JPH01225905A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
- Publication number
- JPH01225905A JPH01225905A JP5311488A JP5311488A JPH01225905A JP H01225905 A JPH01225905 A JP H01225905A JP 5311488 A JP5311488 A JP 5311488A JP 5311488 A JP5311488 A JP 5311488A JP H01225905 A JPH01225905 A JP H01225905A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- refractive index
- cladding layer
- optical
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 35
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 41
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000012769 bulk production Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
コアと基板間にコアよりも低屈折率の第1クラッド層と
、コアと同じ媒質の第2クラッド層の組(1組あるいは
それ以上)からなる共振反射クランドを設け、広い波長
範囲からなるあらゆる偏光状態の光を低損失で導波する
実質的な単一モードの先導波路である。
、コアと同じ媒質の第2クラッド層の組(1組あるいは
それ以上)からなる共振反射クランドを設け、広い波長
範囲からなるあらゆる偏光状態の光を低損失で導波する
実質的な単一モードの先導波路である。
本発明は、半導体などの高屈折率の基板上に形成される
平板型誘電体の先導波路に関するものであり、特に光集
積回路に有用な先導波路に関する。
平板型誘電体の先導波路に関するものであり、特に光集
積回路に有用な先導波路に関する。
〔従来の技術と本発明が解決しようとする課題〕近年、
光通信や光電子機器が急速かつ広範な発展を遂げ、従来
の発光・受光素子や伝送路(光)。
光通信や光電子機器が急速かつ広範な発展を遂げ、従来
の発光・受光素子や伝送路(光)。
アイバ)のみで構成された単純なシステムばかりでな(
、変調器、アイソレータ、光スィッチ、分岐・結合器1
分波・合波器といった様々な光回路を付加した高機能シ
ステムが要求されるようになりつつある。
、変調器、アイソレータ、光スィッチ、分岐・結合器1
分波・合波器といった様々な光回路を付加した高機能シ
ステムが要求されるようになりつつある。
しかしながら、このようなシステムに用いられる光回路
は、現状では微小レンズやプリズム等の個別素子の組み
合わせで構成されており、高精度な光軸合わせを含む組
み立て工程に膨大な手間と人手を要するため、将来に予
想される大量需要をまかなうのは困難と考えられる。
は、現状では微小レンズやプリズム等の個別素子の組み
合わせで構成されており、高精度な光軸合わせを含む組
み立て工程に膨大な手間と人手を要するため、将来に予
想される大量需要をまかなうのは困難と考えられる。
このような問題を克服するためには、多(の光機能素子
を一体集積化して一括大量生産を可能にする光集積回路
技術が必要不可欠である。中でも発光・受光素子や電子
回路との集積化が可能な半導体基板光集積回路の開発は
、急を要する課題である。
を一体集積化して一括大量生産を可能にする光集積回路
技術が必要不可欠である。中でも発光・受光素子や電子
回路との集積化が可能な半導体基板光集積回路の開発は
、急を要する課題である。
しかしながら光集積回路の基本となる光導波路として、
従来のコアとクラッドの屈折率差を用いた全反射型先導
波路を半導体基板上に製作する場合、コア内への光閉じ
込めか弱いため、光の電磁界の一部がクラッドへしみだ
し、高屈折率半導体基板へ放射されて高損失となる。第
4図はこのような全反射型先導波路の例であり、11は
半導体などの高屈折率の基板、 12はクラフト層、1
3はコア層、14は屈折率分布、15は導波光の界分布
、16の黒塗り部分は基板内にしみ込んだ放射損失光を
表している。
従来のコアとクラッドの屈折率差を用いた全反射型先導
波路を半導体基板上に製作する場合、コア内への光閉じ
込めか弱いため、光の電磁界の一部がクラッドへしみだ
し、高屈折率半導体基板へ放射されて高損失となる。第
4図はこのような全反射型先導波路の例であり、11は
半導体などの高屈折率の基板、 12はクラフト層、1
3はコア層、14は屈折率分布、15は導波光の界分布
、16の黒塗り部分は基板内にしみ込んだ放射損失光を
表している。
このような放射損失光を減少させるには、クラ1.ド層
12を厚(しなければならず、製作上の難点がある。ま
た、コアとクラフト間の微小な屈折率差を制御する必要
があり、さらに先導波路自体では何の光制御機能も持た
ないなどの問題があった。
12を厚(しなければならず、製作上の難点がある。ま
た、コアとクラフト間の微小な屈折率差を制御する必要
があり、さらに先導波路自体では何の光制御機能も持た
ないなどの問題があった。
これらの問題を解決するため、新しく共振反射型光導波
路(通称ARROW)が提案されている。
路(通称ARROW)が提案されている。
第5図はこれを図示したもので517は高屈折率n、の
半導体基板、 18は屈折率nl+厚さd、の第1クラ
ツド層、19は屈折率nz厚さd2の第2クラツド層、
20は屈折率n、厚さd、の誘電体コア層、21は屈
折率分布、22は導波光の界分布を表す。各屈折率間に
は次のような関係がある。ただし+ nOはコア上部
の媒質(通常は空気)の屈折率である。
半導体基板、 18は屈折率nl+厚さd、の第1クラ
ツド層、19は屈折率nz厚さd2の第2クラツド層、
20は屈折率n、厚さd、の誘電体コア層、21は屈
折率分布、22は導波光の界分布を表す。各屈折率間に
は次のような関係がある。ただし+ nOはコア上部
の媒質(通常は空気)の屈折率である。
nc >n、、n、>nc、n、>n、。
n(≧n、、 n2<ns
この第5図の共振反射型光導波路は、5iOzなどの比
較的低い屈折率を有する誘電体コア層20と半導体基板
17の間のクラッド層に、高屈折率の第1クラッド層1
8と低屈折率の第2クラッド層19からなる厚さ2μm
程度の干渉反射クランドを用い、干渉反射の高反射率(
99,9%以上)特性を利用して光を導波する。そして
、高次モードは基本モードに比べて放射損失が著しく大
きいので、実質的に単一モード導波路が実現できる。
較的低い屈折率を有する誘電体コア層20と半導体基板
17の間のクラッド層に、高屈折率の第1クラッド層1
8と低屈折率の第2クラッド層19からなる厚さ2μm
程度の干渉反射クランドを用い、干渉反射の高反射率(
99,9%以上)特性を利用して光を導波する。そして
、高次モードは基本モードに比べて放射損失が著しく大
きいので、実質的に単一モード導波路が実現できる。
第5図の共振反射型先導波路は、1)広い波長範囲で低
損失、2)クラッド層が薄((従来の1/2以下)かつ
低損失を得るための膜厚許容幅が広いので製作し易い、
3)光ファイバとの高効率結合に適する厚膜コアでも実
質的に単一モード導波路が可能、4)半導体光素子、電
子回路との集積化が可能1等の光集積回路用導波路に適
した多(の特長を有する。
損失、2)クラッド層が薄((従来の1/2以下)かつ
低損失を得るための膜厚許容幅が広いので製作し易い、
3)光ファイバとの高効率結合に適する厚膜コアでも実
質的に単一モード導波路が可能、4)半導体光素子、電
子回路との集積化が可能1等の光集積回路用導波路に適
した多(の特長を有する。
また5この共振反射型先導波路の導波損失は強い偏光方
向依存性、波長依存性をもつので、偏光器(偏光フィル
タ)、光分波器等への応用が可能である。
向依存性、波長依存性をもつので、偏光器(偏光フィル
タ)、光分波器等への応用が可能である。
しかしながら、このような偏光方向および波長に対する
強い依存性は、単に光を4波させる場合には、常に好ま
しい特性であるとは限らない。導波路に偏光依存性があ
ると、その偏光方向成分のみが低損失で4波され、他の
直交する偏光方向成分は放射損失となってしまうため、
入射する光の偏光方向を制御する必要がある。また、波
長依存性があると広範囲な波長の光を多重化して導波さ
せることができないなど様々な制約が生じてしまう。
強い依存性は、単に光を4波させる場合には、常に好ま
しい特性であるとは限らない。導波路に偏光依存性があ
ると、その偏光方向成分のみが低損失で4波され、他の
直交する偏光方向成分は放射損失となってしまうため、
入射する光の偏光方向を制御する必要がある。また、波
長依存性があると広範囲な波長の光を多重化して導波さ
せることができないなど様々な制約が生じてしまう。
本発明は、先に述べた共振反射型先導波路に劣らない特
長を有し、しかも導波損失の偏波依存性。
長を有し、しかも導波損失の偏波依存性。
波長依存性が小さく、広範囲の光集積回路への適応が可
能な、平板型単一モードの光導波路を提供することを目
的とする。
能な、平板型単一モードの光導波路を提供することを目
的とする。
本発明は、コア層と基板との間に、第1クラッド層と第
2クラッド層を設けた構造とするが、コア層に接する第
1クラッド層の屈折率をコア層よりも低クシ、第2クラ
ッド層の屈折率は第1クラッド層よりも高くするもので
ある。これにより。
2クラッド層を設けた構造とするが、コア層に接する第
1クラッド層の屈折率をコア層よりも低クシ、第2クラ
ッド層の屈折率は第1クラッド層よりも高くするもので
ある。これにより。
コア層を伝播する光の一部を第1クラッド層によ;
り全反射させ、また一部第1クラッド層
にしみ込んだ光は第2クラッド層によって干渉反射され
るようにする。
り全反射させ、また一部第1クラッド層
にしみ込んだ光は第2クラッド層によって干渉反射され
るようにする。
第1図に本発明の原理を示す。図において、1は屈折率
n、の半導体基板、2は屈折率n、厚さd、の第1クラ
ツド層、3は屈折率n2厚さd2の第2クラツド層、4
は屈折率n、厚さdcのコア層、5は屈折率分布、6は
導波光の界分布を表す。また各層の屈折率間には次のよ
うな関係がある。
n、の半導体基板、2は屈折率n、厚さd、の第1クラ
ツド層、3は屈折率n2厚さd2の第2クラツド層、4
は屈折率n、厚さdcのコア層、5は屈折率分布、6は
導波光の界分布を表す。また各層の屈折率間には次のよ
うな関係がある。
n(> no + nr <nc + rl+ <nz
+n(≧nz、 n、<nz 〔作 用〕 本発明による光導波路は、従来の共振反射型先導波路と
類似の構造をもつ。基板には半導体などの高屈折率材料
を用い、コア層と基板の間に2層1組の干渉反射クラフ
トを挟んで、その非常に高い反射率を利用して光を導波
する。しかし従来の共振反射型先導波路の場合には、第
1クラフト層はコア層より屈折率の高い媒質9例えば5
i(n+=3.5)あるいはT i 0z(nt=2.
3)などを用いているため、干渉反射クラフトによって
生じる反射は2つのクラッド層の間圧折率差によって生
しる単純な干渉反射である。
+n(≧nz、 n、<nz 〔作 用〕 本発明による光導波路は、従来の共振反射型先導波路と
類似の構造をもつ。基板には半導体などの高屈折率材料
を用い、コア層と基板の間に2層1組の干渉反射クラフ
トを挟んで、その非常に高い反射率を利用して光を導波
する。しかし従来の共振反射型先導波路の場合には、第
1クラフト層はコア層より屈折率の高い媒質9例えば5
i(n+=3.5)あるいはT i 0z(nt=2.
3)などを用いているため、干渉反射クラフトによって
生じる反射は2つのクラッド層の間圧折率差によって生
しる単純な干渉反射である。
これに対して本発明の光導波路では、第1クラッド層の
屈折率が、コア層及び第2クラッド層よりも小さい。し
たがって、光はコア層と第1クラッド層の境界で一部全
反射するが、一部しみ出した光が第2クラッド層の中で
干渉を起こす。そして各層を最適膜厚に設定し、基本モ
ードと高次モードの損失差を大きくとることで、実質的
な単一モードが得られる。
屈折率が、コア層及び第2クラッド層よりも小さい。し
たがって、光はコア層と第1クラッド層の境界で一部全
反射するが、一部しみ出した光が第2クラッド層の中で
干渉を起こす。そして各層を最適膜厚に設定し、基本モ
ードと高次モードの損失差を大きくとることで、実質的
な単一モードが得られる。
本発明の先導波路は、低損失で、光閉じ込めが強(、光
ファイバとの高効率結合が可能である。
ファイバとの高効率結合が可能である。
また半導体素子との集積化が可能であるなど、共振反射
型光導波路と同様の特長をもち、さらに4波損失の偏波
依存性が共振反射型光導波路の1/10以下と小さくで
きるとともに9広い波長範囲の光に対して低損失の特性
が得られる。
型光導波路と同様の特長をもち、さらに4波損失の偏波
依存性が共振反射型光導波路の1/10以下と小さくで
きるとともに9広い波長範囲の光に対して低損失の特性
が得られる。
第2図に実施例として波長で規格化した第1クラフト層
の厚さdlに対する各モードの導波損失特性を計算結果
により示す。図の横軸は波長で規格化した第1クラッド
層の厚さds’(”d+/λ)であり、縦軸は波長で規
格化した損失のα(dB・λ/m)である。
の厚さdlに対する各モードの導波損失特性を計算結果
により示す。図の横軸は波長で規格化した第1クラッド
層の厚さds’(”d+/λ)であり、縦軸は波長で規
格化した損失のα(dB・λ/m)である。
ここでコア層と第2クラッド層には、導波路材料として
よく用いられるC 7059ガラス (n2=1.54
) 、第1クラフト層にはS i 02(n l =1
.46)を仮定した。またnz =3.85. nc
=1.54とし。
よく用いられるC 7059ガラス (n2=1.54
) 、第1クラフト層にはS i 02(n l =1
.46)を仮定した。またnz =3.85. nc
=1.54とし。
規格化コア厚dc’ (”dc/λ)を6.3とした
とき、ds’=0.4で、TE、TMとも基本モードの
損失が波長0.633μmに対して1dB/cm以下、
高次モードの損失が1OdB/cm以上の実用的な単一
モードが得られる。
とき、ds’=0.4で、TE、TMとも基本モードの
損失が波長0.633μmに対して1dB/cm以下、
高次モードの損失が1OdB/cm以上の実用的な単一
モードが得られる。
一般的に、基本モードのTE波とTM波との間の損失差
は数倍程度と小さ(、これに対して基本モードのTE波
と高次モードのTE波あるいは高次モードのTM波との
間の損失差は2桁以上得られるので、実質的な単一モー
ドによる導波路が実現できる。
は数倍程度と小さ(、これに対して基本モードのTE波
と高次モードのTE波あるいは高次モードのTM波との
間の損失差は2桁以上得られるので、実質的な単一モー
ドによる導波路が実現できる。
また、損失a 、lに対して単調減少するため、共振反
射型先導波路のように第1クラッド層の屈折率で最低損
失が制限されることがなく、どの様な損失値にも設定可
能である。したがって、どのような波長の光に対しても
、第1クラフト層の厚さ次第で低損失の導波路が得られ
ることになる。
射型先導波路のように第1クラッド層の屈折率で最低損
失が制限されることがなく、どの様な損失値にも設定可
能である。したがって、どのような波長の光に対しても
、第1クラフト層の厚さ次第で低損失の導波路が得られ
ることになる。
第3図に、第2図の場合と同じ条件でd 1’ =0.
4としたときのTEN本モードの光パワー分布を示す。
4としたときのTEN本モードの光パワー分布を示す。
共振反射型先導波路の場合と同様に、コア内の光閉じ込
めが掻めて強いことがわかる。
めが掻めて強いことがわかる。
次に製作例を示す。
波長0.633μmに対して、 C7059ガラスの
コア層を厚さ4μm、sio、の第1クラフト層を厚さ
0.3μm 、 C7059ガラスの第2クラッド層を
厚さ2μmとした。製作には高周波スパッタを用い。
コア層を厚さ4μm、sio、の第1クラフト層を厚さ
0.3μm 、 C7059ガラスの第2クラッド層を
厚さ2μmとした。製作には高周波スパッタを用い。
各層を連続形成した。
He−Neレーザ光(λ= 0.633μm)を用いて
測定したところ、導波光の近視野像から単一モードが確
認された。また、このときの導波損失の測定結果を、第
2図中に○・印で示す。TEモードで0.5d B/c
+m、 TMモードで0.7 d B /ctaの低
損失特性が得られた。
測定したところ、導波光の近視野像から単一モードが確
認された。また、このときの導波損失の測定結果を、第
2図中に○・印で示す。TEモードで0.5d B/c
+m、 TMモードで0.7 d B /ctaの低
損失特性が得られた。
本発明の先導波路によれば、広い波長範囲の。
どのような偏光状態の光に対しても低損失に、かつ基本
モードと高次モード間の損失差を太き(とって実質的に
単一モードで光を導波することができる。また本発明の
先導波路と、従来の共振反射型光導波路とを組み合わせ
ることで、各種の半導体基板上モノリシック光集積回路
の構成が可能になる。
モードと高次モード間の損失差を太き(とって実質的に
単一モードで光を導波することができる。また本発明の
先導波路と、従来の共振反射型光導波路とを組み合わせ
ることで、各種の半導体基板上モノリシック光集積回路
の構成が可能になる。
第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の1実施
例による光導波路の導波損失特性図、第3図は本発明の
1実施例によるTEi本モードの光パワー分布図、第4
図は従来の全反射型光導波路の説明図、第5図は従来の
共振反射型光導波路の説明図である。 第1図中。 に基板(n、) 2:第1クラッド層(n+ 、dt) 3:第2クラッド層(n2.d2) 4:コア層(nc、dc) 5:屈折率分布 6:導波光の界分布
例による光導波路の導波損失特性図、第3図は本発明の
1実施例によるTEi本モードの光パワー分布図、第4
図は従来の全反射型光導波路の説明図、第5図は従来の
共振反射型光導波路の説明図である。 第1図中。 に基板(n、) 2:第1クラッド層(n+ 、dt) 3:第2クラッド層(n2.d2) 4:コア層(nc、dc) 5:屈折率分布 6:導波光の界分布
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体等の高屈折率材料からなる基板(1)と、光を導
波する誘電体材料からなるコア層(4)と、コア層(4
)および基板(1)の中間に設けた第1クラッド層(2
)および第2クラッド層(3)からなる干渉反射クラッ
ドとをそなえ、 第1クラッド層(2)の屈折率を、コア層(4)および
第2クラッド層(3)のいずれの屈折率よりも低くした
ことを特徴とする光導波路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5311488A JP2728421B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5311488A JP2728421B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 光導波路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01225905A true JPH01225905A (ja) | 1989-09-08 |
JP2728421B2 JP2728421B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=12933772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5311488A Expired - Fee Related JP2728421B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 光導波路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2728421B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349369A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Trw Inc | 高出力ファイバリボンレーザー及び増幅器 |
JP2009271435A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Ricoh Co Ltd | 光導波路素子および波長変換素子および高調波レーザ光源装置 |
WO2017022717A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 旭硝子株式会社 | 樹脂光導波路 |
CN113161463A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-07-23 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种斜腔芯片结构 |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP5311488A patent/JP2728421B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349369A (ja) * | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Trw Inc | 高出力ファイバリボンレーザー及び増幅器 |
JP2009271435A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Ricoh Co Ltd | 光導波路素子および波長変換素子および高調波レーザ光源装置 |
WO2017022717A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 旭硝子株式会社 | 樹脂光導波路 |
JPWO2017022717A1 (ja) * | 2015-08-04 | 2018-05-24 | 旭硝子株式会社 | 樹脂光導波路 |
US10409000B2 (en) | 2015-08-04 | 2019-09-10 | AGC Inc. | Resin optical waveguide |
CN113161463A (zh) * | 2021-03-01 | 2021-07-23 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种斜腔芯片结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2728421B2 (ja) | 1998-03-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN112255727B (zh) | 端面耦合器和半导体器件 | |
US4756587A (en) | Optical multi/demultiplexer | |
EP0484878B1 (en) | Y-branching optical circuit | |
CN114384632B (zh) | 一种基于阵列波导光栅和波导型探测器的模斑转换器 | |
Li et al. | Silicon optical bench waveguide technology | |
Ramer et al. | Experimental integrated optic circuit losses and fiber pigtailing of chips | |
JP2004522982A (ja) | 封じ込め作用の強い偏波無依存性シングルモードリッジ光導波路 | |
JPH09105824A (ja) | 導波形光素子 | |
Hsu et al. | Single-mode coupling between fibers and indiffused waveguides | |
CN115826137A (zh) | 一种基于定向耦合型的宽带偏振分束器 | |
CN107561646A (zh) | 光波导偏振分离器及其制造方法 | |
WO2003062909A2 (en) | Polarisation converter | |
JPH01225905A (ja) | 光導波路 | |
CN115079341A (zh) | 一种波导器件 | |
JP3084417B2 (ja) | 光結合デバイス | |
JP2000121852A (ja) | 導波路グレーティング型分散補償素子 | |
US5410623A (en) | Optical device having two optical waveguides connected and a method of producing the same | |
JP2856525B2 (ja) | 光導波路型偏光子 | |
CN112596254A (zh) | 基于光子晶体的紧凑型偏振分束器 | |
Kagami et al. | Multimode power divider using radiation from tight bending waveguide | |
CN115201970B (zh) | 具有光栅耦合器的硅基光学芯片 | |
JP2003207664A (ja) | 光回路 | |
JP3184358B2 (ja) | スターカップラ | |
KR20130067613A (ko) | 코어 및 광 도파로 | |
JPS63191106A (ja) | 光分岐回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |