JPH02151481A - 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 - Google Patents
情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野］
本発明はレーザ光、電子線等の記録用ビームによって、
たとえば映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変調した
ものや、たとえば電子計算機のデータや、ファクシミリ
信号やディジタルオーディオ信号などのディジタル情報
を、リアルタイムで記録することが可能な情報の記録用
薄膜に関するものである。 【従来の技術ル レーザ光によって薄膜に記録を行う記録原理は種々ある
が、膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）、フォトダ
ークニングなどの原子配列変化による記録は、膜の変形
をほとんど伴わないので、２枚のディスクを直接貼り合
わせた両面ディスクができるという長所を持っている。 また、組成を適当に選べば記録の書き換えを行うことも
できる。 この種の記録に関する発明は多数出願されており、最も
早いものは特公昭４７−２６８９７号公報に開示されて
いる。ここではＴｅ−Ｇｅ系、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｔ
ｅ−０系など多くの薄膜について述べられている。また
、特開昭５４−４１９０２号公報にもＧｅ、。’ｒ Ｑ
、５ｂｓＳ８７０など種々の組成が述べられている。ま
た、特開昭５７−２４０３９には、Ｓ ｂｚｉＴ ８ｚ
ｚ＊ｇ Ｓ ｅ６２ａＳ。 Ｃｄ、４Ｔａｉ４Ｓｅ、、、Ｂ ｉ、Ｓｅ、、５ｂ２Ｓ
ｅ、、Ｉ ｎ、、Ｔｅ、。Ｓ ｅｓｌｌ、Ｂ ｉ、、Ｔ
ｅ、、、、 Ｓ ｅ、、、、。 Ｃｕ５ｅ、及びＴ ｅ３３Ｓ ｅ、、の薄膜が述べられ
ている。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術の薄膜はいずれも一回書き込み可能あるい
は書き換え可能な相転移記録膜として用いる場合に結晶
化の速度が遅い、半導体レーザ光の吸収が少なく感度が
悪い、再生信号強度が充分でない、再生波形の歪みが大
きい、あるいは非晶質状態の安定性が悪い、耐酸化性が
不充分である、消え残りが大きいなどの欠点があり、実
用化が困難である。 したがって本発明の目的は上記した従来技術の欠点を無
くし、記録・再生特性が良好で感度が高く、安定性の良
い情報記録用薄膜を提供することに有る。 【課題を解決するための手段１ 上記の目的を達成するために本発明の情報の記録用薄膜
においては、情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成を一
般式ＳｂｘＴｅｙＡｚＢαＣβＤγで表されるものとす
る。 ただし、ｘ、ｙ、ｚ、α、β、γはそれぞれ原子パーセ
ントで５≦ｘ≦７０．１０≦ｙ≦８５゜３≦２≦５０，
０≦α≦２０，０≦β≦３０，０≦γ≦３０の範囲の値
であり、ＡはＳｎ、Ｂｉ。 Ｐｂ、Ｇａ、Ａｕ及びＩｎのうちの少なくとも一元素、
ＢはＴｌ、Ｉなどのハロゲン元素及びＮａなどのアルカ
リ金属のうちの少なくとも一元素である。これらの元素
は、ＴｅやＳｅを含む材料中でＴｅやＳｅの鎖状原子配
列を切断し、結晶化速度を速くする効果を持つ、ただし
、結晶化温度の低下を伴うので、結晶化温度の高い材料
に添加しないと非晶質の安定性を損なうことになる。Ｃ
はＡｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉ ｒ、Ｓｃ、Ｙ。 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖｓ Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ。 Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ及びＮｉのうち少なくとも一元素、Ｄ
はＳｂ、Ｔｅ、Ａｙ Ｂ、Ｃで表される元素以外の元素
、たとえばＨｇ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ。 ＡＱ、Ｂ、Ｃ，Ｓｉ、Ｎｏ Ｐ、Ｏ，ランタニド元素、
アクチニド元素、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元
素などのうちの少なくとも一元素である。ただし、Ａ、
Ｂ及びＣで表される元素のうちの一元素または複数元素
も、各群の別の元素が既に使われている場合、Ｄ群の元
素と考えることができる。たとえば５ｂ−Ｔｅ−３ｎ−
Ｃｏ系に対してＮｉを、３０原子％未満でＮｉ含有量と
Ｃ。 含有量の和がＣ群元素含有量の上限３０原子％以下とな
る範囲で添加する場合が考えられる。これらのうちＡＱ
、Ｈｇ、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素は含有
量を１０原子％未満とする方が好ましい。 本発明の記
録用薄膜は膜厚方向の平均組成が上記の範囲内に有れば
膜厚方向に組成が変化していてもよい。ただし、組成の
変化は不連続的でないほうがより好ましい。 記録は原子配列変化（たとえば１つの相から他の相への
変化）を起こさせることができ、かつ記録膜に大きな変
形を生じさせることのない照射時間及びパワーのエネル
ギービームで行う。 ［作用］ 上記の各群元素の役割は下記のとおりである。 Ｓｂ、Ｔｅ及びＢで表されるＳｎなどの元素とは、適当
な比率で共存することによって非晶質状態を安定に保持
し、かつ記録・消去時の結晶化を高速で行うことができ
るようにする。Ｃで表されるＣＯなどの元素は、半導体
レーザ光などの長波長光の吸収を容易にして記録感度を
高める効果を持ち、また、高速結晶化を可能にするもの
である。 Ｂで表されるＴＱなとの元素は、結晶化速度を向上させ
、かつ、非晶質状態の安定性も向上させる効果を持つ。 Ｂ群元素とＣ群元素が共存すれば、高速結晶化が可能で
、かつ非晶質状態の安定性が高く、記録感度も高くなる
。Ｂ群元素とＣ群元素のいずれか一方を添加する場合、
Ｂ群元素を添加した方が、膜形成の容易さの面で好まし
いが、耐酸化性は低下する。Ｄで表されるＡｒなどの元
素は、添加によって特に顕著な効果はないが、添加量が
少なければ大きな悪影響は無いものである。 なお、これらのうち希土類元素などは、１〜２０％添加
すると再生信号強度を大きくする、結晶化温度を高める
などの役割を果たさせ得る。また、Ｓｅ及びＳは他の元
素の比率を一定に保って１〜２０％添加することによっ
て耐酸化性向上効果がある。ただし、耐熱性はやや低下
する。消去特性の点でもＳｅ含有量１〜３％が好ましい
。 上記の組成範囲にある本発明の情報記録用薄膜は優れた
記録・再生特性を持ち、記録及び消去に用いるレーザ光
のパワーが低くてよい。また、安定性も優れている。 Ｘ＋ ｙ＋Ｚ＋ α、β及びγのより好ましい範囲は下
記のとおりである。 １０≦ｘ≦４５ ３５≦ｙ≦８０ ５≦２・≦３０ ０≦α≦１５ ０≦β≦２０ ０≦γ≦２０ の範囲。 ｘ、ｙ、ｚ、α、β及びγの特に好ましい範囲は下記の
とおりである。 １３≦ｘ≦４０ ４７≦ｙ≦７０ ７≦２≦２３ ０≦α≦１０ ０≦β≦１０ ０≦γ≦１０ の範囲。ただし、Ａで表される元素がＡｕである場合、
Ｔｅ含有量が少ないと記録感度が低いので、６０≦ｙ≦
７０とするのが特に好ましい。 上記の各範囲において、γ弁Ｏであれば膜作製が容易で
ある。１≦α＋β≦２０であればさらに消え残りが小さ
くなり、記録保持時間が長くなる。 １≦α≦１０かつ１≦β≦１０であれば、さらに信号変
調度が大きくなる。 Ｂで表される元素のうち特に好ましいのはＴＱ。 ついで好ましいのは工、ついでＣＱなとの他のハロゲン
元素が好ましい。Ｄで表される元素のうちでは希土類元
素が好ましい。Ｂで表される元素のうちＰｂ、Ｇａ及び
Ｉｎは耐酸化性をやや低下させる。ただしＩｎは記録・
消去特性が優れる。 Ａｕは記録感度を低下させるが耐酸化性は向上させる。 各元素の含有量の膜厚方向の変化は通常は小さいが、任
意のパターンの変化が存在しても差し支えない。Ｓｂ、
Ｓｅ及びＳについては、記録用薄膜のいずれか一方の界
面付近（他の層との界面である場合も有る）において、
その内側よりも多いのがよい。 本発明の記録膜の少なくとも一方の面は他の物質で密着
して保護されているのが好ましい。両側が保護されてい
ればさらに好ましい。これらの保護層は、たとえばアク
リル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、エポキ
シ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ４フツ化
エチレン（テフロン）などのフッ素樹脂、などの有機物
より形成されていてもよく、これらは基板であってもよ
い。また、紫外線硬化法で形成されていてもよい。酸化
物、弗化物、窒化物、硫化物、セレン化物、炭化物、ホ
ウ化物、ホウ素、炭素、あるいは金属などを主成分とす
る無機物より形成されていてもよい。また、これらの複
合材料でもよい。 ガラス、石英、サファイア、鉄、チタン、あるいはアル
ミニウムを主成分とする基板も一方の無機物保護層とし
て働き得る。有機物、無機物のうちでは無機物と密着し
ている方が耐熱性の面で好ましい。しかし無機物層（基
板の場合を除く）を厚くするのは、クラック発生、透過
率低下、感度低下のうちの少なくとも１つを起こしやす
いので上記無機物層は薄くシ、無機物層の記録膜と反対
の側には、機械的強度を増すために厚い有機物層が密着
している方が好ましい。この有機物層は基板であっても
よい。これによって変形も起こりにくくなる。有機物と
しては、例えば、ポリスチレン、ポリ４フツ化エチレン
（テフロン）、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリオレフ
ィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート
、エポキシ樹脂。 ホットメルト接着剤として知られているエチレン−酢酸
ビニル共重合体など、および粘着剤などが用いられる。 紫外線硬化樹脂でもよい。無機物よりなる保護層の場合
は、そのままの形で電子ビーム蒸着、スパッタリング等
で形成してもよいが、反応性スパッタリングや、金属、
半金属、半導体の少なくとも一元素よりなる膜を形成し
たのち、酸素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一者と反
応させるようにすると製造が容易である。無機物保護層
の例を挙げると、Ｃｅ ｅ Ｌ ａ ｙ Ｓ ｘ ｐ
Ｉ ｎ ｒＡＭ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｔ
ａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ及びＷより
なる群より選ばれた少なくとも一元素の酸化物、Ｃｄ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂよりなる群
より選ばれた少なくとも一元素の硫化物、またはセレン
化物１Ｍｇ、Ｃｅ、Ｃａなとの弗化物、Ｓｘ、ＡＱ、Ｔ
ａ、Ｂなどの窒化物、ホウ素、炭素より成るものであっ
て、たとえば主成分がＣｅＯ２，Ｌａ、○、、Ｓｉｎ、
５ｉｏ２゜Ｉｎ２０３ｔ Ａｆｆ２０．、Ｇｅｍ、Ｃｅ
Ｏ２，ｐｂ○。 Ｓ ｎｏ、５ｎｏ２．Ｂ ｉ２０．、ＴａＯ２，ＷＯ２
゜Ｗ○、、Ｔａ２Ｏ，、Ｓｃ、Ｏ，、Ｙ、○、、Ｔｉｅ
２゜ＺｒＯ，、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅ、Ｚｎ５ｅ。 Ｉ ｎ２ Ｓ３＃ Ｉ ｎ２ Ｓ ｅ３ｔ Ｓ Ｊ Ｓ
ｘｐ Ｓ ｂｚ Ｓ ｅ３＊Ｇａ、Ｓｌ、Ｇａ２Ｓｅ、
、ＭｇＦ、、ＣｅＦ。 ＣａＦ、、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２．ＳｎＳ。 Ｓ ｎ Ｓ、、 Ｓ ｎ Ｓ ｅ 、 Ｓ ｎ Ｓ ｅ
２． Ｐ ｂ Ｓ 、 Ｐ ｂ Ｓｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、、
Ｂｉ、Ｓ、、ＴａＮ、Ｓｉ、Ｎ４゜ＡＱＮ、Ｓｉ、Ｔｉ
Ｂ、、Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ、Ｃのうちの一者に近い組成
をもったもの及びこれらの混合物である。これらのうち
、硫化物ではＺｎＳに近いものが、屈折率が適当な大き
さで膜が安定である点で好ましい。窒化物では表面反射
率があまり高くなく、膜が安定であり１強固である点で
、ＴａＮ、Ｓｉ、Ｎ４またはＡＱＮ （窒化アルミニウ
ム）に近い組成のものが好ましい。酸化物で好ましいの
はＹ、Ｏ，、Ｓｃ、Ｏ，、ＣｅＯ，。 Ｔｉｅ、、ＺｒＯ，、Ｓｉｎ、Ｔａ、○５ｔＩｎｚｏ３
＊ＡＱ、Ｏ，，ＳｎＯ２またはＳ ｉ Ｏ，に近い組成
のものである。Ｓｉの水素を含む非晶質も好ましい。 保護膜を多層にすればさらに保護効果が高まる。 例えば厚さ１００〜５００ｎｍのＳｉＣ２に近い組成の
膜を記録膜から遠い側に形成し、厚さ８０〜１３０ｎｍ
のＺｎＳに近い組成の膜を記録膜に近い側に形成すると
、記録・消去特性、多数回書き換え特性ともに良好であ
る。 上記のような保護膜の形成によって記録書き換え時の記
録膜の変形によるノイズ増加を防止することができる。 相転移（変化）によって記録を行う場合、記録膜の全面
をあらかじめ結晶化させておくのが好ましいが、基板に
有機物を用いている場合には基板を高温にすることがで
きないので、他の方法で結晶化させる必要がある。その
場合、スポット径２μｍ以下まで集光したレーザ光の照
射、キセノンランプ、水銀ランプなどの紫外線照射と加
熱、フラッシュランプよりの光の照射、高出力ガスレー
ザからの大きな光スポットによる光の照射、あるいは加
熱とレーザ光照射との組み合わせなどを行うのが好まし
い。ガスレーザからの光の照射の場合、光スポツト径（
半値帽）５μｍ以上５ｍｍ以下とすると能率がよい。結
晶化は記録トラック上のみで起こらせ、トラック間は非
晶質のままとしてもよい。記録トラック間のみ結晶化さ
せる方法も有る。一方たとえばＳｎ、Ｓｂ及びＴｅを主
成分とする薄膜を、複数の蒸発源からの回転蒸着によっ
て形成した場合、蒸着直後にはＳｎ、Ｓｂ及びＴｅがほ
とんど結合していない場合が多い。また、スパッタリン
グによって形成した場合も原子配列が極めて乱れた状態
になる。このような場合は、まず、高いパワー密度のレ
ーザ光を記録トラック上に照射して、場合によっては膜
を融解させるのがよい。さらに記録トラック上に低いパ
ワー密度のレーザ光を照射し、結晶化させるのとトラッ
ク−周にわたっての反射率が均一になりやすい。 結晶化するパワーレベルと非晶質に近い状態にするパワ
ーレベルとの間でパワー変調したレーザ光で記録するこ
とはＬ記のような初期化後の状態がどのような状態であ
っても可能である。 一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ね合わせにな
るため干渉をおこす。反射率の変化で信号を読みとる場
合には、記録膜に近接して光反射（吸収）層を設けるこ
とにより、干渉の効果を大きくし、読みだし信号を大き
くできる。干渉の効果をより大きくするためには記録膜
と反射（吸収）層の間に中間層を設けるのが好ましい。 中間層は記録書き換え時に記録膜と反射層との相互拡散
が起こるのを防止する効果も有する。しかし中間層の材
質の選び方によっては、例えば中間層をセレン化物とす
ると、記録膜の少なくとも一部の元素を中間層中へ拡散
させる、あるいは中間層の少なくとも一部の元素を記録
膜または反射層中へ拡散させることにより記録の少なく
とも一部を担わせることもできる。上記中間層の膜厚は
Ｓｎｍ以上、６００ｎｍ以下で、かつ、記録状態または
消去状態において読み出し光の波長付近で記録用部材の
反射率が極小値に近くなる膜厚とするのが好ましい。反
射層は記録膜と基板との間、及びその反対側のうちのい
ずれの側に形成してもよい。中間層の特に好ましい膜厚
範囲は中間層の屈折率をＮとしたとき６０ ／ Ｎ ｎ
ｍ以上１６０／Ｎｎｍ以下及び４７０ ／ Ｎ ｎ
ｍ以上５７０ ／ Ｎ ｎ ｍ以下の範囲である。反射
層の中間層の反対の側にも上記の無機物よりなる保護層
を形成するのが好ましい。これら３層（中間層、反射層
、保護層）は全体として単層の保護層より強固な保護層
となる。 反射層としては、金属、半金属及び半導体が使用可能で
あるが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ。 ＡＱ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉｅ Ｐｄ、Ｐｔ、Ｗ。 Ｔａ、Ｍｏあるいはこれら同志の合金の層、これらと酸
化物などの他の物質との複合層などが好ましい。反射層
としてＡｕなどの、熱伝導率が２、ＯＷ／ｃｍ−ｄｅｇ
以上の高熱伝導率材料を生成分とするものを用いると、
熱伝導率を高め、高速結晶化する記録膜を用いても高パ
ワーレーザ光を照射したときには確実に非晶質化するよ
うにする効果ももつ。この場合は中間層にも熱伝導率の
高いＡ Ｑ、Ｏ，、Ａ Ｑ Ｎ、 Ｓ ｉ、Ｎ４． Ｚ
ｎ Ｓなどに近い組成の材料を用いるか、Ｓｉｎ、な
どの熱伝導率が中程度（０，０２Ｗ／ｃｍ−ｄｅｇ以上
０．ｌＷ／ｃｌ−６８ｇ以下）の材料を用い、中間層を
薄くするのが特に好ましい。 本発明の記録膜は、共蒸着や共スパッタリングなどによ
って、保護膜として使用可能と述べた酸化物、弗化物、
窒化物、有機物など、あるいは炭素または炭化物の中に
分散させた形態としてもよい。そうすることによって光
吸収係数を調節し、再生信号強度を大きくすることがで
きる場合が有る。混合化率は、酸素、弗素、窒素、炭素
が膜全体で占める割合が４０％以下が好ましい。このよ
うな複合膜化を行うことにより、結晶化の速度が低下し
、感度が低下するのが普通である。ただし有機物との複
合膜化では感度が向上する。 各部分の膜厚の好ましい範囲は下記のとおりである。 記録膜 反射層を用いない場合 １５ｎｍ以上５００ｎｍ以下 ２５ｎｍ以上３００ｎｍ以下 の範囲が再生信号強度及び記 緑感度の点で特に好ましい。 反射層との２／！以上の構造の場合 １５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下 無機物保護層 ５ｎｍ以上５００ｎｍ以下ただし無機
物基板自体で保護 する時は、０．１〜２０ｍｍ 有機物保護層 ５００ｎｍ以上１０ ｍ ｍ以下中間
／ＩＦ ３ ｎ ｍ以上６００ｎｍ以下光反
射層 ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下光反射層に隣接
した無機物保護層 ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下 上記のような記録膜以外の各層の材質や膜厚は本発明の
記録膜に限らず他の相変化記録膜、光磁気記録膜、相互
拡散型記録膜などにも有効である。 以上の各層の形成方法は、真空蒸着、ガス中蒸着、スパ
ッタリング、イオンビーム蒸着、イオンブレーティング
、電子ビーム蒸着、射出成形、キャスティング、回転塗
布、プラズマ重合などのうちのいずれかを適宜選ぶもの
である。保護層、記録膜、中間層、反射層、及び反射層
に隣接した保護層は、すべてスパッタリングにより形成
するのが最も好ましい。 本発明の記録膜は必ずしも非晶質状態と結晶状態の間の
変化を記録に利用する必要は無く、膜の形状変化をほと
んど伴わないなんらかの原子配列変化によって光学的性
質の変化を起こさせればよい。たとえば結晶粒径や結晶
形の変化、結晶と準安定状態（π、γなど）との間の変
化などでもよい。非晶質状態と結晶状態の変化でも、非
晶質は完全な非晶質でなく、結晶部分が混在していても
よい。また、記録層と保護層、中間層のうちの少なくと
も一部との間で、これらの層を構成する原子のうちの一
部が移動（拡散、化学反応などによる）することにより
、あるいは移動と相変化の両方により記録されてもよい
。 本発明の記録用部材は、ディスク状としてばかりではな
く、テープ状、カード状などの他の形態でも使用可能で
ある。 ［実施例］ 以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク状化学強化ガ
ラス板の表面に紫外線硬化樹脂によって保護層を兼ねる
トラッキング用の溝のレプリカを形成し、−周を３２セ
クターに分割し、各セクターの始まりで、溝と溝の中間
の山の部分に凹凸ピットの形でトラックアドレスやセク
ターアドレスなどを入れた（この部分をヘッダ一部と呼
ぶ）基板１上にマグネトロンスパッタリングによってま
ず保護層である厚さ約３００ｎｍのＳ ｉ Ｏ２暦２を
形成した。このＳ ｉ ｏ、ｉは基板との屈折率差が小
さいので、膜厚に多少ムラやバラツキがあってもよい。 次に、このディスクを複数のターゲットをもち、順次積
層膜を形成でき、また、膜厚の均一性、再現性のよいス
パッタリング装置に移し、ＺｎＳを約１１０ｎｍの厚さ
にスパッタしてＮ３とした。次にＺｎ８層３上に同一ス
パッタ装置でＳ ｎ１４＊） Ｓ ｂ、、、、’ｒ ｅ
ｓｔｅ、の組成の記録膜４を約３０ｎｍの膜厚に形成し
た。続いて同一スパッタ装置内でＺｎＳの保護層５を約
５０ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この上に同一スパ
ッタリング装置内でＡｕの反射層６を約５０ｎｍの膜厚
に形成し、次にＺｎＳ保護層７を１５０ｎｍ形成した。 同様にしてもう一枚の同様な基板１′上にＳ １ｏ２Ｊ
１２’、Ｚｎ８層３ ’ Ｉｓ ｎＬ４１３ｓ ｂ２．
．６’ｒ ｅＳ７１、の組成の記録膜４’、ＺｎＳ層５
’Ａｕ反射層６ ’ ＺｎＳ層７′を順次形成した。こ
のようにして得た２枚のディスクをＮ７及び７′側を内
側にして接着剤層８によって貼り合わせを行った。この
時、全面を接着すれば書き換え可能回数を多くでき、記
録領域には接着剤を着けなければ少し記録感度が高くな
った。 上記のように作製したディスクには次のようにして記録
・再生・消去を行った。ディスクを１８０Ｏｒｐｍで回
転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）の光を記録が
行われないレベルに保って、記録ヘッド中のレンズで集
光して基板を通して一方の記録膜に照射し１反射光を検
出することによって、トラッキング用の溝と溝の中間に
光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動し
た。溝と溝の中間を記録トラックとすることによって溝
から発生するノイズの影響を避けることができる。この
ようにトラッキングを行いながら、さらに記録膜上に焦
点が来るように自動焦点合わせを行い、まず、パワー密
度の高いレーザ光を連続的に照射することによって記録
トラック上の記録膜を加熱し、各元素を反応、結晶化さ
せた。 非晶質化するのに適当なレーザパワーの範囲は、結晶化
するパワーより高く、強い変形を生じたり穴があくより
も低い範囲である。結晶化するのに適当なレーザパワー
の範囲は、結晶化が起こる程度に高く、非晶質化が起こ
るより低い範囲である。 光デイスクドライブ（記録・再生装置）における記録は
次のようにして行った。ディスクを１８０Ｏｒｐｍで回
転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）の光を記録が
行われないレベル（約ｉｍＷ’）に保って、記録ヘッド
中のレンズで集光して基板を通して一方の記録膜に照射
し、反射光を検出することによって、トラッキング用の
溝と溝の中間に光スポットの中心が常に一致するように
ヘッドを駆動した。こうすることによって溝から発生す
るノイズの影響を避けることができる。 このようにトラッキングを行いながら、さらに記録膜上
に焦点が来るように自動焦点合わせを行い。 記録を行う部分では、レーザパワーを中間パワーレベル
１．１ｍＷと高いパワーレベル１８ｍＷとの間で第２図
に示したように変化させることにより記録を行った。高
いパワーレベルと中間パワーレベルとのパワーの比は１
： ０．４〜１ ： ０．８の範囲が特に好ましい。 また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよ
い。記録された部分の非晶質に近い部分を記録点と考え
る。記録を行う部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１
ｍＷに下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた
。 なお、記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続
される。このような記録方法は、既に記録されている部
分に対して行っても記録されていた情報が新たに記録し
た情報に書き換えられる。すなわち東−の円形光スポッ
トによるオーバーライドが可能である。このようにオー
バーライドができるのが５本実施例で述べる本発明の記
録膜材料の特長である。しかし、記録書き換え時の最初
の１一回転または複数回転で、上記のレーザパワー変調
の高い方のパワーである１８ｍＷに近いパワーたとえば
１．６ｍＷの連続光を照射して一旦消去した後、次の１
回転で１１ｍＷと１８ｍＷの間で情報信号に従ってパワ
ー変調したレーザ光を照射して記録すれば、前に書かれ
ていた情報の消え残りが少なく、高い搬送波対雑音比が
得られる。この場合に最初に照射する連続光のパワーは
、上記の高いパワーレベルを１としたとき０．８〜１．
１の範囲で良好な書き換えが行えた。この方法は本発明
の記録膜ばかりでなく他の記録膜にも有効である。 記録・消去は１０’回以上繰返し可能であった。 記録膜の上下に形成するＺｎＳ層を省略した場合は、数
回の記録・消去で多少の雑音増加が起こった。 読み出しは次のようにして行った。ディスクをｔ８００
ｒｐｍで回転させ、記録時と同じようにトラッキングと
自動焦点合わせを行いながら、記録及び消去が行われな
い低パワーの半導体レーザ光で反射光の強弱を検出し、
情報を再生した。 本実施例では約１００ｍＶの信号出力が得られた。 本実施例の記録膜は耐酸化性が優れており、ＺｎＳ保護
膜を形成しないものを６０℃相対湿度９５％の条件下に
置いてもほとんど酸化されなかった・ 上記の５ｎ−３ｂ−Ｔｅ系記録膜において、他の元素の
相対的比率を一定に保って、Ｔｅ含有辰を変化させたと
き、消去の必要照射時間は次のように変化した。 消去の必要照射時間 Ｓｎ、、５ｂｓ２Ｔｅ、 ５．０μ５ｅｃＳｎ
、。５ｂＧｏＴｅ１１． １．０μ５ｅｃＳ ｎ２１
．７ｓ ｂ、３．、’ｒ ＋３Ｓ ０．５ ｉｔ ｓ
ｅ ｃＳ ｎｘｔ−７ｓ ｂｚｓ、ｙＴ ｍ４７ ０
、１ μｓ ｅ ｃＳｎｔｏＳｔ）ｚｏＴｅｖｏ
ｏ、ｌμ５ｅｃＳｎｓ、ｔＳｂｘ３．３Ｔｅ、、
０．５μ５ｅｃＳｎｓＳｂ１ｏＴｅｓｓ １
．Ｏμｓ ｅｃＳｎ４Ｓｂ、Ｔｅ８ｓ ５．０μ
ｓｅｃ他の元素の相対的比率を一定に保って、ｓｂ含有
量を変化させたとき、消去の必要照射時間は次のように
変化した。 消去の必要照射時間 ｎ１ｇ＊４ｓ ｂ、’ｒ ｅ７？＋＠ ５ ａ Ｏｐ
Ｓ ｅ Ｑｎ、、Ｓ ｂ、Ｔｅ、ｓｌ、 ０ ｐ ｓ
ｅ ｃｎｌ、Ｓ ｂ、。’ｒｅ、、 ｏ、 ５
μＳ ｅ Ｃｎ１７＊４ｓ ｌ）ｔ３Ｔ８１ｇ、４
０ 、１ ｐ ｓ ｅ ｃｎｌｔｓ ｔ）４ＢＩＴ ８
４１ ０ 、１ μｓ ｅ ｃＳ ｎ１１Ｓ ｂ４
５Ｔｅ、４ ０．５ Ｐｓ ｅ ｃＳｎ、Ｓｂ、。 Ｔｅ、、 １．Ｑμ５ ｅｃＳ ｎ５Ｓ ｂ
７５Ｔ ｍ２０ ５− Ｏｐ ｓ ｅ ｃ他
の元素の相対的比率を一定に保って、Ｓｎ含有量を変化
させたとき、記録に必要なレーザ光のパワー及び消去の
必要照射時間は次のように変化した。 記録レーザパワ Ｓ ｎｉＳ ｂ２３Ｔ ｅ、。 Ｓｎ３ Ｓ ｂ ３２ ｅ３ Ｔ ｅ Ｇ４ ｍ７３
ｎ、 Ｓ ｂ３１＠ｔ’ｒ ｅ、、。 Ｓｎ、Ｓｂ、、Ｔｅ、。 Ｓ ｎ ２３ Ｓ ｂ ２５ ｍ７ Ｔ ｅ ｓｔ ＋
３Ｓ ｎ３０ Ｓ ｂ、、、、’ｒ ８ＢＢＳ ｎ Ｇ
６ Ｓ ｂ １ｇ 、７ Ｔ ｅ ３３ ＋３Ｓ ｎｓ
ｇ Ｓ ｂ、、Ｔ ａ、。 ６ｍＷ ６ｍＷ ６ｍＷ ６ｍＷ ６ｍＷ ８ｍＷ ０ｍＷ 記録できず 消去の必要照射時間 ５ｎ１ＳｂｘｚＴｅｓｓ ２．Ｏμ５ｅｃＳ
ｎ、ｓ １）３２＋３Ｔｅ６４．７ １ｅ Ｏμ”Ａ
ｅ ＱＳｎ、Ｓｂ、、ｔＴｅａｚ、３０．５μ５ｅｃ
Ｓ ｎ、Ｓ ｂ、、Ｔｅ、□０．１ μｓ ｅ ｃＳ
ｎｚ３Ｓ ｂｚｇ＊１Ｔｅ５１−３ ０＋ １ μＳ
ｅ ＱＳ ｎ：ｌｏ Ｓ ｂ２３．、”ｒ ｅ４’ＧＨ
７０，５μ５ｅｃＳ ｎｓ、、Ｓ ｂｌｓ−７Ｔ ８３
３．３０ 、５ μＳ ｅ ＱＳｎ、、Ｓｂ□、Ｔｅ、
。 Ｑ、５μ５ｅｃＳｎ−３ｂ−Ｔｅａ元相同相図
ｂ、Ｔ ｅ、と５ｎＴｅを結ぶ直線上で組成を変化さ
せたとき、消去の必要照射時間及び一定速度で昇温した
場合の結晶化温度は次のように変化した。 Ｓｎ ｘｚ Ｓ ｂｚｚ ＩＩＧ Ｔ １Ｂ ５５ ＋
４Ｓ ｎ、、Ｓｂｉ、Ｔｅ５４ Ｓ ｎ ４３ ａ＠ Ｓ ｂ ５ Ｔ ｅ Ｇ１ ＋＋
２Ｓｎ、、５ｂ４Ｔｅ、１ 結晶化部 Ｓ ｌ’ｌ ２ Ｓ ｂ ３＠ ｅ５ Ｔ ｅ ｓｇ
＋６Ｓ ｎ３ Ｓ ｂ ａ７＊６ Ｔ ｅ ｇｇ ＋４
Ｓ ｎ５ Ｓ ｂ３ｓＴ ｅｓｇ Ｓ ｎ ７ Ｓ ｂ ３４ ｎ４ Ｔ ｅ ５Ｂ ＋ｌ
ｉＳ ｎ２３ Ｓ ｂ、Ｌ、、’ｒ ａｓｓ。 Ｓ ｎ３．Ｓ ｂｌ、Ｔ ｅ、。 Ｓ ｎ４３−ａｓ ｂｓＴ ｅｓ□、ｚＳｎ４５Ｓｂ４
Ｔｅ、工 １μｓ １μｓ １μｓ １μＳ Ｃ Ｃ Ｑ （３Ｑ 度 ２２０℃ ２２０℃ ２００℃ １８０’Ｃ １８０℃ １６０℃ １４０℃ １２０’Ｃ 消去の必要照射時間 Ｓ ｎ２ Ｓ ｂ３ｇ、ｓＴ ａｓｓ、ｓ ２ 、
Ｏ／Ａ ＳＳ ｎｘ Ｓ ｂｓｌ、ｓＴ ａｓｓ、４
１ 、 Ｏ／Ａ ＳＳＳｎ５Ｓ））ｘｓＴｅ５
ｏ、５μｓＳ ｎ７ Ｓ ｂ３４−４Ｔ ｅ５Ｂ−ｓ
０ 、１ ／！ Ｓ Ｃ Ｃ Ｃ Ｃ 他の元素の相対的比率を一定に保って、ＴＱ含有量を変
化させたとき、消去の必要照射時間は次のように変化し
た。 消去の必要照射時間 ａ＝ ０ ０．１μ５ｅｃ ａ＝ １ ０．０５μ５ｅｃａ＝１０
０．０５μｓｅｃ α＝１５ ０．０５μ５ｅｃ ＴＱが上記含有量より多いと、６０℃９５％中における
透過率２０％上昇までの時間が短い。 他の元素の相対的比率を一定に保って、ＣＯ含有量を変
化させたとき、一定速度で昇温した場合の結晶化温度及
び記録に必要なレーザ光のパワーは次のように変化した
。 結晶化 β＝０ β＝１ β＝１０ β＝２０ β＝３０ β＝３５ 温度 １８０℃ ２８０℃ ３００℃ ３００℃ ３００℃ ３００℃ 記録レーザパワー β＝ ０ １６ｍＷ β”１ １６ｍＷ β＝１０ １６ｍＷ β＝２０ １８ｍＷ β＝ ３０ ２０ ｍ Ｗ β＝３５ 記録できず 他の元素の相対的比率を一定に保って、ＴＯ及びＣｏを
同時に添加することによって信号変調度が大きくなる効
果が有る。 この他、他の元素の相対的比率を一定に保ったＧｄなど
の希土類元素の３０％以下の添加によって結晶化温度が
上昇する効果が有る。２０％以下が好ましい。１０％以
下が特に好ましい。 Ｄで表される他の元素も添加によって若干の感度向上、
耐酸化性向上などの効果が有る。 中間層の膜厚は中間層の屈折率をＮとしたときに６０
／ Ｎ ｎ ｍ以上Ｌ ６０ ／ Ｎ ｎ ｍ以下の範
囲が消去比が大きいという点で好ましい。膜厚は薄い領
域の方がレーザ照射後の冷却速度が大きく、非晶質化が
確実に行える。ただし、３ｎｍ以上６００ ｎ、 ｍ以
下の範囲でも、記録・再生は可能である。 Ｓｎの一部または全部を置換してＢｉ、、Ｐｂ。 Ｇａ、Ａｕ及びＩｎのうち少なくとも一元素を添加して
もよく似た特性かえられる。このうち。 ＳｎをＡｕで置換したＡ ｕ ｚ ４ 、３ Ｓ ｂ
２ Ｂ 、 ６ Ｔ ｅ５７ 、、について、他の元素
の比率を一定に保って、Ｔｅ含有量を変化させたとき、
記録に必要なレーザパワーは次の采に変化した。 記録レーザパワー ｙ＝４７ ２０ｍＷ ｙ＝５５ １８ｍＷ ｙ＝６０ １６ｍＷ ｙ”７０ １６ｍＷ Ｓｎの一部または全部をＢｉで置換し、ＺｎＳのＷｊを
すべてＳ ｂ２Ｓ ｅ、暦にすると、Ｂｉの、隣接する
層中への拡散が起こって、高い記録感度と、記録パワ一
対再生信号強度曲線の鋭い立ち上がり特性が得られたが
、書き換えの繰り返しによる特性変化は大きくなった。 ＴＱの一部または全部を置換してハロゲン元素、アルカ
リ金属元素のうちの少なくとも一元素を添加してもよく
似た特性かえられる。ＴＱについで好ましいハロゲン元
素Ｆ、ＣＩ２．Ｂｒ、Ｉのうちでは、■が特に好ましく
、ついでＣＱが好ましい。 アルカリ金属元素、Ｌｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｃｓのうち
ではＮａが特に好ましく、ついでＫが好ましい。 Ｃｏの一部または全部を置換してＣｕ、Ａｇ＋Ｓｃ、Ｙ
、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ。 Ｆｅ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、 丁ｒ及びＮｉの
うちの少なくとも一元素を添加してもよく似た特性が得
られる。これらのうち、Ｔｊ、Ｖ。 Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｒ及びＮ１のうちの少なくとも一元素は
、蒸着が容易であるという点で好ましい。 保護膜、中間層のうちの少なくとも一部に用いているＺ
ｎＳの代わりにＳｉｎ□、Ｓ ｉｏ、Ｙ２Ｏ３やＴａＮ
、Ａｌ２Ｎ、Ｓｉ、Ｎ４などの酸化物や窒化物、５ｂ２
８３などの硫化物、５ｎＳｅ２，５ｂＳｅ。 などのセレン化物、ＣｅＦ、などの弗化物、または非晶
質Ｓｉ、ＴｉＢ２．Ｂ４Ｃ，ＢＣなど、あるいは上記の
すべての材料のそれぞれに近い組成のものを用いてもよ
い。これらの積層膜（２層以上）も保護強度を上げるの
に有効である。例えば記録膜から遠い側に厚さ３００ｎ
ｍのＳｉＯ□層、記録膜に近い側に厚さ１１０ｎｍのＺ
ｎＳ層を配置した２層構造は書き換えによる特性変化が
少なく。 良好であった。 反射層として、Ａｕの一部または全部を置換してＡｇ、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆ−ｅ、Ａｎ、Ｃｏ、Ｃｒ。 Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｗｅ Ｔａ、Ｍｏなどを用いてもよ
く似た特性が得られた。 基板として、紫外線硬化樹脂層層を表面に形成した化学
強化ガラスの代わりに、表面に直接トラッキングガイド
などの凹凸を形成したポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、エポキシ、アクリル樹脂などを用いてもよい。 【発明の効果１ 以上説明したように、本発明によれば、記録・再生特性
がよく、かつ長期間安定な情報の記録用部材を得ること
ができる。記録の書き換えも多数回可能である。
たとえば映像や音声などのアナログ信号をＦＭ変調した
ものや、たとえば電子計算機のデータや、ファクシミリ
信号やディジタルオーディオ信号などのディジタル情報
を、リアルタイムで記録することが可能な情報の記録用
薄膜に関するものである。 【従来の技術ル レーザ光によって薄膜に記録を行う記録原理は種々ある
が、膜材料の相転移（相変化とも呼ばれる）、フォトダ
ークニングなどの原子配列変化による記録は、膜の変形
をほとんど伴わないので、２枚のディスクを直接貼り合
わせた両面ディスクができるという長所を持っている。 また、組成を適当に選べば記録の書き換えを行うことも
できる。 この種の記録に関する発明は多数出願されており、最も
早いものは特公昭４７−２６８９７号公報に開示されて
いる。ここではＴｅ−Ｇｅ系、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｔ
ｅ−０系など多くの薄膜について述べられている。また
、特開昭５４−４１９０２号公報にもＧｅ、。’ｒ Ｑ
、５ｂｓＳ８７０など種々の組成が述べられている。ま
た、特開昭５７−２４０３９には、Ｓ ｂｚｉＴ ８ｚ
ｚ＊ｇ Ｓ ｅ６２ａＳ。 Ｃｄ、４Ｔａｉ４Ｓｅ、、、Ｂ ｉ、Ｓｅ、、５ｂ２Ｓ
ｅ、、Ｉ ｎ、、Ｔｅ、。Ｓ ｅｓｌｌ、Ｂ ｉ、、Ｔ
ｅ、、、、 Ｓ ｅ、、、、。 Ｃｕ５ｅ、及びＴ ｅ３３Ｓ ｅ、、の薄膜が述べられ
ている。 【発明が解決しようとする課題】 上記従来技術の薄膜はいずれも一回書き込み可能あるい
は書き換え可能な相転移記録膜として用いる場合に結晶
化の速度が遅い、半導体レーザ光の吸収が少なく感度が
悪い、再生信号強度が充分でない、再生波形の歪みが大
きい、あるいは非晶質状態の安定性が悪い、耐酸化性が
不充分である、消え残りが大きいなどの欠点があり、実
用化が困難である。 したがって本発明の目的は上記した従来技術の欠点を無
くし、記録・再生特性が良好で感度が高く、安定性の良
い情報記録用薄膜を提供することに有る。 【課題を解決するための手段１ 上記の目的を達成するために本発明の情報の記録用薄膜
においては、情報記録用薄膜の膜厚方向の平均組成を一
般式ＳｂｘＴｅｙＡｚＢαＣβＤγで表されるものとす
る。 ただし、ｘ、ｙ、ｚ、α、β、γはそれぞれ原子パーセ
ントで５≦ｘ≦７０．１０≦ｙ≦８５゜３≦２≦５０，
０≦α≦２０，０≦β≦３０，０≦γ≦３０の範囲の値
であり、ＡはＳｎ、Ｂｉ。 Ｐｂ、Ｇａ、Ａｕ及びＩｎのうちの少なくとも一元素、
ＢはＴｌ、Ｉなどのハロゲン元素及びＮａなどのアルカ
リ金属のうちの少なくとも一元素である。これらの元素
は、ＴｅやＳｅを含む材料中でＴｅやＳｅの鎖状原子配
列を切断し、結晶化速度を速くする効果を持つ、ただし
、結晶化温度の低下を伴うので、結晶化温度の高い材料
に添加しないと非晶質の安定性を損なうことになる。Ｃ
はＡｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉ ｒ、Ｓｃ、Ｙ。 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖｓ Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ。 Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ及びＮｉのうち少なくとも一元素、Ｄ
はＳｂ、Ｔｅ、Ａｙ Ｂ、Ｃで表される元素以外の元素
、たとえばＨｇ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ。 ＡＱ、Ｂ、Ｃ，Ｓｉ、Ｎｏ Ｐ、Ｏ，ランタニド元素、
アクチニド元素、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元
素などのうちの少なくとも一元素である。ただし、Ａ、
Ｂ及びＣで表される元素のうちの一元素または複数元素
も、各群の別の元素が既に使われている場合、Ｄ群の元
素と考えることができる。たとえば５ｂ−Ｔｅ−３ｎ−
Ｃｏ系に対してＮｉを、３０原子％未満でＮｉ含有量と
Ｃ。 含有量の和がＣ群元素含有量の上限３０原子％以下とな
る範囲で添加する場合が考えられる。これらのうちＡＱ
、Ｈｇ、アルカリ土類金属元素、不活性ガス元素は含有
量を１０原子％未満とする方が好ましい。 本発明の記
録用薄膜は膜厚方向の平均組成が上記の範囲内に有れば
膜厚方向に組成が変化していてもよい。ただし、組成の
変化は不連続的でないほうがより好ましい。 記録は原子配列変化（たとえば１つの相から他の相への
変化）を起こさせることができ、かつ記録膜に大きな変
形を生じさせることのない照射時間及びパワーのエネル
ギービームで行う。 ［作用］ 上記の各群元素の役割は下記のとおりである。 Ｓｂ、Ｔｅ及びＢで表されるＳｎなどの元素とは、適当
な比率で共存することによって非晶質状態を安定に保持
し、かつ記録・消去時の結晶化を高速で行うことができ
るようにする。Ｃで表されるＣＯなどの元素は、半導体
レーザ光などの長波長光の吸収を容易にして記録感度を
高める効果を持ち、また、高速結晶化を可能にするもの
である。 Ｂで表されるＴＱなとの元素は、結晶化速度を向上させ
、かつ、非晶質状態の安定性も向上させる効果を持つ。 Ｂ群元素とＣ群元素が共存すれば、高速結晶化が可能で
、かつ非晶質状態の安定性が高く、記録感度も高くなる
。Ｂ群元素とＣ群元素のいずれか一方を添加する場合、
Ｂ群元素を添加した方が、膜形成の容易さの面で好まし
いが、耐酸化性は低下する。Ｄで表されるＡｒなどの元
素は、添加によって特に顕著な効果はないが、添加量が
少なければ大きな悪影響は無いものである。 なお、これらのうち希土類元素などは、１〜２０％添加
すると再生信号強度を大きくする、結晶化温度を高める
などの役割を果たさせ得る。また、Ｓｅ及びＳは他の元
素の比率を一定に保って１〜２０％添加することによっ
て耐酸化性向上効果がある。ただし、耐熱性はやや低下
する。消去特性の点でもＳｅ含有量１〜３％が好ましい
。 上記の組成範囲にある本発明の情報記録用薄膜は優れた
記録・再生特性を持ち、記録及び消去に用いるレーザ光
のパワーが低くてよい。また、安定性も優れている。 Ｘ＋ ｙ＋Ｚ＋ α、β及びγのより好ましい範囲は下
記のとおりである。 １０≦ｘ≦４５ ３５≦ｙ≦８０ ５≦２・≦３０ ０≦α≦１５ ０≦β≦２０ ０≦γ≦２０ の範囲。 ｘ、ｙ、ｚ、α、β及びγの特に好ましい範囲は下記の
とおりである。 １３≦ｘ≦４０ ４７≦ｙ≦７０ ７≦２≦２３ ０≦α≦１０ ０≦β≦１０ ０≦γ≦１０ の範囲。ただし、Ａで表される元素がＡｕである場合、
Ｔｅ含有量が少ないと記録感度が低いので、６０≦ｙ≦
７０とするのが特に好ましい。 上記の各範囲において、γ弁Ｏであれば膜作製が容易で
ある。１≦α＋β≦２０であればさらに消え残りが小さ
くなり、記録保持時間が長くなる。 １≦α≦１０かつ１≦β≦１０であれば、さらに信号変
調度が大きくなる。 Ｂで表される元素のうち特に好ましいのはＴＱ。 ついで好ましいのは工、ついでＣＱなとの他のハロゲン
元素が好ましい。Ｄで表される元素のうちでは希土類元
素が好ましい。Ｂで表される元素のうちＰｂ、Ｇａ及び
Ｉｎは耐酸化性をやや低下させる。ただしＩｎは記録・
消去特性が優れる。 Ａｕは記録感度を低下させるが耐酸化性は向上させる。 各元素の含有量の膜厚方向の変化は通常は小さいが、任
意のパターンの変化が存在しても差し支えない。Ｓｂ、
Ｓｅ及びＳについては、記録用薄膜のいずれか一方の界
面付近（他の層との界面である場合も有る）において、
その内側よりも多いのがよい。 本発明の記録膜の少なくとも一方の面は他の物質で密着
して保護されているのが好ましい。両側が保護されてい
ればさらに好ましい。これらの保護層は、たとえばアク
リル樹脂、ポリカーボネート、ポリオレフィン、エポキ
シ樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリ
エチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリ４フツ化
エチレン（テフロン）などのフッ素樹脂、などの有機物
より形成されていてもよく、これらは基板であってもよ
い。また、紫外線硬化法で形成されていてもよい。酸化
物、弗化物、窒化物、硫化物、セレン化物、炭化物、ホ
ウ化物、ホウ素、炭素、あるいは金属などを主成分とす
る無機物より形成されていてもよい。また、これらの複
合材料でもよい。 ガラス、石英、サファイア、鉄、チタン、あるいはアル
ミニウムを主成分とする基板も一方の無機物保護層とし
て働き得る。有機物、無機物のうちでは無機物と密着し
ている方が耐熱性の面で好ましい。しかし無機物層（基
板の場合を除く）を厚くするのは、クラック発生、透過
率低下、感度低下のうちの少なくとも１つを起こしやす
いので上記無機物層は薄くシ、無機物層の記録膜と反対
の側には、機械的強度を増すために厚い有機物層が密着
している方が好ましい。この有機物層は基板であっても
よい。これによって変形も起こりにくくなる。有機物と
しては、例えば、ポリスチレン、ポリ４フツ化エチレン
（テフロン）、ポリイミド、アクリル樹脂、ポリオレフ
ィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート
、エポキシ樹脂。 ホットメルト接着剤として知られているエチレン−酢酸
ビニル共重合体など、および粘着剤などが用いられる。 紫外線硬化樹脂でもよい。無機物よりなる保護層の場合
は、そのままの形で電子ビーム蒸着、スパッタリング等
で形成してもよいが、反応性スパッタリングや、金属、
半金属、半導体の少なくとも一元素よりなる膜を形成し
たのち、酸素、硫黄、窒素のうちの少なくとも一者と反
応させるようにすると製造が容易である。無機物保護層
の例を挙げると、Ｃｅ ｅ Ｌ ａ ｙ Ｓ ｘ ｐ
Ｉ ｎ ｒＡＭ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｔｅ、Ｔ
ａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ及びＷより
なる群より選ばれた少なくとも一元素の酸化物、Ｃｄ、
Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂよりなる群
より選ばれた少なくとも一元素の硫化物、またはセレン
化物１Ｍｇ、Ｃｅ、Ｃａなとの弗化物、Ｓｘ、ＡＱ、Ｔ
ａ、Ｂなどの窒化物、ホウ素、炭素より成るものであっ
て、たとえば主成分がＣｅＯ２，Ｌａ、○、、Ｓｉｎ、
５ｉｏ２゜Ｉｎ２０３ｔ Ａｆｆ２０．、Ｇｅｍ、Ｃｅ
Ｏ２，ｐｂ○。 Ｓ ｎｏ、５ｎｏ２．Ｂ ｉ２０．、ＴａＯ２，ＷＯ２
゜Ｗ○、、Ｔａ２Ｏ，、Ｓｃ、Ｏ，、Ｙ、○、、Ｔｉｅ
２゜ＺｒＯ，、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＣｄＳｅ、Ｚｎ５ｅ。 Ｉ ｎ２ Ｓ３＃ Ｉ ｎ２ Ｓ ｅ３ｔ Ｓ Ｊ Ｓ
ｘｐ Ｓ ｂｚ Ｓ ｅ３＊Ｇａ、Ｓｌ、Ｇａ２Ｓｅ、
、ＭｇＦ、、ＣｅＦ。 ＣａＦ、、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＳｅ２．ＳｎＳ。 Ｓ ｎ Ｓ、、 Ｓ ｎ Ｓ ｅ 、 Ｓ ｎ Ｓ ｅ
２． Ｐ ｂ Ｓ 、 Ｐ ｂ Ｓｅ、Ｂｉ、Ｓｅ、、
Ｂｉ、Ｓ、、ＴａＮ、Ｓｉ、Ｎ４゜ＡＱＮ、Ｓｉ、Ｔｉ
Ｂ、、Ｂ４Ｃ，ＳｉＣ，Ｂ、Ｃのうちの一者に近い組成
をもったもの及びこれらの混合物である。これらのうち
、硫化物ではＺｎＳに近いものが、屈折率が適当な大き
さで膜が安定である点で好ましい。窒化物では表面反射
率があまり高くなく、膜が安定であり１強固である点で
、ＴａＮ、Ｓｉ、Ｎ４またはＡＱＮ （窒化アルミニウ
ム）に近い組成のものが好ましい。酸化物で好ましいの
はＹ、Ｏ，、Ｓｃ、Ｏ，、ＣｅＯ，。 Ｔｉｅ、、ＺｒＯ，、Ｓｉｎ、Ｔａ、○５ｔＩｎｚｏ３
＊ＡＱ、Ｏ，，ＳｎＯ２またはＳ ｉ Ｏ，に近い組成
のものである。Ｓｉの水素を含む非晶質も好ましい。 保護膜を多層にすればさらに保護効果が高まる。 例えば厚さ１００〜５００ｎｍのＳｉＣ２に近い組成の
膜を記録膜から遠い側に形成し、厚さ８０〜１３０ｎｍ
のＺｎＳに近い組成の膜を記録膜に近い側に形成すると
、記録・消去特性、多数回書き換え特性ともに良好であ
る。 上記のような保護膜の形成によって記録書き換え時の記
録膜の変形によるノイズ増加を防止することができる。 相転移（変化）によって記録を行う場合、記録膜の全面
をあらかじめ結晶化させておくのが好ましいが、基板に
有機物を用いている場合には基板を高温にすることがで
きないので、他の方法で結晶化させる必要がある。その
場合、スポット径２μｍ以下まで集光したレーザ光の照
射、キセノンランプ、水銀ランプなどの紫外線照射と加
熱、フラッシュランプよりの光の照射、高出力ガスレー
ザからの大きな光スポットによる光の照射、あるいは加
熱とレーザ光照射との組み合わせなどを行うのが好まし
い。ガスレーザからの光の照射の場合、光スポツト径（
半値帽）５μｍ以上５ｍｍ以下とすると能率がよい。結
晶化は記録トラック上のみで起こらせ、トラック間は非
晶質のままとしてもよい。記録トラック間のみ結晶化さ
せる方法も有る。一方たとえばＳｎ、Ｓｂ及びＴｅを主
成分とする薄膜を、複数の蒸発源からの回転蒸着によっ
て形成した場合、蒸着直後にはＳｎ、Ｓｂ及びＴｅがほ
とんど結合していない場合が多い。また、スパッタリン
グによって形成した場合も原子配列が極めて乱れた状態
になる。このような場合は、まず、高いパワー密度のレ
ーザ光を記録トラック上に照射して、場合によっては膜
を融解させるのがよい。さらに記録トラック上に低いパ
ワー密度のレーザ光を照射し、結晶化させるのとトラッ
ク−周にわたっての反射率が均一になりやすい。 結晶化するパワーレベルと非晶質に近い状態にするパワ
ーレベルとの間でパワー変調したレーザ光で記録するこ
とはＬ記のような初期化後の状態がどのような状態であ
っても可能である。 一般に薄膜に光を照射すると、その反射光は薄膜表面か
らの反射光と薄膜裏面からの反射光との重ね合わせにな
るため干渉をおこす。反射率の変化で信号を読みとる場
合には、記録膜に近接して光反射（吸収）層を設けるこ
とにより、干渉の効果を大きくし、読みだし信号を大き
くできる。干渉の効果をより大きくするためには記録膜
と反射（吸収）層の間に中間層を設けるのが好ましい。 中間層は記録書き換え時に記録膜と反射層との相互拡散
が起こるのを防止する効果も有する。しかし中間層の材
質の選び方によっては、例えば中間層をセレン化物とす
ると、記録膜の少なくとも一部の元素を中間層中へ拡散
させる、あるいは中間層の少なくとも一部の元素を記録
膜または反射層中へ拡散させることにより記録の少なく
とも一部を担わせることもできる。上記中間層の膜厚は
Ｓｎｍ以上、６００ｎｍ以下で、かつ、記録状態または
消去状態において読み出し光の波長付近で記録用部材の
反射率が極小値に近くなる膜厚とするのが好ましい。反
射層は記録膜と基板との間、及びその反対側のうちのい
ずれの側に形成してもよい。中間層の特に好ましい膜厚
範囲は中間層の屈折率をＮとしたとき６０ ／ Ｎ ｎ
ｍ以上１６０／Ｎｎｍ以下及び４７０ ／ Ｎ ｎ
ｍ以上５７０ ／ Ｎ ｎ ｍ以下の範囲である。反射
層の中間層の反対の側にも上記の無機物よりなる保護層
を形成するのが好ましい。これら３層（中間層、反射層
、保護層）は全体として単層の保護層より強固な保護層
となる。 反射層としては、金属、半金属及び半導体が使用可能で
あるが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ。 ＡＱ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉｅ Ｐｄ、Ｐｔ、Ｗ。 Ｔａ、Ｍｏあるいはこれら同志の合金の層、これらと酸
化物などの他の物質との複合層などが好ましい。反射層
としてＡｕなどの、熱伝導率が２、ＯＷ／ｃｍ−ｄｅｇ
以上の高熱伝導率材料を生成分とするものを用いると、
熱伝導率を高め、高速結晶化する記録膜を用いても高パ
ワーレーザ光を照射したときには確実に非晶質化するよ
うにする効果ももつ。この場合は中間層にも熱伝導率の
高いＡ Ｑ、Ｏ，、Ａ Ｑ Ｎ、 Ｓ ｉ、Ｎ４． Ｚ
ｎ Ｓなどに近い組成の材料を用いるか、Ｓｉｎ、な
どの熱伝導率が中程度（０，０２Ｗ／ｃｍ−ｄｅｇ以上
０．ｌＷ／ｃｌ−６８ｇ以下）の材料を用い、中間層を
薄くするのが特に好ましい。 本発明の記録膜は、共蒸着や共スパッタリングなどによ
って、保護膜として使用可能と述べた酸化物、弗化物、
窒化物、有機物など、あるいは炭素または炭化物の中に
分散させた形態としてもよい。そうすることによって光
吸収係数を調節し、再生信号強度を大きくすることがで
きる場合が有る。混合化率は、酸素、弗素、窒素、炭素
が膜全体で占める割合が４０％以下が好ましい。このよ
うな複合膜化を行うことにより、結晶化の速度が低下し
、感度が低下するのが普通である。ただし有機物との複
合膜化では感度が向上する。 各部分の膜厚の好ましい範囲は下記のとおりである。 記録膜 反射層を用いない場合 １５ｎｍ以上５００ｎｍ以下 ２５ｎｍ以上３００ｎｍ以下 の範囲が再生信号強度及び記 緑感度の点で特に好ましい。 反射層との２／！以上の構造の場合 １５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下 無機物保護層 ５ｎｍ以上５００ｎｍ以下ただし無機
物基板自体で保護 する時は、０．１〜２０ｍｍ 有機物保護層 ５００ｎｍ以上１０ ｍ ｍ以下中間
／ＩＦ ３ ｎ ｍ以上６００ｎｍ以下光反
射層 ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下光反射層に隣接
した無機物保護層 ５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下 上記のような記録膜以外の各層の材質や膜厚は本発明の
記録膜に限らず他の相変化記録膜、光磁気記録膜、相互
拡散型記録膜などにも有効である。 以上の各層の形成方法は、真空蒸着、ガス中蒸着、スパ
ッタリング、イオンビーム蒸着、イオンブレーティング
、電子ビーム蒸着、射出成形、キャスティング、回転塗
布、プラズマ重合などのうちのいずれかを適宜選ぶもの
である。保護層、記録膜、中間層、反射層、及び反射層
に隣接した保護層は、すべてスパッタリングにより形成
するのが最も好ましい。 本発明の記録膜は必ずしも非晶質状態と結晶状態の間の
変化を記録に利用する必要は無く、膜の形状変化をほと
んど伴わないなんらかの原子配列変化によって光学的性
質の変化を起こさせればよい。たとえば結晶粒径や結晶
形の変化、結晶と準安定状態（π、γなど）との間の変
化などでもよい。非晶質状態と結晶状態の変化でも、非
晶質は完全な非晶質でなく、結晶部分が混在していても
よい。また、記録層と保護層、中間層のうちの少なくと
も一部との間で、これらの層を構成する原子のうちの一
部が移動（拡散、化学反応などによる）することにより
、あるいは移動と相変化の両方により記録されてもよい
。 本発明の記録用部材は、ディスク状としてばかりではな
く、テープ状、カード状などの他の形態でも使用可能で
ある。 ［実施例］ 以下に本発明を実施例によって詳細に説明する。 直径１３ｃｍ、厚さ１．２ｍｍのディスク状化学強化ガ
ラス板の表面に紫外線硬化樹脂によって保護層を兼ねる
トラッキング用の溝のレプリカを形成し、−周を３２セ
クターに分割し、各セクターの始まりで、溝と溝の中間
の山の部分に凹凸ピットの形でトラックアドレスやセク
ターアドレスなどを入れた（この部分をヘッダ一部と呼
ぶ）基板１上にマグネトロンスパッタリングによってま
ず保護層である厚さ約３００ｎｍのＳ ｉ Ｏ２暦２を
形成した。このＳ ｉ ｏ、ｉは基板との屈折率差が小
さいので、膜厚に多少ムラやバラツキがあってもよい。 次に、このディスクを複数のターゲットをもち、順次積
層膜を形成でき、また、膜厚の均一性、再現性のよいス
パッタリング装置に移し、ＺｎＳを約１１０ｎｍの厚さ
にスパッタしてＮ３とした。次にＺｎ８層３上に同一ス
パッタ装置でＳ ｎ１４＊） Ｓ ｂ、、、、’ｒ ｅ
ｓｔｅ、の組成の記録膜４を約３０ｎｍの膜厚に形成し
た。続いて同一スパッタ装置内でＺｎＳの保護層５を約
５０ｎｍの膜厚に形成した。さらに、この上に同一スパ
ッタリング装置内でＡｕの反射層６を約５０ｎｍの膜厚
に形成し、次にＺｎＳ保護層７を１５０ｎｍ形成した。 同様にしてもう一枚の同様な基板１′上にＳ １ｏ２Ｊ
１２’、Ｚｎ８層３ ’ Ｉｓ ｎＬ４１３ｓ ｂ２．
．６’ｒ ｅＳ７１、の組成の記録膜４’、ＺｎＳ層５
’Ａｕ反射層６ ’ ＺｎＳ層７′を順次形成した。こ
のようにして得た２枚のディスクをＮ７及び７′側を内
側にして接着剤層８によって貼り合わせを行った。この
時、全面を接着すれば書き換え可能回数を多くでき、記
録領域には接着剤を着けなければ少し記録感度が高くな
った。 上記のように作製したディスクには次のようにして記録
・再生・消去を行った。ディスクを１８０Ｏｒｐｍで回
転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）の光を記録が
行われないレベルに保って、記録ヘッド中のレンズで集
光して基板を通して一方の記録膜に照射し１反射光を検
出することによって、トラッキング用の溝と溝の中間に
光スポットの中心が常に一致するようにヘッドを駆動し
た。溝と溝の中間を記録トラックとすることによって溝
から発生するノイズの影響を避けることができる。この
ようにトラッキングを行いながら、さらに記録膜上に焦
点が来るように自動焦点合わせを行い、まず、パワー密
度の高いレーザ光を連続的に照射することによって記録
トラック上の記録膜を加熱し、各元素を反応、結晶化さ
せた。 非晶質化するのに適当なレーザパワーの範囲は、結晶化
するパワーより高く、強い変形を生じたり穴があくより
も低い範囲である。結晶化するのに適当なレーザパワー
の範囲は、結晶化が起こる程度に高く、非晶質化が起こ
るより低い範囲である。 光デイスクドライブ（記録・再生装置）における記録は
次のようにして行った。ディスクを１８０Ｏｒｐｍで回
転させ、半導体レーザ（波長８３０ｎｍ）の光を記録が
行われないレベル（約ｉｍＷ’）に保って、記録ヘッド
中のレンズで集光して基板を通して一方の記録膜に照射
し、反射光を検出することによって、トラッキング用の
溝と溝の中間に光スポットの中心が常に一致するように
ヘッドを駆動した。こうすることによって溝から発生す
るノイズの影響を避けることができる。 このようにトラッキングを行いながら、さらに記録膜上
に焦点が来るように自動焦点合わせを行い。 記録を行う部分では、レーザパワーを中間パワーレベル
１．１ｍＷと高いパワーレベル１８ｍＷとの間で第２図
に示したように変化させることにより記録を行った。高
いパワーレベルと中間パワーレベルとのパワーの比は１
： ０．４〜１ ： ０．８の範囲が特に好ましい。 また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにしてもよ
い。記録された部分の非晶質に近い部分を記録点と考え
る。記録を行う部分を通り過ぎれば、レーザパワーを１
ｍＷに下げてトラッキング及び自動焦点合わせを続けた
。 なお、記録中もトラッキング及び自動焦点合わせは継続
される。このような記録方法は、既に記録されている部
分に対して行っても記録されていた情報が新たに記録し
た情報に書き換えられる。すなわち東−の円形光スポッ
トによるオーバーライドが可能である。このようにオー
バーライドができるのが５本実施例で述べる本発明の記
録膜材料の特長である。しかし、記録書き換え時の最初
の１一回転または複数回転で、上記のレーザパワー変調
の高い方のパワーである１８ｍＷに近いパワーたとえば
１．６ｍＷの連続光を照射して一旦消去した後、次の１
回転で１１ｍＷと１８ｍＷの間で情報信号に従ってパワ
ー変調したレーザ光を照射して記録すれば、前に書かれ
ていた情報の消え残りが少なく、高い搬送波対雑音比が
得られる。この場合に最初に照射する連続光のパワーは
、上記の高いパワーレベルを１としたとき０．８〜１．
１の範囲で良好な書き換えが行えた。この方法は本発明
の記録膜ばかりでなく他の記録膜にも有効である。 記録・消去は１０’回以上繰返し可能であった。 記録膜の上下に形成するＺｎＳ層を省略した場合は、数
回の記録・消去で多少の雑音増加が起こった。 読み出しは次のようにして行った。ディスクをｔ８００
ｒｐｍで回転させ、記録時と同じようにトラッキングと
自動焦点合わせを行いながら、記録及び消去が行われな
い低パワーの半導体レーザ光で反射光の強弱を検出し、
情報を再生した。 本実施例では約１００ｍＶの信号出力が得られた。 本実施例の記録膜は耐酸化性が優れており、ＺｎＳ保護
膜を形成しないものを６０℃相対湿度９５％の条件下に
置いてもほとんど酸化されなかった・ 上記の５ｎ−３ｂ−Ｔｅ系記録膜において、他の元素の
相対的比率を一定に保って、Ｔｅ含有辰を変化させたと
き、消去の必要照射時間は次のように変化した。 消去の必要照射時間 Ｓｎ、、５ｂｓ２Ｔｅ、 ５．０μ５ｅｃＳｎ
、。５ｂＧｏＴｅ１１． １．０μ５ｅｃＳ ｎ２１
．７ｓ ｂ、３．、’ｒ ＋３Ｓ ０．５ ｉｔ ｓ
ｅ ｃＳ ｎｘｔ−７ｓ ｂｚｓ、ｙＴ ｍ４７ ０
、１ μｓ ｅ ｃＳｎｔｏＳｔ）ｚｏＴｅｖｏ
ｏ、ｌμ５ｅｃＳｎｓ、ｔＳｂｘ３．３Ｔｅ、、
０．５μ５ｅｃＳｎｓＳｂ１ｏＴｅｓｓ １
．Ｏμｓ ｅｃＳｎ４Ｓｂ、Ｔｅ８ｓ ５．０μ
ｓｅｃ他の元素の相対的比率を一定に保って、ｓｂ含有
量を変化させたとき、消去の必要照射時間は次のように
変化した。 消去の必要照射時間 ｎ１ｇ＊４ｓ ｂ、’ｒ ｅ７？＋＠ ５ ａ Ｏｐ
Ｓ ｅ Ｑｎ、、Ｓ ｂ、Ｔｅ、ｓｌ、 ０ ｐ ｓ
ｅ ｃｎｌ、Ｓ ｂ、。’ｒｅ、、 ｏ、 ５
μＳ ｅ Ｃｎ１７＊４ｓ ｌ）ｔ３Ｔ８１ｇ、４
０ 、１ ｐ ｓ ｅ ｃｎｌｔｓ ｔ）４ＢＩＴ ８
４１ ０ 、１ μｓ ｅ ｃＳ ｎ１１Ｓ ｂ４
５Ｔｅ、４ ０．５ Ｐｓ ｅ ｃＳｎ、Ｓｂ、。 Ｔｅ、、 １．Ｑμ５ ｅｃＳ ｎ５Ｓ ｂ
７５Ｔ ｍ２０ ５− Ｏｐ ｓ ｅ ｃ他
の元素の相対的比率を一定に保って、Ｓｎ含有量を変化
させたとき、記録に必要なレーザ光のパワー及び消去の
必要照射時間は次のように変化した。 記録レーザパワ Ｓ ｎｉＳ ｂ２３Ｔ ｅ、。 Ｓｎ３ Ｓ ｂ ３２ ｅ３ Ｔ ｅ Ｇ４ ｍ７３
ｎ、 Ｓ ｂ３１＠ｔ’ｒ ｅ、、。 Ｓｎ、Ｓｂ、、Ｔｅ、。 Ｓ ｎ ２３ Ｓ ｂ ２５ ｍ７ Ｔ ｅ ｓｔ ＋
３Ｓ ｎ３０ Ｓ ｂ、、、、’ｒ ８ＢＢＳ ｎ Ｇ
６ Ｓ ｂ １ｇ 、７ Ｔ ｅ ３３ ＋３Ｓ ｎｓ
ｇ Ｓ ｂ、、Ｔ ａ、。 ６ｍＷ ６ｍＷ ６ｍＷ ６ｍＷ ６ｍＷ ８ｍＷ ０ｍＷ 記録できず 消去の必要照射時間 ５ｎ１ＳｂｘｚＴｅｓｓ ２．Ｏμ５ｅｃＳ
ｎ、ｓ １）３２＋３Ｔｅ６４．７ １ｅ Ｏμ”Ａ
ｅ ＱＳｎ、Ｓｂ、、ｔＴｅａｚ、３０．５μ５ｅｃ
Ｓ ｎ、Ｓ ｂ、、Ｔｅ、□０．１ μｓ ｅ ｃＳ
ｎｚ３Ｓ ｂｚｇ＊１Ｔｅ５１−３ ０＋ １ μＳ
ｅ ＱＳ ｎ：ｌｏ Ｓ ｂ２３．、”ｒ ｅ４’ＧＨ
７０，５μ５ｅｃＳ ｎｓ、、Ｓ ｂｌｓ−７Ｔ ８３
３．３０ 、５ μＳ ｅ ＱＳｎ、、Ｓｂ□、Ｔｅ、
。 Ｑ、５μ５ｅｃＳｎ−３ｂ−Ｔｅａ元相同相図
ｂ、Ｔ ｅ、と５ｎＴｅを結ぶ直線上で組成を変化さ
せたとき、消去の必要照射時間及び一定速度で昇温した
場合の結晶化温度は次のように変化した。 Ｓｎ ｘｚ Ｓ ｂｚｚ ＩＩＧ Ｔ １Ｂ ５５ ＋
４Ｓ ｎ、、Ｓｂｉ、Ｔｅ５４ Ｓ ｎ ４３ ａ＠ Ｓ ｂ ５ Ｔ ｅ Ｇ１ ＋＋
２Ｓｎ、、５ｂ４Ｔｅ、１ 結晶化部 Ｓ ｌ’ｌ ２ Ｓ ｂ ３＠ ｅ５ Ｔ ｅ ｓｇ
＋６Ｓ ｎ３ Ｓ ｂ ａ７＊６ Ｔ ｅ ｇｇ ＋４
Ｓ ｎ５ Ｓ ｂ３ｓＴ ｅｓｇ Ｓ ｎ ７ Ｓ ｂ ３４ ｎ４ Ｔ ｅ ５Ｂ ＋ｌ
ｉＳ ｎ２３ Ｓ ｂ、Ｌ、、’ｒ ａｓｓ。 Ｓ ｎ３．Ｓ ｂｌ、Ｔ ｅ、。 Ｓ ｎ４３−ａｓ ｂｓＴ ｅｓ□、ｚＳｎ４５Ｓｂ４
Ｔｅ、工 １μｓ １μｓ １μｓ １μＳ Ｃ Ｃ Ｑ （３Ｑ 度 ２２０℃ ２２０℃ ２００℃ １８０’Ｃ １８０℃ １６０℃ １４０℃ １２０’Ｃ 消去の必要照射時間 Ｓ ｎ２ Ｓ ｂ３ｇ、ｓＴ ａｓｓ、ｓ ２ 、
Ｏ／Ａ ＳＳ ｎｘ Ｓ ｂｓｌ、ｓＴ ａｓｓ、４
１ 、 Ｏ／Ａ ＳＳＳｎ５Ｓ））ｘｓＴｅ５
ｏ、５μｓＳ ｎ７ Ｓ ｂ３４−４Ｔ ｅ５Ｂ−ｓ
０ 、１ ／！ Ｓ Ｃ Ｃ Ｃ Ｃ 他の元素の相対的比率を一定に保って、ＴＱ含有量を変
化させたとき、消去の必要照射時間は次のように変化し
た。 消去の必要照射時間 ａ＝ ０ ０．１μ５ｅｃ ａ＝ １ ０．０５μ５ｅｃａ＝１０
０．０５μｓｅｃ α＝１５ ０．０５μ５ｅｃ ＴＱが上記含有量より多いと、６０℃９５％中における
透過率２０％上昇までの時間が短い。 他の元素の相対的比率を一定に保って、ＣＯ含有量を変
化させたとき、一定速度で昇温した場合の結晶化温度及
び記録に必要なレーザ光のパワーは次のように変化した
。 結晶化 β＝０ β＝１ β＝１０ β＝２０ β＝３０ β＝３５ 温度 １８０℃ ２８０℃ ３００℃ ３００℃ ３００℃ ３００℃ 記録レーザパワー β＝ ０ １６ｍＷ β”１ １６ｍＷ β＝１０ １６ｍＷ β＝２０ １８ｍＷ β＝ ３０ ２０ ｍ Ｗ β＝３５ 記録できず 他の元素の相対的比率を一定に保って、ＴＯ及びＣｏを
同時に添加することによって信号変調度が大きくなる効
果が有る。 この他、他の元素の相対的比率を一定に保ったＧｄなど
の希土類元素の３０％以下の添加によって結晶化温度が
上昇する効果が有る。２０％以下が好ましい。１０％以
下が特に好ましい。 Ｄで表される他の元素も添加によって若干の感度向上、
耐酸化性向上などの効果が有る。 中間層の膜厚は中間層の屈折率をＮとしたときに６０
／ Ｎ ｎ ｍ以上Ｌ ６０ ／ Ｎ ｎ ｍ以下の範
囲が消去比が大きいという点で好ましい。膜厚は薄い領
域の方がレーザ照射後の冷却速度が大きく、非晶質化が
確実に行える。ただし、３ｎｍ以上６００ ｎ、 ｍ以
下の範囲でも、記録・再生は可能である。 Ｓｎの一部または全部を置換してＢｉ、、Ｐｂ。 Ｇａ、Ａｕ及びＩｎのうち少なくとも一元素を添加して
もよく似た特性かえられる。このうち。 ＳｎをＡｕで置換したＡ ｕ ｚ ４ 、３ Ｓ ｂ
２ Ｂ 、 ６ Ｔ ｅ５７ 、、について、他の元素
の比率を一定に保って、Ｔｅ含有量を変化させたとき、
記録に必要なレーザパワーは次の采に変化した。 記録レーザパワー ｙ＝４７ ２０ｍＷ ｙ＝５５ １８ｍＷ ｙ＝６０ １６ｍＷ ｙ”７０ １６ｍＷ Ｓｎの一部または全部をＢｉで置換し、ＺｎＳのＷｊを
すべてＳ ｂ２Ｓ ｅ、暦にすると、Ｂｉの、隣接する
層中への拡散が起こって、高い記録感度と、記録パワ一
対再生信号強度曲線の鋭い立ち上がり特性が得られたが
、書き換えの繰り返しによる特性変化は大きくなった。 ＴＱの一部または全部を置換してハロゲン元素、アルカ
リ金属元素のうちの少なくとも一元素を添加してもよく
似た特性かえられる。ＴＱについで好ましいハロゲン元
素Ｆ、ＣＩ２．Ｂｒ、Ｉのうちでは、■が特に好ましく
、ついでＣＱが好ましい。 アルカリ金属元素、Ｌｉ、Ｎａ、に、Ｒｂ、Ｃｓのうち
ではＮａが特に好ましく、ついでＫが好ましい。 Ｃｏの一部または全部を置換してＣｕ、Ａｇ＋Ｓｃ、Ｙ
、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ。 Ｆｅ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｗ、 丁ｒ及びＮｉの
うちの少なくとも一元素を添加してもよく似た特性が得
られる。これらのうち、Ｔｊ、Ｖ。 Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｒ及びＮ１のうちの少なくとも一元素は
、蒸着が容易であるという点で好ましい。 保護膜、中間層のうちの少なくとも一部に用いているＺ
ｎＳの代わりにＳｉｎ□、Ｓ ｉｏ、Ｙ２Ｏ３やＴａＮ
、Ａｌ２Ｎ、Ｓｉ、Ｎ４などの酸化物や窒化物、５ｂ２
８３などの硫化物、５ｎＳｅ２，５ｂＳｅ。 などのセレン化物、ＣｅＦ、などの弗化物、または非晶
質Ｓｉ、ＴｉＢ２．Ｂ４Ｃ，ＢＣなど、あるいは上記の
すべての材料のそれぞれに近い組成のものを用いてもよ
い。これらの積層膜（２層以上）も保護強度を上げるの
に有効である。例えば記録膜から遠い側に厚さ３００ｎ
ｍのＳｉＯ□層、記録膜に近い側に厚さ１１０ｎｍのＺ
ｎＳ層を配置した２層構造は書き換えによる特性変化が
少なく。 良好であった。 反射層として、Ａｕの一部または全部を置換してＡｇ、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆ−ｅ、Ａｎ、Ｃｏ、Ｃｒ。 Ｔｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｗｅ Ｔａ、Ｍｏなどを用いてもよ
く似た特性が得られた。 基板として、紫外線硬化樹脂層層を表面に形成した化学
強化ガラスの代わりに、表面に直接トラッキングガイド
などの凹凸を形成したポリカーボネート、ポリオレフィ
ン、エポキシ、アクリル樹脂などを用いてもよい。 【発明の効果１ 以上説明したように、本発明によれば、記録・再生特性
がよく、かつ長期間安定な情報の記録用部材を得ること
ができる。記録の書き換えも多数回可能である。
第１図はそれぞれ本発明の実施例における記録用部材の
構造を示す断面図、第２図は本発明の実施例におけるオ
ーバーライド用記録レーザ波形を示す図である。 １．１′・・・基板、２，２′・・・ＳｉＯ□層、３．
３’−ＺｎＳ層、４．４’−・・記録膜、５．５’−Ｚ
ｎＳ層、６．６’−Ａｕ反射層、７．７′・・・ＺｎＳ
層、８．・・・有機接着剤層。
構造を示す断面図、第２図は本発明の実施例におけるオ
ーバーライド用記録レーザ波形を示す図である。 １．１′・・・基板、２，２′・・・ＳｉＯ□層、３．
３’−ＺｎＳ層、４．４’−・・記録膜、５．５’−Ｚ
ｎＳ層、６．６’−Ａｕ反射層、７．７′・・・ＺｎＳ
層、８．・・・有機接着剤層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に直接もしくは無機物及び有機物のうち少な
くとも一者からなる保護層を介して形成された記録用ビ
ームの照射を受けて原子配列変化を生ずる情報記録用薄
膜において、上記情報記録用薄膜はその膜厚方向の平均
組成が一般式ＳｂｘＴｅｙＡｚＢαａＣβＤγ（ただし
、ｘ、ｙ、ｚ、α、β及びγは原子パーセントでそれぞ
れ５≦ｘ≦７０、１０≦ｙ≦８５、３≦ｚ≦５０、０≦
α≦２０、０≦β≦３０、０≦γ≦３０の範囲の値であ
り、ＡはＳｎ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ａｕ及びＩｎのうち
の少なくとも一元素、ＢはＴｌ、ハロゲン元素及びアル
カリ金属のうちの少なくとも一元素、Ｃ、はＡｇ、Ｃｕ
、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ及び
Ｎｉのうち少なくとも一元素、ＤはＳｂ、Ｔｅ、Ａ、Ｂ
、Ｃで表される元素以外の元素）で表されることを特徴
とする情報記録用薄膜。 ２、基板上に直接もしくは無機物及び有機物のうち少な
くとも一者からなる保護層を介して形成された一般式Ｓ
ｂｘＴｅｙＡｚＢαＣβＤγ（ただし、ｘ、ｙ、ｚ、α
、β及びγは原子パーセントでそれぞれ５≦ｘ≦７０、
１０≦ｙ≦８５、３≦ｚ≦５０、０≦α≦２０、０≦β
≦３０、０≦γ≦３０の範囲の値であり、ＡはＳｎ、Ｂ
ｉ、Ｐｂ、Ｇａ、Ａｕ及びＩｎのうちの少なくとも一元
素、ＢはＴｌ、ハロゲン元素及びアルカリ金属のうちの
少なくとも一元素、ＣはＡｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、
Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ及びＮｉのうち少なくと
も一元素、ＤはＳｂ、Ｔｅ、Ａ、Ｂ、Ｃで表される元素
以外の元素）で表される情報記録用薄膜に記録用ビーム
を照射し、該薄膜の照射部の原子配列を変化させる工程
及び上記薄膜に再生用ビームを照射し、上記原子配列の
変化を読み出す工程よりなることを特徴とする情報の記
録再生方法。 ３、上記記録用ビームがレーザービームである特許請求
の範囲第２項記載の情報の記録再生方法。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
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| DE68925331T DE68925331T2 (de) | 1988-10-05 | 1989-10-05 | Informationsaufzeichnungsdünnschicht und Methode zur Aufnahme und Wiedergabe von Information |
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|---|---|---|---|
| JP63306052A JP2776847B2 (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | 情報記録用薄膜及び情報の記録再生方法 |
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Cited By (3)
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| JP2776847B2 (ja) | 1998-07-16 |
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