JPH02146849U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02146849U JPH02146849U JP1989054841U JP5484189U JPH02146849U JP H02146849 U JPH02146849 U JP H02146849U JP 1989054841 U JP1989054841 U JP 1989054841U JP 5484189 U JP5484189 U JP 5484189U JP H02146849 U JPH02146849 U JP H02146849U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductivity type
- channel mos
- mos transistor
- transistors
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Semiconductor Memories (AREA)
Description
第１図及び第２図は本考案半導体メモリの一つ
の実施例を示すもので、第１図は平面図、第２図
は第１図の−線に沿う断面図、第３図は本考
案半導体メモリの別のレイアウト例を示す平面図
、第４図は本考案半導体メモリの別の実施例を示
す断面図である。 符号の説明、１……半導体基板、４ａ，４ｂ…
…ゲート電極、６ａ，６ｂ……ゲート電極、８ａ
，８ｂ……半導体層。
の実施例を示すもので、第１図は平面図、第２図
は第１図の−線に沿う断面図、第３図は本考
案半導体メモリの別のレイアウト例を示す平面図
、第４図は本考案半導体メモリの別の実施例を示
す断面図である。 符号の説明、１……半導体基板、４ａ，４ｂ…
…ゲート電極、６ａ，６ｂ……ゲート電極、８ａ
，８ｂ……半導体層。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板表面図に形成された２個の第１導電
型チヤンネルＭＯＳトランジスタと、半導体基板
表面上の半導体層に形成された２個の第２導電型
チヤンネルＭＯＳトランジスタによつてメモリセ
ルのフリツプフロツプ回路が構成された半導体メ
モリにおいて、 上記第１導電型チヤンネルＭＯＳトランジスタ
のゲート電極と、上記第２導電型チヤンネルＭＯ
Ｓトランジスタのゲート電極との互いに同電位と
なるものどうしが積層され、 上記第１導電型チヤンネルＭＯＳトランジスタ
よりも上記第２導電型チヤンネルＭＯＳトランジ
スタの方がチヤネル長が長くされた ことを特徴とする半導体メモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989054841U JPH0735399Y2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体メモリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989054841U JPH0735399Y2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体メモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02146849U true JPH02146849U (ja) | 1990-12-13 |
| JPH0735399Y2 JPH0735399Y2 (ja) | 1995-08-09 |
Family
ID=31577262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989054841U Expired - Lifetime JPH0735399Y2 (ja) | 1989-05-12 | 1989-05-12 | 半導体メモリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0735399Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160369A (ja) * | 1991-05-16 | 1993-06-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路 |
-
1989
- 1989-05-12 JP JP1989054841U patent/JPH0735399Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05160369A (ja) * | 1991-05-16 | 1993-06-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0735399Y2 (ja) | 1995-08-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |