JPH01217998A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01217998A JPH01217998A JP63042078A JP4207888A JPH01217998A JP H01217998 A JPH01217998 A JP H01217998A JP 63042078 A JP63042078 A JP 63042078A JP 4207888 A JP4207888 A JP 4207888A JP H01217998 A JPH01217998 A JP H01217998A
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-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の技術に関し、特にフレキシブル
配線基板を備えた半導体装置に適用して有効な技術に関
する。
配線基板を備えた半導体装置に適用して有効な技術に関
する。
［従来の技術］
半導体装置の技術分野において、配線基板への高密度実
装化等を図るべき技術として、面付は実装技術がある。
装化等を図るべき技術として、面付は実装技術がある。
このような実装技術については、たとえば株式会社工業
調査会、１９８７年９月号、Ｐ４０〜Ｐ４５に記載され
ている。
調査会、１９８７年９月号、Ｐ４０〜Ｐ４５に記載され
ている。
一方、高密度実装化等の傾向に伴い、配線基板の熱放散
性を改善すべき技術として、たとえばメタルコア基板が
ある。
性を改善すべき技術として、たとえばメタルコア基板が
ある。
このメタルコア基板は、ベースとなる金属板に孔開けし
た後に、この金属板の表面にエポキシ御脂等の絶縁層を
塗布してその絶縁層上に導体パターンを形成して製造さ
れる構造とされている。
た後に、この金属板の表面にエポキシ御脂等の絶縁層を
塗布してその絶縁層上に導体パターンを形成して製造さ
れる構造とされている。
［発明が解決しようとする課題］
ところで、たとえばダイナミックＲＡＭメモリモジュー
ルやメモリボード等にようにリフレッシュを必要とし、
実装密度の高い半導体装置においては、特にその半導体
素子のリフレッシュ特性が温度の上昇とともに劣化する
ため、放熱特性の向上が要求される。
ルやメモリボード等にようにリフレッシュを必要とし、
実装密度の高い半導体装置においては、特にその半導体
素子のリフレッシュ特性が温度の上昇とともに劣化する
ため、放熱特性の向上が要求される。
そこで、そのような放熱特性の向上の要求に応じるため
に、前記したメタルコア基板を適用することも考えられ
るが、このメタルコア基板はその普及度が低く、コスト
が高くなるという問題点がある。
に、前記したメタルコア基板を適用することも考えられ
るが、このメタルコア基板はその普及度が低く、コスト
が高くなるという問題点がある。
この点、たとえばポリミイドの樹脂等をベースとしたフ
レキシブル配線基板は、その普及度も高く、コストも低
廉であるが、反面、熱伝導性の低さから放熱特性の向上
を図ることができず、また強度が小さい。
レキシブル配線基板は、その普及度も高く、コストも低
廉であるが、反面、熱伝導性の低さから放熱特性の向上
を図ることができず、また強度が小さい。
本発明の目的は、配線基板の放熱特性と強度との向上を
低廉なコストによって図ることができる半導体装置を提
供することにある。
低廉なコストによって図ることができる半導体装置を提
供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［課３を解決するための手段］
本願において開示される発明のうち代表的なものの橿要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、放熱板の一面側ないし両面側にフレキシブル
配線基板が重合されている構造の半導体装置である。
配線基板が重合されている構造の半導体装置である。
この場合に、前記フレキシブル配線基板が前記放熱板を
包むように折り返されて該放熱板の両面側に重合されて
いる構造としても良い。
包むように折り返されて該放熱板の両面側に重合されて
いる構造としても良い。
また、前記放熱板は、前記フレキシブル配線基板におけ
る半導体素子の非実装面側に位置させることが好ましい
。
る半導体素子の非実装面側に位置させることが好ましい
。
［作用］
前記した手段によれば、放熱板にフレキシブル配線基板
が重合されていることにより、該フレキシブル配線基板
の放熱性と強度との向上が図られているので、該フレキ
シブル配線基板の放熱特性と強度との向上を低廉なコス
トによって図ることができる。
が重合されていることにより、該フレキシブル配線基板
の放熱性と強度との向上が図られているので、該フレキ
シブル配線基板の放熱特性と強度との向上を低廉なコス
トによって図ることができる。
この場合に、前記フレキシブル配線基板が前記放熱板を
包むように折り返されて該放熱板の両面側に重合されて
いる構造とすれば、半導体素子のフレキシブル配線基板
に対する高密度実装化が容易に可能となる。
包むように折り返されて該放熱板の両面側に重合されて
いる構造とすれば、半導体素子のフレキシブル配線基板
に対する高密度実装化が容易に可能となる。
また、前記放熱板を前記フレキシブル配線基板における
半導体素子の非実装面側に位置させれば、更に半導体素
子のフレキシブル配線基板に対する高密度実装化を図る
ことができる。
半導体素子の非実装面側に位置させれば、更に半導体素
子のフレキシブル配線基板に対する高密度実装化を図る
ことができる。
［実施例１］
第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す断面
図である。
図である。
本実施例の半導体装置１は、Ｄ−ＲＡＭメモリモジュー
ルやメモリボード等のようなリフレシユを必要とするメ
モリ形半導体装置とされ、放熱板２と、この放熱板２に
重合されているフレキシブル配線基板３とを備えている
。
ルやメモリボード等のようなリフレシユを必要とするメ
モリ形半導体装置とされ、放熱板２と、この放熱板２に
重合されているフレキシブル配線基板３とを備えている
。
前記放熱板２は、金属板によって形成され、この放熱板
２は、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁層４によって被覆
されている。
２は、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁層４によって被覆
されている。
前記フレキシブル配線基板３のべ−１３ａ ｌｔ、たと
えばポリミイド、ポリエステル、ガラス耐熱性樹脂等の
樹脂材によって形成され、該ベース３ａの表面側には、
たとえば銅箔等からなる配線層３ｂが形成されている。
えばポリミイド、ポリエステル、ガラス耐熱性樹脂等の
樹脂材によって形成され、該ベース３ａの表面側には、
たとえば銅箔等からなる配線層３ｂが形成されている。
そして、このようなフレキシブル配線基板３は、放熱板
２を包むように該フレキシブル配線基板３の中途でその
裏面側に折り返されて絶縁層４に接着ないし圧着され、
該放熱板２の両面側（第１図においては上下面側）に重
合されている。
２を包むように該フレキシブル配線基板３の中途でその
裏面側に折り返されて絶縁層４に接着ないし圧着され、
該放熱板２の両面側（第１図においては上下面側）に重
合されている。
半導体装置１の半導体素子５は、半導体ペレット（図示
せず）がパッケージ５ａによって封止されたＪベンド形
５ＯＩＣとされている。
せず）がパッケージ５ａによって封止されたＪベンド形
５ＯＩＣとされている。
半導体素子５はフレキシブル配線基板３の外周面側に夫
々複数面付は実装され、該半導体素子５のアウターリー
ド５ｂとフレキシブル配線基板３の配線層３ｂとがはん
だ６等によって接続されている。
々複数面付は実装され、該半導体素子５のアウターリー
ド５ｂとフレキシブル配線基板３の配線層３ｂとがはん
だ６等によって接続されている。
このような半導体素子５の実装により、放熱板２が該フ
レキシブル配線基板３における前記半導体素子５の非実
装面側に位置されて、半導体素子５のフレキシブル配線
基板３に対する高密度実装化が妨げられないようになっ
ている。
レキシブル配線基板３における前記半導体素子５の非実
装面側に位置されて、半導体素子５のフレキシブル配線
基板３に対する高密度実装化が妨げられないようになっ
ている。
すなわち、放熱板２が該フレキシブル配線基板３におけ
る前記半導体素子５の実装面側に位置された場合には、
該放熱板２の存在によって半導体素子５のフレキシブル
配線基板３に対する高密度実装化が妨げられるが、本実
施例においてはそのような高密度実装化の妨げが防止さ
れているものである。
る前記半導体素子５の実装面側に位置された場合には、
該放熱板２の存在によって半導体素子５のフレキシブル
配線基板３に対する高密度実装化が妨げられるが、本実
施例においてはそのような高密度実装化の妨げが防止さ
れているものである。
次に、本実施例の作用について説明する。
たとえば、本実施例において、フレキシブル配線基板３
の放熱板２への重合に際しては、先ず、金属板からなる
放熱板２にエポキシ樹脂等を塗布して絶縁層４を形成す
る。
の放熱板２への重合に際しては、先ず、金属板からなる
放熱板２にエポキシ樹脂等を塗布して絶縁層４を形成す
る。
次いで、放熱板２を包むようにフレキシブル配線基板３
をその中途で裏面側に折り返し、絶縁層４に接着ないし
圧着させて、該放熱板２の両面側に重合させる。
をその中途で裏面側に折り返し、絶縁層４に接着ないし
圧着させて、該放熱板２の両面側に重合させる。
このような製造工程を経て製造される本実施例の半導体
装置１によれば、フレキシブル配線基板３に重合された
放熱板２により、該フレキシブル配線基板３の放熱性と
強度との向上を図ることができる。また、その放熱特性
の向上を通じて、半導体素子５のリフレッシュ特性の向
上を図ることをでき、半導体装Ｉｆの信頼性の向上を図
ることができる。
装置１によれば、フレキシブル配線基板３に重合された
放熱板２により、該フレキシブル配線基板３の放熱性と
強度との向上を図ることができる。また、その放熱特性
の向上を通じて、半導体素子５のリフレッシュ特性の向
上を図ることをでき、半導体装Ｉｆの信頼性の向上を図
ることができる。
この場合に、本実施例においては、放熱板２を包むよう
にフレキシブル配線基板３が折り返されて該放熱板２の
両面側に接着ないし圧着によって重合されている構造と
されているので、たとえばメタルコア基板のような複雑
な製造工程や配線パターン上の制限等がなく、容易に製
造することができ、コストの低廉化を図ることができる
。また、放熱板２がフレキシブル配線基板３における半
導体素子５の非実装面側に位置されていることにより、
半導体素子５をフレキシブル配線基板３に高密度に実装
化することができる。
にフレキシブル配線基板３が折り返されて該放熱板２の
両面側に接着ないし圧着によって重合されている構造と
されているので、たとえばメタルコア基板のような複雑
な製造工程や配線パターン上の制限等がなく、容易に製
造することができ、コストの低廉化を図ることができる
。また、放熱板２がフレキシブル配線基板３における半
導体素子５の非実装面側に位置されていることにより、
半導体素子５をフレキシブル配線基板３に高密度に実装
化することができる。
このように本実施例によれば、以下の効果を得ることが
できる。
できる。
（１）、フレキシブル配線基板３に重合された放熱板２
により、該フレキシブル配線基板３の放熱性と強度との
向上を図ることができる。
により、該フレキシブル配線基板３の放熱性と強度との
向上を図ることができる。
（２）、放熱板２を包むようにフレキシブル配線基板３
が折り返されて該放熱板２０両面側に接着ないし圧着に
よって重合されている構造とされているので、半導体素
子５のフレキシブル配線基板３に対する高密度実装化が
可能となり、また、たとえばメタルコア基板のような複
雑な製造工程や配線パターン上の制限等がな（、容易に
製造することができ、コストの低廉化を図ることができ
る。
が折り返されて該放熱板２０両面側に接着ないし圧着に
よって重合されている構造とされているので、半導体素
子５のフレキシブル配線基板３に対する高密度実装化が
可能となり、また、たとえばメタルコア基板のような複
雑な製造工程や配線パターン上の制限等がな（、容易に
製造することができ、コストの低廉化を図ることができ
る。
（３）、放熱板２がフレキシブル配線基板３にふける半
導体素子５の非実装面側に位置されていることにより、
半導体素子５をフレキシブル配線基板３に高密度に実装
化することができる。
導体素子５の非実装面側に位置されていることにより、
半導体素子５をフレキシブル配線基板３に高密度に実装
化することができる。
（４）、前記した（２）の効果により、半導体素子５が
リフレシュを必要とする素子である場合には、該半導体
素子５のリフレッシュ特性の向上を図ることをできる。
リフレシュを必要とする素子である場合には、該半導体
素子５のリフレッシュ特性の向上を図ることをできる。
（５）、前記した（４）の効果により、半導体装置１の
信頼性の向上を図ることができる。
信頼性の向上を図ることができる。
［実施例２］
第２図は本発明の他の実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
この実施例２０半導体装萱１は、その放熱板２の一面側
（第１図においては上面側）にフレキシブル配線基板３
が、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁層４を介して接着な
いし圧着によって重合されている。
（第１図においては上面側）にフレキシブル配線基板３
が、たとえばエポキシ樹脂等の絶縁層４を介して接着な
いし圧着によって重合されている。
また、放熱板２の端部には、絶縁層７が形成されていて
、この絶ｈｋｌｉｌＴにより、フレキシブル配線基板３
の所定の配線層３ｂに接続されたリード８と、該放熱板
２との絶縁が図られている。
、この絶ｈｋｌｉｌＴにより、フレキシブル配線基板３
の所定の配線層３ｂに接続されたリード８と、該放熱板
２との絶縁が図られている。
このような構造の実施例２によれば、放熱板２の一面側
全面が外部に露出されているので、優れた放熱特性を得
ることができる。
全面が外部に露出されているので、優れた放熱特性を得
ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例１〜２に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例１〜２に限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能であることはいうまでもない。
たとえば、本発明の放熱板２は実施例のような金属板の
適用に限定されるものではな（、たとえばセラミック板
等とすることが可能である。
適用に限定されるものではな（、たとえばセラミック板
等とすることが可能である。
また、そのような金属板の代わりに、金属箔を適用した
放熱板２とすることも可能である。
放熱板２とすることも可能である。
［発明の効果］
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、半導体素子が実装されたフレキシブル配線基
板と放熱板とを備え、前記放熱板の少なくとも一面側に
前記フレキシブル配線基板が重合されている構造とされ
ていることにより、フレキシブル配線基板の放熱性と強
度との向上が低廉なコストによって図られた半導体装置
を得ることができる。
板と放熱板とを備え、前記放熱板の少なくとも一面側に
前記フレキシブル配線基板が重合されている構造とされ
ていることにより、フレキシブル配線基板の放熱性と強
度との向上が低廉なコストによって図られた半導体装置
を得ることができる。
この場合に、前記フレキシブル配線基板が前記放熱板を
包むように折り返されて該放熱板の両面側に重合されて
いる構造とすれば、半導体素子のフレキシブル配線基板
に対する高密度実装化が容易に可能となる。
包むように折り返されて該放熱板の両面側に重合されて
いる構造とすれば、半導体素子のフレキシブル配線基板
に対する高密度実装化が容易に可能となる。
また、前記放熱板を前記フレキシブル配線基板における
半導体素子の非実装面側に位置させれば、更に半導体素
子のフレキシブル配線基板に対する高密度実装化を図る
ことができる。
半導体素子の非実装面側に位置させれば、更に半導体素
子のフレキシブル配線基板に対する高密度実装化を図る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例である半導体装置を示す断面
図、 第２図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す断
面図である。 １・・・半導体装置、２・・・放熱板、３・・・フレキ
シブル配線基板、３ａ・・・ベース、３ｂ・・・配線層
、４・・・絶縁層、５・・・半導体素子、５ａ・・・パ
ッケージ、５ｂ・・・アウターリード、６・・・はんだ
、７・・・絶縁層、８・・・リード。
図、 第２図は本発明の他の実施例である半導体装置を示す断
面図である。 １・・・半導体装置、２・・・放熱板、３・・・フレキ
シブル配線基板、３ａ・・・ベース、３ｂ・・・配線層
、４・・・絶縁層、５・・・半導体素子、５ａ・・・パ
ッケージ、５ｂ・・・アウターリード、６・・・はんだ
、７・・・絶縁層、８・・・リード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子が実装されたフレキシブル配線基板と放
熱板とを備え、前記放熱板の少なくとも一面側に前記フ
レキシブル配線基板が重合されていることを特徴とする
半導体装置。 ２、前記フレキシブル配線基板が前記放熱板を包むよう
に折り返されて該放熱板の両面側に重合されていること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置。 ３、前記フレキシブル配線基板における前記半導体素子
の非実装面側に前記放熱板が位置されていることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63042078A JPH01217998A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63042078A JPH01217998A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01217998A true JPH01217998A (ja) | 1989-08-31 |
Family
ID=12626022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63042078A Pending JPH01217998A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01217998A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0660163U (ja) * | 1993-01-22 | 1994-08-19 | 古河電気工業株式会社 | 放熱型両面回路基板 |
| EP0630175A1 (de) * | 1993-06-14 | 1994-12-21 | Blaupunkt-Werke GmbH | Kühlvorrichtung für eine elektrische Baugruppe |
| JP2010506419A (ja) * | 2006-10-11 | 2010-02-25 | 日東電工株式会社 | ハードドライブのワイヤボンドプリアンプ用熱伝達装置 |
| JP2012015186A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Denso Corp | 冷却器への電子部品内蔵配線基板の取付構造及びその取付方法 |
| JP2015219288A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 株式会社ニコン | 焦点調節装置、カメラおよび光学機器 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63042078A patent/JPH01217998A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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