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JPH02170005A - 位置合わせ装置 - Google Patents

位置合わせ装置

Info

Publication number
JPH02170005A
JPH02170005A JP63326614A JP32661488A JPH02170005A JP H02170005 A JPH02170005 A JP H02170005A JP 63326614 A JP63326614 A JP 63326614A JP 32661488 A JP32661488 A JP 32661488A JP H02170005 A JPH02170005 A JP H02170005A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
light
wafer
diffraction grating
diffracted
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63326614A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaki Yamamoto
正樹 山本
Takeo Sato
佐藤 健夫
Shinichiro Aoki
新一郎 青木
Katsumasa Yamaguchi
勝正 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63326614A priority Critical patent/JPH02170005A/ja
Publication of JPH02170005A publication Critical patent/JPH02170005A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、サブミクロンの位置合わせ精度が要求される
半導体(LSI)の露光装置において、マスクとウェハ
の位置合わせを行う位置合わせ装置に関するものである
従来の技術 従来より半導体露光装置の位置合わせ装置においては、
位置合わせマークとして回折格子が多く使用されてきた
。その理由として、既存の半導体プロセスで製作が容易
であることが考えられる。
反面、位置ずれの検出を行うことができるのは、回折格
子のワンピッチ分だけであるため(回折格子が周期的に
繰り返されているため、位置ずれ検7 ベージ 比信号も周期性を持ってしまう)、検出精度を上げよう
として回折格子のピッチを小さくすると、検出範囲が小
さくなってしまうという問題が生じる。そのため、回折
格子を位置合わせマークとして使用するときには、これ
とは別に組合わせマークを使用し、マスク、ウェハの位
置ずれが回折格子の検出範囲内に入るようにする必要が
ある。
従来、上記のような回折格子の問題点を解決するための
種々の提案がなされている。その−例として、ジャーナ
ル オブ バキューム サイエンス アンド テクノロ
ジー; J 、 Vac、 Sci 、Technol
B6(1)、 Jan/Feb 1,988. P、 
413〜416に記載されている構成について第8図を
参照しながら説明する。
第8図において、レーザ101からミラー1(12)を
介してマスク103へ入射した光は、マスク103とウ
ェハ104上の回折格子105と106で回折され、±
1次方向にそれぞれ2本ずつの回折光を生ずる。
各回折格子105.106から4本の回折光が得られる
原理について説明する。マスク103上の回折格子10
5は第9図に示すように6μmピッチと7μmピッチの
回折格子]05aと105bを合成したものよシ作成さ
れており(以後、このような回折格子を複合回折格子と
称す)、この複合回折格子105は1次回折光として、
θ1=sin(λ/7ttm)、θ2sin (276
μm)に相当する方向に光を発する。
第8図において、マスク103の複合回折格子105か
ら出た光は誘電体キー−ブピームスプリyり107に入
射し、ここで、+1次回折光と一1次回折光が重ね合わ
される。この時、重ね合わせをわずかにずらした状態に
設定すると、フォトディテクタアレー108に得られる
スポットには何本かの干渉縞が生じる。マスク103上
の複合回折格子105が横方向に変位すると、±1次回
折光の間に光路差が生じ、このため、フォトディテクタ
アレー107上の干渉縞は、光路差に応じて移動する。
したがって、干渉縞の位置をフォトディテクタアレー1
08上からビデオインターフェース109を介してコン
ビーータ110で読み取ることによりマスク103の変
位を知ることができる。しかも、ピノ9 ベージ チロμmに対応する回折光から得られる位置ずれ信号と
ピン2−7μmに対応する回折光から得られる位置ずれ
信号では、繰り返し周期が異なっているため、結果とし
てバーニアの原理から21μmの検出範囲を得ることが
でき、しかも、検出分解能は6μmピッチの回折格子を
単独で使用した時と同じである。ウェハ104上の回折
格子106はマスク103の複合回折格子105とはピ
ッチを異にする8μmと9μmの複合回折格子となって
おり、上記と同様にしてウェハ104変位を計測するこ
とが可能であり、常にマスク103とウェハ104の相
対変位を知ることができる。そこで、コントローラ11
1によシ、例えば直交方向X、Yと回転方向θに移動可
能なウェハステージ112を制御することによりマスク
103とウェハ104の位置合わせを行うことができる
発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来の位置合わせ装置では、検出分
解能を高めようとすると、次のような問題が生じる。つ
マシ、フォトディテクタアレー10810 ベージ で検出した光強度をもとに位置ずれ量の検出をしている
ために、ウェハ104の反射率の変化や、ウェハ104
、マスク103間の多重反射による回折光の強度変化に
対して弱く、光強度が低下すると、フォトディテクタア
レー108のS/Nが下がり、検出精度が悪化する。
本発明は、以上のような従来の問題を解決するためにな
されたもので、マスクとウェハの位置合わせマークとし
てピッチの異なる回折格子を合成した複合回折格子を用
いると共に、回折光の持つ位相情報を直接用いて位置ず
れ量を検出し、光ヘテロダイン法とバーニアの原理を組
合わせることにより、光強度の変動に影響されることな
く、安定で、高分解能の位置ずれ検出を行うことができ
るようにした位置合わせ装置を提供することを目的とす
るものである。
課題を解決するための手段 上記目的を達成するための本発明の技術的解決手段は、
互いにわずかに周波数が異なり、かつ偏光面が異なる2
光束を同時に出射するコヒーレン11 ベージ ト光源と、所定の間隔で配置され、互いに位置合わせさ
れるマスクおよびウェハにそれぞれ設けられ、異なるピ
ッチの回折格子を合成した複合回折格子と、上記コヒー
レント光源からの光を上記マスクおよびウェハの複合回
折格子に照明し、これら複合回折格子からの異なる2波
長の回折光を光学的に合成させる合成手段と、上記マス
クおよびウェハの複合回折格子からのそれぞれ合成され
た回折光の光ヒート信号を検出する検出手段とを備え、
上記検出手段から得られる光ヒート信号の位相比較から
得られる位置ずれ信号により、上記マスクおよびウェハ
の相対位置を制御するように構成したものである。
そして、上記合成手段が、異なるピッチの回折格子を合
成し、コヒーレント光源からの光を照明する複合回折格
子を有する基準格子と、この基準格子の複合回折格子で
回折された回折光を選択的に透過し、マスクおよびウェ
ハの複合回折格子に照明し、異なる2波長の回折光を上
記マスクおよびウェハの複合回折格子で合成する照明光
学系を備え、上記照明光学系が、基準格子の複合回折格
子からの0次、±1次回折光のうち、±1次回折光の少
なくとも一方の偏光面を入れ替える位相補償板と、上記
0次、±1次回折光を入射させ得る開口数と、上記0次
、+1次、−1次回折光が輝点に分離するスペクトル面
と、0次回折光を遮へいし、±1次回折光に対し、偏光
面が異なる2光束のうち1光束を遮へいする空間フィル
ターを備え、少なくともマスク側でテレセントリックと
なるように構成するのが好ましく、または、上記位相補
償板をスペクトル面近傍に設けるのが好ましい。
また、上記検出手段が、マスクおよびウェハの複合回折
格子からの回折光における偏光面の異なる2光束のうち
、任意の1光束を遮へいするための偏光方向の指定が可
能な偏光子と、この偏光子を透過した回折光を受光する
2つのフォトディテクタを備え、捷たは、上記検出手段
が、マスクおよびウェハの複合回折格子からの回折光に
おける偏光面の異なる2光束を分離する偏光ビームスプ
13 ベージ リッタと、分離された4本の回折光を受光する4つのフ
ォトディテクタを備えるのが好ましい。
また、上記合成手段が、コヒーレント光源からの光を2
光路に分割する第1の光学素子と、分割された光路を更
に2分割し、4本の照明光を、ピッチの異なる回折格子
を合成した複合回折格子による4つの回折角に相当する
角度でマスクおよびウェハの複合回折格子に照明するた
めの2組の第2の光学素子と、一方の組の第2の光学素
子と、マスクの間に配置された偏光面を入れ替える位相
補償板と、他方の組の第2の光学素子とマスクの間およ
び上記位相補償板とマスクの間に配置され、偏光面の異
なる2光束のうちの1光束を遮へいする偏光子を備え、
上記4本の照明光により異なる2波長の回折光を上記マ
スクおよびウェハの複合回折格子で合成するようにし、
上記第1の光学素子がビームスプリッタであり、上記第
2の光学素子がハーフミラ−と全反射ミラーとからなる
のが好ましい。
捷だ、上記合成手段が、コヒーレント光源から14 ベ
ージ の光を2光路に分割する偏光ビームスプリッタと、分割
された光路をさらに2分割し、4本の照明光を、ピッチ
の異なる回折格子を合成した複合回折格子による4つの
回折角に相当する角度でマスクおよびウェハの複合回折
格子に照明するための2組のハーフミラ−および余財ミ
ラーと、一方の組のハーフミラ−および余財ミラーとマ
スクの間に配置された偏光面を入れ替える位相補償板を
備え、上記4本の照明光によシ異なる2波長の回折光を
上記マスクおよびウェハの複合回折格子で合成するよう
にするのが好ましい。
また、上記検出手段が、マスクおよびウェハの複合回折
格子からの回折光における偏光面の異なる2光束を分離
する偏光ビームスプリッタと、分離された4本の回折光
を受光する2つ以上のフォトディテクタを備えるのが好
ましい。
また、上記合成手段が、コヒーレント光源からの光の照
明により回折されたマスクおよびウェハの複合回折格子
からの±1次回折光のうち、少なくとも一方の回折光の
偏光面を入れ替える位相補15 ページ 償板と、上記±1次回折光を合成するビームスプリッタ
とを備えるのが好ましい。
捷だ、上記検出手段が、ビームスプリッタにより合成さ
れたマスクおよびウェハの複合回折格子からの回折光に
おける偏光面の異なる2光束のうち、任意の1光束を遮
へいする偏光子と、この偏光子を透過した回折光から光
ヒート信号を検出するための4つの検出手段を備えるの
が好ましい。
作    用 本発明は、上記構成により次のような作用を有する。
コヒーレント光源から互いにわずかに周波数が異なり、
かつ偏光面が異なる2光束を同時に出射し、マスクおよ
びウェハにそれぞれ設けられ、異なるピッチの回折格子
を合成したバーニア型の複合回折格子に照明すると共に
、合成手段により複合回折格子上で異なる2波長の回折
光を光学的に合成させ、若しくは複合回折格子で回折さ
れた後、異なる2波長の回折光を光学的に合成させ、そ
れぞれ合成された回折光の光ヒート信号を検出手段によ
り検出し、この光ヒート信号の位相比較から位置ずれ信
号を得る。そして、この光へテロタイン法によシ得た位
置ずれ信号により、上記マスクおよびウェハの相対位置
を制御し、マスクおよびウェハの位置合わせを行うこと
ができる。
実施例 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
まず、本発明の第1の実施例について説明する。
第1図ないし第4図は本発明の第1の実施例における位
置合わせ装置を示し、第1図は全体の概略構成図、第2
図は複合回折格子の説明図、第3図はマスクとウェハの
複合回折格子の拡大斜視図、第4図は信号処理動作の説
明図である。
第1図に示すように空間的および時間的コヒーレントの
高いアライメント照明用光源としてHeNeゼー?7L
/−ザ1を用い、コID He −Ne L/ −ザ1
かられずかに異なった周波数f1、f2で、偏光方向が
互いに直交する2波長のレーザ光2を出射スる。このレ
ーザ光2はビームエキスパンダ317 ページ によりそのビーム径を拡大し、ミラー4で光路を折り曲
げ、基準格子5の複合回折格子6で振幅分割する。複合
回折格子6は、ピッチa、bの異なる回折格子、本実施
例では、第2図に示すように4μm ピッチの回折格子
6aと5μmピッチの回折格子6bを重ね合わせて作成
したもので、垂直に入射された光に対しては、9.1 
 と7,3  の方向に4本の±1次回折光7.8.9
.10を生ずる。
2分された光路の一方の一次回折光9.10は位相補償
板である1/2波長板11で偏光方向を互いに入れ替え
る。両光路、すなわち基準格子5の複合回折格子6で回
折された+1次回折光7.8と、複合回折格子6で回折
され、1/2波長板11で偏光された一1次回折光12
.13は、2つのフーリエ変換レンズ14.15と、こ
れらフーリエ変換レンズ14.15の間の空間フィルタ
16からなる両側テレセンドリンクに構成された光学系
に導かれる。この光学系は0次、±1次回折光を入射さ
せ得る開口数を有し、0次、±1次回折光が輝点に分離
するスペクトル面に設けられた空間18 ページ フィルタ16が0次回折光を遮へいすると共に、±1次
回折格子7.8.12.13に対し、偏光面が異なる2
光束のうち、1光束を遮へいする偏光子、本実施例では
P波(垂直成分)を透過し、S波(水平成分)を遮へい
するP波透過偏光子17.19 とS波(水平成分)を
透過し、P波(垂直成、分)を遮へいするS波過偏光子
18.20を有している。そして、この空間フィルタ1
6のP波透過偏光子18、P波透過偏光子19、S波透
過偏光子20で偏光された±1次回折光21.22.2
3.24は、近接して配置され、それぞれ例えばX1Y
1Z、θの4軸移動可能なステージ(図示省略)に支持
されたマスク25 とウェハ26上に形成された位置合
わせマークである複合回折光子26 と27に入射する
。マスク25とウェハ26上の複合回折光子27 と2
8は第3図に示すように上記基準格子5の複合回折格子
6と同一に形成され、フーリエ変換レンズ15から入射
する±1次回折光21.22.23.24  の4本の
光を回折する。±1次回折光21.22.23.24 
の位相は複合回折19 ベーン 格子27.28の変位に対応した位相遅れ、進みを持ち
、4μm ピッチの回折格子6aに対応した回折光は変
位2μmに対して360の位相変化を、5μmピッチの
回折格子6bに対応した回折光は変位25μmに対して
360の位相変化を受ける。マスク25、ウェハ26上
の複合回折格子27.28で回折された回折光29.3
0のうち、マスク 25の複合回折格子27で回折され
た回折光29は結像レンズ31 により、光路を折り曲
げるミラー32を介し、2光束のうちの1光束、すなわ
ちP波、S波のいずれかを遮へいする可動偏光子33で
偏光させ、この回折光34をナイフェツジミラー36の
上方を通過させ、第1のフォトディテクタ37へ導き、
fl、+2成分を干渉させてヒートを生じさせる。他方
のウェハ26の複合回折格子28で回折された回折光3
0は結像レンズ31によりミラー32を介して上記と同
様、可動偏光子33で偏光させ、この回折光35をナイ
フェツジミラー36上に結像させて反射させ、光路を折
り曲げるミラー38を介して第2のフォトディテクタ3
9へ導き、fl、+2成分を干渉させてヒートを生じさ
せる。したがって、第1と第2のフォトディテクタ37
.39で2つの異なる周波数f1、[2の光ヒート信号
が観測され、この2つのヒート信号の位相差を計測する
ことにより、この位相差はfl、+2の2光束の位相差
に等しいので、2つの複合回折格子27.28の位置ず
れ量を検出することができる。複合回折格子27.28
の5μm ピンチに相当する回折光を抽出するときには
、可動偏光子33でS波を選び、4μm ピッチに相当
する回折光を抽出するときには、可動偏光子33でP波
を選ぶ。
次にマスク25 とウェハ26の位−合わせ動作の詳細
について説明する。
光の偏光方向は水平偏光を記号「〆」、垂直偏光を記号
「土」で表記し、複合回折格子6.27.28の2つの
ピッチを「a」、「b」で表記することとし、例えば、
周波数f1、水平偏光〃、1次回折光はUf、a(−1
)、若しくはUfzb(−1)と表記する。なお、回折
を2回行った回折光は、21 ページ 回折次数の2値表示を行う。例えば、周波数12、垂直
偏光上、+1次回折の後、+1次回折を受けた光はUf
2a(+1、+1)、若しくは、Uf2b(+1、+1
)で表記する。この表記方法を用いると、ゼーマンレー
ザーから出るレーザ光2はUf。
(0)、Uf2(0)で表わすことができる。このレー
ザ光2が基準格子5の複合回折格子6で回折されて生じ
る+1次回折光7.8と一1次回折光9.10のうち、
+1次回折光7はUf□8(+1.)、Uf2a(+1
)で表わされ、+1次回折光8はUf□、(+1)、U
「25(+1)で表わされ、−1次回折光9はUfla
(−1)、Ufza(”)で表わさ上 れ、−1次回折光10はUγ□、(−1)、Uf2b(
−1)で表わされる。−1次回折光12と 13は一1
次回折光9と10が1/2波長板11を透過したもので
あシ、偏光方向が90°変換している。
よって、−1次回折光12はUfla(−1)、Uf2
a(−1)で表され、−1次回折光13はUf16(−
1)、UfzH(1)  で表わされる。空間フィルタ
15のP波透過偏光子17を透過して得られ22ベーゾ た+1次回折光21はUf23(+1)で表わされ、S
波透過偏光子]8を透過して得られた+1次回折光22
はUflb(+1)で表わされ、P波透過偏光子19を
透過して得られた一1次回折光23は上 Ufla(−1)で表わされ、S波透過偏光子20を透
過して得られた一1次回折光24はUfzb(Dで表わ
される。これら+1次回折光21.22と1次回折光2
3.24がマスク25とウェハ26の複合回折格子27
と28でそれぞれ+1次と一1次に回折された回折光2
9と30はUf2.(+1、+1)、Uf□b(+1、
+1)、Ufla(−1、−1)、Uf2b(1、−1
)で表わされる。
ここで、回折光29.30の複素振幅は次式で与えられ
る。
工 Ufla(−1、−1)=A1 expi (2yr 
f 1a t−δ) −(1)Uf2b(’、−1)=
A2 expi (2rr f 2b を−δ)(2)
”F□b(+1、+1 )−A1 expi (2xf
□5を十δル、(3)工 Uf2a(+1、−1−1 )−A2 expi (2
πf 2a を十δ) −(4)ΔX ここで、δ−2π下である。
(1)〜(4)式中の変数δはマスク25の複合回折格
23 ベー/ 子27がX方向に△Xだけ変位することにより生ずる。
複合回折格子27で回折された回折光29は+1次回折
光20.21、−1次回折光22.23の各回折光が同
一光路上に存在するため、(1)式で表わされたUfl
a(−1、−1)および(4)式で表されたUf2a(
+1、+1)とは偏光方向が等しいため、光路上で干渉
して合成され、(2)式で表わされたUf2b(”、−
1)および(3)式で表わされたUf15(+1、+1
)とは偏光方向が等しいため、光路上で干渉して合成さ
れる。これらの合成光をE(1)a、E(//)bとお
くと、それぞれ次式%式% マスク25の複合回折格子27からの回折光29は上記
E(1)31E(//)bの混在したものであり、E(
上)alB(//)bは偏光方向が直交しているため、
光路上では干渉しない。
ここで、可動偏光子33によシ回折光29のうち、E(
2)a成分のみを分離し、光強度I51を検出すれば、
■51は次式で与えられる。
Is” = l E(−L) a 12A12+A22
+2AIA2cos(2π(fla  f2a)t ’
;lδ)(力 (7)式における第3項が光ヒート信号と呼ばれるもの
であり、周波数([1−12)の交流信号が得られる。
マスク25の複合回折格子27が△X移動すると、(7
)式の第3項で表わされる光ヒート信号△X − の位相が4π丁(フジアン)だけ変化する。光ヒート信
号の位相を1°(実際にはもっと細かく読める)で検出
すると、そのときの△Xは△X=P/720となる。
これが光ヒート信号を検出することによシ、マスク複合
回折格子27の移動量△Xを検出する原理である。本実
施例においては、回折光29に存在するE(1)a、E
(/7)bを分離するために256−ノ 可動偏光子33を用いており、分離されたE(土)a若
しくはE(//)bは第1のフォトディテクタ37で光
強度■51に変換され、光ヒート信号を検出している。
これとまったく同様にして、ウェハ26上に設けた複合
回折格子28の移動量へX′も検出できる。
ウェハ26の複合回折格子28で回折されだ回折光30
は(5)、(6)式と同様にして定義され、(8)、(
9)式で表わされる。
上 E(土)a−Ufla (−1、1)+U (2a (
+i、 +1 )Axexpi (2πfia を−δ
’) +A2expi (2πf2a t−δ′)・・
・・・(8) E(//) b = U f□、(+1、+1)十Uf
2.(−1、−1)−Alexpi(2πflbt−δ
’) +Azexpi (2πfzbt−δ′)ここで
、E(//)b成分のみを可動偏光子33で分解し、ナ
イフェツジ36、ミラー38を介して光強度■s2を第
2のフォトディテクタ39で検出すると、■52は次式
で表わされる。
26 ベーン ■5l−IE(//)b A12+A22+2AIA2CO3(2yr(fib−
f2b)t+2δ′)・・・・・(10) (力式で表わされる第1のフォトディテクタ 37で検
出できる光ヒート信号と、θ0)式で表わされる第2の
フォトディテクタ39で検出できる光ヒート信号の位相
差△φは次式で表わされる。
△φ−2δ−2δ′−4π(△X−△X’ ) /P 
 ・・・・α1)ここで、△X′−ΔX1X//′と置
くと、(121式で表わされる。
△φ=4π△X  /P          ・・ ・
・α2(121式において、ΔX はマスク25とウェ
ハ26との相対移動量にほかならない。
よって第1のフォトディテクタ37と第2のフォトディ
テクタ39で検出できる光ヒート信号の位相比較をする
ことにょシ、第4図に示すようにマスク25 とウェハ
26の相対変位量Xが位置すれ信号a、bとして検出で
き、その位置ずれ信号により、現在の位置ずれ量が20
μmの検出範囲41内でわかる。そこで、上記位置ずれ
量をステ27 べ一ン 一ジ移動によシ補正し、マスク25、ウェハ26の相対
変位を精合わせ範囲40内に納める。このような動作に
より、検出範囲20μm1検出分解能5μm 以下の位
置合わせが可能になる。
以上のように本実施例によれば、マスク25 とウェハ
26の位置合わせマークとして複合回折格子27.28
を用い、合成手段として、複合回折格子6を有する基準
格子5.1/2波長板]1、フーリエ変換レンズ14.
15、空間フィルタ16を用い、上記複合回折格子27
.28からのそれぞれ合成された回折光29.30の光
ヒート信号を検出して光ヒート信号の位相比較から位置
ずれ信号を得るようにしているので、バーニア法と光ヘ
テロダイン法の原理から、広い検出範囲と高い分解能を
持った位置ずれ検出光学系を容易に構成することができ
る。また、フーリエ変換レンズ14.15による結像の
原理を用いているため、複合回折格子6を用いても、光
学系調整が複雑にならないという利点もある。
なお、1/2波長板11は0次、1次、−1次回折光が
輝点に分離するスペクトル面に設けてもよい。
次に本発明の第2の実施例について説明する。
第5図は本発明の第2の実施例における位置合わせ装置
を示す全体の概略構成図である。
本実施例においては、上記第1の実施例における可動偏
光子33の切り換え操作を不要とするために、ナイフェ
ツジミラー36の上方を通過するマスク25の複合回折
格子27からの回折光29のうち、E(2)a、E(〃
)bの成分を分離する偏光ビームスプリッタ42 と、
ナイフェツジミラー36で反射されるウェハ26の複合
回折格子28からの回折光30のうち、E(2)aとE
(//)bの成分を分離する偏光ビームスプリッタ43
  と、各ビームスプリッタ42.43で分解された成
分の光束を導く4つのフォトディテクタ44.45.4
6.47を用い、フォトディテクタ44と46により格
子ピッチaにおけるマスク25 とウェハ27の相対位
置ずれ量を検出し、フォトディテクタ45と47により
格子ピッチbにおけるマスク29 ベーン 25  とウェハ26 の相対位置ずれ量を検出し、こ
の位置ずれ信号により、上記マスク25 およびウェハ
26の相対位置を制御して位置合わせするようにしたも
のであシ、その他の構成は上記第1の実施例と同様であ
る。
次に本発明の第3の実施例について説明する。
第6図は本発明の第3の実施例における位置合わせ装置
を示す全体の概略構成図である。
本実施例においては、上記第1の実施例における複合回
折格子6を有する基準格子5、フーリエ変換レンズ14
.15を第1の光学素子であるビームスプリッタ48 
と、2組の第2の光学素子であるハーフミラ−49,5
0および全反射ミラー51.52に置き換えると共に、
ナイフェツジミラー36、可動偏光子33、フォトディ
テクタ37.39等を偏光ビームスプリッタ53.2分
割フォトディテクタ54.55に置き換えたものである
そして、ゼーマンレーザ1から出射したわずかに異なっ
た周波数11、f2で、偏光方向が互いに〃l上 直交する2波長のレーザ光2(Ufl、Uf2)は、3
0 ページ ビームエキスパンダ3によりビーム径を拡大し、ビーム
スプリッタ48で2分割する。この2分割したレーザ光
56 (Uf□、Uf2)、57(Uτ□、Uす。)を
ハーフミラ−49,50と全半射ミラー51.52によ
り2分割し、4本の照明光58(Ufl、Ufz)、l
   ユ          〃   ユ59(Ufよ
、U[2)、60(tJ(□、Uf2)、61(U[1
、工 Uf2)をピッチの異なる回折格子を合成した複合回折
格子(第1の実施例の基準格子5の複合回折格子6に相
当)による4つの回折角(第1の実施例の±1次回折光
7.8.9.10に相当)に相当する角度でマスク25
およびウェハ26の複合回折格子27および28に照明
するように設定する。照明光60と61は1/2波長板
11によシ偏光面が入れ替えられた照明光62.63 
(Ufl、Uf2)になる。照明光58がP波透過偏光
子17を透過して得られた照明光64(Uf2)、照明
光5つ がS波透過偏光子18を透過して得られた照明
光65(Ufl)、照明光62がP波透過偏光子19透
過して得られた照明光66(Ur□)、照明光63がS
波透過偏光子20を透過して得られた照31 ヘーノ 明光67(U(2)は、上記第1の実施例の±1次回折
光21.22.23.24 と同様の関係となる。これ
らの照明光64.65.66.67はマスク25、ウェ
ハ26の複合回折格子27.28て回折され、これらの
回折光68.6つは偏光ビームスプリッタ53で同じ偏
光方向の回折光のみが分離され、2分割フォトディテク
タ54.55へ導かれ、干渉する。したがって、2分割
フォトディテクタ54.55で2つの異なる周波数fl
、f2の光ヒート信号を観測し、この2つの光ヒート信
号の位相差を計測することにより、2つの複合回折格子
27.28の位置ずれ量を検出することができ、この位
置ずれ信号により、マスク25およびウェハ26の相対
位置を制御して位置合わせすることができる。
以上のように本実施例によれば、マスク25 とウェハ
26の位置合わせマークとして複合回折格子27.28
を用い、合成手段として、ビームスプリッタ48、ハー
フミラ−49,50、を全半対ミラー51.52.1/
2波長板11、P波透過偏光子17.19、S波透過偏
光子18.20を用い、上記複合回折格子27.28か
らのそれぞれ合成された回折光の68.69の光ヒート
信号を検出して光ヒート信号の位相比較から位置ずれ信
号を得るようにしているので、バーニア法と光ヘテロダ
イン法の原理から、広い検出範囲と高い分解能を持った
位置ずれ検出光学系を容易に構成することができる。
なお、本実施例において、ビームスプリンタ48に替え
て偏光ビームスプリッタを用い、P波透過偏光子17.
19、S波透過偏光子18.20を除去することにより
、上記と同様の作用効果を得ることができる。
次に本発明の第4の実施例について説明する。
第7図は本発明の第4の実施例における位置合わせ装置
を示す全体の概略構成図である。
本実施例においては、第7図に示すようにゼーマンレー
ザ1から出射したわずかに異なった周波数11、[2て
、偏光方向が互いに直交する2波長l   工 のレーザ光2(Ufo、Uf2)をミラー70で折シ3
3 ヘ一/ 曲げ、マスク25 とウェハ26上の複合回折格子27
 と28に照射させる。各複合回折格子27と73、と
74と77.78の偏光面を1/2波長板光7】、72
.80.81 および75.76.82.83を誘電体
キューブビームスプリッタ84に入射させ、+1次回折
光71.72.75.76  と−1次回折光80.8
1.82.83  を重ね合わせる。ここで、本実施例
におけるマスク25 とウェハ26上の複合回折格子2
7と28が同一のピッチであり、上記従来例のような回
折角の違いによる回折光の分離が困難であるだめ、シリ
ンドリカルレンズ85を用い、マスク25とウェハ26
の複合(ロ)折格子34 ぺ一7 27 と28からの回折光の分離を行う。そして、偏光
子86によシ上記回折光のうち、P波、あるいはS波の
みを透過し、この透過した光を4つのフォトディテクタ
87.88.89.90  上で干渉させることにより
光ヒート信号を検出することができ、位相計91で位置
ずれ2μmに対して360°の位相変化をする位置ずれ
信号を得ることができ、位相計92で位置ずれ2.5μ
mに対して36000位相変化をする位置ずれ信号を得
ることができる。
これらの位置ずれ信号と第4図に示したグラフに基づい
て20μmの検出範囲41のマスク25とウェハ26間
の相対変位を知ることができ、マスク25とウェハ26
の相対位置を制御して位置合わせするようにしたもので
ある。
以上のように本実施例によれば、マスク25 とウェハ
26の位置合わせマークとして複合回折格子27.28
を用い、誘電体キー−ブビームスプリッタ84 による
複合回折格子27.28からのそれぞれ合成された回折
光のヒート信号を検出して光ヒート信号の位相比較から
位置ずれ信号を得るよ35 へ−ノ うにしているので、光ヘテロダイン法とバーニア法の原
理から、広い検出範囲と高い分解能を持った位置ずれ検
出光学系を容易に構成することができる。
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、コヒーレント光源か
ら互いにわずかに周波数が異なり、かつ偏光面が異なる
2光束を同時に出射し、マスクおよびウェハにそれぞれ
設けられ、異なるピッチの回折格子を合成したバーニア
型の複合回折格子に照明すると共に、合成手段によシ複
合回折格子上で異なる2波長の回折光を光学的に合成さ
せ、若しくは複合回折格子で回折された後、異なる2波
長の回折光を光学的に合成させ、それぞれ合成された回
折光の光ヒート信号を検出手段により検出し、この光ヒ
ート信号の位相比較から位置ずれ信号を得る。そして、
この光ヘテロダイン法により得た位置ずれ信号により、
上記マスクおよびウェハの相対位置を制御し、マスクお
よびウェハの位置合わせを行うようにしている。このよ
うに光へテロダイン法とバーニアの原理を組合わせるこ
とにより、光強度の変動に影響されることなく、安定で
、高分解能の位置ずれ検出を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第4図は本発明の第1の実施例における位
置合わせ装置を示し、第1図は全体の概略構成図、第2
図は複合回折格子の説明図、第3図はマスクとウェハの
複合回折格子の拡大図、第4図は信号処理動作の説明図
、第5図は本発明の第2の実施例を示す全体の概略構成
図、第6図は本発明の第3の実施例を示す全体の概略構
成図、第7図は本発明の第4の実施例を示す全体の概略
構成図、第8図および第9図は従来の位置合わせ装置を
示し、第8図は全体の概略構成図、第9図は複合回折格
子の説明図である。 1・・・ゼーマンレーザ、5・・・基準格子、6・・・
複合回折格子、11・ 1/2波長板、14.15・フ
ーリエ変換レンズ、16  ・空間フィルター 17 
 ・・P波透過偏光子、18−8波透過偏光子、19 
 ・37 ベーン P波透過偏光子、20・ S波透過偏光子、25マスク
、26   ウェハ、27.28・・・複合回折格子、
31・・・結像レンズ、33・・可動偏光子、36・・
・ナイフェツジミラー 37.39・・・フォトディテ
クタ、42.43・・・偏光ビームスプリッタ、44.
45.46.47・・フォトディテクタ、48・・・ビ
ームスプリッタ、49.50・・・ハーフミラ−51,
52・・全反射ミラー 53−・・偏光ビームスプリッ
タ、54.55・・・2分割フォトディテクタ、79・
・・1/2波長板、84・・・誘電体キューブビームス
プリッタ、85 ・シリトリカルレンズ、86  ・偏
光子、87.88.89.90・・・フォトディテクタ
、91.92・・・位相計。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名派

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)互いにわずかに周波数が異なり、かつ偏光面が異
    なる2光束を同時に出射するコヒーレント光源と、所定
    の間隔で配置され、互いに位置合わせされるマスクおよ
    びウェハにそれぞれ設けられ、異なるピッチの回折格子
    を合成した複合回折格子と、上記コヒーレント光源から
    の光を上記マスクおよびウェハの複合回折格子に照明し
    、これら複合回折格子からの異なる2波長の回折光を光
    学的に合成させる合成手段と、上記マスクおよびウェハ
    の複合回折格子からのそれぞれ合成された回折光の光ヒ
    ート信号を検出する検出手段とを備え、上記検出手段か
    ら得られる光ヒート信号の位相比較から得られる位置ず
    れ信号により、上記マスクおよびウェハの相対位置を制
    御するように構成したことを特徴とする位置合わせ装置
  2. (2)合成手段が、異なるピッチの回折格子を合成し、
    コヒーレント光源からの光を照明する複合回折格子を有
    するこの基準格子と、この基準格子の複合回折格子で回
    折された回折光を選択的に透過し、マスクおよびウェハ
    の複合回折格子に照明し、異なる2波長の回折光を上記
    マスクおよびウェハの複合回折格子で合成する照明光学
    系を備えた請求項1記載の位置合わせ装置。
  3. (3)照明光学系が、基準格子の複合回折格子からの0
    次、±1次回折光のうち、±1次回折光の少なくとも一
    方の偏光面を入れ替える位相補償板と、上記0次、±1
    次回折光を入射させ得る開口数と、上記0次、+1次、
    −1次回折光が輝点に分離するスペクトル面と、0次回
    折光を遮へいし、±1次回折光に対し、偏光面が異なる
    2光束のうちの1光束を遮へいする空間フィルターを備
    え、少なくともマスク側でテレセントリックとなってい
    る請求項2記載の位置合わせ装置。
  4. (4)位相補償板がスペクトル面近傍に設けられた請求
    項3記載の位置合わせ装置。
  5. (5)検出手段が、マスクおよびウェハの複合回折格子
    からの回折光における偏光面の異なる2光束のうち、任
    意の1光束を遮へいするための偏光方向の指定が可能な
    偏光子と、この偏光子を透過した回折光を受光する2つ
    のフォトディテクタを備えた請求項1ないし4のいずれ
    かに記載の位置合わせ装置。
  6. (6)検出手段が、マスクおよびウェハの複合回折格子
    からの回折光における偏光面の異なる2光束を分離する
    偏光ビームスプリッタと、分離された4本の回折光を受
    光する4つのフォトディテクタを備えた請求項1ないし
    4のいずれかに記載の位置合わせ装置。
  7. (7)合成手段が、コヒーレント光源からの光を2光路
    に分割する第1の光学素子と、分割された光路を更に2
    分割し、4本の照明光を、ピッチの異なる回折格子を合
    成した複合回折格子による4つの回折角に相当する角度
    でマスクおよびウェハの複合回折格子に照明するための
    2組の第2の光学素子と、一方の組の第2の光学素子と
    、マスクの間に配置された偏光面を入れ替える位相補償
    板と、他方の組の第2の光学素子とマスクの間および上
    記位相補償板とマスクの間に配置され、偏光面の異なる
    2光束のうちの1光束を遮へいする偏光子を備え、上記
    4本の照明光により異なる2波長の回折光を上記マスク
    およびウェハの複合回折格子で合成する請求項1記載の
    位置合わせ装置。
  8. (8)第1の光学素子がビームスプリッタである請求項
    7記載の位置合わせ装置。
  9. (9)第2の光学素子がハーフミラーと全反射ミラーと
    からなる請求項7記載の位置合わせ装置。
  10. (10)合成手段が、コヒーレント光源からの光を2光
    路に分割する偏光ビームスプリッタと、分割された光路
    をさらに2分割し、4本の照明光を、ピッチの異なる回
    折格子を合成した複合回折格子による4つの回折角に相
    当する角度でマスクおよびウェハの複合回折格子に照明
    するための2組のハーフミラーおよび全射ミラーと、一
    方の組のハーフミラーおよび全射ミラーとマスクの間に
    配置された偏光面に入れ替える位相補償板を備え、上記
    4本の照明光により異なる2波長の回折光を上記マスク
    およびウェハの複合回折格子で合成する請求項1記載の
    位置合わせ装置。
  11. (11)検出手段が、マスクおよびウェハの複合回折格
    子からの回折光における偏光面の異なる2光束を分離す
    る偏光ビームスプリッタと、分離された4本の回折光を
    受光する2個以上のフォトディテクタを備えた請求項1
    0記載の位置合わせ装置。
  12. (12)合成手段が、コヒーレント光源からの光の照明
    により回折されたマスクおよびウェハの複合回折格子か
    らの±1次回折光のうち、少なくとも一方の回折光の偏
    光面を入れ替える位相補償板と、上記±1次回折光を合
    成するビームスプリッタとを備えた請求項1記載の位置
    合わせ装置。
  13. (13)検出手段が、ビームスプリッタにより合成され
    たマスクおよびウェハの複合回折格子からの回折光にお
    ける偏光面の異なる2光束のうち、任意の1光束を遮へ
    いする偏光子と、この偏光子を透過した回折光から光ヒ
    ート信号を検出するための4つの検出手段を備えた請求
    項12記載の位置合わせ装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH07123108B2 (ja) * 1990-10-31 1995-12-25 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 偏光と2重共役投映レンズを使った近接位置合せシステム
SG120949A1 (en) * 2002-09-20 2006-04-26 Asml Netherlands Bv Alignment system and methods for lithographic systems using at least two wavelengths

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