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JPH0122237B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0122237B2
JPH0122237B2 JP20768584A JP20768584A JPH0122237B2 JP H0122237 B2 JPH0122237 B2 JP H0122237B2 JP 20768584 A JP20768584 A JP 20768584A JP 20768584 A JP20768584 A JP 20768584A JP H0122237 B2 JPH0122237 B2 JP H0122237B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
ceramics
oxide
metallized layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP20768584A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6186488A (ja
Inventor
Yoshihiro Ehata
Minoru Kinoshita
Ryozo Hayamizu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP20768584A priority Critical patent/JPS6186488A/ja
Publication of JPS6186488A publication Critical patent/JPS6186488A/ja
Publication of JPH0122237B2 publication Critical patent/JPH0122237B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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  • Ceramic Products (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
技術分野 本発明は、セラミツクスの簡便なメタライズ法
に関する。 発明の背景 一般に、セラミツクスは、耐熱性、耐磨耗性、
絶縁性等に優れる反面脆く衝撃に弱いため、構造
材料として用いられるときには、金属との接合体
にして使用されることが多い。金属とセラミツク
スを接合する場合には、先ずセラミツクス表面を
メタライズする必要がある。また、セラミツクス
を導電材料として用いる場合には、セラミツクス
表面にメタライズを行つて使用されている。 セラミツクスのメタライズ法としては、テレフ
ンケン法、活性金属法、水素化合物法、酸化物ソ
ルダー法、炭酸銀法等が知られているが、これら
の内テレフンケン法以外の方法には工程が複雑で
あるのに加えて、メタライズ層の接着強度、耐熱
衝撃性、耐化学薬品性等が充分でない場合がある
ため、現在のところテレフンケン法によるのが一
般的である。テレフンケン法は、セラミツクス表
面にモリブデン−マンガンを被覆し、非酸化性雰
囲気中1400〜1700℃という高温で焼付け、その上
に金属メツキを行い、更に被膜の安定化のために
再度非酸化性雰囲気中で加熱することによりメタ
ライズし、次いで必要に応じて金属をロウ接する
ものである。しかし、この方法には、作業工程が
長く且つ煩雑であるという大きな欠点があるのに
加えて、加熱温度が高いという欠点もある。 本発明者は、上記欠点が解消されたセラミツク
スのメタライズ法を開発するため鋭意研究した結
果、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅
の少くとも1種とSiO2又はカオリンとの混合物
を被覆層として用いる場合には空気等の酸化性雰
囲気中にて比較的低温で焼付けができ、次いで焼
付け層を還元処理すれば極めて簡便にメタライズ
できること、SiO2又はカオリンの併用によりメ
タライズ層の均一性特に表面の平滑性及び光沢が
向上すること、得られたメタライズ層は導電性に
優れ且つ接着強度が高いこと等を見出し、これら
の知見に基づく発明については別途特許出願した
(特願昭58−83721号及び特願昭58−131575号)。 而して、本発明者は、引き続く研究において、
上記混合物に更に酸化スズを併用することにより
メタライズ層の接着強度が顕著に向上することを
見出し、本発明を完成するに至つた。 発明の構成及び効果 本発明は、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及
び塩化銅の少くとも1種、SiO2又は(及び)カ
オリン及び酸化スズの混合物を、セラミツクス表
面に被覆し、酸化性雰囲気中900〜1300℃で加熱
して焼付けた後、焼付け層を還元処理することを
特徴とするセラミツクスのメタライズ法に係る。 本発明においては、被覆層としてSiO2又は
(及び)カオリンを併用したことにより、焼付け
被膜のむらが防止でき、メタライズ層の均一性特
に表面の平滑性及び光沢が向上しているのみなら
ず、被覆層として更に酸化スズを併用したことに
より、メタライズ層の接着強度が顕著に向上して
いる。 本発明において被覆層として用いる炭酸銅、硫
酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅は、いずれも通
常粉末状のものを使用する。粉末の粒度として
は、特に限定されないが、通常100μm以下程度
好ましくは50μm以下程度が適当である。 また、SiO2、カオリン及び酸化スズも、通常
粉末状のものを使用する。粒度は上記と同様であ
る。 各成分の使用割合は炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、
酸化銅及び塩化銅の少くとも1種80〜30重量%程
度に対してSiO2又は(及び)カオリンを5〜30
重量%程度好ましくは5〜20重量%、酸化スズを
10〜60重量%程度好ましくは20〜50重量%とする
のが適当である。SiO2又は(及び)カオリンが
5重量%未満の場合にはメタライズ層表面の平滑
性及び光沢が不充分になることがあり、30重量%
を越えた場合にはメタライズ層の導電性が低下す
る傾向があるので好ましくない。又、酸化スズが
10重量%未満の場合及び60重量%を越えた場合に
は、いずれもメタライズ層の接着強度の向上が不
充分な傾向にあるので好ましくない。 本発明においては、炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、
酸化銅及び塩化銅の少くとも1種、SiO2又は
(及び)カオリン及び酸化スズの混合物を粉末状
のまま使用しても良いし、適当なバインダー及び
その溶剤、例えばスクリーンオイル等の印刷用イ
ンキ、バルサム等を適宜の量用いてペースト状に
して使用しても良い。 粉末状又はペースト状の混合物をメタライズが
必要なセラミツクス表面に撤布又は塗付して被覆
する。被覆する量は、特に限定されず、所望のメ
タライズ層の厚さに応じて、適宜決定される。次
に、上記で被覆されたセラミツクスを酸化性雰囲
気中にて加熱して被覆層を焼付ける。酸化性雰囲
気としては、特殊なものを使用する必要はなく、
空気、空気と窒素との混合気等を使用すれば充分
である。また、加熱条件としては、セラミツクス
の形状、大きさや用いた被覆層の種類、被覆量等
により変化するが、通常900〜1300℃の温度で5
〜60分間程度加熱する。この加熱により炭酸銅、
硫酸銅、硫化銅又は塩化銅は、酸化されて酸化銅
になり、酸化銅及び酸化スズを主体とする被膜が
セラミツクスに密着する。この際、酸化銅の融液
がセラミツクス内に一部浸透することにより接着
強度が高められる。又、酸化スズを併用したこと
によつても接着強度が顕著に向上している。更
に、SiO2又は(及び)カオリンを使用したこと
によりメタライズ層の均一性、表面の平滑性及び
光沢が著しく高められる。加熱温度が900℃より
低い場合は上記浸透が起こらず接着強度が不充分
になり、又1300℃より高い場合は被覆層の粘性が
低下して流出することがあるので好ましくない。 次に、上記により焼付け層が施されたセラミツ
クスを還元処理する。還元方法としては、特に限
定されず、酸化銅及び酸化スズが金属銅及びスズ
に還元されるならばどんな方法でも良く、例えば
水素雰囲気、一酸化炭素雰囲気等の還元性雰囲気
中での加熱、エタノール、メタノール、プロパノ
ール等のアルコール類、ベンジン、ホルマリン等
の還元性溶媒への浸漬、ジメチルアミンボラン水
溶液への浸漬等を挙げることができる。還元性雰
囲気中で加熱する場合の温度は、焼付け層の分
解、変質等を防ぐために前記焼付け温度よりも低
いことが好ましく、通常200〜900℃程度とし、時
間は通常5〜60分間程度とする。また、還元性溶
媒への浸漬による場合は、セラミツクスを通常
200〜500℃程度好ましくは300℃前後に加熱後、
上記還元性溶媒に10〜60秒間程度浸漬すれば良
い。また、ジメチルアミンボラン水溶液への浸漬
による場合は、セラミツクスを通常40〜60℃程度
に加熱後、該水溶液に10〜60秒間程度浸漬すれば
良い。 上記還元処理により、極めて優れた導電性を有
する銅−スズメタライズ層がセラミツクス表面に
形成される。 かくしてメタライズされたセラミツクスには、
必要に応じて、常法例えばロウ接等により、各種
金属を容易に接合することができる。 本発明によりメタライズできるセラミツクスと
しては、特に限定されず、例えば窒化珪素、サイ
アロン、炭化珪素、窒化アルミニウム等の非酸化
物系セラミツクス、アルミナ、ジルコニア、ムラ
イト、ベリリア、マグネシア、コージーライト等
の酸化物系セラミツクスを挙げることができる。 本発明によれば、従来法に比べて低温で焼付け
後、還元処理するという極めて簡便な操作で、セ
ラミツクス表面にメタライズ層が形成でき、得ら
れたメタライズ層は導電性に優れ且つ接着強度が
極めて高く、またメタライズ層の均一性、特に表
面の平滑性及び光沢に優れているので商品価値が
高いという効果が得られる。 本発明によりメタライズされたセラミツクス
は、上記の如き性能を有するので、セラミツクス
パツケージ等の電子部品、セラミツクスを用いた
耐磨耗性部品、耐熱性部品等に好適に使用でき
る。 実施例 以下、実施例を挙げて、本発明を更に具体的に
説明する。 実施例 1 酸化銅粉末(粒度5μm)45重量%と酸化スズ
粉末(粒度5μm)45重量%とSiO2粉末(粒度5μ
m)10重量%を混合したもの100重量部に対して
バルサム10重量部を混合してペースト状とし、こ
れを平板正方形の窒化珪素(Si3N4)、サイアロ
ン、炭化珪素(SiC)、アルミナ又はジルコニア
の焼結体の表面に0.1g/cm2塗布した。次に、電
気炉を用い空気中にて1100℃で20分間焼成して焼
付け被覆層を形成した。引続き焼成したものを乾
燥器中で50℃に加熱した後、ジメチルアミンボラ
ンの5%水溶液中に浸漬した。これによつて焼付
け被覆層が還元され、金属銅−スズのメタライズ
層が形成された。下記第1表に還元前後におけ
る、1000Vの電圧で測定した電気抵抗値を示し
た。還元後のメタライズ層は、極めて優れた導電
性を有していることが判つた。 かくして得たメタライズ層を有する各セラミツ
クスと銅片とを銀ロウを用いてロウ接し、秤量
2ton及び荷重速度5mm/minの引張試験器を用い
て、メタライズ層の接着強度を測定したところ、
いずれも極めて強く接着されていることが判つ
た。結果を下記第1表に併記した。
【表】 また、得られたメタライズ層は均一性特に表面
の平滑性及び光沢が優れており、商品価値の高い
ものであつた。 比較例 1 酸化銅粉末(粒度5μm)90重量%とSiO2(粒度
5μm)10重量%との混合粉末100重量部を使用す
る以外は実施例1と同様にしてペーストを調製
し、実施例1と同様にして各種セラミツクスのメ
タライズを行なつた。 次いで、得られたメタライズ層を有する各セラ
ミツクスと銅片とを実施例1と同様にしてロウ接
し、メタライズ層の接着強度を測定した。結果を
第2表に示す。 第2表 セラミツクス 接着強度 (Kg/cm2) 窒化珪素 420 サイアロン 440 炭化珪素 425 アルミナ 610 ジルコニア 645 第1表と第2表とを対比すれば、本発明方法に
に従つて酸化スズを配合することにより、メタラ
イズ層の接着強度が大巾に改善されることが明ら
かである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 炭酸銅、硫酸銅、硫化銅、酸化銅及び塩化銅
    の少くとも1種、SiO2又は(及び)カオリン及
    び酸化スズの混合物を、セラミツクス表面に被覆
    し、酸化性雰囲気中900〜1300℃で加熱して焼付
    けた後、焼付け層を還元処理することを特徴とす
    るセラミツクスのメタライズ法。
JP20768584A 1984-10-02 1984-10-02 セラミツクスのメタライズ法 Granted JPS6186488A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20768584A JPS6186488A (ja) 1984-10-02 1984-10-02 セラミツクスのメタライズ法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20768584A JPS6186488A (ja) 1984-10-02 1984-10-02 セラミツクスのメタライズ法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6186488A JPS6186488A (ja) 1986-05-01
JPH0122237B2 true JPH0122237B2 (ja) 1989-04-25

Family

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JP20768584A Granted JPS6186488A (ja) 1984-10-02 1984-10-02 セラミツクスのメタライズ法

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JPS6186488A (ja) 1986-05-01

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