09-10 | 2017-03-15 | Schneeberger Holding AG | Positionierungsanordnung |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5485678A (en) * | 1977-12-20 | 1979-07-07 | Canon Inc | High accuracy alignment method for air bearing guide system xy stage |
JPS57164731A (en) * | 1981-04-02 | 1982-10-09 | Canon Inc | Projecting and printing device |
JPS60183729A (ja) * | 1984-03-01 | 1985-09-19 | Canon Inc | 半導体露光装置 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP1019433A patent/JPH02201913A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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