JPH01270362A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01270362A JPH01270362A JP63099876A JP9987688A JPH01270362A JP H01270362 A JPH01270362 A JP H01270362A JP 63099876 A JP63099876 A JP 63099876A JP 9987688 A JP9987688 A JP 9987688A JP H01270362 A JPH01270362 A JP H01270362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- microlens
- bonding pad
- solid
- filter layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 4
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 4
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 4
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 4
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/011—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12
- H10F39/024—Manufacture or treatment of image sensors covered by group H10F39/12 of coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、マイクロレンズを用いて素子感度を向上させ
た固体撮像装置及びその製造方法に関する。
た固体撮像装置及びその製造方法に関する。
(従来の技術)
一般に固体撮像装置は、固体撮像素子からなる複数の画
素を配列することによって構成されている。1つの固体
撮像素子では、入射した光をフォトダイオード等からな
る感光部で電気信号に変換して出力信号を行う。このよ
うな固体撮像素子において、フォトダイオードの受光部
の寸法を大きくすることなく、受光感度を高めるために
、受光部の上方にマイクロレンズを設け、このマイクロ
レンズによって外光を感光部に集光することが一般に行
われている。
素を配列することによって構成されている。1つの固体
撮像素子では、入射した光をフォトダイオード等からな
る感光部で電気信号に変換して出力信号を行う。このよ
うな固体撮像素子において、フォトダイオードの受光部
の寸法を大きくすることなく、受光感度を高めるために
、受光部の上方にマイクロレンズを設け、このマイクロ
レンズによって外光を感光部に集光することが一般に行
われている。
これを第3図に基づいて説明すると、半導体基板1の上
には、入射した光を電気信号に変換して信号を出力する
感光部としてのフォトダイオード2と、このフォトダイ
オード2の各列の両端部に位置してボンディングパッド
部3が夫々形成され、この上面には、上記ボンディング
パッド部3の上方を除きパッシベーション膜4及びフィ
ルタ層5が順次積層されている。そして、このフィルタ
層5の上面には、上記フォトダイオード2の上方に位置
して凸レンズの形状をしたマイクロレンズ6′が設けら
れ、このマイクロレンズ6′によって光を集め、この集
めた光をフォトダイオード2に入射することによりこの
感度を高めるよう構成されている。
には、入射した光を電気信号に変換して信号を出力する
感光部としてのフォトダイオード2と、このフォトダイ
オード2の各列の両端部に位置してボンディングパッド
部3が夫々形成され、この上面には、上記ボンディング
パッド部3の上方を除きパッシベーション膜4及びフィ
ルタ層5が順次積層されている。そして、このフィルタ
層5の上面には、上記フォトダイオード2の上方に位置
して凸レンズの形状をしたマイクロレンズ6′が設けら
れ、このマイクロレンズ6′によって光を集め、この集
めた光をフォトダイオード2に入射することによりこの
感度を高めるよう構成されている。
そして、このマイクロレンズ6′は、下記の製造上の制
約により、一般にゼラチン、カゼイン又はアクリル系の
レジストによって構成されていた。
約により、一般にゼラチン、カゼイン又はアクリル系の
レジストによって構成されていた。
上記固体撮像装置においては、上記のようにボンディン
グパッド3の上方のレジストを除去する必要があるため
、この製造は、一般に次のように行われていた。
グパッド3の上方のレジストを除去する必要があるため
、この製造は、一般に次のように行われていた。
即ち、パッシベーション膜4、フィルタ層5内のカラー
染色層間に介在させた混色にじみを防止するための中間
膜、及びフィルタ層5の上面に配置した保護膜等として
感光性のあるレジストを使用し、これらの膜を塗布した
後、毎回現像して上記ボンディングパッド部3の上方に
位置するレジストをそのたび毎に除去することにより、
上記第3図に示すもののうちマイクロレンズ6′を除く
基板部を形成し、しかる後、フォトダイオード部2の上
方の所定の位置に、マイクロレンズ6′をパターンニン
グし、更にこのマイクロレンズ6′としてゼラチン系や
カゼイン系のレジストを使用した場合にはこの上面に保
護膜を被せたり、またアクリル系のレジストを使用した
場合には表面を溶融させたりして、第3図に示す固体撮
像装置を製造するものであった。
染色層間に介在させた混色にじみを防止するための中間
膜、及びフィルタ層5の上面に配置した保護膜等として
感光性のあるレジストを使用し、これらの膜を塗布した
後、毎回現像して上記ボンディングパッド部3の上方に
位置するレジストをそのたび毎に除去することにより、
上記第3図に示すもののうちマイクロレンズ6′を除く
基板部を形成し、しかる後、フォトダイオード部2の上
方の所定の位置に、マイクロレンズ6′をパターンニン
グし、更にこのマイクロレンズ6′としてゼラチン系や
カゼイン系のレジストを使用した場合にはこの上面に保
護膜を被せたり、またアクリル系のレジストを使用した
場合には表面を溶融させたりして、第3図に示す固体撮
像装置を製造するものであった。
なお、ドライエツチングにより、マイクロレンズを形成
しようとすると、マスキングするレジストを厚膜化する
必要があるため、マイクロレンズとしてのレンズ効果を
損なう欠点があり、このレジストの材料の選定及び廉価
なマイクロレンズを作ることが一般に困難であった。
しようとすると、マスキングするレジストを厚膜化する
必要があるため、マイクロレンズとしてのレンズ効果を
損なう欠点があり、このレジストの材料の選定及び廉価
なマイクロレンズを作ることが一般に困難であった。
即ち、マイクロレンズはフィルタ層の上面に作られるた
め、これを作る工程は、このフィルタ層の表面の状態と
大きな係わりがある。このため、ドライエツチングによ
りボンディングパッド部の上方のレジストを除去する際
に所望の形状のマイクロレンズを形成することは非常に
困難で、またポジレジスト等を用い、これをマスクとし
てドライエツチングによりボンディングパッド部のレジ
ストを除去した時には、この除去後にポジレジストを剥
離することが困難で、更にレジストとして無機の透明な
膜を使用し、これマスクとしてドライエツチングにより
ボンディングパッド部のレジストを除去した場合には、
この膜は平坦性がかなり良いため、この膜によってマイ
クロレンズの効果が著しく損なわれてしまうからである
。
め、これを作る工程は、このフィルタ層の表面の状態と
大きな係わりがある。このため、ドライエツチングによ
りボンディングパッド部の上方のレジストを除去する際
に所望の形状のマイクロレンズを形成することは非常に
困難で、またポジレジスト等を用い、これをマスクとし
てドライエツチングによりボンディングパッド部のレジ
ストを除去した時には、この除去後にポジレジストを剥
離することが困難で、更にレジストとして無機の透明な
膜を使用し、これマスクとしてドライエツチングにより
ボンディングパッド部のレジストを除去した場合には、
この膜は平坦性がかなり良いため、この膜によってマイ
クロレンズの効果が著しく損なわれてしまうからである
。
このため、上記マイクロレンズをドライエツチングによ
って形成することは、一般には行われておらず、このマ
イクロレンズは、上記のようにゼラチン系、カゼイン系
又はアクリル系のレジストに限定されているのが現状で
あった。
って形成することは、一般には行われておらず、このマ
イクロレンズは、上記のようにゼラチン系、カゼイン系
又はアクリル系のレジストに限定されているのが現状で
あった。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、従来例においては、マイクロレンズはゼ
ラチン系、カゼイン系又はアクリル系のレジストで形成
されているため、これらの屈折率は一般に小さく、マイ
クロレンズを用いない場合に比べ、せいぜい1.5倍程
度の感度の向上が限界であるばかりでなく、明るい被写
体を撮影した時に上下に白っぽく尾を引くスミア現象を
低減することはできなかった。
ラチン系、カゼイン系又はアクリル系のレジストで形成
されているため、これらの屈折率は一般に小さく、マイ
クロレンズを用いない場合に比べ、せいぜい1.5倍程
度の感度の向上が限界であるばかりでなく、明るい被写
体を撮影した時に上下に白っぽく尾を引くスミア現象を
低減することはできなかった。
また、上記製造方法においては、バッシュベーション膜
、混色にじみを防ぐ膜及び保3膜等を毎回現像する必要
があって、材料が限定されるばかりでなく工程数も多く
なり、しかも染色に使用する酸によって、パッシベーシ
ョン膜に上面に設けたアルミニウム遮光膜が腐蝕してし
まうことがあるといった問題点があった。
、混色にじみを防ぐ膜及び保3膜等を毎回現像する必要
があって、材料が限定されるばかりでなく工程数も多く
なり、しかも染色に使用する酸によって、パッシベーシ
ョン膜に上面に設けたアルミニウム遮光膜が腐蝕してし
まうことがあるといった問題点があった。
本発明は上記に鑑み、ドライエツチングによりマイクロ
レンズを形成することにより、より屈折率の大きなレジ
ストを使用して素子感度の向上を図るとともに、工程数
を多くすることなく、所望の形状のマイクロレンズを廉
価に製造することができるものを提供することを目的と
する。
レンズを形成することにより、より屈折率の大きなレジ
ストを使用して素子感度の向上を図るとともに、工程数
を多くすることなく、所望の形状のマイクロレンズを廉
価に製造することができるものを提供することを目的と
する。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため、本発明における固体撮像装置
は、半導体基板上に感光部とボンディングパッド部を形
成し、この上面をボンディングパッド部の上方を除きフ
ィルタ層で覆うとともに、上記感光部の上方にマイクロ
レンズを配置した固体撮像装置において、このマイクロ
レンズをシリコン系やポリスチレン系等の透明なレジス
トにドライエツチングを施すことにより形成したもので
あり、その製造方法は、上部に感光部とボンディングパ
ッド部を形成した半導体基板の上面にフィルタ層を積層
し、ボンディングパッド部の上方を除くこの上面に透明
なレジストを塗布し、このレジストの上に上記感光部の
上方に位置してポジレジストをパターンニングし、ドラ
イエツチングを行うことによって上記透明なレジストで
マイクロレンズを形成するとともに、この透明なレジス
トをマスクとしてフィルタ層のボンディングパッド部上
方のレジストを除去するようにしたものである。
は、半導体基板上に感光部とボンディングパッド部を形
成し、この上面をボンディングパッド部の上方を除きフ
ィルタ層で覆うとともに、上記感光部の上方にマイクロ
レンズを配置した固体撮像装置において、このマイクロ
レンズをシリコン系やポリスチレン系等の透明なレジス
トにドライエツチングを施すことにより形成したもので
あり、その製造方法は、上部に感光部とボンディングパ
ッド部を形成した半導体基板の上面にフィルタ層を積層
し、ボンディングパッド部の上方を除くこの上面に透明
なレジストを塗布し、このレジストの上に上記感光部の
上方に位置してポジレジストをパターンニングし、ドラ
イエツチングを行うことによって上記透明なレジストで
マイクロレンズを形成するとともに、この透明なレジス
トをマスクとしてフィルタ層のボンディングパッド部上
方のレジストを除去するようにしたものである。
(作 用)
上記のように構成した本発明によれば、マイクロレンズ
は、フィルタ層の上面に塗布した透明なレジストを材料
とし、ドライエツチングによって作ることができ、この
ため高い屈曲率のレジストをマイクロレンズの材料とし
用い、マイクロレン・ズとしての屈曲率を増大させ、し
かもボンディングパッド部上方のレジストは、上記マイ
クロレンズを構成するレジストをマスクとして除去する
ことができるので、工程数を減少させることができる。
は、フィルタ層の上面に塗布した透明なレジストを材料
とし、ドライエツチングによって作ることができ、この
ため高い屈曲率のレジストをマイクロレンズの材料とし
用い、マイクロレン・ズとしての屈曲率を増大させ、し
かもボンディングパッド部上方のレジストは、上記マイ
クロレンズを構成するレジストをマスクとして除去する
ことができるので、工程数を減少させることができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について、第1図及び第2図を参
照して説明する。
照して説明する。
第1図は、固体撮像素子を示すもので、半導体基板1の
上には、入射した光を電気信号に変換して信号を出力す
る感光部としてのフォトダイオード2と、このフォトダ
イオード2の各列の両端部に位置してボンディングパッ
ド部3が夫々形成され、この上面には、上記ボンディン
グパッド部3の上方を除きパッシベーション膜4及びフ
ィルタ層5が順次積層されている。そして、このフィル
タ層5の上面には、上記フォトダイオード2の上方に位
置して凸レンズの形状をしたマイクロレンズ6が設けら
れ、このマイクロレンズ6によって光を集め、この集め
た光をフォトダイオード2に入射することによりこの感
度を高めるよう構成されている。
上には、入射した光を電気信号に変換して信号を出力す
る感光部としてのフォトダイオード2と、このフォトダ
イオード2の各列の両端部に位置してボンディングパッ
ド部3が夫々形成され、この上面には、上記ボンディン
グパッド部3の上方を除きパッシベーション膜4及びフ
ィルタ層5が順次積層されている。そして、このフィル
タ層5の上面には、上記フォトダイオード2の上方に位
置して凸レンズの形状をしたマイクロレンズ6が設けら
れ、このマイクロレンズ6によって光を集め、この集め
た光をフォトダイオード2に入射することによりこの感
度を高めるよう構成されている。
そして、このマイクロレンズ6は、シリコン系やポリス
チレン系のレジストにドライエツチングを施すことによ
って構成され、これによって感度の向上及び上記スミア
現象の低減が図られている。
チレン系のレジストにドライエツチングを施すことによ
って構成され、これによって感度の向上及び上記スミア
現象の低減が図られている。
即ち、例えばシリコン系のレジストを材料としてこのマ
イクロレンズ6を形成した場合には、マイクロレンズを
設けない場合に比べて、約2倍の素子感度の向上を図る
ことができる。
イクロレンズ6を形成した場合には、マイクロレンズを
設けない場合に比べて、約2倍の素子感度の向上を図る
ことができる。
上記撮像装置の製造方法を第2図に基づいて説明する。
先ず、同図(a)で示すように、半導体基板1の上に、
入射した光を電気信号に変換して信号を出力する感光部
としてのフォトダイオード2と、このフォトダイオード
2の各列の両端部に位置してボンディングパッド部3を
夫々形成し、この上面に、ボンディングパッド部3を露
出させてパッシベーション膜4を、更にこの全上面にフ
ィルタ層5を順次積層するとともに、このフィルタ層5
の表面5aを、ここに形成するマイクロレンズ6の形状
に合わせて凹凸を設けておく。
入射した光を電気信号に変換して信号を出力する感光部
としてのフォトダイオード2と、このフォトダイオード
2の各列の両端部に位置してボンディングパッド部3を
夫々形成し、この上面に、ボンディングパッド部3を露
出させてパッシベーション膜4を、更にこの全上面にフ
ィルタ層5を順次積層するとともに、このフィルタ層5
の表面5aを、ここに形成するマイクロレンズ6の形状
に合わせて凹凸を設けておく。
この時、カラーフィルク層5の保護膜は、ボンディング
パッド部3を覆っており、このためこのボンディングパ
ッド部3は、他の酸等にはさらされていない。
パッド部3を覆っており、このためこのボンディングパ
ッド部3は、他の酸等にはさらされていない。
この状態で、同図(b)に示すように、このフィルタ層
5の上面に、感光性を有する、例えばポリスチレン系の
透明なマイクロレンズ形成用レジスト6aを2μm程度
の厚さに塗布し、ボンディングパッド部3の上方を現像
により除去する。
5の上面に、感光性を有する、例えばポリスチレン系の
透明なマイクロレンズ形成用レジスト6aを2μm程度
の厚さに塗布し、ボンディングパッド部3の上方を現像
により除去する。
そして、同図(C)に示すように、ポジレジスト7を1
.7μm程度の厚さに塗布し、マイクロレンズ6を形成
する所定の位置、即ちフォトダイオード2の上方にこの
ポジレジストアが残るように所望の形状にパターンニン
グし、この状態で、02プラズマの中に置いてドライエ
ツチングを施す。
.7μm程度の厚さに塗布し、マイクロレンズ6を形成
する所定の位置、即ちフォトダイオード2の上方にこの
ポジレジストアが残るように所望の形状にパターンニン
グし、この状態で、02プラズマの中に置いてドライエ
ツチングを施す。
而して、このドライエツチングにより、ポジレジスト7
を上方から除々に除去するとともに、マイクロレンズ形
成用レジスト6aの露出部分から、ポジレジストアの中
心方向に除々にこのレジスト6aを除去することにより
、このレジスト6aで凸レンズ状のマイクロレンズ6を
形成するとともに、上記マイクロレンズ形成用レジスト
6aをマ部3の上方のレジストを除去して、第1図に示
す固体撮像造装置を製造するのである。
を上方から除々に除去するとともに、マイクロレンズ形
成用レジスト6aの露出部分から、ポジレジストアの中
心方向に除々にこのレジスト6aを除去することにより
、このレジスト6aで凸レンズ状のマイクロレンズ6を
形成するとともに、上記マイクロレンズ形成用レジスト
6aをマ部3の上方のレジストを除去して、第1図に示
す固体撮像造装置を製造するのである。
なお、別な方法として、上記第2図(b)で、透明なマ
イクロレンズ成形用レジスト6aとしてシリコン系のレ
ジストを使用するとともに、同図(C)でこの図の他に
ボンディングパッド部3の上方にもポジレジストアのパ
ターンニングを行い、この状態でフレオン系ガスによる
プラズマの中でエツチングを行ってマイクロレンズ6め
上面の形状を形成し、この半形成のマイクロレンズ6を
マスクとして、02プラズマの中に置いてドライエツチ
ングを施することにより、マイクロレンズ6を全形成す
るとともに、フィルタ層5のボンディングパッド部3の
上方のレジストを除去して、第1図に示す固体撮像造装
置を製造するようにすることもできる。
イクロレンズ成形用レジスト6aとしてシリコン系のレ
ジストを使用するとともに、同図(C)でこの図の他に
ボンディングパッド部3の上方にもポジレジストアのパ
ターンニングを行い、この状態でフレオン系ガスによる
プラズマの中でエツチングを行ってマイクロレンズ6め
上面の形状を形成し、この半形成のマイクロレンズ6を
マスクとして、02プラズマの中に置いてドライエツチ
ングを施することにより、マイクロレンズ6を全形成す
るとともに、フィルタ層5のボンディングパッド部3の
上方のレジストを除去して、第1図に示す固体撮像造装
置を製造するようにすることもできる。
本発明は上記のような構成であるので、マイクロレンズ
の材料として、ポリスチレン系やシリコン系のレジスト
を使用するようにすることができ・この場合、屈曲率は
大きくなるので、受光感度を従来のマイクロレンズより
更に向上させることができるばかりでなく、明るい被写
体を撮影した時に上下に白っぽく尾を引くスミア現象を
低減させることができる。
の材料として、ポリスチレン系やシリコン系のレジスト
を使用するようにすることができ・この場合、屈曲率は
大きくなるので、受光感度を従来のマイクロレンズより
更に向上させることができるばかりでなく、明るい被写
体を撮影した時に上下に白っぽく尾を引くスミア現象を
低減させることができる。
更に、後の工程における組立工程での樹脂滴下による固
定の際の平坦化による受光感度の低下もなく、フィルタ
層の耐熱及び耐光性も向上する。
定の際の平坦化による受光感度の低下もなく、フィルタ
層の耐熱及び耐光性も向上する。
また、ドライエツチングによりボンディングパッド部の
上方のレジストを除去することができ、従ってアルミニ
ウム遮光膜の腐蝕を防止するとともに、毎回現像するこ
とを防止して、工程数の削減及び現像液の使用量の削減
を図ることができる。
上方のレジストを除去することができ、従ってアルミニ
ウム遮光膜の腐蝕を防止するとともに、毎回現像するこ
とを防止して、工程数の削減及び現像液の使用量の削減
を図ることができる。
しかも、マイクロレンズの形成とボンディングパッド部
上方のレジストの除去を同時に行うようにしたので、よ
り工程の短縮化を図ることができるといった効果がある
。
上方のレジストの除去を同時に行うようにしたので、よ
り工程の短縮化を図ることができるといった効果がある
。
第1図は本発明に係る固体撮像装置の一実施例を示す断
面図、第2図はその製造を工程順に示す断面図、第3図
は従来の固体撮像装置を示す断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・フォトダイオード、3・
・・ボンディングパッド部、4・・・パッシベーション
膜、5・・・フィルタ層、6・・・マイクロレンズ、6
a・・・マイクロレンズ形成用レジスト、7・・・ポジ
レジスト、6′・・・従来のマイクロレンズ。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第 3 図 第2 図
面図、第2図はその製造を工程順に示す断面図、第3図
は従来の固体撮像装置を示す断面図である。 1・・・半導体基板、2・・・フォトダイオード、3・
・・ボンディングパッド部、4・・・パッシベーション
膜、5・・・フィルタ層、6・・・マイクロレンズ、6
a・・・マイクロレンズ形成用レジスト、7・・・ポジ
レジスト、6′・・・従来のマイクロレンズ。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第 3 図 第2 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板上に感光部とボンディングパッド部を形
成し、この上面をボンディングパッド部の上方を除きフ
ィルタ層で覆うとともに、上記感光部の上方にマイクロ
レンズを配置した固体撮像装置において、このマイクロ
レンズをシリコン系やポリスチレン系等の透明なレジス
トにドライエッチングを施すことにより形成したことを
特徴とする固体撮像装置。 2、上部に感光部とボンディングパッド部を形成した半
導体基板の上面にフィルタ層を積層し、ボンディングパ
ッド部の上方を除くこの上面に透明なレジストを塗布し
、このレジストの上に上記感光部の上方に位置してポジ
レジストをパターンニングし、ドライエッチングを行う
ことによって上記透明なレジストでマイクロレンズを形
成するとともに、この透明なレジストをマスクとしてフ
ィルタ層のボンディングパッド部上方のレジストを除去
することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63099876A JPH07105481B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63099876A JPH07105481B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01270362A true JPH01270362A (ja) | 1989-10-27 |
JPH07105481B2 JPH07105481B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=14259008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63099876A Expired - Lifetime JPH07105481B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07105481B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0444267A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Sharp Corp | 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 |
US5096665A (en) * | 1989-02-07 | 1992-03-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hydrogen absorbing alloys having MgZn2 -type laves phase structure |
JPH04234707A (ja) * | 1990-12-31 | 1992-08-24 | Samsung Electron Co Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法 |
US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
US5426058A (en) * | 1991-07-12 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state imaging device |
US5444277A (en) * | 1991-07-15 | 1995-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid imaging pick-up element |
JP2002512436A (ja) * | 1998-02-06 | 2002-04-23 | シェルケース リミティド | 集積回路デバイス |
JP2006108580A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008122527A (ja) * | 2006-11-09 | 2008-05-29 | Nec Electronics Corp | 光トランシーバモジュールおよびその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992568A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子などの受光装置とその製造方法 |
JPS6058668A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−フィルタ−の製造方法 |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP63099876A patent/JPH07105481B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5992568A (ja) * | 1982-11-18 | 1984-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子などの受光装置とその製造方法 |
JPS6058668A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−フィルタ−の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5096665A (en) * | 1989-02-07 | 1992-03-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hydrogen absorbing alloys having MgZn2 -type laves phase structure |
JPH0444267A (ja) * | 1990-06-07 | 1992-02-14 | Sharp Corp | 固体撮像素子のマイクロレンズ形成方法 |
JPH04234707A (ja) * | 1990-12-31 | 1992-08-24 | Samsung Electron Co Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法 |
US5426058A (en) * | 1991-07-12 | 1995-06-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing solid-state imaging device |
US5444277A (en) * | 1991-07-15 | 1995-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid imaging pick-up element |
US5371397A (en) * | 1992-10-09 | 1994-12-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Solid-state imaging array including focusing elements |
JP2002512436A (ja) * | 1998-02-06 | 2002-04-23 | シェルケース リミティド | 集積回路デバイス |
JP2006108580A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US8134110B2 (en) | 2004-10-08 | 2012-03-13 | Panasonic Corporation | Solid-state imaging device and solid-state imaging device manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07105481B2 (ja) | 1995-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960000223B1 (ko) | 고체촬상장치 및 그 제조방법 | |
JP2776810B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH01270362A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH061824B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH0624232B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH02103962A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2988556B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2723686B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
WO2022050345A1 (ja) | 固体撮像素子および製造方法 | |
EP0661757B1 (en) | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same | |
JPH06302794A (ja) | 固体撮像素子の製法 | |
JPH0468570A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JPH05299625A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 | |
JPS61199659A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH0544193B2 (ja) | ||
JPH10209410A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JPS5868970A (ja) | カラ−固体撮像素子の製造方法 | |
JP2003209231A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像システム | |
JPH04233759A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH10209420A (ja) | 固体撮像素子の製造方法 | |
JPH04278582A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPS63143504A (ja) | カラ−固体撮像装置の製造方法 | |
JPS5898959A (ja) | カラー固体撮像素子の製造方法 | |
JPH0224028B2 (ja) | ||
KR950012000B1 (ko) | 고체 촬상 소자 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071113 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081113 Year of fee payment: 13 |