JPH02111039A

JPH02111039A - 半導体装置の製造方法およびそれに用いる樹脂モールド装置

Info

Publication number: JPH02111039A
Application number: JP26516188A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Shimizu; 猛清水; Junichi Kumano; 熊野　順一; Katsushige Namiki; 並木　勝重
Original assignee: Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd; Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Priority date: 1988-10-20
Filing date: 1988-10-20
Publication date: 1990-04-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体装置の製造方法、特に樹脂封止形半導
体装置の製造における樹脂モールド工程に適用して有効
な技術に関するものである。

〔従来の技術〕

この種の技術について記載されている例としては、特開
昭５２−９５７６５公報等がある。

上記公報においては、樹脂封止形半導体装置の製造工程
において、パッケージ形成に用いられる樹脂モールド装
置、特にその金型構造について詳細に説明されている。

一般に、このような樹脂モールド装置においては、上型
と下型とからなる一対の金型の各対面部位に複数個のキ
ャビティを形成し、両全型間にリードフレームを載置し
た状態で、上記キャビティに対して溶融状態の樹脂を高
圧注入し、当該樹脂をリードフレームの周囲にキャビテ
ィ形状で加熱硬化させることによってパッケージの形成
を行っている。

このような樹脂モールド装置の概略について第１１図を
用いてさらに詳しく説明する。

同図において、下方の可動プラテン５１上に垂設された
サポートピラ５２によって支持された下型ベースユニッ
ト５３　（基体）上には下金型５４が固定されている。

該下金型５４は上記下型ベースユニット５３内に内蔵さ
れた加熱源としてのヒータ５５によって所定温度に加熱
される構造となっている。

上記下金型５４の上方には上型ベースユニット５６の下
面に固定された上金型５７が設置されており、両金型５
４．５７のそれぞれ対応する成形分割平面（パーティン
グ面Ｐ）にはキャビティ５８が形成されている。上型ベ
ースユニット５６の内部には、上記と同様にヒータ５５
が内蔵されてふり、上金型５７を加熱する構造となって
いる。

また、この上型ベースユニット５６は、サポートピラ５
２によって図示しない上方の固定プラテン側に固定され
た構造となっている。

上型ベースユニット５６と上金型５７のほぼ中央垂直方
向には、円筒形状のポット６０が配設されており、該ポ
ット６０の内部にはプランジャ６１が筒袖方向に摺動可
能に配置されている。

上記構成において、被モールド物体であるＩＪ　−ドフ
レーム６２は、上金型５７と下金型５４）：で構成さ−
れるキャビティ５８内に配置される。この状態でポット
６０内に収納されたタブレット６３（パッケージ樹脂材
料）がヒータ５５による加熱とプランジャ６１とによる
移送圧力とで溶融状態となり、ランナ６４およびゲート
６５を通じてキャビティ５８内に高圧注入され、該キャ
ビティ形状に対応したパッケージが形成される。

上記樹脂モールド工程において、上金型５７と下金型５
４とのパーティング面Ｐによって挟持されるリードフレ
ーム６２等の全インサートに対して均等な型締力が加わ
らなかった場合には、上記パーティング面Ｐに対して全
面的あるいは局所的な隙間が生じ、この隙間によって樹
脂のにじみ出し、いわゆるレジンフラッシュＲが発生す
る。このようなレジンフラッジ、Ｈの発生状態を示した
ものが第１２図である。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記レジンフラッシュＲがリード６６の表面を覆う程度
に発生した製品は、外観が好ましくない以上に、半田付
は性および封止信頼性の低下を来す結果となる。さらに
、このようにして発生したレジンフラッシュＲの除去作
業も煩雑である等の不都合を有している。

パーティング面Ｐにおいて、上記の如き隙間の生じる要
因としては、リードフレーム６２の加工精度とともに、
上金型５７および下金型５４のそれぞれの組立・加工精
度、各ベースユニット５３５６内に内蔵されたヒータ５
５による加熱部分と非加熱部分との熱膨張差から発生す
る平坦誤差、プランジャ６１の移送圧力およびプラテン
加圧等による変形によるものが多く、これらの相乗作用
によって上記隙間を生じている。第１Ｉ図中、２点鎖線
で示したものはプランジャ６１の移送圧力による下型ベ
ースユニット５３の歪み形状を示しており、破線で示し
たものは、プラテン加圧時による可動プラテン５１の変
形形状を示している。

このような変形を防止するために、装置の初期設計で任
意に配設されたサポートピラ５２のうち、該当箇所の高
さを切削加工あるいはスペーサの挿人等により調整して
いた。しかし、サポートピラ５２の高さ調整は高精度な
技術を必要とし、さらに経時変化によって変形形状も異
なってくるため、完全な対処は困難であった。そのため
、レジンフラッジ５Ｒの発生防止について十分な効果が
得られてはいなかった。

本発明は、上記課題に着目してなされたものであり、そ
の目的は、樹脂モールド成形時におけるレジンフラッシ
ュの発生を防止し、信頼性の高いパンケージ成形を実現
可能な技術を提供することにある。

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、概ね次のとおりである。

すなわち、樹脂モールド工程において、金型の成形分割
平面に対して局所的に加わる応力を成形分割平面全体に
対して均等に分散させながらキャビティに対して樹脂の
高圧注入を行うものである。

また、上記応力の分散を実現するために、金型あるいは
この金型を保持する基体において、流体が充填されると
ともに互いに流体流通管によって連結された複数のシリ
ンダからなる均圧機構を備え、該均圧機構の各シリンダ
はその各ロッド端面によって上記金型あるいは上記基体
を支持する構造としたものである。

〔作用〕

上記した手段によれば、第１に、金型の成形分割平面に
対して局所的に加わる応力を均等に分散させながら樹脂
の高圧注入を行うことによって、金型の熱膨張差、ある
いはプランジャの移送圧力およびプラテン加圧等による
金型の変形にともなう成形分割平面の平坦誤差を防止で
き、隙間の発生によるレジンフラッシュを効果的に防止
できる。

第２に、均圧機構を設け、この均圧機構に設けられた各
シリンダを流体流通管で互いに連結構造とすることによ
って、局所的に加わる応力を金型の成形分割平面全体に
対して均等に分散させることができる。したがって、サ
ポートピラの切削加工あるいはスペーサの挿入等の高精
度かつ煩雑な調整作業等を必要とすることなく、成形分
割面の平坦誤差を修正でき、隙間の発生にともなうレジ
ンフラッシュを防止できる。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例である樹脂モールド装置の金
型近傍を示す断面図、第２図はこの樹脂モールド装置の
全体構成図、第３図は下型のパーティング面における形
成状態を示す平面図、第４図は本実施例における均圧機
構を示す斜視図、第５図はリードフレームの板厚のばら
つき状態を示す説明図、第６図および第７図はリードフ
レームの板厚寸法誤差とレジンフラッシュとの発生関係
を示す説明図、第８図および第９図は金型に対する押え
面積とレジンフラッシュの発生状態の関係を示す説明図
、第１０図は本実施例によって得られる半導体装置を示
す断面図である。

本実施例に用いられる樹脂モールド装置１は、第２図に
示すように、上方の固定プラテン２に保持された上型部
３と、下方の可動プラテン４に支持された下型部５とを
有している。この上型部３と下型部５の詳しい構成につ
いては第１図に示す通りであるが詳細については後述す
る。

上記固定プラテン２は、装置基台６より垂設された支柱
７によって装置基台６のステージ上方に支持されており
、該固定プラテン２の上部にはタブレット８を挿入する
トランスファシリンダ１０が取付けられている。一方、
装置基台６の下部には上記可動プラテン４を上下動させ
るプラテン駆動用シリンダ１１が設けられており、この
プラテン駆動用シリンダ１１はステージ側方に配置され
た制御部１２によって制御されている。

次に、上記上型部３と下型部５の構造について第１図を
用いて説明する。

同図において、下型部５は、可動プラテン４と、均圧ブ
ロック１３と、下型ベースユニット１４と、下金型１５
とで構成されている。一方、上型部３は可動プラテン４
より垂下されたサポートピラ１６に保持される上型ベー
スユニッ）１７と、止金型１８と、ポット２０と、プラ
ンジャ２１とで構成されている。

同図中、下金型１５を固定する下型ベースユニット１４
と、上金型１８を固定する上型ベースユニット１７には
加熱源としてのヒータ２２が複数箇所に内蔵されており
、上記上金型１８と下金型１５とを加熱する構造となっ
ている。また、下型ベースユニット１４は第４図にその
詳細を示すように、ユニット本体１４ａの下郎において
断Ｑｌｉ２３を経て当て坂２４が配設された構成を有し
ている。上記断熱板２３により、ヒータ２２からの熱が
遮断され、均圧ブロック１３内の後述の作動油２５の温
度上昇を防止するようになっている。

なお、上記断熱板２３の他にさらに均圧ブロック１３側
に図示しない水冷等の強制冷却機構を設けてもよい。

上型ベースユニット１７と上金型１８の略中央部位には
円筒形状のポット２０が垂設されており、該ポット２０
の内部にはプランジャ２１がポット軸方向に摺動可能に
内設されている。

上金型１８と下金型１５とで構成されるパーティング面
Ｐには、両金型１８および１５が閉塞状態において上記
ポット２０の下端開口部に対応したカル２６と連通され
溶融樹脂の通路として構成されるランナ２７、および加
圧手段として機能するゲート２８、および被モールド物
体としてのリードフレーム３０を挟持するキャビティ３
１がそれぞれ形成されている。

上記下金型１５におけるランナ２７およびキャビティ３
１の配路・配置状態を示したものが第３図であり、同図
では単一のポット２０　（カル２６）からランチ２７を
通じて複数のキャビティ３１に対して溶融樹脂を供給す
る経路が示されているっなお、同図ではランナ２７、ゲ
ート２８およびキャピテイ３１の形成される下金型１５
は複数に分割可能なチエイスユニット構造で示している
。図中においては８個のチエイスユニットを有する場合
で示しているが、４個あるいは６個等のように必要に応
じて適宜チエイスユニット数を変更することが可能であ
る。

なお、同図では単一のポット２０で構成される、いわゆ
るシングルポ゛ット方式による場合で説明したが、複数
のポット２０を備えた、いわゆるマルチポット方式のも
のであってもよい。

次に、第１図および第４図を用いて本実施例の均圧機構
である均圧ブロック１３の構成について説明する。

本実施例の均圧ブロック１３は、外囲筐体としてのブロ
ック本体１３ａ内において、５個の油圧シリンダ８１〜
Ｓ５が配置されており、各油圧シリンダ８１〜Ｓ５は、
互いに流通管３２（流体流通管）によって連結されてい
る。したがって、上記油圧シリンダに充填された作動油
２５はこの流通管３２を通じて互いの油圧シリンダ８１
〜８５間を流通可能となっており連動シリンダとして機
能する。各シリンダ８１〜Ｓ５の上端にはフローティン
グ状態のロッド３３がそれぞれ配置されており、各ロッ
ド３３の端面は第４図に示すようにブロック本体１３ａ
の上面より突出された状態となっている。

また、上記ブロック本体１３ａの上面には上記ロッド３
３の端面の他に、所定高さのストッパ３４が突出形成さ
れており、該ストッパ３４の高さによって油圧シリンダ
Ｓ１〜Ｓ５によるロッド３３の最大偏位遣が決定される
構造となっている。

次に、上記均圧ブロック１３の各部の設定値について考
慮すべき事項をふまえながら説明する。

本発明者の研究によれば、板厚が０．２５ｍｍで設定さ
れたリードフレーム３０のフレーム板厚のばらつきは第
５図に示す通りであり、０．２４０＋ｎｍ〜０、２６０
ｍｍの間の２０μｍに集中していることが判明した。

このような２０μｍの板厚のばらつきがレジンフラッシ
ュＲの発生に及ぼす影響を示したものが第６図および第
７図である。

すなわち、第６図は樹脂モールド後のパッケージ本体３
５からダム３７およびリード３６にかけてのレジンフラ
ッシュＲの発生レベルを０〜５の６段階で示したもので
あり、同図中Ｏで囲まれた数字が第７図のランクに対応
している。ここで、０ランクはレジンフラッシュＲの発
生が全く認められないもの、１ランクはレジンフラッジ
：ＬＲは発生しているが、リードフレーム３０のダム３
７の範囲内であるもの、２ランクはレジンフラッシュＲ
がダム３７上に生じたもの、３ランクはダム３７を越え
たもの、４ランクはリード３６の直前位置の許容限界の
もの、５ランクはこれを越えてリード３６上にまでレジ
ンフラッシュＲが生じているものをそれぞれ示している
。

以上の点から、上金型１８と下金型１５とのパーティン
グ面Ｐ１；おける加工精度が初期設定状態に維持されて
いたとしても、リードフレーム３０の＝２０μｍばらつ
きによって許容範囲を越えたり−ド３６の表面へのレジ
ンフラッジｓＲが多く発生することから、均圧ブロック
１３による応力分数も、この範囲を吸収できるものでな
ければならなし八〇次に、第３ズおよび第９図は、単位面積に加わる圧力と
、レジンフラッシュＲの先端位置との関係を示した説明
図である。

同図からも明かなように、面圧を大きくすること、すな
わち加圧面積を小さくすることによってレジンフラッシ
ュＲの発生が抑制されることを示している。

したがって、本実施例の均圧ブロック１３においても、
油圧シリンダを複数配置して複数のロッド３３の端面で
高い面圧で下型ベースユニット１４を加圧することによ
って、レジンフラッジ、Ｒの発生を抑制できることが理
解できる。

本実施例において、可動プラテン４による型締力が例え
ば１５０（Ｔ）とし、これを１００％の出力で常用した
場合、油圧シリンダ８１〜Ｓ５の１個あたりの負荷荷重
ＱはＱ＝１５０ｘ１０００／Ｎ　　　　（ｋｇ）で算出され
る。なおここで、Ｎは油圧シリンダの個数を示しており
、第４図ではＮ＝５となっている。

ここで、ロッド３３の端面の直径をφ＝１００（ｍｏ）
とすると、その内圧力ＱＩは、ＱＩ＝１５０Ｘ１０００
／（π／　４　　ｘ　　１　０　）　ｘ　Ｎ（ｋｇ／ｃ
ｍ’）出なる。

ここで、たとえば油圧シリンダの数をＮ＝９とすると、
荷重は油圧シリンダ１個当り１５〜３０（Ｔ）　、内圧
は２００〜３５０　　（ｋｇ／ｃｍ２＞程度となる。こ
の値は、パーティング面Ｐにおいて局所的に加えろれた
応力に対向し、これを均等に他の油圧シリンダに分散さ
せるために適当な数値である。

次に、本実施例の樹脂モールド装置１を用いた樹脂モー
ルド工程について説明する。

まず、可動プラテン４が下方に位置されて上金型１８と
下金型１５とが開いた状態で各キャビティ３１にリード
フレーム３０が配置されると、制（連部１２の制御によ
ってプラテン駆動用シリンダ１１が作動されて、可動プ
ラテン４が上昇される。

このようにして下金型１５と上金型１８とのパーティン
グ面Ｐが密接状態となり、型締力がたとえば１５０　（
Ｔ）程度に高められると、ポット２０内に半溶融状態の
エポキシ樹脂からなる円柱状のタブレット８が投入され
トランスファシリンダ１０が作動してプランジャ２１が
第１図中下方に移動される。このプランジャ２１によっ
てタブレット８に対して、たとえば７５　（Ｋｇｆ／ｃ
ｍ’）程度の移送圧力が加えられると、１８０℃程度の
ヒータ２２の加熱とあいまって上記タブレット８は溶融
樹脂８ａの状態となってランナ２７を通じて各ゲート２
８によって注入圧力がさらに高められ、キャピテイ３１
内に高圧注入される。

このとき、上記に説明したリードフレーム３０の板厚の
ばらつき、可動プラテン４の型締力、あるいはプランジ
ャ２１の移送圧力によって、下金型１５に対して局所的
に応力が加わることがある。

第４図において、油圧シリンダＳ１に対して池の部分に
比して＋ｔだけ大きな応力が同図矢印方向に加えられた
場合、この＋ｔの力は上記油圧シリンダＳ１のロッド３
３の端面を下方に押し下げようとして作用する。これに
対して上記油圧シリンダＳ１は他の油圧シリンダ８２〜
Ｓ５と流通管３２を通じて連動構造となっているため、
全油圧シリンダＳ１〜Ｓ５のロッド３３の端面に対して
ｔ１５の反力として作用する。したがって、油圧シリン
ダＳｌに対して局所的に加えられた応力ｔは、各油圧シ
リンダ８１〜Ｓ５に分散されてパーティング面Ｐの全面
に対して均等にはたらく結果となる。このために、局所
的な応力の印加による下型ベースユニット１４あるいは
金型１５の変形、これにともなうパーティング面Ｐの平
坦誤差等が修正され、レジンフラッジ：ＬＲの発生が抑
制される。

特に、本実施例によれば複雑な局所毎の機械的制御を必
要とせず、に、応力の均等分散が可能である。

キャビティ３１内に高圧注入された溶融樹脂８ａが加熱
硬化された後、制御部１２の制御によって可動プラテン
４が下降し、上金型１８と下金型１５とが開かれると、
上記樹脂によってパッケージ本体３５の形成されたリー
ドフレーム３０が取り出される。

このようなリードフレーム３０は、上記パッケージ本体
３５より突出されたリード３６が所定形状に切断・成形
されることによって第１Ｏ図に示す半導体装置４３とな
る。

同図中、３８はタブを示しており、該タブ３８上には銀
ペースト等の接合材４０を介して半導体ペレッ）４１が
装着されている。上記半導体ペレット４１の電極パッド
４１ａとリード３６におけるインナーリード（パッケー
ジ本体３５内に封止される部分）とは、金（Ａｕ）、銅
（Ｃｕ）あるいはアルミニウム（ＡＩ）等”からなる導
電性のワイヤ４２がループ状に張設されて、リード３６
を通じて外部より上記半導体ペレット４１に対して電源
電圧め印加、信号の人出力等が可能となっている。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

たとえば、均圧ブロックにおける油圧シリンダの本数は
、第４図中では５個、さらに説明中では９個の場合を述
べたが、勿論これらの個数に限るものではない。

また、シリンダに充填される流体としては作動油を用い
たが他の方式のものでもよい。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその利用分野である、いわゆるフラットパッケージ形
（Ｑ　Ｆ　Ｐ　：　Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇ
ｅ　）の半導体装置における樹脂モールド工程に適用し
た場合について説明したが、これに限定されるものでは
なく、たとえばＤ　Ｉ　Ｐ　（Ｄｕａｌ　Ｉｎ−１ｉｎ
ｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）　、Ｐ　Ｌ　ＣＣ（Ｐｌａｓｔｉ
ｃ　Ｌｅａｄｅｄ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ　）　、
Ｓ　ＯＪ　（Ｓｍａｌｌ　０ｕｔ−’１ｉｎｅ　Ｊ−ｂ
ｅｎｄ　１ｅａｄ）等のパッケージ構造にも適用できる
。

〔発明の効果〕

本軸において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

すなわち、金型の成形分割平面に対して局所的に加わる
応力を均等に分散させながら樹脂の高圧注入を行うこと
によって、成形分割平面の平坦誤差を防止できる。

また、高精度かつ煩雑な調整作業等を必要とすることな
く、成形分割面の平坦誤差を修正できる。

これらにより平坦誤差にともなう隙間の発生に起因する
レジンフラッシュを防止でき、樹脂封止形半導体装置に
おける信頼性の高いパッケージ成形が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例である瞳（脂モールド装置の
金型近傍を示す断面図、第２図はこの樹脂モールド装置の全体構成図、第３図は
下型のパーティング面における形成状態を示す平面図、第４図は均圧ブロックを示す斜視図、第５図はリードフレームの板厚のばらつき状態を示す説
明図、第６図および第７図はリードフレームの板厚寸法誤差と
レジンフラッシュとの発生関係を示す説明図、第８図および第９図は金型に対する押え面積とレジンフ
ラッシュの発生状態の関係を示す説明図、第１０図は本
実施例によって得られる半導体装置を示す断面図、第１１図は従来技術における樹脂モールド装置の概略を
示す説明図、第１２図は従来技術における半導体装置のレジンフラッ
シュの発生状態を示す平面図である。 ■・・・樹脂モールド装置、２・・・固定プラテン、３
・・・上型部、４・・・可動プラテン、５・・・下型部
、６・・・装置基台、７・・・支住、８・・・タブレッ
ト、８ａ・・・溶融樹脂、１０・・・トランスファンリ
ング、１１・・・プラテン駆動用シリンダ、１２・・・
制御部、１３・・・均圧ブロック（均圧機構）、１４・
・・下型ペースユニント、１４ａ・・・ユニソ＋−本、
ｔｔ、１５・・・下金型、１６・・・サポートピラ、１
７・・・上型ベースユニ７）、１８・・・上金型、２０
・・　・ポット、２１・・・プランジャ、２２・・・ヒ
ータ、２３・・・断熱板、２４・・・当て板、２５・・
・作動油、２６・・・カル、２７・・・ランナ、２８・
・・ゲート、３０・・・リードフレーム、３１・・・キ
ャビティ、３２・・・流通管（流体流通管）、３３・・
・ロッド、３４・・・ストッパ、３５・・・パッケージ
本体、３６　・　・　・　リード、３７　・　・　・ダ
ム、３８　・　・タブ、４０・・・接合材、４１・・・
半導体ペレット、４１ａ・・・電極パッド、４２・・・
ワイヤ、４３・・・半導体装置、５１・・・可動プラテ
ン、５２・・・サポートピラ、５３・・・下型ベースユ
ニット、５４・・・下金型、５５・・ヒータ、５６・・
・上型ベースユニット、５７・・・上金型、５８・・・
キャビティ、６０・・・ポット、６１・・・プランジャ
、６２・・・リードフレーム、６３・・・タブレット、
６４・・・ランナ、６５・・・ゲート、６６・・・リー
ド、Ｐ・・・パーティング面、Ｒ・・・レジンフラッシ
ュ、Ｓ１〜Ｓ５・・・油圧シリンダ。代理人　弁理士　筒　井　大　和第図第図第図第図第図第図第図

Claims

【特許請求の範囲】

１．上下一対の金型の成形分割平面上に複数形成された
キャビティ内への樹脂の高圧注入の際に、上記金型の成
形分割平面に対して局所的に加わる応力を成形分割平面
全体に対して均等に分散させながら行うことにより該キ
ャビティ形状に対応した樹脂モールドパッケージを形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
２．上記金型の成形分割平面において局所的に応力が加
わった場合には、該局部において上記応力に対向する押
圧力を生成することを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。
３．上下一対の金型の成形分割平面上に複数形成された
キャビティ内への樹脂の高圧注入によってキャビティ形
状に対応したパッケージを形成する樹脂モールド装置で
あって、少なくとも上記金型あるいはこの金型を保持す
る基体において、流体が充填されるとともに互いに流体
流通管によって連結された複数のシリンダからなる均圧
機構を備えており、該均圧機構の各シリンダはその各ロ
ッド端面によって上記金型あるいは上記基体を支持して
いることを特徴とする樹脂モールド装置。
４．上記シリンダに充填される流体が油であり、各シリ
ンダの各ロッド端面は上記流体流通管によって伝えられ
た油圧によって上記金型の成形分割平面を均等に支持し
ていることを特徴とする請求項３記載の樹脂モールド装
置。
５．上記均圧機構の支持面には所定高さに制御されたス
トッパが備えられており、上記ロッド端面の最大偏位置
が制御されていることを特徴とする請求項３記載の樹脂
モールド装置。