JPH02185992A - 光沢があり、亀裂を有さない銅被膜を電気的に析出させる酸性水浴及び印刷回路の導電路補強法 - Google Patents
光沢があり、亀裂を有さない銅被膜を電気的に析出させる酸性水浴及び印刷回路の導電路補強法Info
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- JPH02185992A JPH02185992A JP1275116A JP27511689A JPH02185992A JP H02185992 A JPH02185992 A JP H02185992A JP 1275116 A JP1275116 A JP 1275116A JP 27511689 A JP27511689 A JP 27511689A JP H02185992 A JPH02185992 A JP H02185992A
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Classifications
-
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- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
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- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
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- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、少なくとも１種の銅塩、少なくとも１種の無
機酸及び場合によっては塩化物並びに、１個のアミド基
を有する化合物、水溶性にする基を有する有機チオ化合
物及び場合によっては酸素含有高分子有機化合物を含む
、光沢がありまた亀裂を有さない銅被膜を電気的に析出
させるための、特に顕著な破断点伸びを有する印刷回路
の導電路を補強するための酸性水浴に関する。
機酸及び場合によっては塩化物並びに、１個のアミド基
を有する化合物、水溶性にする基を有する有機チオ化合
物及び場合によっては酸素含有高分子有機化合物を含む
、光沢がありまた亀裂を有さない銅被膜を電気的に析出
させるための、特に顕著な破断点伸びを有する印刷回路
の導電路を補強するための酸性水浴に関する。
従来の技術
光沢のある析出物を得るため、電気めっき銅浴に特定の
有機物質を加えることは以前より公知である。しかしこ
れらの添加物はしばしばその機械的特性、特に硬度及び
破断点伸びを劣化させまた次の処理のために引続き活性
化することが必要となる不働態現象をもたらす、更に多
くの抑制剤は金属の拡散を低下させ、その結果特に銅層
が印刷回路のはんだ付けに際して熱処理に付された場合
、その穿孔部及び縁部には亀裂が生じることになる。
有機物質を加えることは以前より公知である。しかしこ
れらの添加物はしばしばその機械的特性、特に硬度及び
破断点伸びを劣化させまた次の処理のために引続き活性
化することが必要となる不働態現象をもたらす、更に多
くの抑制剤は金属の拡散を低下させ、その結果特に銅層
が印刷回路のはんだ付けに際して熱処理に付された場合
、その穿孔部及び縁部には亀裂が生じることになる。
しかしこの目的で使用されるすでに公知の多くの化合物
例えばチオ尿素、チオヒダントイン、チオカルバミン酸
エステル又はチオ燐酸エステルは、これらの化合物で得
られた銅被膜の品質、特に硬度及び破断点伸びが著しく
劣ることから実用価値を有していない、これらの化合物
を他の添加物例えばエチレンオキシド−付加化合物又は
ポリアミンと組み合わせた場合にも満足な結果は得られ
ない。
例えばチオ尿素、チオヒダントイン、チオカルバミン酸
エステル又はチオ燐酸エステルは、これらの化合物で得
られた銅被膜の品質、特に硬度及び破断点伸びが著しく
劣ることから実用価値を有していない、これらの化合物
を他の添加物例えばエチレンオキシド−付加化合物又は
ポリアミンと組み合わせた場合にも満足な結果は得られ
ない。
一般式： Ｒ−ＣＯ−ＮＨｚ （式中Ｒは脂肪族又は芳
香族モノマー又はポリマー炭化水素残基を表す〉の酸ア
ミドを、酸素含有高分子化合物及び水溶性にする基を有
する有機チオ化合物と一緒に含む銅浴は明らかな進歩性
を示す（西ドイツ国特許出願公開第２７４６９３８号明
細書）、シかしこの銅浴は、しばしば実際には維持する
ことのできない狭い濃度範囲内でしか良好に作用し得な
いという欠点を有する。浴液１ρ当たり数■余分に存在
するだけで穿孔は平坦化し、その結果回路は後のはんだ
付けに際して亀裂を生じ、使用不能となる。
香族モノマー又はポリマー炭化水素残基を表す〉の酸ア
ミドを、酸素含有高分子化合物及び水溶性にする基を有
する有機チオ化合物と一緒に含む銅浴は明らかな進歩性
を示す（西ドイツ国特許出願公開第２７４６９３８号明
細書）、シかしこの銅浴は、しばしば実際には維持する
ことのできない狭い濃度範囲内でしか良好に作用し得な
いという欠点を有する。浴液１ρ当たり数■余分に存在
するだけで穿孔は平坦化し、その結果回路は後のはんだ
付けに際して亀裂を生じ、使用不能となる。
更に米国特許筒３５０２５５１号明細書から、少なくと
も１種の銅塩、少なくとも１種の無機酸及び場合によっ
ては塩化物並びに、１個の酸アミド基を存する脂肪族炭
化水素化合物、酸素含有高分子有機化合物及び、水溶性
にする基を有する有機チオ化合物を含む、水性酸銅浴は
公知であり、これにより光沢の発生及び均等化は改良さ
れる。
も１種の銅塩、少なくとも１種の無機酸及び場合によっ
ては塩化物並びに、１個の酸アミド基を存する脂肪族炭
化水素化合物、酸素含有高分子有機化合物及び、水溶性
にする基を有する有機チオ化合物を含む、水性酸銅浴は
公知であり、これにより光沢の発生及び均等化は改良さ
れる。
発明が解決しようとする課題
従って本発明の課題は、亀裂を生じずまた広範な濃度範
囲で顕著な破断点伸びを有する光沢のある銅被膜を析出
させ及び印刷回路の導電路を補強するのに適した電気め
っき銅浴を得ることにある。
囲で顕著な破断点伸びを有する光沢のある銅被膜を析出
させ及び印刷回路の導電路を補強するのに適した電気め
っき銅浴を得ることにある。
課題を解決するための手段
この課題は本発明によれば請求項１の特徴部に記載した
特徴を有する電気めっき銅浴によって解決される。
特徴を有する電気めっき銅浴によって解決される。
本発明の池の実施態様は請求項２以下の記載から読み取
ることができる。
ることができる。
本発明による浴は予想外にも広い濃度範囲で特に均一な
光沢を有する銅被膜を電気的に析出することを可能にし
、これは更に良好な金属の拡散及び著しい破断点伸びと
いう予測し得なかった利点を有する。従って本発明によ
る浴の使用下に析出された銅被膜は特に印刷回路の導電
路を補強するのに適している。
光沢を有する銅被膜を電気的に析出することを可能にし
、これは更に良好な金属の拡散及び著しい破断点伸びと
いう予測し得なかった利点を有する。従って本発明によ
る浴の使用下に析出された銅被膜は特に印刷回路の導電
路を補強するのに適している。
本発明による洛中に含まれる個々の成分は、これらを単
独で使用した場合には満足な結果が得られなかったにも
かかわらず、−緒に使用した場合にはその作用効果に関
して意図したように補強することができた。
独で使用した場合には満足な結果が得られなかったにも
かかわらず、−緒に使用した場合にはその作用効果に関
して意図したように補強することができた。
本発明による浴中に含まれる各成分はそれ自体公知であ
り、公知の方法で製造することができる。
り、公知の方法で製造することができる。
次の第１表は本発明で使用することのできるラクタムア
ルコキシレート並びにこれらの化合物の優れた使用濃度
を示すものである。
ルコキシレート並びにこれらの化合物の優れた使用濃度
を示すものである。
（二Ｌ
ラクタムアルコキシレート 優れた濃度（ｇ
β−プロピオラクタム−エトキシレート０．０２〜２
γ−ブチロラクタムーヘキサー
エトキシレート ０．０１〜２
δ−バレロラクタムーオクタ
エトキシレート ０．０３〜３
δ−バレロラクタムーベンタ
プロホキシレー） ０．０１〜１ε−カプロラク
タム−ヘキサ エトキシレート ０．０２〜２ ε−カプロラクタム−ドデカ− エトキシレート ０．０１〜１ 次の第■表は、成分として付加的に使用するための、水
溶性基を有する有機チオ化合物の例及びその優れた使用
濃度を含むものである＝ＬＬ チオ化合物 優れた濃度 ρ） ３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸（ナトリウム
塩＞ ０．００５〜０１チオ燐酸
−０−エチル−ビス（ｗ−スルホプロピル）−エステル
にナトリウム塩） ０．０１〜０．１５ チオ燐酸−トリス−（ｗ−スルホプロピル）エステル（
三す）〜リウム塩） ００２〜０．１５チオグリコー
ル酸 ０．００１〜０．００３エチレンジ
チオジブロビルスルホン酸くナトリウム塩）
０．０１〜０．１ジーｎ−プロピル−チ
オエーテル−ジ−ｗ−スルホン酸にナトリウム塩）
０．０１〜０．１ビス−（ｗ−スルホプロピル）−ジ
サルファイドにナトリウム塩＞ ０．００２
〜０．０２ビス−（ｗ−スルホヒドロキシプロピル）−
ジサルファイドにナトリウム塩） ０．００３〜０．
０２ビス−（ｗ−スルホブチル）−ジサルファイドにナ
トリウム塩） ０．００４〜０．０２ビス
−（ｐ−スルホフェニル）−ジサルファイドにナトリウ
ム塩） ｏ、ｏｉ〜０．１メチル−（ｗ−ス
ルホプロピル）−ジサルファイド（ナトリウム塩）
０．．００７〜０，０３メチル−（ｗ−スルホ
ブチル）−トリサルファイド（ナトリウム塩＞
０．００５〜０．０２３−（ベンゾチアゾリル−２
−チオ）−プロピル−スルホン酸くナトリウム塩）
Ｑ、００．！ｌ〜０．０４Ｎ、Ｎ−ジメチルージチオカ
ルバミン酸−（３〜スルホプロピル）−エステル（ナト
リウム塩） ０．００３
〜０．０２０−エチル−ジチオ炭酸−８〜（３−スルホ
プロピル）−エステル（カリウム塩） ０．００１〜０ 、０１．５ 次の第１表は、場合によっては付加的に、有利には界面
活性剤として使用することのできる酸素含有高分子化合
物の例並びにその優れた使用濃度を含むものである： 第１表 酸素含有高分子化合物 優れた濃度／、ｌｉ’） ポリビニルアルコール ０．０５〜０．４カル
ボキシメチルセルロース ０．０５〜０．１ポリエチ
レングリコール Ｏ２１〜５．０ポリプロピレン
グリコール ０．０５〜１０ステアリン酸−ポリグ
リコールエステル０．５〜８．Ｏ 油酸−ポリグリコールエステル ０．５〜５．０ステア
リルアルコール−ポリグリコールエーテル
０．５〜８，０
ノニルフェノール−ポリグリコールエーテル０．５〜６
．０ オクタツールポリアルキレングリコールエーテル
０．０５〜０
．５オクタンジオール−ビス−（ポリアルキレングリコ
ールエーテル） ０．０５〜０．５ポリ
オキシプロピレングリコール ００５〜０．５ポリエチ
レン−プロピレングリコール（共重合体又は情状重合体
＞ ０．０２〜５．０β−ナフトール−ポ
リグリコールエーテル０．０２〜４．θ 本発明による銅浴の個々の成分は一般には使用可能の洛
中に次の限界濃度内で含まれていることが有利である。
タム−ヘキサ エトキシレート ０．０２〜２ ε−カプロラクタム−ドデカ− エトキシレート ０．０１〜１ 次の第■表は、成分として付加的に使用するための、水
溶性基を有する有機チオ化合物の例及びその優れた使用
濃度を含むものである＝ＬＬ チオ化合物 優れた濃度 ρ） ３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸（ナトリウム
塩＞ ０．００５〜０１チオ燐酸
−０−エチル−ビス（ｗ−スルホプロピル）−エステル
にナトリウム塩） ０．０１〜０．１５ チオ燐酸−トリス−（ｗ−スルホプロピル）エステル（
三す）〜リウム塩） ００２〜０．１５チオグリコー
ル酸 ０．００１〜０．００３エチレンジ
チオジブロビルスルホン酸くナトリウム塩）
０．０１〜０．１ジーｎ−プロピル−チ
オエーテル−ジ−ｗ−スルホン酸にナトリウム塩）
０．０１〜０．１ビス−（ｗ−スルホプロピル）−ジ
サルファイドにナトリウム塩＞ ０．００２
〜０．０２ビス−（ｗ−スルホヒドロキシプロピル）−
ジサルファイドにナトリウム塩） ０．００３〜０．
０２ビス−（ｗ−スルホブチル）−ジサルファイドにナ
トリウム塩） ０．００４〜０．０２ビス
−（ｐ−スルホフェニル）−ジサルファイドにナトリウ
ム塩） ｏ、ｏｉ〜０．１メチル−（ｗ−ス
ルホプロピル）−ジサルファイド（ナトリウム塩）
０．．００７〜０，０３メチル−（ｗ−スルホ
ブチル）−トリサルファイド（ナトリウム塩＞
０．００５〜０．０２３−（ベンゾチアゾリル−２
−チオ）−プロピル−スルホン酸くナトリウム塩）
Ｑ、００．！ｌ〜０．０４Ｎ、Ｎ−ジメチルージチオカ
ルバミン酸−（３〜スルホプロピル）−エステル（ナト
リウム塩） ０．００３
〜０．０２０−エチル−ジチオ炭酸−８〜（３−スルホ
プロピル）−エステル（カリウム塩） ０．００１〜０ 、０１．５ 次の第１表は、場合によっては付加的に、有利には界面
活性剤として使用することのできる酸素含有高分子化合
物の例並びにその優れた使用濃度を含むものである： 第１表 酸素含有高分子化合物 優れた濃度／、ｌｉ’） ポリビニルアルコール ０．０５〜０．４カル
ボキシメチルセルロース ０．０５〜０．１ポリエチ
レングリコール Ｏ２１〜５．０ポリプロピレン
グリコール ０．０５〜１０ステアリン酸−ポリグ
リコールエステル０．５〜８．Ｏ 油酸−ポリグリコールエステル ０．５〜５．０ステア
リルアルコール−ポリグリコールエーテル
０．５〜８，０
ノニルフェノール−ポリグリコールエーテル０．５〜６
．０ オクタツールポリアルキレングリコールエーテル
０．０５〜０
．５オクタンジオール−ビス−（ポリアルキレングリコ
ールエーテル） ０．０５〜０．５ポリ
オキシプロピレングリコール ００５〜０．５ポリエチ
レン−プロピレングリコール（共重合体又は情状重合体
＞ ０．０２〜５．０β−ナフトール−ポ
リグリコールエーテル０．０２〜４．θ 本発明による銅浴の個々の成分は一般には使用可能の洛
中に次の限界濃度内で含まれていることが有利である。
ラクタムアルコキシレート ０．００２〜３ｇ／ ４
有利には０．００５〜０．２ｇ／！２ 水溶性にする基を・有する有機チオ化合物０．０００５
〜０．２ｇ／ρ 有利には０．００１〜０．０５ｇ／（１酸素含有高分子
化合物 ０００５〜２０ｇ／、Ｑ有利には ０，０１
〜５ｇ／ｌ。
有利には０．００５〜０．２ｇ／！２ 水溶性にする基を・有する有機チオ化合物０．０００５
〜０．２ｇ／ρ 有利には０．００１〜０．０５ｇ／（１酸素含有高分子
化合物 ０００５〜２０ｇ／、Ｑ有利には ０，０１
〜５ｇ／ｌ。
本発明による浴の基本組成は広範囲の限界内で変えるこ
とができる。一般に次の組成の水溶液を使用する： １ｉＲ１ｆｆｌ銅（ＣｕＳＯ４−５Ｈ２Ｏ） ２
０〜２５０ｇ／ Ｊｉ’有利には６０〜ｔｏｏ、Ｈ，’
、ｃ又は１８０〜ｎｏｇ／ρ硫酸
５０〜３５０ｇ／ １有利には１８０〜２２Ｏｒ
／！２又は５０〜９０ｇ／ ！２塩素イオン（塩酸又は
塩化ナトリウムの形）０．０２〜０．１５ｇ／ｌ 有利には０．０２５〜０．０８Ｊ／ｌ。
とができる。一般に次の組成の水溶液を使用する： １ｉＲ１ｆｆｌ銅（ＣｕＳＯ４−５Ｈ２Ｏ） ２
０〜２５０ｇ／ Ｊｉ’有利には６０〜ｔｏｏ、Ｈ，’
、ｃ又は１８０〜ｎｏｇ／ρ硫酸
５０〜３５０ｇ／ １有利には１８０〜２２Ｏｒ
／！２又は５０〜９０ｇ／ ！２塩素イオン（塩酸又は
塩化ナトリウムの形）０．０２〜０．１５ｇ／ｌ 有利には０．０２５〜０．０８Ｊ／ｌ。
硫酸銅の代わりに少なくとも部分的に他の銅塩を使用す
ることもできる。硫酸もまた部分的に又は全部をフッ化
ホウ酸、メタンスルホン酸又は他の酸によって代えるこ
とができる。塩素イオンの添加は、添加物中にすでにハ
ロゲンイオンが含まれている場合には全部又は１部分を
省略することができる。
ることもできる。硫酸もまた部分的に又は全部をフッ化
ホウ酸、メタンスルホン酸又は他の酸によって代えるこ
とができる。塩素イオンの添加は、添加物中にすでにハ
ロゲンイオンが含まれている場合には全部又は１部分を
省略することができる。
更にこの洛中には付加的に常用の艶出し剤、均等化剤例
えばチオ尿素誘導体及び／又は湿潤剤が含まれていても
よい。
えばチオ尿素誘導体及び／又は湿潤剤が含まれていても
よい。
本発明による浴を製造するため個々の成分を先の基本組
成に加える。
成に加える。
浴の処理条件は次の通りである。
ｐ、 Ｈ−値 〈】−
温度 １５℃〜４５℃、有利には２５℃陰極電流密
度 ０．５〜１２Ａ ／ ｄａ２、有利には２〜４Ａ／
ｄＩ１１２ 電解液の運動は、電解液表面が激しく波打つようにきれ
いな空気を吹込むことによって起こさせる。空気を吹込
むことによる電解液の運動は若干の場合には適当に添加
物を運動させることによって代えることができる。燐を
０．０２〜０．０６７％含む銅を陽極として使用する。
度 ０．５〜１２Ａ ／ ｄａ２、有利には２〜４Ａ／
ｄＩ１１２ 電解液の運動は、電解液表面が激しく波打つようにきれ
いな空気を吹込むことによって起こさせる。空気を吹込
むことによる電解液の運動は若干の場合には適当に添加
物を運動させることによって代えることができる。燐を
０．０２〜０．０６７％含む銅を陽極として使用する。
実施例
次の各実施例に基づき本発明を詳述する。
例 １
次の組成、Ｐ酸銀（ＣｕＳＯ４−５Ｈ２Ｏ） ４０ｇ／
１、濃１ｊｆＬ酸３００ｇ＃ｌ 、塩酸（３５％＞
０．１ｇ＃からなる銅浴に、０−エチル−ジチオ炭酸
−８−（３−スルホプロピル）−エステル（カリウム塩
）３ｍｇ／ｌＩ及びε−カプロラクタム−へキサエトキ
シレート５０■／！ＡＩを加える。析出物は０゜１５Ａ
／ｄａ２〜４ Ａ／ｄｍ２のハルセル（Ｈｕｌ １ｚｅ
ｌ ｌｅ）で良好な光沢を有する。
１、濃１ｊｆＬ酸３００ｇ＃ｌ 、塩酸（３５％＞
０．１ｇ＃からなる銅浴に、０−エチル−ジチオ炭酸
−８−（３−スルホプロピル）−エステル（カリウム塩
）３ｍｇ／ｌＩ及びε−カプロラクタム−へキサエトキ
シレート５０■／！ＡＩを加える。析出物は０゜１５Ａ
／ｄａ２〜４ Ａ／ｄｍ２のハルセル（Ｈｕｌ １ｚｅ
ｌ ｌｅ）で良好な光沢を有する。
例 ２
次の組成：硫酸＠（ＣＬＩＳＯ４−５１１２０）１２ｇ
／Ω、濃硫酸２００ｇ／！：Ｉ、塩酸（３５％） ０．
１５ｇ／Ａ’からなる銅浴に、３−（ベンゾチアゾリル
−２−チオ）−プロピルスルホン酸くナトリウム塩）２
０ｍＱ ／ ｌ及びε−カプロラクタム−ヘキサ−エト
キシレート２０−／ρを加える。
／Ω、濃硫酸２００ｇ／！：Ｉ、塩酸（３５％） ０．
１５ｇ／Ａ’からなる銅浴に、３−（ベンゾチアゾリル
−２−チオ）−プロピルスルホン酸くナトリウム塩）２
０ｍＱ ／ ｌ及びε−カプロラクタム−ヘキサ−エト
キシレート２０−／ρを加える。
７ Ａ／ｄｌ１２まで光沢のある析出物が得られる。
ポリエチレン−プロピレングリコール０．４ｇ／ρを加
えることにより、ハルセル−薄板の背面にも生じる極め
て光沢のある析出物が得られる次の組成：硫酸銅（ＣＬ
ＩＳＯ４・５ Ｈ２Ｏ） ８０ｇ／ｌ、濃硫酸１８０ｇ
、ｌ−塩化ナトリウム０．０８ｇ／ｌからなる銅浴に、
艶出し剤としてポリプロピレングリコール０．６ｇ／ｌ
及び３−メルカプ）〜プロパンー１−スルホン酸ナトリ
ウム０．０２ｇ／ρを加える。３０℃の浴温ではハルセ
ル内において５Ａ／ｄｍ２を上回る電流密度でまた０、
８Ａ／ｄａ＋２を下回る電流密度で曇った析出物が得ら
れる。
えることにより、ハルセル−薄板の背面にも生じる極め
て光沢のある析出物が得られる次の組成：硫酸銅（ＣＬ
ＩＳＯ４・５ Ｈ２Ｏ） ８０ｇ／ｌ、濃硫酸１８０ｇ
、ｌ−塩化ナトリウム０．０８ｇ／ｌからなる銅浴に、
艶出し剤としてポリプロピレングリコール０．６ｇ／ｌ
及び３−メルカプ）〜プロパンー１−スルホン酸ナトリ
ウム０．０２ｇ／ρを加える。３０℃の浴温ではハルセ
ル内において５Ａ／ｄｍ２を上回る電流密度でまた０、
８Ａ／ｄａ＋２を下回る電流密度で曇った析出物が得ら
れる。
この浴に、
γ−ブチロラクタムーヘキサーエトキシレート０１ｇ／
ρ、又は ε−カプロラクタム−ヘキサ−エトキシレート０．０５
ｇ／ ｌ−又は δ−バレロラクタムーオクターエトキシレート０．０４
ｇ／ ｆ−又は ε−カプロラクタム−ドデカ−エトキシレート０．０３
ｇ／ ！２ を加た場合には、すべての電流密度範囲でハルセル−試
験薄板に光沢が得れらる。
ρ、又は ε−カプロラクタム−ヘキサ−エトキシレート０．０５
ｇ／ ｌ−又は δ−バレロラクタムーオクターエトキシレート０．０４
ｇ／ ｆ−又は ε−カプロラクタム−ドデカ−エトキシレート０．０３
ｇ／ ！２ を加た場合には、すべての電流密度範囲でハルセル−試
験薄板に光沢が得れらる。
例 ４
次の組成、硫酸’Ａ （ＣｕＳＯ４−５８２０） ６０
ｇ／（１、濃ＦｉＸ酸２２０ｇ＃ 、塩化ナトリウム０
．１ｇ／ｌからなる銅浴に、ノニルフェノール−ポリグ
リコールエーテル１．０ｇ／ｌ及び３−（ベンゾチアゾ
リル−２−チオ）−プロピルスルホン酸くナトリウム塩
＞ ０．０４ｇ／ρを加える。
ｇ／（１、濃ＦｉＸ酸２２０ｇ＃ 、塩化ナトリウム０
．１ｇ／ｌからなる銅浴に、ノニルフェノール−ポリグ
リコールエーテル１．０ｇ／ｌ及び３−（ベンゾチアゾ
リル−２−チオ）−プロピルスルホン酸くナトリウム塩
＞ ０．０４ｇ／ρを加える。
もっばら添加物を移動させる洛中において平均電流密度
２ Ａ／ｄｆｆｉ２で、加酸法により銅めっきした印刷
回路を６０分間補強する。その際穿孔部の周囲には、錫
めっき後明らかな亀裂を有する曇った量が生じる。
２ Ａ／ｄｆｆｉ２で、加酸法により銅めっきした印刷
回路を６０分間補強する。その際穿孔部の周囲には、錫
めっき後明らかな亀裂を有する曇った量が生じる。
この浴に更にε−カ１０ラクタムーへキサエトキシレー
ト５０ｍｇ／ｌを加えた場合には、錫めっき後も穿孔部
は申し分のない状態であった例 ５ 次の組成：硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５ Ｈ２Ｏ）８０ｇ／
ｌ、濃硫酸２００ｇ／ｆ 、塩化ナトリウム０．０６ｇ
／ｌ、及びオクタノールポリアルキレングリコール工−
チル０．４ｇ／（１、ビス−（ｗ−スルホプロピル）ジ
サルファイドにナトリウム塩＞ ０．Ｏｌ、ｇ／ρの浴
から２．５Ａ／ｄｍ２で析出された４０１の銅箔は１８
％の破断点伸び串を示す、ε−カプロラクタム−ヘキサ
−エトキシレート０．０５ｇ／ρを添加した後、新たに
銅箔を析出させる。破断点伸び率は２４％に改良される
。この場合更に添加しても破断点伸びの値は非本質的に
掻く僅かに改良されるにすぎない。
ト５０ｍｇ／ｌを加えた場合には、錫めっき後も穿孔部
は申し分のない状態であった例 ５ 次の組成：硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５ Ｈ２Ｏ）８０ｇ／
ｌ、濃硫酸２００ｇ／ｆ 、塩化ナトリウム０．０６ｇ
／ｌ、及びオクタノールポリアルキレングリコール工−
チル０．４ｇ／（１、ビス−（ｗ−スルホプロピル）ジ
サルファイドにナトリウム塩＞ ０．Ｏｌ、ｇ／ρの浴
から２．５Ａ／ｄｍ２で析出された４０１の銅箔は１８
％の破断点伸び串を示す、ε−カプロラクタム−ヘキサ
−エトキシレート０．０５ｇ／ρを添加した後、新たに
銅箔を析出させる。破断点伸び率は２４％に改良される
。この場合更に添加しても破断点伸びの値は非本質的に
掻く僅かに改良されるにすぎない。
例 ６
次の組成・硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５ Ｈ２Ｏ） ２００
ｇ／ρ、濃硫酸６０ｇ／ｆｆｌ、塩酸（３５％） ０
．１ｇ／ｌがら成る銅浴に、メルカプトプロパンスルホ
ン酸（ナトリウム塩） １０ｍｇ／ ！２及びε−カ
プロラクタム−ヘキサ−エトキシレート ５０ｍｇＨ２
と加える、析出は０．２Ａ／ｄｍ２〜７ Ａ／ｄｍ２の
ハルセル中で良好な光沢を有する。
ｇ／ρ、濃硫酸６０ｇ／ｆｆｌ、塩酸（３５％） ０
．１ｇ／ｌがら成る銅浴に、メルカプトプロパンスルホ
ン酸（ナトリウム塩） １０ｍｇ／ ！２及びε−カ
プロラクタム−ヘキサ−エトキシレート ５０ｍｇＨ２
と加える、析出は０．２Ａ／ｄｍ２〜７ Ａ／ｄｍ２の
ハルセル中で良好な光沢を有する。
代理人 弁理士 矢 野 ｗｉ 雄・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも１種の銅塩、少なくとも１種の無機酸及
び場合によっては塩化物並びに、１個のアミド基を有す
る化合物、水溶性にする基を有する有機チオ化合物及び
場合によっては酸素含有高分子有機化合物を含む、光沢
がありまた亀裂を有さない銅被膜を電気的に析出させる
酸性水浴において、これが少なくとも１種の、置換され
ていてもよいラクタムアルコキシレートをアミド基とし
て有する化合物を含むことを特徴とする、光沢がありま
た亀裂を有さない銅被膜を電気的に析出させる酸性水浴
。 ２、一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中Ａは炭化水素残基を表し、Ｒは水素又はメチルを
表し、ｎは２〜１０の整数であり、ｎ’は１〜５０の整
数である］で示される、置換されていてもよいラクタム
アルコキシレートを含む請求項１記載の浴。 ３、Ａが式：−ＣＨ＿２−のアルキレン基である、請求
項２記載の浴。 ４、β−プロピオラクタム−エトキシレート、γ−ブチ
ロラクタム−ヘキサ−エトキシレート、 δ−バレロラクタム−オクタ−エトキシレート、 δ−バレロラクタム−ペンタ−プロポキシレート、 ε−カプロラクタム−ヘキサ−エトキシレート、 ε−カプロラクタム−ドデカ−エトキシレート、 を含む、請求項１から３までのいずれか１項記載の浴。 ５、置換されていてもよいラクタムアルコキシレートを
０．００２〜３ｇ／ｌの濃度で含む、請求項１から４ま
でのいずれか１項記載の浴。 ６、水溶性にする基を有する有機チオ化合物として、３
−メルカプトプロパン−１−スルホン酸（ナトリウム塩
）、チオ燐酸−０−エチル−ビス−（ｗ−スルホプロピ
ル）−エステル（二ナトリウム塩）、チオ燐酸−トリス
−（ｗ−スルホプロピル）−エステル（三ナトリウム塩
）、チオグリコール酸、エチレンジチオジプロピルスル
ホン酸（ナトリウム塩）、ジ−ｎ−プロピル−チオエー
テル−ジ−ｗ−スルホン酸（二ナトリウム塩）、ビス（
ｗ−スルホプロピル）ジサルファイド（二ナトリウム塩
）、ビス（ｗ−スルホヒドロキシプロピル）ジサルファ
イド（二ナトリウム塩）、ビス（ｗ−スルホブチル）ジ
サルファイド（二ナトリウム塩）、ビス（ｐ−スルホフ
ェニル）ジサルファイド（二ナトリウム塩）、メチル−
（ｗ−スルホプロピル）ジサルファイド（ナトリウム塩
）、メチル−（ｗ−スルホブチル）トリスルファイド（
ナトリウム塩）、３−（ベンゾチアゾリル−２−チオ）
プロピルスルホン酸（ナトリウム塩）、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ル−ジチオカルバミン酸−（３−スルホプロピル）−エ
ステル（ナトリウム塩）、又はＯ−エチル−ジチオ炭酸
−Ｓ−（３−スルホプロピル）−エステル（カリウム塩
）を０．００５〜０．０２ｇ／ｌの濃度で含む、請求項
１記載の浴。 ７、酸素含有高分子有機化合物として、ポリビニルアル
コール、カルボキシメチルセルロース、ポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール、ステアリン酸−
ポリグリコールエステル、油酸−ポリグリコールエステ
ル、ステアリルアルコール−ポリグリコールエーテル、
ノニルフェノール−ポリグリコールエーテル、オクトナ
ールポリアルキレングリコールエーテル、オクタンジオ
ール−ビス−（ポリアルキレングリコールエーテル）、
ポリオキシプロピレングリコール、ポリエチレン−プロ
ピレングリコール（共重合体又は塊状重合体）、又はβ
−ナフトール−ポリグリコールエーテルを０．００５〜
２０ｇ／ｌの濃度で含む、請求項１記載の浴。 ８、艶出し剤及び／又は湿潤剤を付加的に含む、請求項
１から７までのいずれか１項記載の浴。 ９、請求項１から８までのいずれか１項記載の浴を使用
することを特徴とする、印刷回路の導電路補強法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3836521A DE3836521C2 (de) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung des Bades |
| DE3836521.9 | 1988-10-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02185992A true JPH02185992A (ja) | 1990-07-20 |
| JP2859326B2 JP2859326B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=6365977
Family Applications (1)
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004162172A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Iljin Copper Foil Co Ltd | 電解銅箔製造用の電解液及びそれを用いた電解銅箔の製造方法 |
| KR100656581B1 (ko) * | 1998-09-03 | 2006-12-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판의 도금방법 및 장치 |
| JP2013543930A (ja) * | 2010-11-10 | 2013-12-09 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ｎ−アルコキシル化接着促進化合物を用いることによる、銅表面の前処理用溶液及び方法 |
Families Citing this family (73)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5849171A (en) * | 1990-10-13 | 1998-12-15 | Atotech Deutschland Gmbh | Acid bath for copper plating and process with the use of this combination |
| US5174886A (en) * | 1991-02-22 | 1992-12-29 | Mcgean-Rohco, Inc. | High-throw acid copper plating using inert electrolyte |
| US5252196A (en) * | 1991-12-05 | 1993-10-12 | Shipley Company Inc. | Copper electroplating solutions and processes |
| US5403107A (en) * | 1992-10-23 | 1995-04-04 | Preleg Inc. | Cleaning device particularly for printed circuit boards |
| US5352251A (en) * | 1993-03-30 | 1994-10-04 | Shell Oil Company | Fuel compositions |
| JP3313277B2 (ja) * | 1995-09-22 | 2002-08-12 | 古河サーキットフォイル株式会社 | ファインパターン用電解銅箔とその製造方法 |
| US6709562B1 (en) | 1995-12-29 | 2004-03-23 | International Business Machines Corporation | Method of making electroplated interconnection structures on integrated circuit chips |
| US6946716B2 (en) * | 1995-12-29 | 2005-09-20 | International Business Machines Corporation | Electroplated interconnection structures on integrated circuit chips |
| US6261327B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-07-17 | Shell Oil Company | Additive concentrates for rapidly reducing octane requirement |
| US5908540A (en) * | 1997-08-07 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Copper anode assembly for stabilizing organic additives in electroplating of copper |
| US6071398A (en) | 1997-10-06 | 2000-06-06 | Learonal, Inc. | Programmed pulse electroplating process |
| US6946065B1 (en) * | 1998-10-26 | 2005-09-20 | Novellus Systems, Inc. | Process for electroplating metal into microscopic recessed features |
| US6413388B1 (en) | 2000-02-23 | 2002-07-02 | Nutool Inc. | Pad designs and structures for a versatile materials processing apparatus |
| US7204924B2 (en) * | 1998-12-01 | 2007-04-17 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus to deposit layers with uniform properties |
| US6497800B1 (en) * | 2000-03-17 | 2002-12-24 | Nutool Inc. | Device providing electrical contact to the surface of a semiconductor workpiece during metal plating |
| US7427337B2 (en) * | 1998-12-01 | 2008-09-23 | Novellus Systems, Inc. | System for electropolishing and electrochemical mechanical polishing |
| US7578923B2 (en) * | 1998-12-01 | 2009-08-25 | Novellus Systems, Inc. | Electropolishing system and process |
| US7425250B2 (en) | 1998-12-01 | 2008-09-16 | Novellus Systems, Inc. | Electrochemical mechanical processing apparatus |
| US6610190B2 (en) * | 2000-11-03 | 2003-08-26 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for electrodeposition of uniform film with minimal edge exclusion on substrate |
| US8236159B2 (en) | 1999-04-13 | 2012-08-07 | Applied Materials Inc. | Electrolytic process using cation permeable barrier |
| US20060157355A1 (en) * | 2000-03-21 | 2006-07-20 | Semitool, Inc. | Electrolytic process using anion permeable barrier |
| US8852417B2 (en) | 1999-04-13 | 2014-10-07 | Applied Materials, Inc. | Electrolytic process using anion permeable barrier |
| US6444110B2 (en) * | 1999-05-17 | 2002-09-03 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating method |
| US6612915B1 (en) | 1999-12-27 | 2003-09-02 | Nutool Inc. | Work piece carrier head for plating and polishing |
| US6354916B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-03-12 | Nu Tool Inc. | Modified plating solution for plating and planarization and process utilizing same |
| US7141146B2 (en) * | 2000-02-23 | 2006-11-28 | Asm Nutool, Inc. | Means to improve center to edge uniformity of electrochemical mechanical processing of workpiece surface |
| US20060131177A1 (en) * | 2000-02-23 | 2006-06-22 | Jeffrey Bogart | Means to eliminate bubble entrapment during electrochemical processing of workpiece surface |
| US20090020437A1 (en) * | 2000-02-23 | 2009-01-22 | Basol Bulent M | Method and system for controlled material removal by electrochemical polishing |
| US6406609B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-06-18 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of fabricating an integrated circuit |
| US6482307B2 (en) | 2000-05-12 | 2002-11-19 | Nutool, Inc. | Method of and apparatus for making electrical contact to wafer surface for full-face electroplating or electropolishing |
| US6852208B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-02-08 | Nutool, Inc. | Method and apparatus for full surface electrotreating of a wafer |
| US20060189129A1 (en) * | 2000-03-21 | 2006-08-24 | Semitool, Inc. | Method for applying metal features onto barrier layers using ion permeable barriers |
| US20060118425A1 (en) * | 2000-04-19 | 2006-06-08 | Basol Bulent M | Process to minimize and/or eliminate conductive material coating over the top surface of a patterned substrate |
| US6491806B1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-12-10 | Intel Corporation | Electroplating bath composition |
| WO2001084617A1 (en) * | 2000-04-27 | 2001-11-08 | Nu Tool Inc. | Conductive structure for use in multi-level metallization and process |
| US6478936B1 (en) | 2000-05-11 | 2002-11-12 | Nutool Inc. | Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer |
| US7195696B2 (en) * | 2000-05-11 | 2007-03-27 | Novellus Systems, Inc. | Electrode assembly for electrochemical processing of workpiece |
| US6695962B2 (en) | 2001-05-01 | 2004-02-24 | Nutool Inc. | Anode designs for planar metal deposits with enhanced electrolyte solution blending and process of supplying electrolyte solution using such designs |
| US7754061B2 (en) | 2000-08-10 | 2010-07-13 | Novellus Systems, Inc. | Method for controlling conductor deposition on predetermined portions of a wafer |
| US6921551B2 (en) | 2000-08-10 | 2005-07-26 | Asm Nutool, Inc. | Plating method and apparatus for controlling deposition on predetermined portions of a workpiece |
| MX230531B (es) * | 2000-10-19 | 2005-09-12 | Atotech Deutschland Gmbh | Bano de cobre y metodo para depositar un revestimiento mate de cobre. |
| DE10058896C1 (de) * | 2000-10-19 | 2002-06-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Elektrolytisches Kupferbad, dessen Verwendung und Verfahren zur Abscheidung einer matten Kupferschicht |
| US6802946B2 (en) | 2000-12-21 | 2004-10-12 | Nutool Inc. | Apparatus for controlling thickness uniformity of electroplated and electroetched layers |
| US6866763B2 (en) * | 2001-01-17 | 2005-03-15 | Asm Nutool. Inc. | Method and system monitoring and controlling film thickness profile during plating and electroetching |
| WO2003060959A2 (en) * | 2002-01-10 | 2003-07-24 | Semitool, Inc. | Method for applying metal features onto barrier layers using electrochemical deposition |
| KR100417335B1 (ko) * | 2002-03-04 | 2004-02-05 | 삼성전기주식회사 | 비아 홀 충전용 산성 동도금 첨가제 조성물 및 이를이용한 비아 홀 충전방법 |
| US6926922B2 (en) * | 2002-04-09 | 2005-08-09 | Shipley Company, L.L.C. | PWB manufacture |
| US20050040049A1 (en) * | 2002-09-20 | 2005-02-24 | Rimma Volodarsky | Anode assembly for plating and planarizing a conductive layer |
| DE60336539D1 (de) * | 2002-12-20 | 2011-05-12 | Shipley Co Llc | Methode zum Elektroplattieren mit Umkehrpulsstrom |
| US6851200B2 (en) * | 2003-03-14 | 2005-02-08 | Hopkins Manufacturing Corporation | Reflecting lighted level |
| US20070131563A1 (en) * | 2003-04-14 | 2007-06-14 | Asm Nutool, Inc. | Means to improve center to edge uniformity of electrochemical mechanical processing of workpiece surface |
| US7648622B2 (en) | 2004-02-27 | 2010-01-19 | Novellus Systems, Inc. | System and method for electrochemical mechanical polishing |
| US7232513B1 (en) * | 2004-06-29 | 2007-06-19 | Novellus Systems, Inc. | Electroplating bath containing wetting agent for defect reduction |
| DE102004045451B4 (de) | 2004-09-20 | 2007-05-03 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanisches Verfahren zum Füllen von Durchgangslöchern mit Metallen, insbesondere von Leiterplatten mit Kupfer |
| JP4551206B2 (ja) * | 2004-12-15 | 2010-09-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路チップ上の電気めっき相互接続構造 |
| US20070158199A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-12 | Haight Scott M | Method to modulate the surface roughness of a plated deposit and create fine-grained flat bumps |
| DE502007005345D1 (de) | 2006-03-30 | 2010-11-25 | Atotech Deutschland Gmbh | Elektrolytisches verfahren zum füllen von löchern und vertiefungen mit metallen |
| US8500985B2 (en) | 2006-07-21 | 2013-08-06 | Novellus Systems, Inc. | Photoresist-free metal deposition |
| US20090065365A1 (en) * | 2007-09-11 | 2009-03-12 | Asm Nutool, Inc. | Method and apparatus for copper electroplating |
| US8057587B2 (en) * | 2008-05-12 | 2011-11-15 | Michael Beeck | Composition for coloring solder |
| US11225727B2 (en) | 2008-11-07 | 2022-01-18 | Lam Research Corporation | Control of current density in an electroplating apparatus |
| US10011917B2 (en) | 2008-11-07 | 2018-07-03 | Lam Research Corporation | Control of current density in an electroplating apparatus |
| JP5039923B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2012-10-03 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路チップ上の電気めっき相互接続構造 |
| CN102395712A (zh) | 2009-02-12 | 2012-03-28 | 技术研究及发展基金有限公司 | 电镀铜的方法 |
| JP5419793B2 (ja) * | 2010-04-22 | 2014-02-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 集積回路チップ上の電気めっき相互接続構造 |
| US9385035B2 (en) | 2010-05-24 | 2016-07-05 | Novellus Systems, Inc. | Current ramping and current pulsing entry of substrates for electroplating |
| EP2392694A1 (en) | 2010-06-02 | 2011-12-07 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for etching of copper and copper alloys |
| US9028666B2 (en) | 2011-05-17 | 2015-05-12 | Novellus Systems, Inc. | Wetting wave front control for reduced air entrapment during wafer entry into electroplating bath |
| CN103179806B (zh) | 2011-12-21 | 2019-05-28 | 奥特斯有限公司 | 组合的通孔镀覆和孔填充的方法 |
| EP2803756A1 (en) | 2013-05-13 | 2014-11-19 | Atotech Deutschland GmbH | Method for depositing thick copper layers onto sintered materials |
| EP2865787A1 (en) | 2013-10-22 | 2015-04-29 | ATOTECH Deutschland GmbH | Copper electroplating method |
| EP3029178A1 (en) | 2014-12-05 | 2016-06-08 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method and apparatus for electroplating a metal onto a substrate |
| US11555252B2 (en) | 2018-11-07 | 2023-01-17 | Coventya, Inc. | Satin copper bath and method of depositing a satin copper layer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3294578A (en) * | 1963-10-22 | 1966-12-27 | Gen Aniline & Film Corp | Deposition of a metallic coat on metal surfaces |
| SE322956B (ja) * | 1966-08-20 | 1970-04-20 | Schering Ag | |
| DE2746938C2 (de) * | 1977-10-17 | 1987-04-09 | Schering AG, 1000 Berlin und 4709 Bergkamen | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung dieses Bades |
| US4336114A (en) * | 1981-03-26 | 1982-06-22 | Hooker Chemicals & Plastics Corp. | Electrodeposition of bright copper |
| US4781801A (en) * | 1987-02-03 | 1988-11-01 | Mcgean-Rohco, Inc. | Method of copper plating gravure rolls |
-
1988
- 1988-10-24 DE DE3836521A patent/DE3836521C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-10 EP EP89118789A patent/EP0390967A2/de not_active Withdrawn
- 1989-10-17 AT AT0238489A patent/AT395603B/de not_active IP Right Cessation
- 1989-10-23 CA CA002001185A patent/CA2001185C/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-10-24 JP JP1275116A patent/JP2859326B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-10-24 US US07/426,877 patent/US4975159A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100656581B1 (ko) * | 1998-09-03 | 2006-12-12 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판의 도금방법 및 장치 |
| JP2004162172A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Iljin Copper Foil Co Ltd | 電解銅箔製造用の電解液及びそれを用いた電解銅箔の製造方法 |
| JP2013543930A (ja) * | 2010-11-10 | 2013-12-09 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Ｎ−アルコキシル化接着促進化合物を用いることによる、銅表面の前処理用溶液及び方法 |
| US9504161B2 (en) | 2010-11-10 | 2016-11-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Solution and process for the pre-treatment of copper surfaces using an N-alkoxylated adhesion-promoting compound |
| US10219391B2 (en) | 2010-11-10 | 2019-02-26 | Atotech Deutschland Gmbh | Solution and process for the pre-treatment of copper surfaces using an N-alkoxylated adhesion-promoting compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AT395603B (de) | 1993-02-25 |
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| DE3836521A1 (de) | 1990-04-26 |
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| ATA238489A (de) | 1992-06-15 |
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