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JPH02168673A - Ｍｉｓトランジスタ - Google Patents

Ｍｉｓトランジスタ

Info

Publication number
JPH02168673A
JPH02168673A JP63324171A JP32417188A JPH02168673A JP H02168673 A JPH02168673 A JP H02168673A JP 63324171 A JP63324171 A JP 63324171A JP 32417188 A JP32417188 A JP 32417188A JP H02168673 A JPH02168673 A JP H02168673A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
diffusion layer
gate electrode
drain
layer formation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63324171A
Other languages
English (en)
Inventor
Kunihiro Koyabu
小薮　國広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP63324171A priority Critical patent/JPH02168673A/ja
Publication of JPH02168673A publication Critical patent/JPH02168673A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311—Gate electrodes for field-effect devices
    • H10D64/411—Gate electrodes for field-effect devices for FETs
    • H10D64/511—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs
    • H10D64/517—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the conducting layers
    • H10D64/519—Gate electrodes for field-effect devices for FETs for IGFETs characterised by the conducting layers characterised by their top-view geometrical layouts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/124—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of semiconductor bodies or of junctions between the regions
    • H10D62/126—Top-view geometrical layouts of the regions or the junctions

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路のＭＩＳ）ヲンジスタに関し、
特に高密度化の図れるＭＯＳ）ランジスタに関する。
〔従来の技術〕
従来この種のＭＯＳ）ランジスタは第４図に示すように
、単一のソース領域１と、ポリシリコン膜からなるゲー
ト電極６をリング状にし、各々のドレイン領域２０〜２
３をコンタクト孔３０〜３３を経由して金属配線（ドレ
イン電極４）と接続し、ソース領域ｌをコンタクト孔３
９を経由して金属配線（ソース電極５）に接続した構造
となっている。
この時の総チャネル幅と拡散領域のサイズは以下の式で
与えられる。
〔総チャネル幅〕＝（〔コンタクト孔〕＋〔コンタクト
孔〜拡散マージン）Ｘ２）Ｘ４ 〔拡散サイズ横〕嬌〔拡散サイズ縦〕 ＝〔コンタクト孔）Ｘ３＋（コンタクト孔〜拡散マージ
ン）Ｘ４＋Ｃコンタク ト測〜ゲートマージン１ｘ９ｒが−ト ・・・・・・（１） また、第４図の４個のドレイン領域を１つの拡散領域に
すると第５図となるが、この場合の総チャネル幅と拡散
サイズは以下のようＫなる。
・・・・・・（２） いずれの場合も小さい面積で広いゲート幅のＭＯＳ）ラ
ンジスタが作シ難いので第６図に示すようＩＣ２個のＭ
Ｏ８トｔトランジスタース領域共通としたものが使用さ
れている。この場合は以下のようになる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のＭＯＳトランジスタは、大きいチャネル
幅のものを得ようとすると大きなサイズのものが必要と
なり、面積効率が悪い欠点を有している。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、半導体基板に形成されたフィールド絶縁膜で
区画された拡散層形成領域と、前記拡散層形成領域上に
ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲ
ート電極を挾んでそれぞれ前記拡散層形成領域に設けら
れたソース領域及びドレイン領域とを有するＭＩＳトラ
ンジスタにおいて、前記ゲート電極は複数回逆方向に曲
折した閉ループ状であって前記拡散層形成領域を単一の
ソース領域（又はドレイン領域）と少なくとも４個のド
レイン領域（又はソース領域）に区分しているというも
のである。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示すレイアウト図であ
る。
この実施例は半導体Ｓｉ基板に形成されたフィールド酸
化膜で長方形に区画された拡散層形成領域４０と、拡散
層形成領域４０上にゲート酸化膜（図示しない）を介し
て設けられたポリシリコン膜からなるゲート電極６と、
ゲート電極６を挾んでそれぞれ拡散層形成領域４０に設
けられた拡散又はイオン注入により形成された拡散層か
らなるソース領域及びドレイン領域とを有するＭＯＳト
ランジスタであって、ゲート電極６は複数回逆方向に曲
折した閉ループ状であって拡散層形成領域４０を単一の
十字形のソース領域１と４個の正方形のドレイン領域２
０〜２３に区分しているというものである。
この時の総チャネル幅と拡散領域のサイズは以下の式で
与えられる。
・・・・・・（４） めると （５）式の値を仮定して（４）式に代入すると・・・・
・・（５） （１／μｍ〕 第６図の場合には、第１図の総チャネル幅と同じになる
ようにすれば 単位面積当りの総チャネル幅Ｘ１は 〔１／μｍ〕 となシ ・・・・・・（８） よって 〔１７μｍ〕 第５図の場合は、（２）式に（５）式を代入してＸを求
（１／μｍ〕 となる。
従って、従来例に比べて単位面積当りの総チャ、ネル幅
は少なくとも３３％改善されている。
第２図は本発明の第２の一実施例を示すレイアウト図で
ある。
第１図のものに比較してソース領域のコンタクトを４５
°回転させて〔拡散サイズ横〕を小さくしている以外は
第１図と全く同様であるが、折れ曲り部におけるゲート
長の不均一が改善されている。
第３図は本発明の第３の実施例を示すレイアウト図であ
る。第１図のものく比較して６個のドレイン領域を作成
した魚身外は全く同様であるが、単位面積当りの総チャ
ネル幅は一層大きくとれる。
図には示さないが８個以上の場合でも同様であり、また
第３図の拡散方向とは垂直（つまシ横）方向に拡散して
考えても同様である。
又、ＭＯＳ）ランジスタの例を説明したがＭＩＳトｙン
ジスタについても全く同様である。
なお、第１図〜第６図において便宜上斜視を附した部分
は断面を意味するものではない。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はゲート電極を複数回逆方向
に曲折した閉ループ状にして拡散層形成領域を単一のソ
ース領域（またはドレイン領域）と少なくとも４個のド
レイン領域（！！たはソース領域）に区分することによ
り、ＭＩ８トランジスタの単位面積機シのチャネル幅を
大きくすることができるので、集積回路の高密度化が達
成できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第３図はそれぞれ本発明の第１〜第３の〆実施
例を示すレイアウト図、第４図〜第６図はそれぞれ従来
例を示すレイアウト図である。 ｌ・・・・・・ソース領域（またはドレイン領域）、４
・・・・・・ドレイン電極、５・・・・・・ソース電極
、６・・・・・・ゲート電極、２０〜２５・°°・°°
ドレイン領域（又はソース領域）、３０〜３５．３９・
・・・・・コンタクト孔、４０・・・・・・拡散層形成
領域。 代理人　弁理士　　内　原　　　晋 あと内 あイ因 烹６内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板に形成されたフィールド絶縁膜で区画された
    拡散層形成領域と、前記拡散層形成領域上にゲート絶縁
    膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極を
    挾んでそれぞれ前記拡散層形成領域に設けられたソース
    領域及びドレイン領域とを有するＭＩＳトランジスタに
    おいて、前記ゲート電極は複数回逆方向に曲折した閉ル
    ープ状であって前記拡散層形成領域を単一のソース領域
    （又はドレイン領域）と少なくとも４個のドレイン領域
    （又はソース領域）に区分していることを特徴とするＭ
    ＩＳトランジスタ。
JP63324171A 1988-12-21 1988-12-21 Ｍｉｓトランジスタ Pending JPH02168673A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63324171A JPH02168673A (ja) 1988-12-21 1988-12-21 Ｍｉｓトランジスタ

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JP63324171A JPH02168673A (ja) 1988-12-21 1988-12-21 Ｍｉｓトランジスタ

Publications (1)

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JPH02168673A true JPH02168673A (ja) 1990-06-28

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ID=18162891

Family Applications (1)

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JP63324171A Pending JPH02168673A (ja) 1988-12-21 1988-12-21 Ｍｉｓトランジスタ

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JP (1) JPH02168673A (ja)

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