JPH02137035U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH02137035U JPH02137035U JP4424089U JP4424089U JPH02137035U JP H02137035 U JPH02137035 U JP H02137035U JP 4424089 U JP4424089 U JP 4424089U JP 4424089 U JP4424089 U JP 4424089U JP H02137035 U JPH02137035 U JP H02137035U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- oxide film
- insulating film
- selectively formed
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図ａ〜ｃ及び第２図ａ〜ｃは、それぞれ本
考案の一実施例及び他の実施例の半導体装置を説
明するために、工程順に示した断面図である。第
３図ａ〜ｃは、従来の半導体装置を説明するため
に工程順に示した断面図である。 １……半導体基板、２……酸化膜、３……拡散
層、４……絶縁膜、５……フオトレジスト、６…
…配線材料、７……低濃度リンガラス層、８……
高濃度リンガラス層。
考案の一実施例及び他の実施例の半導体装置を説
明するために、工程順に示した断面図である。第
３図ａ〜ｃは、従来の半導体装置を説明するため
に工程順に示した断面図である。 １……半導体基板、２……酸化膜、３……拡散
層、４……絶縁膜、５……フオトレジスト、６…
…配線材料、７……低濃度リンガラス層、８……
高濃度リンガラス層。
Claims (1)
- 半導体基板上に、選択的に形成された酸化膜と
、前記酸化膜上に選択的に形成された絶縁膜とを
有し、前記絶縁膜の段差部が前記酸化膜上になる
様に前記酸化膜と絶縁膜に形成されたコンタクト
ホールを具備することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4424089U JPH02137035U (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4424089U JPH02137035U (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137035U true JPH02137035U (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=31557360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4424089U Pending JPH02137035U (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02137035U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354797A (ja) * | 1999-06-02 | 1999-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｍｉｓ型半導体装置とその作製方法 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP4424089U patent/JPH02137035U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11354797A (ja) * | 1999-06-02 | 1999-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Ｍｉｓ型半導体装置とその作製方法 |