JPH02134735A - 光ヘッド - Google Patents
光ヘッドInfo
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- JPH02134735A JPH02134735A JP63286866A JP28686688A JPH02134735A JP H02134735 A JPH02134735 A JP H02134735A JP 63286866 A JP63286866 A JP 63286866A JP 28686688 A JP28686688 A JP 28686688A JP H02134735 A JPH02134735 A JP H02134735A
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- Japan
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- laser
- lasers
- light
- optical head
- optical
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光メモリ装置に用いる光ヘッド及びそのヘッド
に使用する半導体レーザに関し、特に光ヘッドのオート
フォーカス方式に関するものである。
に使用する半導体レーザに関し、特に光ヘッドのオート
フォーカス方式に関するものである。
[従来の技術]
従来から、光を用いて情報を記録、消去、再生ずる光メ
モリ装置の媒体の形態として、光ディスク、光カード、
光デー1等の各種のものが知られている。光メモリの特
徴の一つとして、非接触で記録、消去、1り生が行なえ
るため、媒体や光ヘッドの摩耗がなく耐久性にすぐれ、
また傷やゴミ等に強いというメリットがある。しかし、
逆に記録面で1μmφ程度のほぼ回折限界に近い結像ス
ポットを得るために、オートフォーカス(以下へFと呼
ぶ)が必須であり、様々な方式が提案されている。なか
でも、非点収差方式と呼ばれる八1・”方式がΔ17コ
;差信号の検出感度が高く優れており。
モリ装置の媒体の形態として、光ディスク、光カード、
光デー1等の各種のものが知られている。光メモリの特
徴の一つとして、非接触で記録、消去、1り生が行なえ
るため、媒体や光ヘッドの摩耗がなく耐久性にすぐれ、
また傷やゴミ等に強いというメリットがある。しかし、
逆に記録面で1μmφ程度のほぼ回折限界に近い結像ス
ポットを得るために、オートフォーカス(以下へFと呼
ぶ)が必須であり、様々な方式が提案されている。なか
でも、非点収差方式と呼ばれる八1・”方式がΔ17コ
;差信号の検出感度が高く優れており。
多くの光メモリ装置に採用されている。
[発明が解決しようとしている課題]
上記非点収差方式には各種の方法が提案されているが、
特公昭61−61178−jに示されるように、アナモ
フィック光学系により媒体への入Q−1光そのものに予
め非点収差を与えるという方法は、記録面で良好なスポ
ットを得ることはできない欠点がある。
特公昭61−61178−jに示されるように、アナモ
フィック光学系により媒体への入Q−1光そのものに予
め非点収差を与えるという方法は、記録面で良好なスポ
ットを得ることはできない欠点がある。
そこで、記録媒体」〕で良好なスポットを?’Jるため
、通常は媒体への入射光には非点収差を与えず、媒体か
らの反射光の検出系で非点収差をりえることが多いが、
この方法によるとシリンドリカルレンズ等、非点収差を
発生させる光学素子が必要である。こうしたアナモフィ
ック光学系は。
、通常は媒体への入射光には非点収差を与えず、媒体か
らの反射光の検出系で非点収差をりえることが多いが、
この方法によるとシリンドリカルレンズ等、非点収差を
発生させる光学素子が必要である。こうしたアナモフィ
ック光学系は。
般に軸対称な球面系で構成する非アナモフィック光学系
に比べ作製が難しく、また方向性があるので組み立て調
整も難しくなる。
に比べ作製が難しく、また方向性があるので組み立て調
整も難しくなる。
それに対し11;1述の非点収差のある光源を用いるこ
とにより、アナモフィック光学系を省略することができ
るが、スポット径が大きくなる。焦点深度内でのスポッ
トの品質が落ち記録やrl牛のSN比が劣化する等の不
都合が生じるため、その光源からの光を用いて高密度記
録を行なう光メモリに適用することは難しい。
とにより、アナモフィック光学系を省略することができ
るが、スポット径が大きくなる。焦点深度内でのスポッ
トの品質が落ち記録やrl牛のSN比が劣化する等の不
都合が生じるため、その光源からの光を用いて高密度記
録を行なう光メモリに適用することは難しい。
[課題を解決するだめの手段]
本発明は、前記の問題点に鑑みなされたもので、アナモ
フィック光学系を用いることη−く、安定なオートフォ
ーカスを実現し、かつ、高密度記録をも実現することが
できる光ヘッドを提供することを[1的とする。
フィック光学系を用いることη−く、安定なオートフォ
ーカスを実現し、かつ、高密度記録をも実現することが
できる光ヘッドを提供することを[1的とする。
また、本発明の他のl]的として、本発明に使用する半
導体レーザな提供することがある。
導体レーザな提供することがある。
上記第1の目的は、記録媒体に光を照Q=I L、情報
の+1生及び/又は記録を行なう光学的情報記録1り生
装置に使用する光ヘッドにおいて、光源に複数のレーザ
な用い、そのうち少なくとも1つのレーザは記録媒体と
光ヘッドの相対距離を検出するためのレーザであり、か
つ当該レーザはレーザ側の先出Q(自体において他のレ
ーザに対して非点収差が大きく設定されていることを特
徴とする光ヘッドにより達成される。
の+1生及び/又は記録を行なう光学的情報記録1り生
装置に使用する光ヘッドにおいて、光源に複数のレーザ
な用い、そのうち少なくとも1つのレーザは記録媒体と
光ヘッドの相対距離を検出するためのレーザであり、か
つ当該レーザはレーザ側の先出Q(自体において他のレ
ーザに対して非点収差が大きく設定されていることを特
徴とする光ヘッドにより達成される。
また、本発明の半導体レーザは同一゛1′、導体)1ζ
板士、に集積化された複数の発光点なイ■し、そのうち
少なくとも1つの発光点からの光は、他の発光点からの
光に比べてノ1点収;テ゛が大きく、1[つその出q=
を端面の光軸)J同位1r?が他のレーザの出q−1端
而の光軸方向位16と異なることを特徴とする。
板士、に集積化された複数の発光点なイ■し、そのうち
少なくとも1つの発光点からの光は、他の発光点からの
光に比べてノ1点収;テ゛が大きく、1[つその出q=
を端面の光軸)J同位1r?が他のレーザの出q−1端
而の光軸方向位16と異なることを特徴とする。
[作用]
本発明によれば、光源に複数のレーザな用い、そのうち
少なくとも1つのレーザなq−を出波面の非点収差を人
きくしたレーザとしてオートフォーカス用のスポットに
利用し、非点収差法によるオートフォーカスを実現する
とともに、その他のレーザは情報両生又は記録用のスポ
ットに用いる。このように、?U数のレーザな機能的に
使い分けることによりアナモフィック光学系を用いるこ
となく、光ヘッドを構成することができる。
少なくとも1つのレーザなq−を出波面の非点収差を人
きくしたレーザとしてオートフォーカス用のスポットに
利用し、非点収差法によるオートフォーカスを実現する
とともに、その他のレーザは情報両生又は記録用のスポ
ットに用いる。このように、?U数のレーザな機能的に
使い分けることによりアナモフィック光学系を用いるこ
となく、光ヘッドを構成することができる。
また、オートフォーカス用のレーザの口・を出波面の1
10点収差を大きくし、かつ該レーザの出力端面の光軸
方向の位1r?を、該非点収差の増分に対応して、他の
レーザの出力端面からずらし、該レーザのノ1−点収差
の最小錯乱円の位置を、他のレーザのそれに−・致させ
ることにより、オートフォーカス検知において良好な特
性が得られる。
10点収差を大きくし、かつ該レーザの出力端面の光軸
方向の位1r?を、該非点収差の増分に対応して、他の
レーザの出力端面からずらし、該レーザのノ1−点収差
の最小錯乱円の位置を、他のレーザのそれに−・致させ
ることにより、オートフォーカス検知において良好な特
性が得られる。
[実施例]
以下、図面を用いて、本発明に係る光ヘッドの具体的な
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第1図は本発明の一実施例の構成な示す模式図である。
同図において、lは光メモリ媒体であり、通常、基板、
記録層、透明保護層等よりなるが1図では記録面のみを
示している。2は光源で、同一半導体ノ、ζ仮」ユに集
積化された半導体アレイレーザである。3 a 、 3
I)、 3 cはそれぞれそのアレイレーザ2内の:
へつのレーザを示す、4は該レーザからの光をゝ1慴−
1化するコリメータレンズ、5はビーム整形プリズム、
〔5はビームスプリッタ、7はピックアップレンズ、8
はセンサレンズである。9は光検出器で、同一パ1−導
体基板1°に集積化された分割型[)INフォトダイオ
ードで構成されている。I O’a、I Ob、I O
cはそれぞれ、3つのその受光領域である。
記録層、透明保護層等よりなるが1図では記録面のみを
示している。2は光源で、同一半導体ノ、ζ仮」ユに集
積化された半導体アレイレーザである。3 a 、 3
I)、 3 cはそれぞれそのアレイレーザ2内の:
へつのレーザを示す、4は該レーザからの光をゝ1慴−
1化するコリメータレンズ、5はビーム整形プリズム、
〔5はビームスプリッタ、7はピックアップレンズ、8
はセンサレンズである。9は光検出器で、同一パ1−導
体基板1°に集積化された分割型[)INフォトダイオ
ードで構成されている。I O’a、I Ob、I O
cはそれぞれ、3つのその受光領域である。
基本的には、通常の光メ干りの光ヘッドと同じく、各レ
ーザ:38〜3 cの出力は、コリメーターレンズ4.
ビーム整形プリズム5により、はぼ軸対称な光111分
イ1jをもつ゛1′−行光束に変換され、ビームスプリ
ッタ6の透過成分が、ピックアップレンズ7により、記
録面1−に:SつのスポットIIF】。
ーザ:38〜3 cの出力は、コリメーターレンズ4.
ビーム整形プリズム5により、はぼ軸対称な光111分
イ1jをもつ゛1′−行光束に変換され、ビームスプリ
ッタ6の透過成分が、ピックアップレンズ7により、記
録面1−に:SつのスポットIIF】。
11j>、llcを作る。3つのスポットは通常同一ト
ラックににあり各々;3つのレーザに対応し、媒体1と
光ヘッドの相対移動方向へに対して、上流から、スポッ
トII;tはオートフォーカス用(及びオートトラッキ
ング用)、+11)は記録用。
ラックににあり各々;3つのレーザに対応し、媒体1と
光ヘッドの相対移動方向へに対して、上流から、スポッ
トII;tはオートフォーカス用(及びオートトラッキ
ング用)、+11)は記録用。
11 cは出生用スポットであり、いわゆるD HA
W(リアルタイl、の記録ベリファイ)がif能な配列
なh’+’!成する。各レーザは、独立に駆動可能で、
いわゆるAI’ Cにより光出力は、各モードに安定化
されている。各レーザの発光点の間隔は+ 004、L
mで、媒体11−にl対lに結像されている。
W(リアルタイl、の記録ベリファイ)がif能な配列
なh’+’!成する。各レーザは、独立に駆動可能で、
いわゆるAI’ Cにより光出力は、各モードに安定化
されている。各レーザの発光点の間隔は+ 004、L
mで、媒体11−にl対lに結像されている。
各スポットの反g1先は、ピックアップレンズ7、ビー
ムスプリッタ6、センサーレンズ8を経て2それぞれの
スポットに対応した受光領域10;J −10cに人’
l−j L 、各受光領域の出力は、IOaはオートフ
ォーカス(及びオートドラッギング) 、 I Oり
、 I Ocは情報両生(+? F )に用いられる
。
ムスプリッタ6、センサーレンズ8を経て2それぞれの
スポットに対応した受光領域10;J −10cに人’
l−j L 、各受光領域の出力は、IOaはオートフ
ォーカス(及びオートドラッギング) 、 I Oり
、 I Ocは情報両生(+? F )に用いられる
。
本発明において、アレイレーザ2のうち、オトフ1−カ
ス川レーザ:3aは、コ30 Jh mの升点隔X:が
あり、これにより、非点収差法のオートフォーカスが実
現される。九鯨にすでに非点収差があるので、センサー
レンズ8は、通常の軸対称な球面系のみで構成できる。
ス川レーザ:3aは、コ30 Jh mの升点隔X:が
あり、これにより、非点収差法のオートフォーカスが実
現される。九鯨にすでに非点収差があるので、センサー
レンズ8は、通常の軸対称な球面系のみで構成できる。
第2図は、アレイレーザ:3a〜3Cの出力波面を説明
するだめの模式図で、メリジオナル゛1′−面の光線を
実線で、サジタル甲面の光線を破線で示している。同図
において、記録用、出生用のレーザ3b、:Scの出力
端面は同一・1′・面内にあり、かつ、メリジオナル、
サジタル両11′・面内の発光点(ビームウェスト)は
一致しており、それぞれ出力端面にある。それに対し、
オートフォーカス用レーザ:3)1のメリジオナル゛1
′−面内の仮想発光点はレーザ端面より2氾0だけ奥に
入り込ませである。また、サジクル・1′・面内の発光
点は出力端面にあるので、非点隔差2氾0が得られる。
するだめの模式図で、メリジオナル゛1′−面の光線を
実線で、サジタル甲面の光線を破線で示している。同図
において、記録用、出生用のレーザ3b、:Scの出力
端面は同一・1′・面内にあり、かつ、メリジオナル、
サジタル両11′・面内の発光点(ビームウェスト)は
一致しており、それぞれ出力端面にある。それに対し、
オートフォーカス用レーザ:3)1のメリジオナル゛1
′−面内の仮想発光点はレーザ端面より2氾0だけ奥に
入り込ませである。また、サジクル・1′・面内の発光
点は出力端面にあるので、非点隔差2氾0が得られる。
3つのレーザは同一・光学系により、媒体1−1−にス
ポットを結ばせるので、簡litのため、二】リメータ
ーレンズ4、ピックアップレンズ7の像面湾曲をjij
t視して考えれば、レーザ:3 b 、 3Cの端面と
、媒体Iの、記録面は共役面となる。従って、オートフ
ォーカス用レーザ:)8の出力波面の仮想の最小錯乱円
の信置を、(I!!の2つのレーザ:3b、3cの出力
端面の()“I置にすることにより、それと共役関係に
ある媒体lの記録面一1−で、スポットllaは最小3
ハ乱円となり、ノ1点収Z′法オートフォーカスの合焦
付置となる。なお、ここで仮想の最小錯乱円の位置とは
オートフォーカス用レーザ:32】のメリジオナル、サ
ジタル両甲面の出射光を逆行した場合において牛しる想
像−1,の最小211乱円の位置をいう。
ポットを結ばせるので、簡litのため、二】リメータ
ーレンズ4、ピックアップレンズ7の像面湾曲をjij
t視して考えれば、レーザ:3 b 、 3Cの端面と
、媒体Iの、記録面は共役面となる。従って、オートフ
ォーカス用レーザ:)8の出力波面の仮想の最小錯乱円
の信置を、(I!!の2つのレーザ:3b、3cの出力
端面の()“I置にすることにより、それと共役関係に
ある媒体lの記録面一1−で、スポットllaは最小3
ハ乱円となり、ノ1点収Z′法オートフォーカスの合焦
付置となる。なお、ここで仮想の最小錯乱円の位置とは
オートフォーカス用レーザ:32】のメリジオナル、サ
ジタル両甲面の出射光を逆行した場合において牛しる想
像−1,の最小211乱円の位置をいう。
第;3図は子連の関係を説明するための媒体11゜のス
ポットの4+7置関係を示す模式図で、木来第1図に小
したように反Q−1する光を検出するが、説明のため、
反Q・を光を1・−側へ展開した図を示す、第:5図に
おいて、それぞれ記録用レーザ;3t)、1り牛用レー
ザ:3(]に対応したスポット11t)、11(]は、
非点収差なくスポットを結ぶが、非点収差のあるレーザ
3aによる光のビームウェストは、メリジオナル平面で
記録面より氾1だけ丁前に5サジタル平面で反Q−1後
氾2の位置に存在することになる。なお第2図、第3図
においてレーザの活性層内の屈折率はA168^S/G
aAs系レーザで:S、5゜媒体1の保護層の屈折率は
通7;イ1.5程度であるので、光線は屈折し、本来の
ビームウェストの位置は屈折小分だけずれるが、lit
なる設計°11項であり、説明が煩雑になるのでその効
果については省略する。
ポットの4+7置関係を示す模式図で、木来第1図に小
したように反Q−1する光を検出するが、説明のため、
反Q・を光を1・−側へ展開した図を示す、第:5図に
おいて、それぞれ記録用レーザ;3t)、1り牛用レー
ザ:3(]に対応したスポット11t)、11(]は、
非点収差なくスポットを結ぶが、非点収差のあるレーザ
3aによる光のビームウェストは、メリジオナル平面で
記録面より氾1だけ丁前に5サジタル平面で反Q−1後
氾2の位置に存在することになる。なお第2図、第3図
においてレーザの活性層内の屈折率はA168^S/G
aAs系レーザで:S、5゜媒体1の保護層の屈折率は
通7;イ1.5程度であるので、光線は屈折し、本来の
ビームウェストの位置は屈折小分だけずれるが、lit
なる設計°11項であり、説明が煩雑になるのでその効
果については省略する。
また、後述するように、現在の1へ導体レーザは、非点
隔差を0にすることは難しく、小さいものでも3μm程
度の非点隔差を有するが、光メ;〔リシスデム」〕大き
な問題とはならない0以上の説明で、レーザ:Sb 、
・3CはノI点隔差0として扱ったが、:3μm程度の
非点隔差があっても、:3つのレーザの最小錯乱円の位
置を一致させれば特に問題とならない、また、レーザ3
aの非点隔差2β0を30μmとしたのは、いわゆるオ
ートン1−カスの引き込み範囲上を15μmと設定し、
レーザ2を媒体1に補償+1倍で結像しているため、!
0=氾1=15μmとなるがらである。引き込み範囲や
縦倍率(=(横イ?゛1串)′)に応じて、レーザ側の
非点収差I2oを、最適)11°1に選べばよいことは
いうまでもない。
隔差を0にすることは難しく、小さいものでも3μm程
度の非点隔差を有するが、光メ;〔リシスデム」〕大き
な問題とはならない0以上の説明で、レーザ:Sb 、
・3CはノI点隔差0として扱ったが、:3μm程度の
非点隔差があっても、:3つのレーザの最小錯乱円の位
置を一致させれば特に問題とならない、また、レーザ3
aの非点隔差2β0を30μmとしたのは、いわゆるオ
ートン1−カスの引き込み範囲上を15μmと設定し、
レーザ2を媒体1に補償+1倍で結像しているため、!
0=氾1=15μmとなるがらである。引き込み範囲や
縦倍率(=(横イ?゛1串)′)に応じて、レーザ側の
非点収差I2oを、最適)11°1に選べばよいことは
いうまでもない。
次に第4図、第5図を用いて、検出J3;i理について
説明するが、基本的には、通常のアナ干フィック光学系
を用いた場合と、同じ検出原理であり。
説明するが、基本的には、通常のアナ干フィック光学系
を用いた場合と、同じ検出原理であり。
周知のものであるので、簡111な説明にとどめる。
第4図は、I’ I Nフォトダイオード9に人Q−1
する光線を説明するための模式図で、lOaはオートフ
ォーカス用(及びオトラッギング用)、+01)は記録
用、lOcは1り牛用のレーザ:S t】〜:S c及
びスポットIla〜llcに各々対応した受光6f1域
である。ピックアップレンズ7とセンサーレンズ8の焦
点距離の比で決まる横47’j串で、71トダイオード
91−のスポット間隔が決まり、フォトダイオード−1
,でのJ1点隔差2氾2が決まる。これらは、オートフ
ォーカスの感度、及び、分割1ンINフ]トダイオード
の精度等から決定する。オートフォーカス用スポットの
メリジオナル平面の仮想ピー11ウエストは、氾2だけ
後方に、サジタル・1′−面のビームウェストは、β2
だけ丁=+iilにある。
する光線を説明するための模式図で、lOaはオートフ
ォーカス用(及びオトラッギング用)、+01)は記録
用、lOcは1り牛用のレーザ:S t】〜:S c及
びスポットIla〜llcに各々対応した受光6f1域
である。ピックアップレンズ7とセンサーレンズ8の焦
点距離の比で決まる横47’j串で、71トダイオード
91−のスポット間隔が決まり、フォトダイオード−1
,でのJ1点隔差2氾2が決まる。これらは、オートフ
ォーカスの感度、及び、分割1ンINフ]トダイオード
の精度等から決定する。オートフォーカス用スポットの
メリジオナル平面の仮想ピー11ウエストは、氾2だけ
後方に、サジタル・1′−面のビームウェストは、β2
だけ丁=+iilにある。
第5図に、オートフ場−カス用受光領域の4分割1)I
Nフォトタイオードと、スポットの関係を示す94分:
’jlセンサの2組のタヌキの和の差をとることにより
、フォーカスの、ヒ;差イ:1号が得られ。
Nフォトタイオードと、スポットの関係を示す94分:
’jlセンサの2組のタヌキの和の差をとることにより
、フォーカスの、ヒ;差イ:1号が得られ。
いわゆる8字特性が得られる。第5図(b)が合焦位置
、 (a)は媒体1がピックアップレンズ7より遠ざか
る方のデフォーカス、(C) はその逆方向の場合を示
す。4分割線をトラックに対して45゜傾けるのは、ト
ラッキングからのクロストークを小さく一→るためであ
る。
、 (a)は媒体1がピックアップレンズ7より遠ざか
る方のデフォーカス、(C) はその逆方向の場合を示
す。4分割線をトラックに対して45゜傾けるのは、ト
ラッキングからのクロストークを小さく一→るためであ
る。
第6図は、本発明に係る゛I’導体レーザの一例として
アレイレーザの構造を説明するための模式図である。
アレイレーザの構造を説明するための模式図である。
一般に、屈折率導波型レーザでは非点隔差が小さく、利
得導波ノ%lJレーザでは大きい。これは光電力の横方
向の閉じ込め方法の追いで、利得による閉じ込めの場合
、複素誘電率の虚部が空間分布をもら、レーザ共振器の
固有モードの波面が、進行ノ、向に凸状に湾曲するため
である。より直感的には、ギヤリア密度の分布によって
閉じ込めを行なうので、誘導放出が放q−を状に生じな
がら、ギヤリア密度の分イ11に対応した利得領域にr
で)って進むためである。それに対し、屈折率導波の場
合、屈折率により光波が閉じ込められているため、その
ような波面の湾曲は少ないことが知られている。
得導波ノ%lJレーザでは大きい。これは光電力の横方
向の閉じ込め方法の追いで、利得による閉じ込めの場合
、複素誘電率の虚部が空間分布をもら、レーザ共振器の
固有モードの波面が、進行ノ、向に凸状に湾曲するため
である。より直感的には、ギヤリア密度の分布によって
閉じ込めを行なうので、誘導放出が放q−を状に生じな
がら、ギヤリア密度の分イ11に対応した利得領域にr
で)って進むためである。それに対し、屈折率導波の場
合、屈折率により光波が閉じ込められているため、その
ような波面の湾曲は少ないことが知られている。
従って、利得による閉じ込め効果、屈折率による閉じ込
め効果をうまく組み合わせることにより。
め効果をうまく組み合わせることにより。
本発明で用いるようを、アレイレーザ内で、異なるノ1
点収X′を持たすことがTl能である。
点収X′を持たすことがTl能である。
第6図に示したレーザは、基本的には埋め込みノ1すの
屈折率導波型レーザで1分:r線結晶成長法、リアクテ
ィブイオンエツチング法等により作製できる。レーザコ
S8に関しては、屈折小差を小さくし、屈折率による閉
じ込め効果を小さくシ、利得導波の効果を大きくするこ
とにより11点収差を。
屈折率導波型レーザで1分:r線結晶成長法、リアクテ
ィブイオンエツチング法等により作製できる。レーザコ
S8に関しては、屈折小差を小さくし、屈折率による閉
じ込め効果を小さくシ、利得導波の効果を大きくするこ
とにより11点収差を。
他のレーザ3b、:3cより大きくしている。そして、
第2図で説明したように、各レーザの仮想の最小錯乱円
の(☆置が同一!1′而にあるように各レザの出力端面
の光軸方向位置をエツチング笠により制御−4−ること
で1本発明に係る゛1′導体レーザを作製することがで
きる。なお、122]〜12cは、各レーザの後方出力
をモニタし、Δl)Cをかけるためのフォトダイオード
である。
第2図で説明したように、各レーザの仮想の最小錯乱円
の(☆置が同一!1′而にあるように各レザの出力端面
の光軸方向位置をエツチング笠により制御−4−ること
で1本発明に係る゛1′導体レーザを作製することがで
きる。なお、122]〜12cは、各レーザの後方出力
をモニタし、Δl)Cをかけるためのフォトダイオード
である。
なお本発明によれば、オートフォーカス用(及びオート
トラッキング用)スポットIlaのスポット径は他のス
ポットIIb、cより人きくなっており、そのため、記
録ビットからのクロストークが低減できる1−に、媒体
11−の傷やゴミ、その他の欠陥によるオートフォーカ
ス(及びオートトラッキング)のふられを抑制し、従来
よりオートフォーカス(及びオートトラッキング)の安
定度が向上する。
トラッキング用)スポットIlaのスポット径は他のス
ポットIIb、cより人きくなっており、そのため、記
録ビットからのクロストークが低減できる1−に、媒体
11−の傷やゴミ、その他の欠陥によるオートフォーカ
ス(及びオートトラッキング)のふられを抑制し、従来
よりオートフォーカス(及びオートトラッキング)の安
定度が向上する。
本発明は1);I記実施例に限らず村1々の変形、応用
が可能である。
が可能である。
例えば、−1一連の記述では、1ミに記録と山上を行な
う九メモリの光ヘッドについて述べたが、もちろん本発
明は、これに限定されるものではなく、消去■f能な光
メモリ、肉牛−111用の光メモリ等にも適用しても大
きな効果を得ることができる。
う九メモリの光ヘッドについて述べたが、もちろん本発
明は、これに限定されるものではなく、消去■f能な光
メモリ、肉牛−111用の光メモリ等にも適用しても大
きな効果を得ることができる。
さらに、集も1化された一次元アレイレーザについて説
明したが、二次元アレイレーザを用いて。
明したが、二次元アレイレーザを用いて。
パラレルに消人・録1りを行なったり、パイロット、プ
リヒート、バイアス等の機能を達成する場合にも、大き
な効果がある。オートフォーカス川レーザは・−)に限
定されるものではなく、複数設けて、必要に応じて切り
替えて使用してもよい。
リヒート、バイアス等の機能を達成する場合にも、大き
な効果がある。オートフォーカス川レーザは・−)に限
定されるものではなく、複数設けて、必要に応じて切り
替えて使用してもよい。
[発明の効果]
以1゛説明したように、本発明の光ヘッド及び゛1′導
体レーザによれば、光源に複数のレーザな用い、少なく
とも一つの非点収差が他のレーザに(らべて大きいレー
ザをオートフォーカス用に用いることにより、アナモフ
ィック光゛i:系を用いることなく、光ヘッドを構成釘
ることかできる。
体レーザによれば、光源に複数のレーザな用い、少なく
とも一つの非点収差が他のレーザに(らべて大きいレー
ザをオートフォーカス用に用いることにより、アナモフ
ィック光゛i:系を用いることなく、光ヘッドを構成釘
ることかできる。
また、そのレーザの仮想の最小錯乱円のイ装置を他のレ
ーザの仮想の最小錯乱円の信置と一致させることにより
、オートフィーカス制御が良好になり、安定なオート)
オーカスを実現しかつ高密度ご己録をも実現できる。
ーザの仮想の最小錯乱円の信置と一致させることにより
、オートフィーカス制御が良好になり、安定なオート)
オーカスを実現しかつ高密度ご己録をも実現できる。
第1図は本発明の光ヘッドの一実施例を示す光ヘッドの
構成図である。 第2図は本発明に係るアレイレーザの出力波面の説明図
である。 第3図は媒体1−のスポットの位置関係を示す図である
。 第4図は光検出2:りに人Qlする光の説明図である。 第5図はオートフォーカス川検出器とスポットの説明図
である。 第6図は本発明に係るアレイレーザの(1”4造を示す
説明図である。 l・・・光メモリ媒体、2・・・複数レーザ、9・・・
光検i器、11a〜llc・・・光スポツト第1図 =コー 代理人 弁理1: 山 ド 穣 甲 第 図 ヌn 第 図 1c 1b 1a 第 図 第 図 (b) (C)
構成図である。 第2図は本発明に係るアレイレーザの出力波面の説明図
である。 第3図は媒体1−のスポットの位置関係を示す図である
。 第4図は光検出2:りに人Qlする光の説明図である。 第5図はオートフォーカス川検出器とスポットの説明図
である。 第6図は本発明に係るアレイレーザの(1”4造を示す
説明図である。 l・・・光メモリ媒体、2・・・複数レーザ、9・・・
光検i器、11a〜llc・・・光スポツト第1図 =コー 代理人 弁理1: 山 ド 穣 甲 第 図 ヌn 第 図 1c 1b 1a 第 図 第 図 (b) (C)
Claims (5)
- (1)記録媒体に光を照射し、情報の再生及び/又は記
録を行なう光学的情報記録再生装置に使用する光ヘッド
において、光源に複数のレーザを用い、そのうち少なく
とも1つのレーザは記録媒体と光ヘッドの相対距離を検
出するためのレーザであり、かつ当該レーザはレーザ側
の光出射自体において他のレーザに対して非点収差が大
きく設定されていることを特徴とする光ヘッド。 - (2)光源に複数のレーザを用い、そのうち少なくとも
1つのレーザは記録媒体と光ヘッドの相対距離を検出す
るためのレーザであり、そのレーザは、他のレーザに対
して非点収差が大きく且つ、該レーザの仮想の最小錯乱
円の位置が、他のレーザの仮想の最小錯乱円の位置と同
一平面内にあることを特徴とする光ヘッド。 - (3)前記光源は、同一半導体基板上に集積化された一
次元もしくは二次元アレイ状の半導体レーザであること
を特徴とする請求項第2項記載の光ヘッド。 - (4)同一半導体基板上に集積化された複数の発光点を
有し、そのうち少なくとも1つの発光点からの光は、他
の発光点からの光に比べて非点収差が大きく、且つその
出射端面の光軸方向位置が他のレーザの出射端面の光軸
方向位置と異なることを特徴とする半導体レーザ。 - (5)同一半導体基板上に集積化された複数の発光点を
有し、そのうち少なくとも1つの発光点からの光は、他
の発光点からの光に比べて非点収差を大きくした特性で
製造された半導体レーザを、各光ヘッドのオートフォー
カスサーボ引き込み範囲や縦倍率等の条件に応じて、そ
れら複数の出射端面の光軸方向位置を切り出すことを特
徴とする請求項第4項の半導体レーザの作成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63286866A JP2585761B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 光ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63286866A JP2585761B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 光ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02134735A true JPH02134735A (ja) | 1990-05-23 |
JP2585761B2 JP2585761B2 (ja) | 1997-02-26 |
Family
ID=17710026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63286866A Expired - Fee Related JP2585761B2 (ja) | 1988-11-15 | 1988-11-15 | 光ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2585761B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6912192B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser unit and optical head device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5246827A (en) * | 1975-10-11 | 1977-04-14 | Hitachi Ltd | System for reproducing information |
JPS59223944A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-15 | Pioneer Electronic Corp | 光学式記録情報読取用ピツクアツプ装置 |
JPS61184735A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Nec Corp | マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置 |
-
1988
- 1988-11-15 JP JP63286866A patent/JP2585761B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5246827A (en) * | 1975-10-11 | 1977-04-14 | Hitachi Ltd | System for reproducing information |
JPS59223944A (ja) * | 1983-06-02 | 1984-12-15 | Pioneer Electronic Corp | 光学式記録情報読取用ピツクアツプ装置 |
JPS61184735A (ja) * | 1985-02-12 | 1986-08-18 | Nec Corp | マルチビ−ム型光ピツクアツプ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6912192B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser unit and optical head device |
US7266072B2 (en) | 2002-05-28 | 2007-09-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser unit and optical head device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2585761B2 (ja) | 1997-02-26 |
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Legal Events
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