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JPH01314403A - Micro-wave and millimeter wave module - Google Patents

Micro-wave and millimeter wave module

Info

Publication number
JPH01314403A
JPH01314403A JP63147269A JP14726988A JPH01314403A JP H01314403 A JPH01314403 A JP H01314403A JP 63147269 A JP63147269 A JP 63147269A JP 14726988 A JP14726988 A JP 14726988A JP H01314403 A JPH01314403 A JP H01314403A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
millimeter wave
microwave
terminal
dielectric
metal base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63147269A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Asano
浅野 賢彦
Hisafumi Okubo
大久保 尚史
Shiyuuji Kobayakawa
周磁 小早川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63147269A priority Critical patent/JPH01314403A/en
Publication of JPH01314403A publication Critical patent/JPH01314403A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔l」次〕 4a要 産業上の利用分野 従来の技術(第5図〜第7図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するだめの手段(第1図) 作用 実施例(第2図〜第4図) 発明の効果 〔概要〕 マイクロ波・ミリ波モジュールに関し、マイクロ波・ミ
リ波回路へ信号を人出力する高周波入出力端子の反射損
失、挿入損失を低減させることを目的とし、 金属基台と、この金属基台の底部に実装されるマイクロ
波・ミリ波回路基板と、このマイクロ波・ミリ波回路基
板のマイクロ波・ミリ波線路を外部に導くための前記金
属基台の側壁を貫く信号人出力用の端子を備えたマイク
ロ波・ミリ波モジュールにおいて、この端子に、平衡型
マイクロストリップラインと、不平衡型マイクロストリ
・ンプラインと、 さらにこの両者の接続部分にテーパ形状の誘電体部分を
具備したものである。
[Detailed description of the invention] [Next] 4a Important industrial fields of application Prior art (Figures 5 to 7) Means for solving the problem to be solved by the invention (Figure 1) Working Examples (Figs. 2 to 4) Effects of the Invention [Summary] Regarding microwave/millimeter wave modules, reduction of reflection loss and insertion loss of high frequency input/output terminals that output signals to microwave/millimeter wave circuits. A metal base, a microwave/millimeter wave circuit board mounted on the bottom of this metal base, and a microwave/millimeter wave line of this microwave/millimeter wave circuit board to be guided to the outside. In a microwave/millimeter wave module equipped with a signal output terminal penetrating the side wall of the metal base, this terminal is equipped with a balanced microstrip line, an unbalanced microstrip line, and a combination of both. The connecting portion is provided with a tapered dielectric portion.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、マイクロ波・ミリ波回路基板を金属基台底部
に実装したマイクロ波・ミリ波モジ、X−ルに係り、特
にマイクロ波・ミリ波回路への高周波信号入出力端子に
関する。
The present invention relates to a microwave/millimeter wave module or X-R in which a microwave/millimeter wave circuit board is mounted on the bottom of a metal base, and particularly to a high frequency signal input/output terminal to a microwave/millimeter wave circuit.

誘電体)5板上に半導体部品を始め、回路部品を面実装
し、マイクロストリップ線路や他の伝送路及び回路素子
をパターン作成して結線すると共に、11q記誘電体基
板の他面を接地面として金属型の筐体に固定収容して構
成するマイクロ波・ミリ波集積回路は、いまや、マイク
ロ波・ミリ波無線装置の構成には欠かせないものとなっ
ている。
Semiconductor components and circuit components are surface-mounted on the dielectric board 5, and microstrip lines, other transmission paths, and circuit elements are patterned and connected, and the other surface of the dielectric board 11q is grounded. Microwave/millimeter wave integrated circuits, which are fixedly housed in metal casings, have now become indispensable in the construction of microwave/millimeter wave wireless devices.

周波数も高周波になるにしたがって装置も小型となり、
回路機能毎にモジュール構造化して、汎用化と規格化を
図り、これらのモジュールを組み合わせ集合させて、所
定の総合機能を発揮させることが、多機能化と低コスト
化に必須となってきている。
As the frequency becomes higher, the equipment becomes smaller.
Creating a module structure for each circuit function, aiming for generalization and standardization, and combining and assembling these modules to achieve a predetermined comprehensive function is becoming essential for multifunctionality and cost reduction. .

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は、マイクロ波・ミリ波モジュールの従来例であ
り、第5図(a)は平面図、第5図(b)は側面図であ
る。
FIG. 5 shows a conventional example of a microwave/millimeter wave module, with FIG. 5(a) being a plan view and FIG. 5(b) being a side view.

図において、Iはその」二面にマイクロ波回路、半導体
素子等が形成されたマイクロ波・ミリ波回路基板であり
、これは導電性の金属基台10kに固定されている。こ
の金属基台10は図示の通りその周辺部に側壁10′を
有しており、この側壁部分にバイアス電源供給用等の気
密端子20、外部リード21が設けられ、さらにリード
4を有する信号人出内用の同軸水平端子15が設けられ
ている。6は蓋であり、この例の場合内部を密閉する気
密構造となっているが、気密の必要がないときは、苫が
なくとも良いことはいうまでもない。
In the figure, I is a microwave/millimeter wave circuit board on which microwave circuits, semiconductor elements, etc. are formed on its two sides, and this is fixed to a conductive metal base 10k. As shown in the figure, this metal base 10 has a side wall 10' around its periphery, and an airtight terminal 20 for supplying bias power, etc., and an external lead 21 are provided on this side wall portion, and a signal terminal having a lead 4 is further provided. A coaxial horizontal terminal 15 for ingress and egress is provided. Reference numeral 6 denotes a lid, which in this example has an airtight structure to seal the inside, but it goes without saying that the lid may be omitted if airtightness is not required.

ごの請6は例えば金属で構成されている。The cage 6 is made of metal, for example.

第6図は、この従来のマイクロ波・ミリ波モジュールの
信号人出内用の同軸水平端子15の詳細を示す図であり
、第6図(a)は平面図、第6図(b)は側面図、第6
図(c)は第6図(a)のc −c ’線に沿った断面
図である。
FIG. 6 is a diagram showing details of the coaxial horizontal terminal 15 for signal input of this conventional microwave/millimeter wave module, FIG. 6(a) is a plan view, and FIG. 6(b) is a Side view, No. 6
FIG. 6(c) is a sectional view taken along line c-c' in FIG. 6(a).

図に示すとおり、同軸水平端子15は、信号ラインとな
るリード4と、誘電体2′、3を介して部分8でリード
4の周囲を囲むように設けられ、部分9.9′でリード
4の側面及び底面を遮蔽するように設けられた導電性の
金属膜7によって構成されている。この金属膜7のシー
ルド機能は、金属基台101蓋6によって構成してもよ
い0図からも明らかであるが、誘電体2′と誘電体3は
部分8のところでは、リード4の周りを囲んでおり、し
たがってこの部分で連続している。
As shown in the figure, the coaxial horizontal terminal 15 is provided so that a portion 8 surrounds the lead 4 serving as a signal line and the lead 4 via dielectrics 2' and 3, and a portion 9.9' surrounds the lead 4. It is constituted by a conductive metal film 7 provided so as to shield the side and bottom surfaces of. The shielding function of the metal film 7 is also clear from FIG. It is enclosed and therefore continuous in this part.

これにより、部分8では、リード4、誘電体2′、:3
、金属膜7によって1ド衡型ストリンプ線路が形成され
ることになり、部分9.9′では、リード4、誘電体3
、金属膜7によって不平衡型スリップ線路が構成される
ことになる。
As a result, in portion 8, lead 4, dielectric 2', :3
, a single-domain strip line is formed by the metal film 7, and in the portion 9.9', the lead 4, the dielectric 3
, the metal film 7 constitutes an unbalanced slip line.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

この従来のマイクロ波・ミリ波モジュールでは、高周波
信号を人出力する高周波端子が、不平衡型マイクロスト
リップラインと平衡型のマイクロストリップライン(ト
リプレート線路)を組み合わせた水平同軸端子で構成さ
れることになり、しかも、第6図に示すとおり、この不
平衡型マイクロストリップラインと平衡型のマイクロス
トリップラインは、直接接続されることになる。このた
め、この接続部分は高周波の信号にとって不連続となり
、この不連続部分で信号の反射が起こり易く、広帯域に
わたって反射損失の少ない構造とすることは困難である
という課題を有している。
In this conventional microwave/millimeter wave module, the high frequency terminal that outputs the high frequency signal is composed of a horizontal coaxial terminal that combines an unbalanced microstrip line and a balanced microstrip line (triplate line). Moreover, as shown in FIG. 6, the unbalanced microstrip line and the balanced microstrip line are directly connected. Therefore, this connection part becomes discontinuous for high-frequency signals, and reflection of the signal easily occurs at this discontinuous part, making it difficult to create a structure with low reflection loss over a wide band.

即ら、第7図(a)に示す平衡型ストリップラインの伝
送姿態から、第7図(b)に示す不平衡型ストリップラ
インの伝送姿態へと直接移行することになり、この接続
点での反射が避けられない。
In other words, there is a direct transition from the transmission mode of the balanced strip line shown in Figure 7(a) to the transmission mode of the unbalanced strip line shown in Figure 7(b), and the transmission mode at this connection point is Reflections are inevitable.

また、この形状の不連続は、不平衡型マイクロストリッ
プライン部の[1失の放射損失を増加させてしまうとい
う課題を有している。
Further, this shape of discontinuity has the problem of increasing the radiation loss of the unbalanced microstrip line section.

これら反射損失、放射損失の増大は、当然端子の挿入損
失を増加させる結果となり、広帯域にわたり良好な特性
を持つマイクロ波・ミリ波モジュールを提供することが
困難となるという課題を有する。
These increases in reflection loss and radiation loss naturally result in an increase in terminal insertion loss, making it difficult to provide a microwave/millimeter wave module with good characteristics over a wide band.

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、
マイクロ波・ミリ波モジュールの高周波入出力端子での
反射tti失、挿入を1失を広帯域にわたり改善した、
良好な特性を持つマイクロ波・ミリ波モジュールを提供
することを目的とする。
The present invention has been made in view of these points,
The reflection TTI loss and insertion loss at the high frequency input/output terminal of microwave/millimeter wave modules have been improved over a wide band.
The purpose is to provide microwave/millimeter wave modules with good characteristics.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

第1図は、本発明の原理を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing the principle of the present invention.

第1図において、■はその表面にマイクロストリップラ
イン5等が形成されているマイクロ波・ミリ波回路基板
であり、導電性の金属基台IOの表面に接着固定されて
いる。2.3は誘電体、4はマイクロ波・ミリ波回路へ
信号を入出力する高周波人出力用のリード、6は例えば
導電性の金属等より成る蓋であり、誘電体2.3は、リ
ード4を囲んで連続している。また、部分8では、リー
ド4は、この誘電体2.3を介して金属基台101盈6
による導体によって取り囲まれており、また、誘電体2
はその部分8に隣接した部分30でテーパ状とされてい
る。これらによりマイクロ波・ミリ波モジエールへの高
周波入出力端子は、中央部分8の平衡型ストリップライ
ンと、その両端部分9の不平衡型ストリップラインと、
これらの二つの部分を接続する変換部30とにより構成
される同軸水平端子15として形成されている。
In FIG. 1, ``■'' is a microwave/millimeter wave circuit board on which a microstrip line 5 and the like are formed, and is adhesively fixed to the surface of a conductive metal base IO. 2.3 is a dielectric, 4 is a lead for high-frequency human output that inputs and outputs signals to the microwave/millimeter wave circuit, 6 is a lid made of, for example, a conductive metal, and the dielectric 2.3 is a lead. Continuous surrounding 4. Further, in the portion 8, the lead 4 is connected to the metal base 101 through the dielectric 2.3.
is surrounded by a conductor, and is also surrounded by a dielectric 2
is tapered at a portion 30 adjacent to portion 8 thereof. With these, the high frequency input/output terminals to the microwave/millimeter wave module are the balanced strip line in the center part 8, the unbalanced strip line in both end parts 9,
It is formed as a coaxial horizontal terminal 15 constituted by a conversion section 30 that connects these two parts.

〔作用〕[Effect]

以上に述べたとおり、本発明では、不平衡型マイクロス
トリップラインと平衡型マイクロストリップラインとの
接続部において、テーパ状の誘電体部分を設け、不平衡
型マイクロストリップラインと平衡型マイクロストリッ
プラインの変換部を構成しているので、不平衡型マイク
ロストリップラインの伝送姿態から徐々に平衡型マイク
ロストリップラインの伝送姿態に変換されるために、直
接接続した場合に比較して、この接続部分での反射が減
少し、接続部分での反射損失、平衡型マイクロストリッ
プライン部での放射損失が減少する。
As described above, in the present invention, a tapered dielectric portion is provided at the connection portion between the unbalanced microstrip line and the balanced microstrip line, and the connection between the unbalanced microstrip line and the balanced microstrip line is Since it constitutes a converter, the transmission mode of the unbalanced microstrip line is gradually converted to the transmission mode of a balanced microstrip line, so the transmission mode at this connection part is lower than when directly connected. Reflection is reduced, and reflection loss at the connection section and radiation loss at the balanced microstrip line section are reduced.

〔実施例〕〔Example〕

第2図は本発明の第1の実施例を示す図であり、第3図
はこの第1の実施例の端子部の詳細を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing details of the terminal portion of this first embodiment.

第2図において、(a)はこの発明の第1の実施例のマ
イクロ波・ミリ波モジュールの平面図、(b)は同じく
側面図である0図において、■はその上面にマイクロ波
回路、半導体素子等が形成されたマイクロ波・ミリ波回
路基板であり、これは導電性の金属基台10上に固定さ
れている。この基台10は図示のとおりその周辺部に側
壁10′を有しており、この側壁部分にバイアス用の気
密端子20、外部リード21が設けられている。
In FIG. 2, (a) is a plan view of the microwave/millimeter wave module according to the first embodiment of the present invention, and (b) is a side view of the module in FIG. This is a microwave/millimeter wave circuit board on which semiconductor elements and the like are formed, and this is fixed on a conductive metal base 10. As shown in the figure, this base 10 has a side wall 10' around its periphery, and an airtight terminal 20 for bias and an external lead 21 are provided on this side wall portion.

6は蓋であり、以上の構成は、第5図で説明した従来例
と同様な構成である。
6 is a lid, and the above structure is similar to the conventional example explained in FIG.

この発明にしたがって、リード4を有する高周波信号人
出内用の端子15が設けられている。
According to the invention, a high frequency signal terminal 15 having a lead 4 is provided.

第3図は、この発明にしたがった端子15の構造の詳細
を示す図であり、第3図(a)は端子部分の平面図、第
3図(b)は端子部分の側面図、第3図(c)は第3図
(a)のc−c’線に沿った断面図、第3図(d)は端
子15の斜視図である。
FIG. 3 is a diagram showing the details of the structure of the terminal 15 according to the present invention, in which FIG. 3(a) is a plan view of the terminal portion, FIG. 3(b) is a side view of the terminal portion, and FIG. FIG. 3(c) is a sectional view taken along line c-c' in FIG. 3(a), and FIG. 3(d) is a perspective view of the terminal 15.

図において、2.3は誘電体であり、誘電体3の表面に
はり−14が形成されている。
In the figure, 2.3 is a dielectric, and a beam 14 is formed on the surface of the dielectric 3.

誘電体2は平坦な中央部分8と、この発明によって設け
られたテーパ状部分30.30′を有しており、図から
も明らかなように、この誘電体2と誘電体3はリード4
を挟んで連続している。7は誘電体3の底面及び側面、
誘電体2の平坦部の表面に形成された導電性の金属膜で
ある。実際のモジュールを作るときには、金属基台10
と金属製の苫6の導電性を利用してシールドすることが
できるので、端子部の上下面および側面に形成した金属
膜7は必ずしも必要ではない。
The dielectric 2 has a flat central portion 8 and a tapered portion 30,30' provided according to the invention, and as can be seen, the dielectric 2 and the dielectric 3 are connected to the leads 4.
It is continuous with . 7 is the bottom and side surfaces of the dielectric 3;
This is a conductive metal film formed on the flat surface of the dielectric 2. When making the actual module, the metal base 10
The metal film 7 formed on the upper, lower and side surfaces of the terminal portion is not necessarily necessary, since shielding can be achieved by utilizing the conductivity of the metal ink 6.

以にのとおり、この発明による端子15は、リード4の
L面において、誘電体2が平坦な部分8と、誘電体2が
テーパ状をなず部分30.30′と誘電体2の無い部分
9.9′により構成されることになる。
As described above, the terminal 15 according to the present invention has, on the L side of the lead 4, a portion 8 where the dielectric 2 is flat, a portion 30, 30' where the dielectric 2 is tapered, and a portion where there is no dielectric 2. 9.9'.

部分8はり一部4と、それを取り囲む誘電体2.3と、
誘電体2.3の周囲に設けられた金属膜7とによって構
成されており、この部分は平衡型ストリップラインとな
る。また、部分9.9′は誘電体3とその表面に形成さ
れたり−ド4とによって構成されており、不平衡型スト
リンプラインが構成されている。
a part 8 beam part 4 and a dielectric 2.3 surrounding it;
It is composed of a dielectric 2.3 and a metal film 7 provided around the dielectric 2.3, and this portion becomes a balanced strip line. Further, the portion 9.9' is constituted by the dielectric body 3 and the electrode 4 formed on the surface thereof, and constitutes an unbalanced strip line.

この発明に従って設けられたテーパ状の誘電体2を有す
る部分30.30′は、前述の平衡型ストリップライン
8と不平衡型ストリップライン9.9′の変換部であり
、不平衡型ストリップラインの伝送姿態から徐々に平衡
型ストリンプラインの伝送姿態に変換する、或いはその
逆に変換する働きをする。
The portion 30.30' with the tapered dielectric 2 provided according to the invention is a conversion part between the aforementioned balanced stripline 8 and the unbalanced stripline 9.9', and is a converter of the unbalanced stripline 8. It functions to gradually convert the transmission mode to the balanced stripline transmission mode, or vice versa.

したがって、リード4に供給される高周波信月は、不平
衡型ストリップライン部分での第7図(b)に示す伝送
姿態から、徐々に平衡型ストリンプライン部分での第7
図(a)に示す伝送姿態に変換されることになり(或い
は、この逆に変換されることになり)、この接続点での
反射損失を低減させることができる。
Therefore, the high frequency signal supplied to the lead 4 gradually changes from the transmission state shown in FIG. 7(b) in the unbalanced stripline section to the
The transmission mode is converted into the transmission mode shown in FIG. 3(a) (or vice versa), and the reflection loss at this connection point can be reduced.

第4図は、この発明の第2の実施例を示す図であり、第
4図(a)は斜視図、第4図(b)は断面図、第4図(
C)は端子部の拡大断面図である。
FIG. 4 is a diagram showing a second embodiment of the present invention, in which FIG. 4(a) is a perspective view, FIG. 4(b) is a sectional view, and FIG.
C) is an enlarged sectional view of the terminal portion.

第4図において、第2図、第3図に示した部材と同じ部
材には、同一の番号を付E5.しているので、ごれらの
部材についての詳細な説明は省略する。
In FIG. 4, the same members as those shown in FIGS. 2 and 3 are given the same numbers.E5. Therefore, a detailed explanation of these members will be omitted.

ごの実施例では、バイアス供給用の気密端子16を金属
)、(台10の底面に垂直方向に設けており、また、信
号を人出力する一A周波端子15を4箇所設けている。
In this embodiment, an airtight terminal 16 for bias supply is provided vertically on the bottom surface of the base 10, and 1A frequency terminals 15 for outputting signals are provided at four locations.

また、この実施例による端子15は、第4図(C)の拡
大図に示すように、変換部30を金属基台IOの外側の
みに設け、しかも変換部;30のり一部4のF面には誘
電体を設けていない。
Further, as shown in the enlarged view of FIG. 4(C), the terminal 15 according to this embodiment has the converting part 30 provided only on the outside of the metal base IO, and the converting part; is not provided with a dielectric material.

変換部30を金属基台10の外側のみにしたのは、金属
基台10の内部の体積を小さくし、マイクロ波・ミリ波
モジュールをより小型化するためであり、変換部30の
リード4の下面の誘電体を除いたのは、この部分に他の
回路側の誘電体を位置させることによりそのリード4の
露出部分で他の回路との接続を可能とするためである。
The reason why the converter 30 is placed only on the outside of the metal base 10 is to reduce the internal volume of the metal base 10 and make the microwave/millimeter wave module more compact. The reason why the dielectric material on the lower surface is removed is that by locating the dielectric material on the other circuit side in this portion, connection with other circuits can be made using the exposed portion of the lead 4.

この実施例によっても、端子部分での反射損失を減らず
ごとができることは明らかである。
It is clear that this embodiment also makes it possible to reduce the reflection loss at the terminal portion.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べたとおり、本発明によれば、マイクlコ波・ミ
リ波モジュールの高周波入出力端子の反射[11失、挿
入損失を広帯域にわたり改存することができ、広帯域に
わたり良好な特性をもつマイクロ波・ミリ波千ジ1−ル
を提供することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to modify the reflection [11 loss and insertion loss] of the high frequency input/output terminal of a microwave/millimeter wave module over a wide band, and to provide microwaves with good characteristics over a wide band.・Can provide 1,000 millimeter waves.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理を示す図 第2図は本発明の第1の実施例を示す図第3図は本発明
の第1の実施例の端子部の詳細を示す図 第4図は本発明の第2の実施例を示す図第5図は従来例
を示す図 第6図は従来例の端子部の詳細を示す図第7図は伝送路
の電磁界分布図である。 ■−マイクロ波・ミリ波回路基板 2.3−誘電体 4−高周波信号人出力用リード 5−ストリンプライン −M 7−導電性の金属膜 8−平衡型ストリップライン 9.9′−不平衡ストリップライン 10−金属基台 20−気密端子 21−外部リード ;30.30′ −変換部 オJぞ5月の、原理図 第1図 (d)単元閏 (b) $1面図 さキ朗のi/戻肩百列 第2図 (b)層(面図         (c)断面図端仔剖
詳細図 第3因 ((1)       (C)大ルー4本!!5期の黍
2奥馳例 第4図
Fig. 1 shows the principle of the invention Fig. 2 shows a first embodiment of the invention Fig. 3 shows details of the terminal section of the first embodiment of the invention Fig. 4 shows the details of the terminal section of the first embodiment of the invention FIG. 5 shows the second embodiment of the present invention. FIG. 5 shows the conventional example. FIG. 6 shows details of the terminal portion of the conventional example. FIG. 7 shows the electromagnetic field distribution of the transmission line. - Microwave/millimeter wave circuit board 2.3 - Dielectric 4 - High frequency signal human output lead 5 - Strip line - M 7 - Conductive metal film 8 - Balanced strip line 9.9' - Unbalanced Strip line 10 - Metal base 20 - Airtight terminal 21 - External lead; 30.30' - Conversion section (b) Layer (front view) (c) Sectional view Detailed autopsy view 3rd factor ((1) (C) 4 large roux!! 5th stage millet 2nd stage Example Figure 4

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)金属基台(10)と、この金属基台(10)の底
部に実装されるマイクロ波・ミリ波回路基板(1)と、
このマイクロ波・ミリ波回路基板(1)のマイクロ波・
ミリ波線路を外部に導くための前記金属基台(10)の
側壁を貫く信号入出力用の端子(15)を備えたマイク
ロ波・ミリ波モジュールにおいて、 この端子(15)に、 平衡型マイクロストリップライン(8)と、不平衡型マ
イクロストリップライン(9)と、さらにこの両者の接
続部分にテーパ形状の誘電体部分(2)を具備したこと
を特徴とするマイクロ波・ミリ波モジュール。
(1) A metal base (10), a microwave/millimeter wave circuit board (1) mounted on the bottom of the metal base (10),
The microwave/millimeter wave circuit board (1)
In a microwave/millimeter wave module equipped with a signal input/output terminal (15) penetrating the side wall of the metal base (10) for guiding a millimeter wave line to the outside, this terminal (15) is equipped with a balanced micro A microwave/millimeter wave module characterized by comprising a strip line (8), an unbalanced microstrip line (9), and a tapered dielectric portion (2) at a connection portion between the two.
JP63147269A 1988-06-15 1988-06-15 Micro-wave and millimeter wave module Pending JPH01314403A (en)

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JP63147269A JPH01314403A (en) 1988-06-15 1988-06-15 Micro-wave and millimeter wave module

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JP63147269A JPH01314403A (en) 1988-06-15 1988-06-15 Micro-wave and millimeter wave module

Publications (1)

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ID=15426398

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JP63147269A Pending JPH01314403A (en) 1988-06-15 1988-06-15 Micro-wave and millimeter wave module

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JP (1) JPH01314403A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04363901A (en) * 1990-11-26 1992-12-16 Mitsubishi Materials Corp Hybrid integrated circuit for high frequency microwave and its manufacture
US5493263A (en) * 1991-07-19 1996-02-20 Fujitsu Limited Microstrip which is able to supply DC bias current
US6441697B1 (en) * 1999-01-27 2002-08-27 Kyocera America, Inc. Ultra-low-loss feedthrough for microwave circuit package

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