JPH02103123A - 高強度全共役系ポリマーフィルムの製造方法 - Google Patents
高強度全共役系ポリマーフィルムの製造方法Info
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- JPH02103123A JPH02103123A JP25669188A JP25669188A JPH02103123A JP H02103123 A JPH02103123 A JP H02103123A JP 25669188 A JP25669188 A JP 25669188A JP 25669188 A JP25669188 A JP 25669188A JP H02103123 A JPH02103123 A JP H02103123A
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は、電子工学分野及び化学工学分野などで利用で
きる高強度の全共役系ポリマーフィルムの製造方法に関
するものである。
きる高強度の全共役系ポリマーフィルムの製造方法に関
するものである。
近年科学技術の進歩により、機能性材料の研究が盛んに
行われている。その中でも全共役系高分子材料は、特異
な光学的、電気的活性を示すために多様な工学的可能性
を示すものとして注目され、その製造に関して多くの研
究が報告されている。このような全共役系ポリマーは、
単独では半導体としての性質を示し、電子供与性あるい
は電子吸引性の物質と組み合わせると、錯体を形成して
高導電性となるために、その応用方向も多岐にわた。っ
て検討されている0例えば、電子工学分野の応用として
は、太陽電池、二次電池、センサー、電極材料、帯電防
止材料、電磁シールド材料、半導体素子、スイッチング
素子など種々の物が検討されている。これらの全共役系
ポリマーのうち主なものとして、ポリアセチレン、ポリ
ピロール、ポリチオフェン、ポリパラフェニレン等が合
成されている。例えば、A、F、Diazらは有機溶媒
中、Li8F4等の無機塩を電解質とするピロールの電
解重合法で、100S/ct@以下の電気伝導度を有す
るボリピしJ−ルフィルムを得ている(^、F、Dia
z et alHJ、chem、soc、+Chem、
Commun、、1979.635参照)。また、V、
L。
行われている。その中でも全共役系高分子材料は、特異
な光学的、電気的活性を示すために多様な工学的可能性
を示すものとして注目され、その製造に関して多くの研
究が報告されている。このような全共役系ポリマーは、
単独では半導体としての性質を示し、電子供与性あるい
は電子吸引性の物質と組み合わせると、錯体を形成して
高導電性となるために、その応用方向も多岐にわた。っ
て検討されている0例えば、電子工学分野の応用として
は、太陽電池、二次電池、センサー、電極材料、帯電防
止材料、電磁シールド材料、半導体素子、スイッチング
素子など種々の物が検討されている。これらの全共役系
ポリマーのうち主なものとして、ポリアセチレン、ポリ
ピロール、ポリチオフェン、ポリパラフェニレン等が合
成されている。例えば、A、F、Diazらは有機溶媒
中、Li8F4等の無機塩を電解質とするピロールの電
解重合法で、100S/ct@以下の電気伝導度を有す
るボリピしJ−ルフィルムを得ている(^、F、Dia
z et alHJ、chem、soc、+Chem、
Commun、、1979.635参照)。また、V、
L。
Afanas’evらはチオフェン及びフランを用いた
同様の電解重合法によるポリチオフェン及びポリフラン
の合成を報告している(V、L、Afanas’eve
t al ; 12V、^kad、Kauk、5SSR
,Set Khim 198(L1687 (Russ
)参照)、上記の全共役系ポリマーの中で、ポリチオフ
ェンは電解重合法で容易にフィルム状で合成され、電子
供与性物質及び電子吸引性物質の両方で安定な電荷移動
(ドーピング)状態を形成し、しかも中性状態で安定で
あるという点で、ポリアセチレンやポリピロールに比べ
優れている。その合成方法は、例えば金藤らによって報
告されているように、数回蒸留精製したアセトニトリル
等の溶媒に精製したチオフェンおよびLiBFa等の電
解質塩を添加して、不活性ガス雰囲気下で電解重合する
ことにより得るというものである(に、Kaneto
et al、 J。
同様の電解重合法によるポリチオフェン及びポリフラン
の合成を報告している(V、L、Afanas’eve
t al ; 12V、^kad、Kauk、5SSR
,Set Khim 198(L1687 (Russ
)参照)、上記の全共役系ポリマーの中で、ポリチオフ
ェンは電解重合法で容易にフィルム状で合成され、電子
供与性物質及び電子吸引性物質の両方で安定な電荷移動
(ドーピング)状態を形成し、しかも中性状態で安定で
あるという点で、ポリアセチレンやポリピロールに比べ
優れている。その合成方法は、例えば金藤らによって報
告されているように、数回蒸留精製したアセトニトリル
等の溶媒に精製したチオフェンおよびLiBFa等の電
解質塩を添加して、不活性ガス雰囲気下で電解重合する
ことにより得るというものである(に、Kaneto
et al、 J。
Chem、Soc、、Chen、Coa++sun、1
983.382) j1熱しながらこのようにして得ら
れたポリチオフェンフィルムの引張強度は120MPa
以下であり、高強度フィルムとは言いがたい、また、電
解重合で合成したポリチオフェンフィルムを一軸延伸し
、高次構造を制御することにより結晶性ポリチオフェン
フィルムが得られる(M、5atoh、et al ;
Polym。
983.382) j1熱しながらこのようにして得ら
れたポリチオフェンフィルムの引張強度は120MPa
以下であり、高強度フィルムとは言いがたい、また、電
解重合で合成したポリチオフェンフィルムを一軸延伸し
、高次構造を制御することにより結晶性ポリチオフェン
フィルムが得られる(M、5atoh、et al ;
Polym。
Commun、、28.(19B?)、 144) 、
この結晶性ポリチオフェンフィルムの延伸方向の引張強
度は180MPaとなり高強度となるが、引張強度の異
方性が200%以上存在する。このような異方性材料で
ある一軸延伸フィルムでは、強度以外の諸性質、例えば
弾性率、摩擦係数、熱拡散率および導電率も測定する方
向によって異なり、実用上問題となる。
この結晶性ポリチオフェンフィルムの延伸方向の引張強
度は180MPaとなり高強度となるが、引張強度の異
方性が200%以上存在する。このような異方性材料で
ある一軸延伸フィルムでは、強度以外の諸性質、例えば
弾性率、摩擦係数、熱拡散率および導電率も測定する方
向によって異なり、実用上問題となる。
上記の如く全共役系ポリマーフィルムは多用な応用が期
待されているが、従来高強度で、物性の異方性のないフ
ィルム、例えば、室温でのフィルムの引張強度が125
MPa以上で、引張強度の異方性が10%以下のフィル
ムの製造方法が確立されていないという問題点があった
。
待されているが、従来高強度で、物性の異方性のないフ
ィルム、例えば、室温でのフィルムの引張強度が125
MPa以上で、引張強度の異方性が10%以下のフィル
ムの製造方法が確立されていないという問題点があった
。
本発明者らは上記の問題点を解決するために種々検討の
結果、全共役系ポリマーフィルムを少なくとも2方向に
延伸することによって製造し得ることを見いだし、本発
明に至った。
結果、全共役系ポリマーフィルムを少なくとも2方向に
延伸することによって製造し得ることを見いだし、本発
明に至った。
即ち本発明は、全共役系ポリマーフィルムを、50〜3
00℃において少なくとも異なる2方向に延伸し、延伸
後のフィルム面積を延伸前のフィルム面積の1.1倍〜
4.0倍とすることを特徴とする高強度全共役系ポリマ
ーフィルムの製造方法に係り、本発明の方法によれば、
引張強度が125MPa以上で、且つフィルム面内の引
張強度の異方性が10%以下である全共役系ポリマーフ
ィルムが提供される。
00℃において少なくとも異なる2方向に延伸し、延伸
後のフィルム面積を延伸前のフィルム面積の1.1倍〜
4.0倍とすることを特徴とする高強度全共役系ポリマ
ーフィルムの製造方法に係り、本発明の方法によれば、
引張強度が125MPa以上で、且つフィルム面内の引
張強度の異方性が10%以下である全共役系ポリマーフ
ィルムが提供される。
本発明の方法に使用される全共役系ポリマーは、高分子
鎖全体または大部分にわたって電子の共役が可能な分子
構造を有するポリマーであり、ポリチオフェン、ポリチ
ェニレンビニレン、ポリピロール、ポリテルロフェン、
ポリセレノフェン、ポリフラン、ポリフェニレン、ポリ
フェニレンビニレン、ポリアセチレンなどが含まれるが
、とくにチオフェンまたはチオフェン誘導体から得られ
るポリマーまたはコポリマーで、は11またはアルキル
基を示す)を繰り返し単位として有しているものが強度
の面から好ましい。
鎖全体または大部分にわたって電子の共役が可能な分子
構造を有するポリマーであり、ポリチオフェン、ポリチ
ェニレンビニレン、ポリピロール、ポリテルロフェン、
ポリセレノフェン、ポリフラン、ポリフェニレン、ポリ
フェニレンビニレン、ポリアセチレンなどが含まれるが
、とくにチオフェンまたはチオフェン誘導体から得られ
るポリマーまたはコポリマーで、は11またはアルキル
基を示す)を繰り返し単位として有しているものが強度
の面から好ましい。
この様なチオフェンやチオフェン誘導体から得られるポ
リマーとしては、ポリチオフェン、ポリ(3−メチルチ
オフェン)、ポリ(3−エチルチオフェン)、ポリ(3
−プロピルチオフェン)、ポリ(3−ブチルチオフェン
)、ポリ(3−ペンチルチオフェン)、ポリ(3−へキ
シルチオフェン)、ポリ(3−へブチルチオフェン)、
ポリ(3−オクチルチオフェン)、ポリチェニレンビニ
レン等が例示される。このような全共役系ポリマーの合
成法としては、例えば、チオフェンまたはチオフェン誘
導体をモノマーとして電解液中で電解酸化重合した後フ
ィルムラ得る方法、2,5−チェニレンビス(メチレン
ジメチルスルホニウムプロミド)をアルカリ溶液中で重
合し、さらに熱分解することにより、ポリチェニレンビ
ニレンフィルムを得る方法、あるいはへキシルチオフェ
ンを酸化剤により重合し、溶液をキャストし、ポリへキ
シルチオフェンフィルムを得る方法などが挙げられる。
リマーとしては、ポリチオフェン、ポリ(3−メチルチ
オフェン)、ポリ(3−エチルチオフェン)、ポリ(3
−プロピルチオフェン)、ポリ(3−ブチルチオフェン
)、ポリ(3−ペンチルチオフェン)、ポリ(3−へキ
シルチオフェン)、ポリ(3−へブチルチオフェン)、
ポリ(3−オクチルチオフェン)、ポリチェニレンビニ
レン等が例示される。このような全共役系ポリマーの合
成法としては、例えば、チオフェンまたはチオフェン誘
導体をモノマーとして電解液中で電解酸化重合した後フ
ィルムラ得る方法、2,5−チェニレンビス(メチレン
ジメチルスルホニウムプロミド)をアルカリ溶液中で重
合し、さらに熱分解することにより、ポリチェニレンビ
ニレンフィルムを得る方法、あるいはへキシルチオフェ
ンを酸化剤により重合し、溶液をキャストし、ポリへキ
シルチオフェンフィルムを得る方法などが挙げられる。
このような方法で得られたフィルムを少なくとも異なる
2方向に、延伸後のフィルム面積が1.1〜4.0倍と
なる様に延伸することによって、引張強度が125MP
a以上で、フィルム面内の引張強度の異方性が10%以
下である全共役系ポリマーフィルムが製造される。延伸
の際の全共役系ポリマーの状態(ドーパントの保有状J
im)は特に限定されないが、モノマー単位あたり10
モル%以下のドーパント濃度としたものが適当であり、
特に脱ドープして中性状態にしたものが好ましい。
2方向に、延伸後のフィルム面積が1.1〜4.0倍と
なる様に延伸することによって、引張強度が125MP
a以上で、フィルム面内の引張強度の異方性が10%以
下である全共役系ポリマーフィルムが製造される。延伸
の際の全共役系ポリマーの状態(ドーパントの保有状J
im)は特に限定されないが、モノマー単位あたり10
モル%以下のドーパント濃度としたものが適当であり、
特に脱ドープして中性状態にしたものが好ましい。
延伸方法としては、例えばフィルムの両端を把持して緊
張させながら引き延ばし、その後方向を変え、同様の方
法で引き延ばす方法、またはフィルムの4辺を把持し緊
張させながら、同時にそれぞれの方向へ引き延ばす方法
などが挙げられる。延伸の際の変化させる方向には特に
限定されないが、異方性を小さくするため、二軸の場合
は90度、三輪の場合は60度が望ましい。
張させながら引き延ばし、その後方向を変え、同様の方
法で引き延ばす方法、またはフィルムの4辺を把持し緊
張させながら、同時にそれぞれの方向へ引き延ばす方法
などが挙げられる。延伸の際の変化させる方向には特に
限定されないが、異方性を小さくするため、二軸の場合
は90度、三輪の場合は60度が望ましい。
延伸速度は特に限定はないが、0.01%/分〜100
%/分、好ましくは0.5%/分〜lO%/分である。
%/分、好ましくは0.5%/分〜lO%/分である。
延伸倍率について、−軸延伸の場合、延伸倍率が0%〜
20%までで結晶化が進行し、引張強度と電気伝導度が
飛躍的に向上する。20%以上の延伸では引張強度は徐
々に向上するが、20%までのような飛躍的な向上はみ
られない。これに対し、二輪以上の延伸の場合、延伸終
了時のフィルムの面積が延伸前のフィルムの面積の1.
1倍までで同様な変化がみられ、引張強度が飛躍的に向
上する。さらに延伸し、延伸終了時のフィルムの面積が
延伸前のフィルムの面積の4倍以上ではフィルムに多量
のピンホールが導入されて、実用上利用できないと共に
延伸自体も難しい、これらの点から、延伸終了時のフィ
ルムの面積が延伸前のフィルムの面積の1.1倍以上4
倍以下が適当である。延伸の雰囲気は空気中50℃〜3
00℃の温度で行うのが好ましく、より好ましくは50
〜200″C1更に好ましくは70〜150″Cである
。50℃未満の場合、−軸のみの延伸は可能であるが、
二輪以上に延伸するとフィルムが切れてしまい好ましく
ない。また、300℃を超える温度範囲では、フィルム
自体が熱分解を起こしてしまう、また適当な溶媒で膨潤
させ、湿潤状態で延伸することもできる。
20%までで結晶化が進行し、引張強度と電気伝導度が
飛躍的に向上する。20%以上の延伸では引張強度は徐
々に向上するが、20%までのような飛躍的な向上はみ
られない。これに対し、二輪以上の延伸の場合、延伸終
了時のフィルムの面積が延伸前のフィルムの面積の1.
1倍までで同様な変化がみられ、引張強度が飛躍的に向
上する。さらに延伸し、延伸終了時のフィルムの面積が
延伸前のフィルムの面積の4倍以上ではフィルムに多量
のピンホールが導入されて、実用上利用できないと共に
延伸自体も難しい、これらの点から、延伸終了時のフィ
ルムの面積が延伸前のフィルムの面積の1.1倍以上4
倍以下が適当である。延伸の雰囲気は空気中50℃〜3
00℃の温度で行うのが好ましく、より好ましくは50
〜200″C1更に好ましくは70〜150″Cである
。50℃未満の場合、−軸のみの延伸は可能であるが、
二輪以上に延伸するとフィルムが切れてしまい好ましく
ない。また、300℃を超える温度範囲では、フィルム
自体が熱分解を起こしてしまう、また適当な溶媒で膨潤
させ、湿潤状態で延伸することもできる。
従来より、全共役系高分子の引張強度は一軸延伸によっ
て、延伸方向に増大することが公知であるが、それと直
行する方向には低下する事が知られている。−古本発明
の方法に従って、二輪延伸を行うと、−軸延伸の延伸方
向でみられるのと同程度の高強度をフィルム面内に等方
的に達成できることが分かった。これは延伸によって結
晶化等の変化が起こったことも考えられるが、詳細は不
明である。このようにして所定の延伸がなされたフィル
ムは、把持を取り除いたり、緊張上延伸温度以上600
℃以下の温度で熱固定して取り出される。
て、延伸方向に増大することが公知であるが、それと直
行する方向には低下する事が知られている。−古本発明
の方法に従って、二輪延伸を行うと、−軸延伸の延伸方
向でみられるのと同程度の高強度をフィルム面内に等方
的に達成できることが分かった。これは延伸によって結
晶化等の変化が起こったことも考えられるが、詳細は不
明である。このようにして所定の延伸がなされたフィル
ムは、把持を取り除いたり、緊張上延伸温度以上600
℃以下の温度で熱固定して取り出される。
本発明の方法によって得られた高強度でフィルム面内の
引張強度の異方性が小さい全共役系ポリマーフィルムは
、電気化学的及び化学的方法を用いて、電子供与性ある
いは電子吸引性物質でドーピングしたり、またそれを脱
ドーピングする事もできる。本発明により得られる全共
役系ポリマーフィルムは、弾性率、熱拡散係数およびヨ
ウ素等をドーピングした時の導電率においても、延伸前
より増大し、しかもフィルム面内で異方性がみられない
。
引張強度の異方性が小さい全共役系ポリマーフィルムは
、電気化学的及び化学的方法を用いて、電子供与性ある
いは電子吸引性物質でドーピングしたり、またそれを脱
ドーピングする事もできる。本発明により得られる全共
役系ポリマーフィルムは、弾性率、熱拡散係数およびヨ
ウ素等をドーピングした時の導電率においても、延伸前
より増大し、しかもフィルム面内で異方性がみられない
。
本発明により得られた全共役系ポリマーフィルムは、そ
の高強度でかつ物性の異方性が小さい性質を利用して、
例えば高強度絶縁フィルム、電線、放熱板その他種々の
用途に用いることができる。また高強度という性質から
航空宇宙材料としての用途にも適している。
の高強度でかつ物性の異方性が小さい性質を利用して、
例えば高強度絶縁フィルム、電線、放熱板その他種々の
用途に用いることができる。また高強度という性質から
航空宇宙材料としての用途にも適している。
以下、実施例で具体的に本発明を説明するが本発明はこ
れらの実施例にのみ限定されるものではない。
れらの実施例にのみ限定されるものではない。
実施例1
ガラス製の容器にそれぞれ0.1sol/1のチオフェ
ン及び0.05 mol/ 1のI、iBF、を含むベ
ンゾニトリルを入れ、2枚の白金板を電極として9すの
定電圧でチオフェンの電解酸化重合を行った。
ン及び0.05 mol/ 1のI、iBF、を含むベ
ンゾニトリルを入れ、2枚の白金板を電極として9すの
定電圧でチオフェンの電解酸化重合を行った。
60分反応後、陽極を取り出し、アセトン、水で洗浄し
て電極表面よりポリチオフェンフィルムを引き剥し、ア
ンモニア水、水で洗浄して、膜厚約30μのポリチオフ
ェンフィルムを得た。このポリチオフェンフィルムをl
l&l65mm、 lす85鵬に切り出し、チャック間
距離65mmで把持して、空気中80℃に於て1m11
/分で30%延伸し、次で120℃で30分間熱固定後
、チャックからはずし、延伸された部分を幅65am、
長さ(i 5 mhaに切り出し、前延伸方向とは直交
方向に把持して同様にl mm7分で20%延伸、熱固
定した。延伸部分の面積は延伸前の1.4倍となった。
て電極表面よりポリチオフェンフィルムを引き剥し、ア
ンモニア水、水で洗浄して、膜厚約30μのポリチオフ
ェンフィルムを得た。このポリチオフェンフィルムをl
l&l65mm、 lす85鵬に切り出し、チャック間
距離65mmで把持して、空気中80℃に於て1m11
/分で30%延伸し、次で120℃で30分間熱固定後
、チャックからはずし、延伸された部分を幅65am、
長さ(i 5 mhaに切り出し、前延伸方向とは直交
方向に把持して同様にl mm7分で20%延伸、熱固
定した。延伸部分の面積は延伸前の1.4倍となった。
j)られた延伸フィルムの引張強度を測定したとごろ、
最初の延伸方向に178MPa、後の延伸方向に17(
iMPaで、引張強度は未延伸フィルムの場合(100
MPa)より増大し、その引張強度の異方性はフィルム
面内で1.1%で等方的な材料であった。
最初の延伸方向に178MPa、後の延伸方向に17(
iMPaで、引張強度は未延伸フィルムの場合(100
MPa)より増大し、その引張強度の異方性はフィルム
面内で1.1%で等方的な材料であった。
実施例2
実施例1と同様な方法でチオフェンを電解重合して得ら
れたポリチオフェンフィルムを120−角の正方形に切
り出し、4辺をチャックで把持して、120℃空気中で
それぞれの方向に1ff111/分でそれぞれ10%、
ずつ延伸した。得られたフィルムを120℃で熱固定し
た。延伸部分の面積は延伸前の1.2倍となった。得ら
れたフィルムの引張強度はそれぞれの方向で150MP
a以上であり、未延伸フィルムより高強度で且つフィル
ム面内に引張強度の異方性がない材料であった。
れたポリチオフェンフィルムを120−角の正方形に切
り出し、4辺をチャックで把持して、120℃空気中で
それぞれの方向に1ff111/分でそれぞれ10%、
ずつ延伸した。得られたフィルムを120℃で熱固定し
た。延伸部分の面積は延伸前の1.2倍となった。得ら
れたフィルムの引張強度はそれぞれの方向で150MP
a以上であり、未延伸フィルムより高強度で且つフィル
ム面内に引張強度の異方性がない材料であった。
実施例3
2.5−チェニレンビス(メチレンジメチルスルホニウ
ムプロミド)の水/メタノール溶液に一30℃で5%N
aOH水溶液を加え、重合を行った。
ムプロミド)の水/メタノール溶液に一30℃で5%N
aOH水溶液を加え、重合を行った。
重合後θ℃に昇温し、スルホニウム塩を分解して、得ら
れた固体をDMFに溶解させ、ガラス板上にキャストし
た。これを200℃に昇温して、ガラスからひきはがし
、ポリチェニレンビニレンのフィルムを得た。このフィ
ルムラ120IIIIi角の正方形に切り出し、4辺を
チャックで把持して、120℃空気中でそれぞれの方向
に1mm/分でそれぞれ10%ずつ延伸した。次でこの
フィルムを120℃で熱固定した。得られたフィルムの
引張強度はそれぞれの方向で130MPa以上であり、
未延伸フィルムの場合(80MPa)より高強度で且つ
フィルム面内で等方的な材料であった。
れた固体をDMFに溶解させ、ガラス板上にキャストし
た。これを200℃に昇温して、ガラスからひきはがし
、ポリチェニレンビニレンのフィルムを得た。このフィ
ルムラ120IIIIi角の正方形に切り出し、4辺を
チャックで把持して、120℃空気中でそれぞれの方向
に1mm/分でそれぞれ10%ずつ延伸した。次でこの
フィルムを120℃で熱固定した。得られたフィルムの
引張強度はそれぞれの方向で130MPa以上であり、
未延伸フィルムの場合(80MPa)より高強度で且つ
フィルム面内で等方的な材料であった。
実施例4
塩化第二鉄をクロロホルム中に分散させ、OoCで3−
へキシルチオフェンを滴下し、室温で6時間撹拌後、溶
液をメタノール中に注ぎ、ポリへキシルチオフェンを濾
別した。得られたポリへキシルチオフェンを水、メタノ
ールで洗浄後、乾燥し、これをクロロホルムに溶解させ
、ガラス板上にキャストした。溶媒乾燥後、ガラス板上
から引き剥し、膜厚約10μのポリへキシルチオフェン
フィルムを得た。このフィルムを120 mm角の正方
形に切り出し、4辺をチャックで把持して、12Q ’
C空気中でそれぞれの方向に1mm/分でそれぞれ10
%ずつ延伸した0次でこのフィルムを120℃で熱固定
した。得られたフィルムの引張強度はそれぞれの方向で
135MPa以上であり、未延伸フィルムの場合(80
MPa)より高強度で且つフィルム面内で等方的な材料
であった。
へキシルチオフェンを滴下し、室温で6時間撹拌後、溶
液をメタノール中に注ぎ、ポリへキシルチオフェンを濾
別した。得られたポリへキシルチオフェンを水、メタノ
ールで洗浄後、乾燥し、これをクロロホルムに溶解させ
、ガラス板上にキャストした。溶媒乾燥後、ガラス板上
から引き剥し、膜厚約10μのポリへキシルチオフェン
フィルムを得た。このフィルムを120 mm角の正方
形に切り出し、4辺をチャックで把持して、12Q ’
C空気中でそれぞれの方向に1mm/分でそれぞれ10
%ずつ延伸した0次でこのフィルムを120℃で熱固定
した。得られたフィルムの引張強度はそれぞれの方向で
135MPa以上であり、未延伸フィルムの場合(80
MPa)より高強度で且つフィルム面内で等方的な材料
であった。
比較例1
実施例1と同様な方法でチオフェンを電解重合して得ら
れたポリチオフェンフィルムを幅65■、長さ85−に
切り出し、チャック間距離65 mで把持して、空気中
80℃で1mm/分で50%延伸し、120℃で熱固定
後、チャックからはずした。
れたポリチオフェンフィルムを幅65■、長さ85−に
切り出し、チャック間距離65 mで把持して、空気中
80℃で1mm/分で50%延伸し、120℃で熱固定
後、チャックからはずした。
得られたフィルムの引張強度を測定したところ、延伸方
向に170MPaであったが、それと直交する方向には
70MPaであった。従って引張強度の異方性は140
%も認められ、延伸方向への引張強度の増大は認められ
るが、等方的材料とは言い難かった。
向に170MPaであったが、それと直交する方向には
70MPaであった。従って引張強度の異方性は140
%も認められ、延伸方向への引張強度の増大は認められ
るが、等方的材料とは言い難かった。
以上のように本発明を実施することにより、電気、電子
工業分野や化学工業分野に利用される異方性の小さい高
強度の全共役系ポリマーフィルムが、容易に得られる。
工業分野や化学工業分野に利用される異方性の小さい高
強度の全共役系ポリマーフィルムが、容易に得られる。
この引張強度が125MPa以上で、且つフィルム面内
に於ける引張強度の異方性が10%以下である全共役系
ポリマーフィルムは、高強度で異方性が小さいという特
徴的な性質から工業的有用性が大きい。
に於ける引張強度の異方性が10%以下である全共役系
ポリマーフィルムは、高強度で異方性が小さいという特
徴的な性質から工業的有用性が大きい。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、全共役系ポリマーフィルムを、50〜300℃にお
いて少なくとも異なる2方向に延伸し、延伸後のフィル
ム面積を延伸前のフィルム面積の1.1倍〜4.0倍と
することを特徴とする高強度全共役系ポリマーフィルム
の製造方法。 2、全共役系ポリマーがポリチオフェン又はポリチオフ
ェン誘導体である請求項1記載の高強度全共役系ポリマ
ーフィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25669188A JPH02103123A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 高強度全共役系ポリマーフィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25669188A JPH02103123A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 高強度全共役系ポリマーフィルムの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02103123A true JPH02103123A (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=17296137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25669188A Pending JPH02103123A (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-12 | 高強度全共役系ポリマーフィルムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02103123A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0602713A1 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-22 | Agfa-Gevaert N.V. | Permanentantistatic primer layer |
US20100159205A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | National Tsing Hua University | Polymer Molecular Film and Method for Manufacturing the Same |
-
1988
- 1988-10-12 JP JP25669188A patent/JPH02103123A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0602713A1 (en) * | 1992-12-17 | 1994-06-22 | Agfa-Gevaert N.V. | Permanentantistatic primer layer |
US20100159205A1 (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-24 | National Tsing Hua University | Polymer Molecular Film and Method for Manufacturing the Same |
US8790746B2 (en) * | 2008-12-24 | 2014-07-29 | National Tsing Hua University | Method for manufacturing a polymer molecular film for photo-electronic device |
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