JPH02152285A - 光伝送リンク用内部光素子 - Google Patents
光伝送リンク用内部光素子Info
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- JPH02152285A JPH02152285A JP63306376A JP30637688A JPH02152285A JP H02152285 A JPH02152285 A JP H02152285A JP 63306376 A JP63306376 A JP 63306376A JP 30637688 A JP30637688 A JP 30637688A JP H02152285 A JPH02152285 A JP H02152285A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光伝送リンクに用いる内部光素子の構造に関
する。
する。
従来、この種の光伝送リンク用内部光素子は、第7図に
示すような、光素子ペレットが単一の非導電性透明樹脂
で一次モールドされた構造となっていた。
示すような、光素子ペレットが単一の非導電性透明樹脂
で一次モールドされた構造となっていた。
上述した従来の光伝送リンク用内部光素子は、非導電性
の透明樹脂でモールドしであるため、他の機器から放出
された輻射ノイズ(電磁誘電ノイズなど)の影響を受け
るという欠点がある。
の透明樹脂でモールドしであるため、他の機器から放出
された輻射ノイズ(電磁誘電ノイズなど)の影響を受け
るという欠点がある。
又、従来の方法として、上述した欠点を防ぐために、光
素子を金属などの導電性ケースで覆いシールドさせてい
たが、その場合ケースの小形化が難しく、価格も高くな
るという欠点もある。
素子を金属などの導電性ケースで覆いシールドさせてい
たが、その場合ケースの小形化が難しく、価格も高くな
るという欠点もある。
さらに、導電性ケースを使用する場合、ケースとリード
の接触による電気的短絡を起こす可能性もある。
の接触による電気的短絡を起こす可能性もある。
本発明の光伝送リンク用内部光素子は、光素子ペレット
が、非導電性透明樹脂で一次モールドされ、さらにその
外側を導電性の透明樹脂で二次モールドされていること
を有している。
が、非導電性透明樹脂で一次モールドされ、さらにその
外側を導電性の透明樹脂で二次モールドされていること
を有している。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。第1
図は、本発明の実施例1の縦断面図である。受光ヘレッ
ト1をリードフレーム5にマウントし、ポンディング線
4にてポンデイグ後、それらを非導電性の透明樹脂2(
例えばエポキシ系樹脂)で−次モールドしている。更に
そのまわりを導電性透明樹脂3(例えばカーボン入つエ
ポキシ系樹脂)で二次モールドした構造となっている。
図は、本発明の実施例1の縦断面図である。受光ヘレッ
ト1をリードフレーム5にマウントし、ポンディング線
4にてポンデイグ後、それらを非導電性の透明樹脂2(
例えばエポキシ系樹脂)で−次モールドしている。更に
そのまわりを導電性透明樹脂3(例えばカーボン入つエ
ポキシ系樹脂)で二次モールドした構造となっている。
導電性透明樹脂3は、3本のリード91本と結合し接地
されており、他の2本とは、極薄い非導電性透明樹脂2
の膜を介している。このため、リード間の電気的絶縁性
を損なわない構造となっている。
されており、他の2本とは、極薄い非導電性透明樹脂2
の膜を介している。このため、リード間の電気的絶縁性
を損なわない構造となっている。
第2図は、第1図の正面図であり、第3図は、第2図の
下面図である。
下面図である。
第4図は、本発明の実施例2の縦断面図である。
発光ペレット6をリードフレーム5にマウントし、ポン
ディング線4にてボンディング後、それらを非導電性の
透明樹脂2で一次モールドしており、さらに、そのまわ
りを導電性透明樹脂3で二次モールドした構造となって
いる。導電性透明樹脂3は、3本のリード91本と結合
し接地されており、他の2本とは極薄い非導電性透明樹
脂2の膜を介している。このため、リード間の電気的絶
縁性を損なわない構造となっている。この実施例では、
光素子ペレットが発光ペレットであり、導電性透明樹脂
3でシールドすることにより、素子内部で発生する輻射
ノイズを外部に放出しないという利点がある。第5図は
第4図の正面図であり、第6図は第5図の下面図である
。
ディング線4にてボンディング後、それらを非導電性の
透明樹脂2で一次モールドしており、さらに、そのまわ
りを導電性透明樹脂3で二次モールドした構造となって
いる。導電性透明樹脂3は、3本のリード91本と結合
し接地されており、他の2本とは極薄い非導電性透明樹
脂2の膜を介している。このため、リード間の電気的絶
縁性を損なわない構造となっている。この実施例では、
光素子ペレットが発光ペレットであり、導電性透明樹脂
3でシールドすることにより、素子内部で発生する輻射
ノイズを外部に放出しないという利点がある。第5図は
第4図の正面図であり、第6図は第5図の下面図である
。
以上説明したように、本発明は、光素子ペレットが非導
電性の透明樹脂で一次モールドされ、さらにその外側を
導電性の透明樹脂で二次モールドされているが、その導
電性透明樹脂はリードと結合し、接地することができる
ので、シールドが可能であり、輻射ノイズの侵入による
影響を防止できる効果がある。
電性の透明樹脂で一次モールドされ、さらにその外側を
導電性の透明樹脂で二次モールドされているが、その導
電性透明樹脂はリードと結合し、接地することができる
ので、シールドが可能であり、輻射ノイズの侵入による
影響を防止できる効果がある。
又、従来のような、導電性ケースを必要としないので、
ケースの小形化、低価格化ができる。さらには、リード
とケースの接触による電気的短絡をなくすことができ、
作業性を向上できるという効果もある。
ケースの小形化、低価格化ができる。さらには、リード
とケースの接触による電気的短絡をなくすことができ、
作業性を向上できるという効果もある。
第1図は、本発明の実施例1の縦断面図である。
第2図は、第1図の正面図である。第3図は、第2図の
下面図である。第4図は、本発明実施例2の縦断面図で
ある。第5図は、第4図の正面図であり、第6図は、第
4図の下面図である。第7図は、従来の光素子の縦断面
図である。 l・・・・・・受光ペレット、2・・・・・・非導電性
の透明樹脂、3・・・・・・導電性の透明樹脂、4・・
・・・・ポンディング線、5・・・・・・リードフレー
ム、6・・・・・・発光ペレット、7・・・・・・光素
子ペレット。 代理人 弁理士 内 原 晋 、?i1図 3 S 汐 汐 万4図 第7回 ?
下面図である。第4図は、本発明実施例2の縦断面図で
ある。第5図は、第4図の正面図であり、第6図は、第
4図の下面図である。第7図は、従来の光素子の縦断面
図である。 l・・・・・・受光ペレット、2・・・・・・非導電性
の透明樹脂、3・・・・・・導電性の透明樹脂、4・・
・・・・ポンディング線、5・・・・・・リードフレー
ム、6・・・・・・発光ペレット、7・・・・・・光素
子ペレット。 代理人 弁理士 内 原 晋 、?i1図 3 S 汐 汐 万4図 第7回 ?
Claims (1)
- 光素子ペレットが、非導電性透明樹脂で一次モールドさ
れ、さらにその外側を導電性の透明樹脂で二次モールド
されていることを特徴とする光伝送リンク用内部光素子
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63306376A JPH02152285A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 光伝送リンク用内部光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63306376A JPH02152285A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 光伝送リンク用内部光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02152285A true JPH02152285A (ja) | 1990-06-12 |
Family
ID=17956293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63306376A Pending JPH02152285A (ja) | 1988-12-02 | 1988-12-02 | 光伝送リンク用内部光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02152285A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2783094A1 (fr) * | 1998-09-08 | 2000-03-10 | Fujitsu Ltd | Module semiconducteur optique, film de reflexion, dispositifs laser et optique utilisant un film de reflexion et leur procede de fabrication |
JP2006114879A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 光半導体装置および電子機器 |
US7425727B2 (en) | 2004-09-16 | 2008-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device, method for fabricating the same, lead frame and electronic equipment |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57177580A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-01 | Toshiba Corp | Device for light emission and detection |
JPS5980979A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
-
1988
- 1988-12-02 JP JP63306376A patent/JPH02152285A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57177580A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-01 | Toshiba Corp | Device for light emission and detection |
JPS5980979A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電変換装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2783094A1 (fr) * | 1998-09-08 | 2000-03-10 | Fujitsu Ltd | Module semiconducteur optique, film de reflexion, dispositifs laser et optique utilisant un film de reflexion et leur procede de fabrication |
US6448583B1 (en) | 1998-09-08 | 2002-09-10 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor module, its manufacture, reflection film, its manufacture, and laser and optical devices using reflection film |
US6579737B2 (en) | 1998-09-08 | 2003-06-17 | Fujitsu Limited | Optical semiconductor module, its manufacture, reflection film, its manufacture, and laser and optical devices using reflection film |
JP2006114879A (ja) * | 2004-09-16 | 2006-04-27 | Sharp Corp | 光半導体装置および電子機器 |
US7425727B2 (en) | 2004-09-16 | 2008-09-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device, method for fabricating the same, lead frame and electronic equipment |
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