JPH02187705A - Light guide structure - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、光スィッチ、光集積回路等に代表される光
素子の、外部から光信号を受ける入力ポート部の光導波
構造に関するものである。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) This invention relates to an optical waveguide structure of an input port portion of an optical device, such as an optical switch or an optical integrated circuit, which receives an optical signal from the outside. .
(従来の技術)
発光・受光素子、光スィッチ、光変調器、光アンプ等の
機能素子、さらにこれらをモノリシック化した光集積化
回路等(以下、光素子と総称することもある。)は、光
通信の附加価値をより高めることが出来る。このような
光素子のうち、光素子外部から光ファイバ等により伝送
されてきた信号光が光素子の入力ポート部を介し内部に
入力され処理されものについては、この入力ポート部に
おいても光素子内と同様、光信号を導波するための光導
波構造が必要とされる。(Prior art) Functional elements such as light-emitting/light-receiving elements, optical switches, optical modulators, and optical amplifiers, as well as optical integrated circuits that are monolithic of these elements (hereinafter sometimes referred to collectively as optical elements), are: The added value of optical communication can be further increased. Among such optical devices, for those in which signal light transmitted from the outside of the optical device via an optical fiber etc. is input and processed inside the optical device through the input port section, the signal light is transmitted inside the optical device at this input port section as well. Similarly, an optical waveguide structure is required to guide the optical signal.
このような光導波構造の一例としては、例えば文献(第
49回応用物理学会学術講演会講演予稿集第3分冊T)
、 350講演番号5p−S−5)に開示されているス
トリ・ンブ装荷型のものかあった。第3図(A)は、そ
の説明に供する図であり、光導波構造を導波路に直交す
る方向に切って示した断面図である。An example of such an optical waveguide structure is, for example, the literature (49th Japan Society of Applied Physics Academic Lecture Proceedings, Volume 3, Volume T).
, 350 Lecture No. 5p-S-5). FIG. 3(A) is a diagram for explaining this, and is a cross-sectional view of the optical waveguide structure taken in a direction perpendicular to the waveguide.
この文献に開示されているストリップ装荷型の光導波構
造は、GaAs基板11と、このGaAs基板11上に
順次に設けられた/l!2GaAs下側クラッド層13
及びGaAs光導波層15と、このGaAs光導波層1
5上に設けられ該光導波層15の光導波路としたい部分
上かストリップ状とされそれ以外の部分かストリップ状
の部分17aより薄厚部分+7bとされた#jGaAs
上側クラッ上側9ヒ78
献に開示されたストリップ装荷型のものに類似するが、
上側クラッド層がストリップ状の部分17aのみとされ
ている第3図(B)に断面図を以って示すようなストリ
ップ装荷型の光導波構造も知られていた。The strip-loaded optical waveguide structure disclosed in this document includes a GaAs substrate 11 and /l! 2GaAs lower cladding layer 13
and GaAs optical waveguide layer 15, and this GaAs optical waveguide layer 1
#jGaAs is provided on the optical waveguide layer 15 and is formed into a strip shape on the portion of the optical waveguide layer 15 that is desired to be used as an optical waveguide, and the other portion is thinner than the strip-shaped portion 17a +7b.
The upper crack is similar to the strip-loading type disclosed in Reference No. 78, but
A strip-loaded optical waveguide structure as shown in cross-section in FIG. 3(B), in which the upper cladding layer has only a strip-shaped portion 17a, has also been known.
また、他の光導波路構造としでは第3図(C)に断面を
以って示すようなリブ型のものが知られていた。これは
、化合物半導体基板11と、この基板11上に設けられ
た下側クラッド層13と、該下側クラッド層13上に設
けられた光導波層15と、この光導波層15の光導波路
とし1とい部分上に設けられ該光導波層15の材料と同
じ材料から成るストリップ状の層15aとで構成された
ものであった。Further, as another optical waveguide structure, a rib type structure as shown in cross section in FIG. 3(C) is known. This includes a compound semiconductor substrate 11, a lower cladding layer 13 provided on this substrate 11, an optical waveguide layer 15 provided on the lower cladding layer 13, and an optical waveguide of this optical waveguide layer 15. 1 and a strip-shaped layer 15a made of the same material as the optical waveguide layer 15.
ストリップ装荷型、リブ型いずれのものも、次元のスラ
ブ導波路(光導波層15)上に、ストリップ状の上側ク
ラット層部分17a或いは光導波層15の材料と同し材
料から成るストリップ状の層15aというような突起部
17a.I5aか設けられた構造であり、光導波層15
の横方向の等価屈折率分布か突起部17a, 15a直
下では高くその両側では低くされている。そして、突起
部17a,15aの幅Wと、光導波層15の厚みTとを
調整することにより、光導波層15の突起部15a.I
7aに対応する領域(第3図(A)〜(C)中に工て示
した領域)に3次元の分布を持つ光の導波(固有)モー
トを生しさせていた。In both the strip-loaded type and the rib type, a strip-shaped upper cladding layer portion 17a or a strip-shaped layer made of the same material as the optical waveguide layer 15 is placed on the dimensional slab waveguide (optical waveguide layer 15). 15a such as protrusion 17a. I5a is provided, and the optical waveguide layer 15
The equivalent refractive index distribution in the lateral direction is high immediately below the protrusions 17a, 15a and low on both sides thereof. By adjusting the width W of the protrusions 17a, 15a and the thickness T of the optical waveguide layer 15, the protrusions 15a. I
In the region corresponding to 7a (the region shown in FIGS. 3(A) to 3(C)), an optical waveguide (intrinsic) moat with a three-dimensional distribution was generated.
また、このような光導波構造を入力ボート部に具える光
素子を、外部装置とリンクさせて利用する場合は、例え
ば第4図(A)及び(B)に斜視図及び側面図を以って
示すように、光ファイバ23を用い光素子21の外部が
ら光素子21の光導波層15のストリップ状の突起部1
5a直下の部分15b(第4図(A)9照)に対し信号
光か入力されることになる。In addition, when using an optical device having such an optical waveguide structure in the input boat section by linking it with an external device, for example, the perspective view and side view are shown in FIGS. 4(A) and (B). As shown in FIG.
The signal light is input to the portion 15b directly below 5a (see 9 in FIG. 4(A)).
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述したようなストリップ装荷型、リブ
型いずれの光導波構造も、基板上側に次元のスラブ導波
路(光導波層15)ヲ設は該光導波層15の特定領域上
に突起部15a,17a @設けた構造となっている。(Problem to be Solved by the Invention) However, in both the strip-loaded type and rib type optical waveguide structures as described above, a dimensional slab waveguide (optical waveguide layer 15) is provided on the upper side of the substrate. It has a structure in which protrusions 15a and 17a are provided on specific areas of the substrate.
このため、光導波層15の突起部15a,17a直下以
外の領tf2(第3図(A)− (C)の領域■)でも
、■の領域とは異なる2次元の分布を持つ導波モードが
存在する。Therefore, even in the region tf2 (region ■ in FIGS. 3(A)-(C)) other than directly under the protrusions 15a and 17a of the optical waveguide layer 15, the waveguide mode has a two-dimensional distribution different from that in the region (■). exists.
また、ストリップ装荷型、リブ型いずれの光導波構造も
その各部の寸法は、モノリシック化させようとする光ス
ィッチ等の大きさに依存するが、例えば方向性結合器型
光スイッチを集積化させる例を考えると、光導波層15
の厚みTは0.5um、ストリップ状の突起15a,1
7aの幅Wは3um程度になる。一方、このような光導
波構造を具える光素子21に信号光を送るための単一モ
ート光ファイバ23(以下、光ファイバ23と略称する
。)のコア径φ(第4図参照)は、現在のところはIO
um程度である。即ち、コア径φは、光素子21の導波
路の断面+5bに比し3〜20倍というような非常に大
きなものになる。In addition, the dimensions of each part of both strip-loaded and rib-type optical waveguide structures depend on the size of the optical switch to be made into a monolithic structure, but for example, an example of integrating a directional coupler type optical switch Considering that, the optical waveguide layer 15
The thickness T is 0.5 um, and the strip-like protrusion 15a, 1
The width W of 7a is about 3 um. On the other hand, the core diameter φ (see FIG. 4) of the single-mode optical fiber 23 (hereinafter abbreviated as optical fiber 23) for sending signal light to the optical element 21 having such an optical waveguide structure is: Currently IO
It is about um. That is, the core diameter φ is extremely large, such as 3 to 20 times the cross section +5b of the waveguide of the optical element 21.
従って、このような状況で光ファイバ23と光素子21
との光学的結合を行なわせようとすると、3次元的光分
布を有している光ファイバ21から出射される信号光は
、第5図に示すように、領域■のみならす領域IIにも
照射されるようになる。この結果、光素子21内では、
領域I%導波する正規のモードの光S。と、領域I+を
導波する2次元のモードの光(第5図中S,で示すもの
。以下、スラブ導波光と称することもある。)とが伝搬
するようになる。このスラブ導波光は、光素子21に多
数備わる素子のうちの所望の素子21a以外の他の素子
21b,2+cに光導波層15ヲ通し入り込みこれらの
素子21b、21cの動作を狂わせることになるので、
本来は除去されるべきものであった。Therefore, in such a situation, the optical fiber 23 and the optical element 21
When trying to perform optical coupling with the optical fiber 21, the signal light emitted from the optical fiber 21 having a three-dimensional light distribution will also irradiate the region II, which is also the region II, as shown in FIG. will be done. As a result, within the optical element 21,
Normal mode light S guided in area I%. Then, two-dimensional mode light (indicated by S in FIG. 5, hereinafter also referred to as slab waveguide light) guided through region I+ begins to propagate. This slab waveguide light enters other elements 21b and 2+c other than the desired element 21a among the many elements provided in the optical element 21 through the optical waveguide layer 15 and disturbs the operation of these elements 21b and 21c. ,
Originally it should have been removed.
この発明はこのような点に鑑みなされたものであり、従
ってこの発明の目的は、光素子の入力ポート部に設ける
光導波構造であってスラブ導波光の影響を低減すること
が出来る光導波構造を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and therefore, an object of the present invention is to provide an optical waveguide structure provided at the input port portion of an optical element, which is capable of reducing the influence of slab guided light. Our goal is to provide the following.
(課題を解決するための手段)
この目的の達成を図るため、この発明によれば、光素子
の入力ポート部に設けられる光導波構造であって、少な
くとも基板と、この基板上側に設けられた光導波層と、
この光導波層上に設けられ光導波路を画成するストリッ
プ状の層とにより構成される屈折率分布による光導波構
造において、
入力ポート部の入力側端部領域であってストリップ状の
層の両側の所定領域に少なくとも光導波層部分を除去し
て形成した凹部をそれぞれ具えたことを特徴とする。(Means for Solving the Problems) In order to achieve this object, the present invention provides an optical waveguide structure provided at an input port portion of an optical element, which includes at least a substrate and an optical waveguide structure provided on the upper side of the substrate. an optical waveguide layer;
In an optical waveguide structure with a refractive index distribution formed by a strip-shaped layer provided on the optical waveguide layer and defining an optical waveguide, the input-side end region of the input port section on both sides of the strip-shaped layer It is characterized in that each of the optical waveguides has a recess formed by removing at least a portion of the optical waveguide layer in a predetermined region of the optical waveguide.
なお、前述のストリップ状の層は、ストリ・ンブ状の上
側クラッド層、又は光導波層の材料と同じ材料を用いた
ストリップ状の層を以って構成することが出来る。Note that the above-mentioned strip-shaped layer can be constructed using a strip-shaped upper cladding layer or a strip-shaped layer using the same material as the material of the optical waveguide layer.
また、前述の基板と前述の光導波層の間に下側クラッド
層を具えた構成としても良い。Further, a structure may be adopted in which a lower cladding layer is provided between the above-mentioned substrate and the above-mentioned optical waveguide layer.
(作用)
このような構成によれば、ストリップ状の層の両側に設
けた凹部においては少なくとも光導波層か無い構造にな
る。従って、光フアイバ径が光導波層のストリ・ンブ状
の層直下の部分の断面積に比し大きいために、光導波層
のストリップ状の層直下の部分に信号光を入れる際にそ
の周辺のスラブ導波構造部分1こまで信号光が入っても
、凹部によってスラブ導波光の損失が増加しスラブ導波
光か光素子内を伝搬し難くなる。(Function) According to such a structure, at least the optical waveguide layer is absent in the recesses provided on both sides of the strip-like layer. Therefore, since the diameter of the optical fiber is larger than the cross-sectional area of the part directly under the strip-like layer of the optical waveguide layer, when the signal light is introduced into the part directly under the strip-like layer of the optical waveguide layer, the surrounding area Even if the signal light enters one part of the slab waveguide structure, the recess increases the loss of the slab waveguide light, making it difficult for the slab waveguide light to propagate within the optical element.
(実施例)
以下、図面′@参照してこの発明の光導波構造の実施例
につき説明する。しかしながら以下の説明に用いる各図
は、この発明が理解出来る程度に概略的に示してあるに
すぎず、従って、各構成成分の寸法、形状、配買閉係及
び各構成成分間の寸法比等も概略的であり、この発明が
図示例のみに限定されるものでないことは理解されたい
。また、以下の実施例の説明は、第3図(B)を用いで
説明したストリップ装荷型の光導波構造にこの発明を適
用した例により行なう。(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the optical waveguide structure of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the figures used in the following explanation are merely shown schematically to the extent that this invention can be understood, and therefore, the dimensions, shapes, distribution and closing of each component, and dimensional ratios between each component, etc. It should be understood that this is only schematic and the invention is not limited to the illustrated example. Further, the following embodiments will be described based on an example in which the present invention is applied to the strip-loaded optical waveguide structure described using FIG. 3(B).
−の80
第1図(A)及び(B)は、第一実施例の光導波構造の
説明に供する図であり、第1図(A)はこの光導波構造
を入力ポート部に具える光素子21(例えば光スィッチ
や光集積回路等)の入力ポート部付近に着目して示した
斜視図、第1図(B)はこれを第1図(A)にPで示し
た方向から見て示した平面図である。-80 Figures 1 (A) and (B) are diagrams for explaining the optical waveguide structure of the first embodiment, and Figure 1 (A) is an optical FIG. 1(B) is a perspective view focusing on the vicinity of the input port of the element 21 (for example, an optical switch or an optical integrated circuit), as viewed from the direction indicated by P in FIG. 1(A). FIG.
第一実施例の光導波構造は、基板としての例えばGaA
s基板11と、このGaAs基板11上に設けられた下
側クラッド層としての例えばALIGaAs下側クラッ
ド層13及び光導波層としてのGaAs光導波層15と
、このGaAs光導波層15の光導波路としたい部分上
に設けられ光導波路を画成するストリップ状の上側クラ
ッド層17aとを具えると共に、光素子21の入力ポー
ト部の入力側端部領域であってストリップ状の上側クラ
ッド層17aの両側の所定領域1゛ト光導波層15表面
から基板11に至るまで光導波層15、下側クラッド層
13及び基板11各々の一部分を除去して形成した凹部
31ヲそれぞれ具えた構成になっている。さらにこの場
合の凹部31は、第1図(B)に示すように、WI X
W2の面積を有する四角形状のものとしてあり、ストリ
ップ状の上側クラ・ンド層17aから!、たけ離間させ
、光素子21の入力側端面21aからβ2だけ離間させ
た位置に設けである。なお、下側クラッド層13、光導
波層15及びストリップ状の上側クラッド層冒aは、屈
折率分布による光導波構造を構成出来るように、それぞ
れ所定の屈折率を示す組成及び層厚としてあり、ストリ
ップ状の上側クラッド層1?aの幅W(第1図(B)参
照)は所定の幅としてある。The optical waveguide structure of the first embodiment uses, for example, GaA as a substrate.
s substrate 11, an ALI GaAs lower cladding layer 13 as a lower cladding layer provided on this GaAs substrate 11, a GaAs optical waveguide layer 15 as an optical waveguide layer, and an optical waveguide of this GaAs optical waveguide layer 15. a strip-shaped upper cladding layer 17a provided on a desired portion to define an optical waveguide, and both sides of the strip-shaped upper cladding layer 17a in the input side end region of the input port portion of the optical element 21. The structure includes recesses 31 formed by removing a portion of each of the optical waveguide layer 15, the lower cladding layer 13, and the substrate 11 from the surface of the optical waveguide layer 15 to the substrate 11 in a predetermined area 1. . Furthermore, the recessed portion 31 in this case is, as shown in FIG. 1(B),
It has a rectangular shape with an area of W2, and starts from the strip-shaped upper clamp layer 17a! , and is provided at a position spaced apart by β2 from the input side end surface 21a of the optical element 21. Note that the lower cladding layer 13, the optical waveguide layer 15, and the strip-shaped upper cladding layer a have a composition and layer thickness each having a predetermined refractive index so that an optical waveguide structure with a refractive index distribution can be constructed. Strip-shaped upper cladding layer 1? The width W of a (see FIG. 1(B)) is a predetermined width.
第一実施例の光導波構造によれば、第1図CB)に示す
ように、光素子の入力側端面21aから入射された信号
光しは、領域■てはストリ・ンブ状の上側クラッド層1
7aに沿って伝搬していく。According to the optical waveguide structure of the first embodiment, as shown in FIG. 1CB), the signal light incident from the input side end face 21a of the optical element is transmitted to the upper cladding layer in the form of a strip. 1
7a.
方、信号光りのうちの領域II u伝搬しようとするス
ラブ導波光は、凹部31ヲ介し導波することになるのて
導波構造の無い領域を経ることになり、光素子端面2I
a付近の光導波層部分から凹部31に入ると上下方向に
広がる。このため、スラブ導波光は、損失を受け、その
一部のみか凹部30から光導波層に再び入る。そしてそ
の損失は20dB以上にもなる。従って、スラブ導波光
か光素子に与える悪影響か低減できる。On the other hand, the slab waveguide light that is about to propagate in region IIu of the signal light is guided through the recess 31, and therefore passes through a region without a waveguide structure, so that it passes through the optical element end face 2I.
When entering the recess 31 from the optical waveguide layer portion near a, it spreads in the vertical direction. Therefore, the slab waveguide light suffers a loss and only a part of it reenters the optical waveguide layer from the recess 30. And the loss becomes 20 dB or more. Therefore, the adverse effects of slab waveguide light on optical elements can be reduced.
次に、この発明の理解を深めるため、第1図(A)及び
(B)%用いて説明した光導波構造の作製方法の一例に
つき説明する。Next, in order to deepen the understanding of the present invention, an example of the method for manufacturing the optical waveguide structure described using FIGS. 1(A) and 1(B) will be described.
先す、GaAs基板11上に、x=0.3としたALl
xGaXAs下側ウラット層13を1日mの厚みに、さ
らにGaAs光導波層15を0.5umの厚みに、ざら
にX=0.3としたA+jyGa+−x^S上側上側9
卜91させる。First, on the GaAs substrate 11, AL1 with x=0.3
xGaXAs lower urat layer 13 has a thickness of 1 day m, and GaAs optical waveguide layer 15 has a thickness of 0.5 um, roughly X=0.3 A+jyGa+-x^S upper upper side 9
Make it 91.
次に、このAQGaAs上側クラット層を以下に説明す
るように加工しストリップ状の上側クラッド層17a
%形成する。先ず、A9GaAs上側クラット層上にス
トライブ幅か例えば3umであるストライブ状のレジス
トパタンを形成し、次いて、/l!jGaAs上側クラ
ッド層のこのレジストバタンから露出している部分を、
例えば則,ガスを用いた反応性イオンエツチング(RI
E)により除去し、幅か3umで高さが1umの直線状
の突起、即ちストリップ状のA+jGaAs上側クラッ
ド層17a @形成する。Next, this AQGaAs upper cladding layer is processed as described below to form a strip-shaped upper cladding layer 17a.
%Form. First, a stripe-like resist pattern with a stripe width of, for example, 3 um is formed on the A9GaAs upper crat layer, and then /l! The portion of the jGaAs upper cladding layer exposed from this resist baton is
For example, reactive ion etching (RI) using gas
E) to form a linear protrusion, ie, a strip-shaped A+jGaAs upper cladding layer 17a, with a width of 3 um and a height of 1 um.
次に、第1図(B)に示したように、ストリップ状の上
側クラ・ンド層17aからβ1だけ離間し、光素子の端
面からρまたけ離間した位置に凹部31の2辺がくるよ
うに、光導波層15から基板に至る領域にW+ XW2
の面積の凹部31ヲ例えばフォトリソグラフィ技術及び
RIE技術により形成する。Next, as shown in FIG. 1(B), the two sides of the recess 31 are spaced apart by β1 from the strip-shaped upper crund layer 17a and spaced apart by ρ from the end face of the optical element. , W+XW2 is applied to the region from the optical waveguide layer 15 to the substrate.
The recessed portion 31 having an area of is formed by, for example, photolithography technology and RIE technology.
このようにして第一実施例の光導波構造を形成した。な
お、第−実施例の光導波構造の各部の寸法は、w=3u
m.w+ =W2 =50um,u+ =3gm.ρ2
=lOumとしている。しかし、これら寸法は単なる一
例にすぎず、設計に応した値に変更出来ること明らかで
ある。In this way, the optical waveguide structure of the first example was formed. In addition, the dimensions of each part of the optical waveguide structure of the first example are w=3u
m. w+ = W2 = 50um, u+ = 3gm. ρ2
=lOum. However, these dimensions are merely examples, and it is clear that the dimensions can be changed to suit the design.
第一J(厄七子■λ明
第2図は、第二実施例の光導波構造の説明に供する図で
あり、この光導波構造を第1図(B)に対応させて示し
た平面図である。Figure 2 is a diagram for explaining the optical waveguide structure of the second embodiment, and is a plan view showing this optical waveguide structure corresponding to Figure 1 (B). be.
この第二実施例の光導波構造は、凹部31か光素子の端
面21aにかかって設けであることか特徴である。それ
以外の構成は、第一実施例のものと同してあるのでその
説明を省略する。The optical waveguide structure of this second embodiment is characterized in that the recess 31 is provided over the end surface 21a of the optical element. The rest of the configuration is the same as that of the first embodiment, so the explanation thereof will be omitted.
この第二実施例の光導波構造においては、領域■での光
ファイバから素子端面21aまでの距離と、領域IIて
の光ファイバから凹部31の壁面31aまての距離とは
W2だけ後者の方が長くなる。このため、光ファイバと
光素子との結合効率は領域IIの方が悪くなるので、領
域11 %導波するスラブ光は小なくなりその悪影響を
低減出来る。In the optical waveguide structure of the second embodiment, the distance from the optical fiber to the element end face 21a in region (2) and the distance from the optical fiber to the wall surface 31a of the recess 31 in region II are larger than the latter by W2. becomes longer. Therefore, the coupling efficiency between the optical fiber and the optical element becomes worse in region II, so the slab light guided in region 11% becomes smaller and its adverse effects can be reduced.
変」条例fi説朋
なお、この発明は上述の実施例に限定されるものではな
く以下に説明するような種々の変更を加えることか出来
る。Note that this invention is not limited to the above-described embodiments, and can be modified in various ways as described below.
上述の実施例は、第3図(B)に示したストリップ装荷
型の光導波構造にこの発明を適用した例であった。しか
し、この発明を第3図(A)!用いて説明したストリッ
プ装荷型の光導波構造、第3図(C)%用いで説明した
リブ型の光導波構造にそれぞれ適用しでも実施例と同様
な効果を得ることが出来る。The above embodiment was an example in which the present invention was applied to the strip-loaded optical waveguide structure shown in FIG. 3(B). However, this invention is shown in Figure 3 (A)! Effects similar to those of the embodiment can be obtained even if the present invention is applied to the strip-loaded optical waveguide structure explained using the above embodiment and the rib-type optical waveguide structure explained using the embodiment shown in FIG. 3(C).
また、実施例では凹部31ヲ四角形状のものとして説明
した。しかし、その形状はこれに限られるものではなく
、三角、丸等、設計に応した形状に変更出来る。Further, in the embodiment, the recess 31 has been described as having a rectangular shape. However, the shape is not limited to this, and can be changed to a shape suitable for the design, such as a triangle or a circle.
また、実施例では凹部31を光導波層15表面から基板
11に至る深さのものとしているが、凹部31は少なく
とも光導波層15ヲ実質的に貫通しているものであれば
良い。Further, in the embodiment, the recess 31 has a depth extending from the surface of the optical waveguide layer 15 to the substrate 11, but the recess 31 may have a depth that at least substantially penetrates the optical waveguide layer 15.
また、実施例では凹部31をストリップ状の上側クラッ
ド層17aを挟んで対称に配冒している。しかし、設計
によっては非対称な配置としても良い。またストリップ
状の上側クラッド層両側の各凹部31の形状及び大きざ
は必ずしも一致していなくとも良く、ざらに、凹部の個
数を2個以上としても良く、また、ストリップ状の上側
クラッド層両側の凹部の個数は互いに異なっていても良
い。Further, in the embodiment, the recesses 31 are arranged symmetrically with the strip-shaped upper cladding layer 17a interposed therebetween. However, depending on the design, the arrangement may be asymmetrical. Further, the shapes and sizes of the recesses 31 on both sides of the strip-shaped upper cladding layer do not necessarily have to be the same, and the number of recesses 31 on both sides of the strip-shaped upper cladding layer may be roughly two or more. The number of recesses may be different from each other.
さらに、上述の実施例ては、/l9GaAs/GaAs
系材料を用いた例で説明しているか、用い得る材料はこ
れに限られるものではなく、他の好適な材料であっても
同様な効果を期待出来る。Furthermore, in the above embodiment, /l9GaAs/GaAs
Although the explanation is given using an example using a type material, the materials that can be used are not limited to this, and similar effects can be expected even if other suitable materials are used.
(発明の効果)
上述した説明からも明らかなように、この発明の光導波
構造によれば、ストリップ状の層の両側に設けた凹部に
おいては少なくとも光導波層が無い構造になる。従って
、光集積回路等の入カポト部にこの発明の光導波構造を
用いると、光導波層のストリップ状の層面下の部分に信
号光を入れる際にその周辺のスラブ導波構造部分にまで
信号光が入っても、この凹部によってスラブ導波光の損
失が増加しスラブ導波光が光素子内を伝搬し難くなる。(Effects of the Invention) As is clear from the above description, the optical waveguide structure of the present invention has a structure in which there is no optical waveguide layer at least in the recesses provided on both sides of the strip-like layer. Therefore, when the optical waveguide structure of the present invention is used in the input port of an optical integrated circuit, etc., when signal light is input into the strip-like layer surface of the optical waveguide layer, the signal is transmitted to the surrounding slab waveguide structure. Even if light enters, the recess increases the loss of the slab-guided light, making it difficult for the slab-guided light to propagate within the optical element.
これかため、スラブ導波光の悪影響を低減することが出
来る。This makes it possible to reduce the adverse effects of slab waveguide light.
第1図(A)は、第一実施例の光導波構造を示す斜視図
。
第1図(B)は、第一実施例の光導波構造を示す平面図
、
第2図は、第二実施例の光導波構造を示す平面図、
第3図(A)〜(C)は、従来の光導波構造の説明に供
する断面図、
第4図は、従来及びこの発明の説明に供する図、
第5図は、従来技術の問題点の説明に供する斜視図であ
る。
11・・・基板、 13・・・下側クラッ
ド層15・・・光導波層
17a・・・ストリップ状の上側クラッド層21・・・
光素子
21a・・・光素子の入力側端面
23・・・光ファイバ、 31・・・凹部31a・
・・凹部壁面の一部。FIG. 1(A) is a perspective view showing the optical waveguide structure of the first embodiment. FIG. 1(B) is a plan view showing the optical waveguide structure of the first embodiment, FIG. 2 is a plan view showing the optical waveguide structure of the second embodiment, and FIGS. 3(A) to (C) are FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the conventional optical waveguide structure; FIG. 4 is a diagram for explaining the conventional structure and the present invention; FIG. 5 is a perspective view for explaining the problems of the conventional technique. DESCRIPTION OF SYMBOLS 11... Substrate, 13... Lower cladding layer 15... Optical waveguide layer 17a... Strip-shaped upper cladding layer 21...
Optical element 21a... Input side end face of optical element 23... Optical fiber, 31... Recessed portion 31a.
...Part of the wall of the recess.
Claims (4)
あって、少なくとも基板と、該基板上側に設けられた光
導波層と、該光導波層上に設けられ光導波路を画成する
ストリップ状の層とにより構成される屈折率分布による
光導波構造において、入力ポート部の入力側端部領域で
あってストリップ状の層の両側の所定領域に少なくとも
光導波層部分を除去して形成した凹部をそれぞれ具えた
こと を特徴とする光導波構造。(1) An optical waveguide structure provided at an input port portion of an optical device, which includes at least a substrate, an optical waveguide layer provided on the upper side of the substrate, and a strip provided on the optical waveguide layer to define an optical waveguide. In an optical waveguide structure with a refractive index distribution composed of a strip-shaped layer, at least a portion of the optical waveguide layer is removed in a predetermined area on both sides of the strip-shaped layer in the input side end region of the input port section. An optical waveguide structure characterized by each having a concave portion.
構成してある請求項1に記載の光導波構造。(2) The optical waveguide structure according to claim 1, wherein the strip-shaped layer includes an upper cladding layer.
じ材料を以って構成してある請求項1に記載の光導波構
造。(3) The optical waveguide structure according to claim 1, wherein the strip-shaped layer is made of the same material as the optical waveguide layer.
具える請求項1に記載の光導波構造。(4) The optical waveguide structure according to claim 1, further comprising a lower cladding layer between the substrate and the optical waveguide layer.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP794089A JPH02187705A (en) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | Light guide structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP794089A JPH02187705A (en) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | Light guide structure |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02187705A true JPH02187705A (en) | 1990-07-23 |
Family
ID=11679508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP794089A Pending JPH02187705A (en) | 1989-01-17 | 1989-01-17 | Light guide structure |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02187705A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5788856A (en) * | 1995-01-28 | 1998-08-04 | Alcatel Nv | Process for fabricating multisegment ridge waveguides |
-
1989
- 1989-01-17 JP JP794089A patent/JPH02187705A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5788856A (en) * | 1995-01-28 | 1998-08-04 | Alcatel Nv | Process for fabricating multisegment ridge waveguides |
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