JPH0158492B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0158492B2 JPH0158492B2 JP17308680A JP17308680A JPH0158492B2 JP H0158492 B2 JPH0158492 B2 JP H0158492B2 JP 17308680 A JP17308680 A JP 17308680A JP 17308680 A JP17308680 A JP 17308680A JP H0158492 B2 JPH0158492 B2 JP H0158492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- electrode
- optical
- light
- switching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信システム等で用いる電気光学効
果を利用した光の伝送路を切換るための光スイツ
チに関するものである。
果を利用した光の伝送路を切換るための光スイツ
チに関するものである。
従来の光スイツチは複数本の光フアイバを対向
させ対向する光フアイバ同士を機械的に移動させ
て伝送路として使用する光フアイバの切換を行な
つていた。このような光スイツチは駆動力を得る
ために比較的高電圧大電流を必要とし消費力が大
きくなる。また、通信装置等においては特に、光
スイツチの切換が不確実であると伝送すべき光路
以外の光路に光が洩れいわゆるクロストークの問
題が生ずる。
させ対向する光フアイバ同士を機械的に移動させ
て伝送路として使用する光フアイバの切換を行な
つていた。このような光スイツチは駆動力を得る
ために比較的高電圧大電流を必要とし消費力が大
きくなる。また、通信装置等においては特に、光
スイツチの切換が不確実であると伝送すべき光路
以外の光路に光が洩れいわゆるクロストークの問
題が生ずる。
本発明は上記の点に鑑みなされたものであつ
て、電気光学効果を利用するために低電圧、低消
費電力で確実にクロストークを防止した光路切換
ができる光スイツチの提供を目的とする。このた
め本発明においては、光学結晶体あるいは半導体
からなる基板上に帯状に金属を拡散して2本の導
波路を交叉させ一方から他方に向う入口導波路お
よび出口導波路を形成し、上記基板表面の導波路
交叉部上あるいはその周囲に導波路切換用電極を
設け、さらに上記入口導波路の延長上少くとも1
つの出口導波路上にクロストーク防止用電極を設
けている。
て、電気光学効果を利用するために低電圧、低消
費電力で確実にクロストークを防止した光路切換
ができる光スイツチの提供を目的とする。このた
め本発明においては、光学結晶体あるいは半導体
からなる基板上に帯状に金属を拡散して2本の導
波路を交叉させ一方から他方に向う入口導波路お
よび出口導波路を形成し、上記基板表面の導波路
交叉部上あるいはその周囲に導波路切換用電極を
設け、さらに上記入口導波路の延長上少くとも1
つの出口導波路上にクロストーク防止用電極を設
けている。
図面は本発明に係る光スイツチの一実施例の斜
視図である。強誘電体である光学結晶体(例えば
LiNbO3、LiTaO3等)あるいは半導体からなる
厚さ1mm程度の基板5上にチタン(Ti)等の金
属を帯状に蒸着しこれを例えば1000℃、5時間の
熱処理により拡散させて2本の交叉するたとえば
幅10μm、厚さ4μmの導波路1,4および2,3
を形成する。このようにチタンを拡散させて形成
した部分は基板材質よりもその屈折率が大きくな
り光はこの導波路内をその内壁面で全反射を繰返
しながら進行する。導波路の交叉部9の中央部に
切換電極6を設けこれに隣接してアース電極7を
設ける。この例においては光の入口導波路を1と
し、出口導波路を3又は4とし、2は予備用導波
路として使用するものとする。この場合、出口側
導波路4上にクロストーク防止用電極8を設け
る。
視図である。強誘電体である光学結晶体(例えば
LiNbO3、LiTaO3等)あるいは半導体からなる
厚さ1mm程度の基板5上にチタン(Ti)等の金
属を帯状に蒸着しこれを例えば1000℃、5時間の
熱処理により拡散させて2本の交叉するたとえば
幅10μm、厚さ4μmの導波路1,4および2,3
を形成する。このようにチタンを拡散させて形成
した部分は基板材質よりもその屈折率が大きくな
り光はこの導波路内をその内壁面で全反射を繰返
しながら進行する。導波路の交叉部9の中央部に
切換電極6を設けこれに隣接してアース電極7を
設ける。この例においては光の入口導波路を1と
し、出口導波路を3又は4とし、2は予備用導波
路として使用するものとする。この場合、出口側
導波路4上にクロストーク防止用電極8を設け
る。
以上のような構成の光スイツチにおいて、切換
電極6およびクロストーク防止用電極8に同電位
の電圧を印加すればこれらの電極下部の屈折率が
変化し光はここで反射される。従つて、導波路1
から入射した光は切換電極6に印加される直流あ
るいは直流電圧によつておこる導波路内の屈折率
変化により、電極6下部で反射されて導波路3に
進路を切換えられる。この場合の電極6は交叉部
中央にあり、その大きさはたとえば600μm×10μ
mの帯状である。このとき、切換電極6の下部で
反射されずに洩れた光は直進して導波路4へ行進
するがこの光はクロストーク防止用電極8下部で
反射されるため導波路4に進入する光はほぼ完全
になくなる。従つて、導波路1から直進して導波
路4に進行するを光を切換電極6により反射させ
て進路を変更させ導波路3に切換えた場合、他の
一方の出口側導波路4内に洩れる光はなくなり、
従つてクロストーク現象が防止される。なお、ア
ース電極7は基板5の下面全面あるいはその他の
適当な場所に設けてもよい、導波路2からの光も
1の場合と同様の構成により同様な作用を行なわ
せることができる。
電極6およびクロストーク防止用電極8に同電位
の電圧を印加すればこれらの電極下部の屈折率が
変化し光はここで反射される。従つて、導波路1
から入射した光は切換電極6に印加される直流あ
るいは直流電圧によつておこる導波路内の屈折率
変化により、電極6下部で反射されて導波路3に
進路を切換えられる。この場合の電極6は交叉部
中央にあり、その大きさはたとえば600μm×10μ
mの帯状である。このとき、切換電極6の下部で
反射されずに洩れた光は直進して導波路4へ行進
するがこの光はクロストーク防止用電極8下部で
反射されるため導波路4に進入する光はほぼ完全
になくなる。従つて、導波路1から直進して導波
路4に進行するを光を切換電極6により反射させ
て進路を変更させ導波路3に切換えた場合、他の
一方の出口側導波路4内に洩れる光はなくなり、
従つてクロストーク現象が防止される。なお、ア
ース電極7は基板5の下面全面あるいはその他の
適当な場所に設けてもよい、導波路2からの光も
1の場合と同様の構成により同様な作用を行なわ
せることができる。
以上のような構成の光スイツチにおいては、機
械的な駆動部がなく、構造が簡単で電極間に殆ん
ど電流が流れないために電力消費が少く、電気的
スイツチのオンオフ動作により電圧を印加又は停
止させぬことにより確実に光路の切換ができしか
もクロストークの発生は完全に防止される。
械的な駆動部がなく、構造が簡単で電極間に殆ん
ど電流が流れないために電力消費が少く、電気的
スイツチのオンオフ動作により電圧を印加又は停
止させぬことにより確実に光路の切換ができしか
もクロストークの発生は完全に防止される。
図面は本発明に係る光スイツチの一実施例の斜
視図である。 1,2,3,4……導波路、5……基板、6…
…切換電極、7……アース電極、8……クロスト
ーク防止用電極。
視図である。 1,2,3,4……導波路、5……基板、6…
…切換電極、7……アース電極、8……クロスト
ーク防止用電極。
Claims (1)
- 1 光学結晶体あるいは半導体からなる基板上に
帯状に金属を拡散して2本の導波路を交叉させ一
方から他方に向かう入口導波路および出口導波路
を形成し、上記基板上表面の導波路交叉部上ある
いはその周囲に導波路切換用電極を設け、さらに
上記入口導波路の延長上少くとも1つの出口導波
路上にクロストーク防止用電極を設けた光スイツ
チ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17308680A JPS5797517A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Optical switch |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17308680A JPS5797517A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Optical switch |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5797517A JPS5797517A (en) | 1982-06-17 |
JPH0158492B2 true JPH0158492B2 (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15953937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17308680A Granted JPS5797517A (en) | 1980-12-10 | 1980-12-10 | Optical switch |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5797517A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0345870U (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-26 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0137851B1 (en) * | 1983-02-10 | 1990-05-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical switch |
-
1980
- 1980-12-10 JP JP17308680A patent/JPS5797517A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0345870U (ja) * | 1989-09-12 | 1991-04-26 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5797517A (en) | 1982-06-17 |
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